一种电磁辐射抑制装置以及电子元器件的制作方法

本实用新型涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种电磁辐射抑制装置以及电子元器件。

背景技术：

目前高频电子电路上因为运行信号，造成电路在运行的过程中会产生高频辐射，如果该高频辐射不能得到有效地抑制，会造成电磁兼容等问题发生，使得电路的稳定性较差。现有技术中常采用金属屏蔽罩对高频辐射进行抑制，但是金属屏蔽罩的成本较高，且对设计空间的要求较大，还有采用吸波材质以吸收或者大幅减弱电磁波能量，但是采用吸波材料也存在设计成本较高和占用空间大的问题。

技术实现要素：

针对现有技术中存在的上述技术问题，本实用新型提供了一种电磁辐射抑制装置以及电子元器件，通过导体与磁性体的穿设关系，能够在导体接入的电路通电时使特定的频率产生振荡效应，从而使电场和磁场相互转换抵消后无法继续传播以达到滤波效果。

本实用新型实施例提供了一种电磁辐射抑制装置，包括：

导体；

磁性体，其具有用于贴合至电路板的第一表面，所述导体穿设所述磁性体，且所述导体的两端穿出所述磁性体后向所述电路板的方向延伸，并与所述电路板贴附，以使所述磁性体抑制所述导体所接入的电路产生的特定频段的电磁辐射。

在一些实施例中，所述导体穿出所述磁性体的相对的两端。

在一些实施例中，所述导体的两端以贴附于所述磁性体的相对的两端的端面的方式延伸至所述电路板，以增加所述导体与所述磁性体的接触面积。

在一些实施例中，所述磁性体采用铁硅铝或铁氧体磁性材料制成。

在一些实施例中，所述磁性体的形状为立方体，所述导体穿设于所述磁性体的中间，且所述导体位于所述磁性体内的埋设部平行于所述电路板所在板面。

在一些实施例中，所述磁性体的第一表面的长度为30密耳，宽度为22密耳，且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为30密耳，宽度为24密耳，所述导体由所述磁性体的第二表面穿入，并由与所述第二表面相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为4吉赫的电磁辐射。

在一些实施例中，所述磁性体的第一表面的长度为143密耳，宽度为3密耳，且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为143密耳，宽度为3密耳，所述导体由所述磁性体的第二表面穿入，并由与所述第二表面相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为4.6吉赫的电磁辐射；或

所述磁性体的第一表面的长度为30密耳，宽度为22密耳，且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为30密耳，宽度为36密耳，所述导体由所述磁性体的第二表面穿入，并由与所述第二表面相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为3.78吉赫的电磁辐射。

在一些实施例中，所述磁性体的第一表面的长度为44密耳，宽度为30密耳，且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为36密耳，宽度为30密耳，所述导体由所述磁性体的第二表面穿入，并由与所述第二表面相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为2.9吉赫的电磁辐射；或

所述磁性体的第一表面的长度为66密耳，宽度为30密耳，且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为36密耳，宽度为30密耳，所述导体由所述磁性体的第二表面穿入，并由与所述第二表面相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为2.76吉赫的电磁辐射。

在一些实施例中，所述磁性体的第一表面的长度为60密耳，宽度为20密耳，且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为60密耳，宽度为12密耳，所述导体由所述磁性体的第二表面穿入，并由与所述第二表面相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为4.8吉赫的电磁辐射；或

所述磁性体的第一表面的长度为60密耳，宽度为60密耳，且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为60密耳，宽度为60密耳，所述导体由所述磁性体的第二表面穿入，并由与所述第二表面相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为2.38吉赫的电磁辐射；或

所述磁性体的第一表面的长度为60密耳，宽度为20密耳，且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为60密耳，宽度为60密耳，所述导体由所述磁性体的第二表面穿入，并由与所述第二表面相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为5.1吉赫的电磁辐射。

