一种线路板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示，尤其涉及一种线路板及显示装置。

背景技术：

1、smt是表面组装技术(表面贴装技术)(surface mounted technology的缩写)，是电子组装行业里最流行的一种技术和工艺，是一种将具有引脚的电子元件放置在具有焊盘的衬底基板的表面上，通过回流焊或浸焊等方法加以焊接组装的技术。为了完成电子元件与焊盘的固定连接，需要在衬底基板上待与电子元件电气连接的焊盘上设置焊料，或者将电子元件的引脚上设置焊料，接着将电子元件与焊盘对位并接触设置，例如在230℃～260℃的高温下，使焊料熔融并获得良好的湿润，再迅速冷却降温，实现电子元件与焊盘的固定连接。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种线路板及显示装置，该线路板能够避免器件区的焊盘发生氧化的问题，从而保证电子元件与线路板的可靠电气连接，进而提高产品良率。

2、本发明实施例提供的一种线路板，包括：

3、衬底基板，所述衬底基板具有器件区；

4、多个第一焊盘，位于所述衬底基板的一侧，且位于所述器件区，所述第一焊盘的材料包括cu；

5、氧化防护层，位于所述第一焊盘背离所述衬底基板的一侧，所述多个第一焊盘用于通过所述氧化防护层与多个电子元件绑定连接；所述氧化防护层的材料包括cuamgbxc，其中x包括al、sn、pb、au、ag、in、zn、bi、ga、v、w、y、zr、mo、nb、pt、co、sb其中之一或任意组合元素。

6、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，所述氧化防护层的厚度为

7、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，所述氧化防护层的材料中，mg的质量分数和x的质量分数之和占5％～90％。

8、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，cu的质量分数占20％～95％，mg的质量分数占5％～80％，x的质量分数占10％～40％。

9、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，cu、mg和x的原子比为61：10：29。

10、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，所述第一焊盘包括：位于所述衬底基板和所述氧化防护层之间的第一金属层，以及位于所述第一金属层和所述氧化防护层之间的第二金属层；其中，所述第一金属层的材料与所述氧化防护层的材料相同，所述第二金属层的材料包括cu。

11、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，所述衬底基板还具有绑定区，所述绑定区包括位于所述衬底基板之上的多个第二焊盘，所述多个第二焊盘用于与电路板绑定连接；所述第二焊盘与所述第一焊盘位于同一膜层，所述第二焊盘背离所述衬底基板的一侧具有所述氧化防护层。

12、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，还包括位于所述第一焊盘与所述衬底基板之间的第一走线层，所述第一走线层包括层叠设置的第一子金属层、第一子走线层和第二子金属层；其中，

13、所述第一焊盘和所述第二子金属层电连接，所述第二焊盘和所述第二子金属层电连接；

14、所述第一子金属层和所述第二子金属层的材料包括钼铌合金，所述第一子走线层的材料包括铜。

15、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，所述器件区还包括：位于所述第一走线层和所述第一焊盘之间的第一钝化层，位于所述第一钝化层和所述第一焊盘之间的第一平坦层，位于所述氧化防护层背离所述衬底基板一侧且覆盖所述多个第一焊盘之间区域的第二平坦层，以及位于所述氧化防护层上的第一连接部。

16、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，所述绑定区还包括：位于所述第一走线层和所述第二焊盘之间的第二钝化层，位于所述第二钝化层和所述第二焊盘之间的第三平坦层，位于所述氧化防护层背离所述衬底基板一侧且覆盖所述多个第二焊盘之间区域的第四平坦层，以及位于所述氧化防护层上的第二连接部；其中，

17、所述第三平坦层与所述第一平坦层同层设置，所述第四平坦层与所述第二平坦层同层设置，所述第二钝化层与所述第一钝化层同层设置。

18、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，所述多个第一焊盘分为多组第一焊盘，每组所述第一焊盘包括成对设置的阴极焊盘和阳极焊盘；

19、所述线路板还包括与所述多个第一焊盘同层设置的第二走线层，所述第二走线层背离所述衬底基板的一侧具有所述氧化防护层，所述第二走线层用于实现多组所述第一焊盘的串联连接或者并联连接，且所述第二走线层还用于通过贯穿所述第一平坦层和所述第一钝化层的过孔与所述第一走线层电连接。

20、可选地，在本发明实施例提供的上述线路板中，还包括位于所述氧化防护层背离所述衬底基板一侧的保护层，所述保护层露出所述氧化防护层，所述保护层的材料包括氮化硅或氧化硅。

21、相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：如上述任一项所述的线路板、电路板和多个电子元件；