本实用新型实施例还提供了一种电子元器件，包括电路板，所述电子元器件还包括上述的电磁辐射抑制装置，所述电磁辐射抑制装置串联至所述电路板的电路上。

与现有技术相比，本实用新型实施例的有益效果在于：本实用新型通过磁性体贴合电路板的第一表面，以及导体穿设磁性体后贴附电路板，在导体所接入的电路通电后，磁性体能够抑制电路产生的电磁辐射，实现较好的滤波效果，能够有效地避免引发电磁兼容等问题，且随着磁性体的尺寸的改变能够抑制的高频信号的频段也随之改变，也就是可以通过调整磁性体的尺寸从而有针对性地抑制电路产生的特定频段。另外，磁性体相较于现有技术中的能够抑制高频辐射的元器件具有较好的技术效果，例如，相较于共模电感，该磁性体并没有额外的线圈，因此能够避免产生很高的感抗，相较于磁珠、电容、电感等高插入损耗的滤波器，该磁性体能够更好的保证高频信息的完整性，且导体和磁性体的结构较为简单，更便于将该电磁辐射抑制装置设置在高频信号的源头进行滤波和电磁辐射的抑制。

附图说明

在不一定按比例绘制的附图中，相同的附图标记可以在不同的视图中描述相似的部件。具有字母后缀或不同字母后缀的相同附图标记可以表示相似部件的不同实例。附图大体上通过举例而不是限制的方式示出各种实施例，并且与说明书以及权利要求书一起用于对所公开的实施例进行说明。在适当的时候，在所有附图中使用相同的附图标记指代同一或相似的部分。这样的实施例是例证性的，而并非旨在作为本装置或方法的穷尽或排他实施例。

图1为本实用新型实施例包含电磁辐射抑制装置的电子元器件的结构示意图；

图2为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为20密耳、30密耳以及24密耳时的s11曲线图；

图3为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为20密耳、30密耳以及24密耳时的s21曲线图；

图4为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为3密耳、143密耳以及3密耳时的s11曲线图；

图5为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为3密耳、143密耳以及3密耳时的s21曲线图；

图6为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为22密耳、30密耳以及36密耳时的s11曲线图；

图7为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为22密耳、30密耳以及36密耳时的s21曲线图；

图8为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为44密耳、30密耳以及36密耳时的s11曲线图；

图9为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为44密耳、30密耳以及36密耳时的s21曲线图；

图10为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为66密耳、30密耳以及36密耳时的s11曲线图；

图11为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为66密耳、30密耳以及36密耳时的s21曲线图；

图12为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为20密耳、60密耳以及12密耳时的s11曲线图；

图13为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为20密耳、60密耳以及12密耳时的s21曲线图；

图14为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为60密耳、60密耳以及60密耳时的s11曲线图；

图15为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为60密耳、60密耳以及60密耳时的s21曲线图；

图16为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为20密耳、60密耳以及60密耳时的s11曲线图；

图17为本实用新型实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为20密耳、60密耳以及60密耳时的s21曲线图。

图中的附图标记所表示的构件：

1-导体；2-磁性体；21-第一表面；22-第二表面；3-电路板。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好的理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作详细说明。下面结合附图和具体实施例对本实用新型的实施例作进一步详细描述，但不作为对本实用新型的限定。

本实用新型中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

在本实用新型中，当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。当描述到特定器件连接其它器件时，该特定器件可以与所述其它器件直接连接而不具有居间器件，也可以不与所述其它器件直接连接而具有居间器件。

本实用新型使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本实用新型所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

本实用新型实施例提供了一种电磁辐射抑制装置，如图1所示，电磁辐射抑制装置包括导体1和磁性体2。磁性体2具有用于贴合至电路板3的第一表面21，导体1穿设磁性体2，且导体1的两端穿出磁性体2后向电路板3的方向延伸，并与电路板3贴附，以使磁性体2抑制导体1所接入的电路产生的特定频段的电磁辐射。

可以理解的是，上述导体1可具体为导线，磁性体2可通过其上穿设的导线连接至电路板3的电路中，当该电路通电时，该磁性体2能够对电路中产生的高频辐射进行抑制，避免引发电磁兼容等问题。

具体地，上述导体1的两端可由磁性体2的同一侧面，或不同侧面穿出，图1中示出的导体1由磁性体2的相对两侧面穿出，且上述导体1也可反复穿设该磁性体2再由磁性体2的表面穿出，使得导体1能够与磁性体2充分接触，增加高频信号中特定频率的振荡效应，使得振荡充分达到较好的滤波效果。

本实用新型通过磁性体2贴合电路板3的第一表面21，以及导体1穿设磁性体2后贴附电路板3，在导体1接入的电路通电后，磁性体2能够抑制电路产生的电磁辐射，实现较好的滤波效果，能够有效地避免引发电磁兼容等问题，且随着磁性体2的尺寸的改变能够抑制的特定频段也随之改变，也就是可以通过调整磁性体2的尺寸从而有针对性地抑制高频电路中的特定频段。另外，磁性体2相较于现有技术中的能够抑制高频辐射的元器件具有较好的技术效果，例如，相较于共模电感，该磁性体2并没有额外的线圈，因此能够避免产生很高的感抗，相较于磁珠、电容、电感等高插入损耗的滤波器，该磁性体2能够更好的保证高频信息的完整性，且导体1和磁性体2的结构较为简单，更便于将该电磁辐射抑制装置设置在高频信号的源头进行滤波和电磁辐射的抑制。

在一些实施例中，导体1穿出磁性体2的相对的两端，也就是，导体1的相对两端相远离，以便于使用者将导体1接入电路中。

在一些实施例中，导体1的两端以贴附于磁性体2的相对的两端的端面的方式延伸至电路板3，以增加导体1与磁性体2的接触面积。如图1所示，上述导体1贴附于磁性体2后再延伸至电路板3，通过导体1与磁性体2的接触面积增加，从而增加高频信号中特定频率的振荡效应，使得振荡充分达到较好的滤波效果。

在一些实施例中，磁性体2采用铁硅铝或铁氧体磁性材料制成。上述铁硅铝或铁氧体具有高磁导率、高磁饱和度以及高磁损等特性，以吸收高频信号中的磁场分量，从而抑制高频信号中的特性频率的高频辐射。

在一些实施例中，如图1所示，磁性体2的形状为立方体，导体1穿设于磁性体2的中间，且导体1位于磁性体2内的埋设部平行于电路板3所在板面。磁性体2的第一表面21贴合电路板3，导体1穿设于磁性体2上与该第一表面21相邻的第二表面22和第三表面，其中第二表面22和第三表面相对设置。

在一些实施例中，如图2和图3所示，磁性体2的形状为立方体，磁性体2的第一表面21的长度为30密耳，宽度为22密耳，且磁性体2上与第一表面21相邻的第二表面22的长度为30密耳，宽度为24密耳，导体1由磁性体2的第二表面22穿入，并由与第二表面22相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为4吉赫的电磁辐射。

可以理解的是，在导体1穿设的磁性体2的长宽高分别为20密耳、30密耳以及24密耳的情况下，磁性体2能够抑制高频信号中电磁波频率为4吉赫的电磁辐射。结合图2和图3，图2示出的设定磁性体2的长宽高分别为20密耳、30密耳以及24密耳时的s11曲线图，图3示出的设定磁性体2的长宽高分别为20密耳、30密耳以及24密耳时的s21曲线，由上述图2和图3中示出实验数据可以表明长宽高分别为20密耳、30密耳以及24密耳的磁性体2能够有效地抑制电磁波频率为4吉赫的电磁辐射。

需要说明书的是，本领域技术人员基于常识可知，上述s11曲线图反应的是输入反射系数，即反射功率与入射功率之比，图中的横坐标为频率，单位为吉赫(ghz)，纵坐标为s参数，单位为分贝(db)，此处s参数指的是反射功率与入射功率的比值。上述s21曲线图反应的是正向传输系数，即透射功率与入射功率之比，图中的横坐标为频率，纵坐标为s参数，此处s参数指的是透射功率与入射功率的比值。具体地，上述s参数的全称为散射参数，s参数能够描述传输通道的频域特性。

在一些实施例中，如图4和图5所示，磁性体2的形状为立方体，磁性体2的第一表面21的长度为143密耳，宽度为3密耳，且磁性体2上与第一表面21相邻的第二表面22的长度为143密耳，宽度为3密耳，导体1由磁性体2的第二表面22穿入，并由与第二表面22相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为4.6吉赫的电磁辐射。