22、所述多个电子元件通过所述氧化防护层与所述线路板的多个第一焊盘电连接，所述电路板通过所述氧化防护层与所述线路板的多个第二焊盘电连接。

23、可选地，在本发明实施例提供的上述显示装置中，所述电子元件为mini led或micro led。

24、本发明实施例的有益效果如下：

25、本发明实施例提供的一种线路板及显示装置，在采用cu材料制备完第一焊盘后，在第一焊盘上制备一层材料包括cuamgbxc的氧化防护层，其中x包括al、sn、pb、au、ag、in、zn、bi、ga、v、w、y、zr、mo、nb、pt、co、sb其中之一或任意组合元素，一方面，x可以向氧化防护层背离衬底基板的一侧扩散，使得氧化防护层背离衬底基板的表面富集x，表面富集的x氧化形成钝化层，可以抑制外界氧向第一焊盘扩散以及抑制第一焊盘的cu向氧化防护层的一侧扩散；另一方面，cuamgbxc和钝化层之间可以形成cuamgbxpoq过渡层，从而可以保障x氧化形成的钝化层xmon与cuamgbxc合金不发生分层，即cuamgbxc到xmon之间可以完整过渡，cuamgbxpoq还可以进一步抑制第一焊盘中的cu向氧化防护层背离衬底基板的一侧扩散而被氧化。因此，本发明实施例提供的氧化防护层可以避免第一焊盘发生氧化。

技术特征：

1.一种线路板，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的线路板，其特征在于，所述氧化防护层的厚度为

3.如权利要求1所述的线路板，其特征在于，所述氧化防护层的材料中，mg的质量分数和x的质量分数之和占5％～90％。

4.如权利要求3所述的线路板，其特征在于，cu的质量分数占20％～95％，mg的质量分数占5％～80％，x的质量分数占10％～40％。

5.如权利要求3所述的线路板，其特征在于，cu、mg和x的原子比为61：10：29。

6.如权利要求1-5任一项所述的线路板，其特征在于，所述第一焊盘包括：位于所述衬底基板和所述氧化防护层之间的第一金属层，以及位于所述第一金属层和所述氧化防护层之间的第二金属层；其中，所述第一金属层的材料与所述氧化防护层的材料相同，所述第二金属层的材料包括cu。

7.如权利要求1-5任一项所述的线路板，其特征在于，所述衬底基板还具有绑定区，所述绑定区包括位于所述衬底基板之上的多个第二焊盘，所述多个第二焊盘用于与电路板绑定连接；所述第二焊盘与所述第一焊盘位于同一膜层，所述第二焊盘背离所述衬底基板的一侧具有所述氧化防护层。

8.如权利要求7所述的线路板，其特征在于，还包括位于所述第一焊盘与所述衬底基板之间的第一走线层，所述第一走线层包括层叠设置的第一子金属层、第一子走线层和第二子金属层；其中，

9.如权利要求8所述的线路板，其特征在于，所述器件区还包括：位于所述第一走线层和所述第一焊盘之间的第一钝化层，位于所述第一钝化层和所述第一焊盘之间的第一平坦层，位于所述氧化防护层背离所述衬底基板一侧且覆盖所述多个第一焊盘之间区域的第二平坦层，以及位于所述氧化防护层上的第一连接部。

10.如权利要求9所述的线路板，其特征在于，所述绑定区还包括：位于所述第一走线层和所述第二焊盘之间的第二钝化层，位于所述第二钝化层和所述第二焊盘之间的第三平坦层，位于所述氧化防护层背离所述衬底基板一侧且覆盖所述多个第二焊盘之间区域的第四平坦层，以及位于所述氧化防护层上的第二连接部；其中，

11.如权利要求9所述的线路板，其特征在于，所述多个第一焊盘分为多组第一焊盘，每组所述第一焊盘包括成对设置的阴极焊盘和阳极焊盘；

12.如权利要求8-11任一项所述的线路板，其特征在于，还包括位于所述氧化防护层背离所述衬底基板一侧的保护层，所述保护层露出所述氧化防护层，所述保护层的材料包括氮化硅或氧化硅。

13.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-12任一项所述的线路板、电路板和多个电子元件；

14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述电子元件为mini led或microled。

技术总结
本发明实施例提供的一种线路板及显示装置，在第一焊盘上制备一层材料包括Cu<subgt;a</subgt;Mg<subgt;b</subgt;X<subgt;c</subgt;的氧化防护层，一方面，X可以向氧化防护层背离衬底基板的一侧扩散，使得氧化防护层背离衬底基板的表面富集X，表面富集的X氧化形成钝化层X<subgt;m</subgt;O<subgt;n</subgt;，可以抑制外界氧向第一焊盘扩散以及抑制第一焊盘的Cu向氧化防护层的一侧扩散；另一方面，Cu<subgt;a</subgt;Mg<subgt;b</subgt;X<subgt;c</subgt;和钝化层之间可以形成Cu<subgt;a</subgt;Mg<subgt;b</subgt;X<subgt;p</subgt;O<subgt;q</subgt;过渡层，从而可以保障X氧化形成的钝化层X<subgt;m</subgt;O<subgt;n</subgt;与Cu<subgt;a</subgt;Mg<subgt;b</subgt;X<subgt;c</subgt;合金不发生分层，即Cu<subgt;a</subgt;Mg<subgt;b</subgt;X<subgt;c</subgt;到氧化防护层之间可以完整过渡，Cu<subgt;a</subgt;Mg<subgt;b</subgt;X<subgt;p</subgt;O<subgt;q</subgt;还可以进一步抑制第一焊盘中的Cu向氧化防护层背离衬底基板的一侧扩散而被氧化。

技术研发人员：赵坤,田忠朋,宁策,李正亮,姚念琦,贺家煜,胡合合,黄杰,李菲菲,齐琪
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16