可以理解的是，在导体1穿设的磁性体2的长宽高分别为3密耳、143密耳以及3密耳的情况下，磁性体2能够抑制高频信号中电磁波频率为4.6吉赫的电磁辐射。结合图4和图5，图4示出的设定磁性体2的长宽高分别为3密耳、143密耳以及3密耳时的s11曲线图，图5示出的设定磁性体2的长宽高分别为3密耳、143密耳以及3密耳时的s21曲线，由上述图4和图5中示出实验数据可以表明长宽高分别为3密耳、143密耳以及3密耳的磁性体2能够有效地抑制电磁波频率为4.6吉赫的电磁辐射。

在一些实施例中，如图6和图7所示，磁性体2的形状为立方体，磁性体2的第一表面21的长度为30密耳，宽度为22密耳，且磁性体2上与第一表面21相邻的第二表面22的长度为30密耳，宽度为36密耳，导体1由磁性体2的第二表面22穿入，并由与第二表面22相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为3.78吉赫的电磁辐射。

可以理解的是，在导体1穿设的磁性体2的长宽高分别为22密耳、30密耳以及36密耳的情况下，磁性体2能够抑制高频信号中电磁波频率为3.78吉赫的电磁辐射。结合图6和图7，图6示出的设定磁性体2的长宽高分别为22密耳、30密耳以及36密耳时的s11曲线图，图7示出的设定磁性体2的长宽高分别为22密耳、30密耳以及36密耳时的s21曲线，由上述图6和图7中示出实验数据可以表明长宽高分别为22密耳、30密耳以及36密耳的磁性体2能够有效地抑制电磁波频率为3.78吉赫的电磁辐射。

在一些实施例中，如图8和图9所示，磁性体2的形状为立方体，磁性体2的第一表面21的长度为44密耳，宽度为30密耳，且磁性体2上与第一表面21相邻的第二表面22的长度为36密耳，宽度为30密耳，导体1由磁性体2的第二表面22穿入，并由与第二表面22相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为2.9吉赫的电磁辐射。

可以理解的是，在导体1穿设的磁性体2的长宽高分别为44密耳、30密耳以及36密耳的情况下，磁性体2能够抑制高频信号中电磁波频率为2.9吉赫的电磁辐射。结合图8和图9，图8示出的设定磁性体2的长宽高分别为44密耳、30密耳以及36密耳时的s11曲线图，图9示出的设定磁性体2的长宽高分别为44密耳、30密耳以及36密耳时的s21曲线，由上述图8和图9中示出实验数据可以表明长宽高分别为44密耳、30密耳以及36密耳的磁性体2能够有效地抑制电磁波频率为2.9吉赫的电磁辐射。

在一些实施例中，如图10和图11所示，磁性体2的形状为立方体，磁性体2的第一表面21的长度为66密耳，宽度为30密耳，且磁性体2上与第一表面21相邻的第二表面22的长度为36密耳，宽度为30密耳，导体1由磁性体2的第二表面22穿入，并由与第二表面22相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为2.76吉赫的电磁辐射。

可以理解的是，在导体1穿设的磁性体2的长宽高分别为66密耳、30密耳以及36密耳的情况下，磁性体2能够抑制高频信号中电磁波频率为2.76吉赫的电磁辐射。结合图10和图11，图10示出的设定磁性体2的长宽高分别为66密耳、30密耳以及36密耳时的s11曲线图，图11示出的设定磁性体2的长宽高分别为66密耳、30密耳以及36密耳时的s21曲线，由上述图10和图11中示出实验数据可以表明长宽高分别为66密耳、30密耳以及36密耳的磁性体2能够有效地抑制电磁波频率为2.76吉赫的电磁辐射。

在一些实施例中，如图12和图13所示磁性体2的形状为立方体，，磁性体2的第一表面21的长度为60密耳，宽度为20密耳，且磁性体2上与第一表面21相邻的第二表面22的长度为60密耳，宽度为12密耳，导体1由磁性体2的第二表面22穿入，并由与第二表面22相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为4.8吉赫的电磁辐射。

可以理解的是，在导体1穿设的磁性体2的长宽高分别为20密耳、60密耳以及12密耳的情况下，磁性体2能够抑制高频信号中电磁波频率为4.8吉赫的电磁辐射。结合图12和图13，图12示出的设定磁性体2的长宽高分别为20密耳、60密耳以及12密耳时的s11曲线图，图13示出的设定磁性体2的长宽高分别为20密耳、60密耳以及12密耳时的s21曲线，由上述图12和图13中示出实验数据可以表明长宽高分别为20密耳、60密耳以及12密耳的磁性体2能够有效地抑制电磁波频率为4.8吉赫的电磁辐射。

在一些实施例中，如图14和图15所示，磁性体2的形状为立方体，磁性体2的第一表面21的长度为60密耳，宽度为60密耳，且磁性体2上与第一表面21相邻的第二表面22的长度为60密耳，宽度为60密耳，导体1由磁性体2的第二表面22穿入，并由与第二表面22相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为2.38吉赫的电磁辐射。

可以理解的是，在导体1穿设的磁性体2的长宽高分别为60密耳、60密耳以及60密耳的情况下，磁性体2能够抑制高频信号中电磁波频率为2.38吉赫的电磁辐射。结合图14和图15，图14示出的设定磁性体2的长宽高分别为60密耳、60密耳以及60密耳时的s11曲线图，图15示出的设定磁性体2的长宽高分别为60密耳、60密耳以及60密耳时的s21曲线，由上述图14和图15中示出实验数据可以表明长宽高分别为60密耳、60密耳以及60密耳的磁性体2能够有效地抑制电磁波频率为2.38吉赫的电磁辐射。

在一些实施例中，如图16和图17所示，磁性体2的形状为立方体，磁性体2的第一表面21的长度为60密耳，宽度为20密耳，且磁性体2上与第一表面21相邻的第二表面22的长度为60密耳，宽度为60密耳，导体1由磁性体2的第二表面22穿入，并由与第二表面22相对的第三表面穿出，以抑制电磁波频率为5.1吉赫的电磁辐射。

可以理解的是，在导体1穿设的磁性体2的长宽高分别为20密耳、60密耳以及60密耳的情况下，磁性体2能够抑制高频信号中电磁波频率为5.1吉赫的电磁辐射。结合图16和图17，图16示出的设定磁性体2的长宽高分别为20密耳、60密耳以及60密耳时的s11曲线图，图17示出的设定磁性体2的长宽高分别为20密耳、60密耳以及60密耳时的s21曲线，由上述图16和图17中示出实验数据可以表明长宽高分别为20密耳、60密耳以及60密耳的磁性体2能够有效地抑制电磁波频率为5.1吉赫的电磁辐射。

本实用新型实施例还提供了一种电子元器件，电子元器件包括电路板3，还包括上述的电磁辐射抑制装置，电磁辐射抑制装置串联至电路板3的电路上。采用该电磁辐射抑制装置的电子元器件能够有针对性地抑制高频电路中的特定频段，实现较好的滤波效果，有效地避免引发电磁兼容等问题。

此外，尽管已经在本文中描述了示例性实施例，其范围包括任何和所有基于本实用新型的具有等同元件、修改、省略、组合(例如，各种实施例交叉的方案)、改编或改变的实施例。权利要求书中的元件将被基于权利要求中采用的语言宽泛地解释，并不限于在本说明书中或本申请的实施期间所描述的示例，其示例将被解释为非排他性的。因此，本说明书和示例旨在仅被认为是示例，真正的范围和精神由以下权利要求以及其等同物的全部范围所指示。

以上描述旨在是说明性的而不是限制性的。例如，上述示例(或其一个或更多方案)可以彼此组合使用。例如本领域普通技术人员在阅读上述描述时可以使用其它实施例。另外，在上述具体实施方式中，各种特征可以被分组在一起以简单化本实用新型。这不应解释为一种不要求保护的公开的特征对于任一权利要求是必要的意图。相反，本实用新型的主题可以少于特定的公开的实施例的全部特征。从而，以下权利要求书作为示例或实施例在此并入具体实施方式中，其中每个权利要求独立地作为单独的实施例，并且考虑这些实施例可以以各种组合或排列彼此组合。本实用新型的范围应参照所附权利要求以及这些权利要求赋权的等同形式的全部范围来确定。

以上实施例仅为本实用新型的示例性实施例，不用于限制本实用新型，本实用新型的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本实用新型的实质和保护范围内，对本实用新型做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本实用新型的保护范围内。