一种热电堆传感器性能提升方法、系统及装置

1.本发明涉及器件性能提升技术领域，尤其涉及一种热电堆传感器性能提升方法、系统及装置。


背景技术：

2.热电堆传感器在医疗、军事、工业等领域应用广泛。提升热电堆传感器的性能，可以提高其响应率、探测率和灵敏度，进而可降低后续信号处理的难度和成本，具有重要的实际意义。针对热电堆传感器性能的提升，一种有效的方法是在热电堆传感器吸收层上集成高吸收的材料或结构，通过提升热电堆传感器的吸收进而提升热电堆传感器的性能。
3.目前已经有一些在热电堆传感器吸收层集成高吸收的材料或结构的研究，例如黑硅、复合纳米森林、金字塔结构的介电薄膜等，但这些方法无法同时进行器件性能提升以及测试过程，需要将性能提升以及测试分开进行；此外这些具有高吸收能力的结构或材料往往需要复杂的微加工步骤或者昂贵的设备完成与热电堆传感器的集成，不仅增加了制造成本，也容易对热电堆传感器本身的结构造成损坏。因此，需要一种简单易行的方法将具有高吸收率的材料或结构集成到热电堆传感器上，可以在提升热电堆传感器性能的同时，使得整个集成方法简单，成本可控。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种热电堆传感器性能提升方法、系统及装置，用于解决现有技术中无法同时进行器件性能提升以及测试过程，需要将性能提升以及测试分开进行，过程复杂的问题，以及现有的热电堆红外传感器性能提升方法复杂的问题。
5.为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
6.第一方面，本发明提供一种热电堆传感器性能提升系统，系统包括：
7.打点器、测试设备、热电堆传感器以及位置移动控制器；
8.所述位置移动控制器包括第一位置移动控制器以及第二位置移动控制器；所述第一位置移动控制器上设置有打点器以及测试设备，以控制打点器以及测试设备在水平方向以及竖直方向上移动；所述第二位置移动控制器上设置有载物台，所述热电堆传感器放置在所述载物台上；所述第二位置移动控制器控制所述热电堆传感器在水平方向以及竖直方向上移动；
9.所述打点器将墨点覆盖在所述热电堆传感器中满足预设条件的器件表面，完成对所述热电堆传感器的性能提升；所述测试设备用于对所述热电堆传感器进行测试；所述墨点的直径与厚度可调。
10.与现有技术相比，本发明提供的热电堆传感器性能提升系统，包括：打点器、测试设备、以及位置移动控制器；位置移动控制器包括第一位置移动控制器以及第二位置移动控制器；第一位置移动控制器上设置有打点器以及测试设备，以控制打点器以及测试设备在水平方向和竖直方向上移动；第二位置移动控制器上设置有载物台，热电堆传感器放置
在载物台上；第二位置移动控制器控制热电堆传感器在水平方向和竖直方向上移动；打点器将墨点覆盖在热电堆传感器中满足预设条件的器件表面，完成对热电堆传感器的性能提升；测试设备用于对热电堆传感器进行测试，墨点的直径与厚度可调。该系统在热电堆传感器上对符合要求的器件覆盖墨点，覆盖墨点的器件可以增加热电堆传感器的吸收进而增加热电堆传感器的输出。同时覆盖墨点后的器件可以用该系统完成性能测试。
11.第二方面，本发明提供一种热电堆传感器性能提升方法，所述性能提升方法应用于热电堆传感器性能提升系统，方法包括：
12.测试设备对热电堆传感器
13.进行性能测试，得到测试结果；
14.通过位置移动控制器控制打点器以及热电堆传感器，以使打点器在符合要求的热电堆传感器表面覆盖墨点；
15.调控所述墨点的直径或厚度，得到墨点覆盖后的热电堆传感器；
16.测试设备对墨点覆盖后的热电堆传感器进行性能测试，得到测试结果；
17.基于所述测试结果完成所述热电堆传感器的器件性能提升过程和器件分选过程。
18.本发明提供的方法，利用测试系统中的打点器和普通墨水完成热电堆的性能提升；墨水的直径和厚度均可以调控，进而实现对器件性能的调控；利用测试系统将墨点或其他具有高吸收率溶液打印在热电堆传感器中满足预设条件的器件上完成性能提升过程，随后利用测试系统完成器件性能测试，从而完成器件分选过程，性能提升以及性能测试都可通过测试系统完成，简单便捷，成本低，且适于大批量制备的热电堆传感器提升方法。
19.第三方面，本发明提供一种热电堆传感器性能提升装置，所述性能提升装置应用于热电堆传感器性能提升系统，装置包括：
20.墨点覆盖模块，用于通过位置移动控制器控制打点器，以使打点器在热电堆传感器表面覆盖墨点；
21.墨点调控模块，用于调控所述墨点的直径或厚度，得到墨点覆盖后的热电堆传感器；
22.性能测试模块，用于测试设备对墨点覆盖前后的热电堆传感器进行性能测试，得到测试结果；
23.器件分选模块，用于基于所述测试结果完成所述热电堆传感器的器件分选。
24.装置类方案的技术效果与方法类方案相同，此处不再赘述。
附图说明
25.此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
26.图1为本发明提供的热电堆传感器性能提升系统的结构示意图；
27.图2为墨点覆盖后的热电堆传感器结构示意图；
28.图3为墨点与纳米森林集成在热电堆传感器表面的结构示意图；
29.图4为本发明提供的热电堆传感器性能提升方法的流程示意图；
30.图5为纳米森林加墨点与热电堆集成的器件结构示意图；
31.图6为覆盖墨点的热电堆传感器与普通热电堆传感器吸收区的在2.5-14.5μm波段
的吸收率测试结果对比图；
32.图7为覆盖墨点的热电堆传感器与普通热电堆传感器在606nm-1550nm短波段范围内在100mw激光功率下输出对比图；
33.图8为本发明提供的热电堆传感器性能提升装置结构示意图。
34.附图标记：
35.1-打点器、2-测试设备、3-热电堆传感器、4-第一位置移动控制器、5-探针部件、6-基底、7-热电偶、8-金属连接线、9-器件吸收层、10-墨点、11-支撑层、12-空腔、13-纳米森林结构、14-第二位置移动控制器。
具体实施方式
36.为了便于清楚描述本发明实施例的技术方案，在本发明的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。例如，第一阈值和第二阈值仅仅是为了区分不同的阈值，并不对其先后顺序进行限定。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
37.需要说明的是，本发明中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本发明中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
38.本发明中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况，其中a，b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a和b的结合，a和c的结合，b和c的结合，或a、b和c的结合，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
39.对于半导体产业来说，cp(chipprobe)测试是晶圆级测试并分类和单个芯片封装之间必不可少的一步，进行cp测试可以避免封装不符合要求的热电堆器件，从而降低了封装成本和最终成品测试成本。对于热电堆传感器来说，在cp测试过程中，需要通过cp测试设备对热电堆晶圆上的每个器件进行性能测试，并对不符合要求的器件表面覆盖墨点标记以避免被封装。
40.现在的热电堆传感器存在吸收率低，输出不高等问题。现有的解决方案也往往需要额外的微加工步骤，一方面，这容易对器件本身的结构造成损伤；另一方面，微加工步骤所用工艺或者材料存在复杂昂贵、均一性难以控制、不易于大批量制备等问题。因此，现在缺少一种简单便捷，成本低，且适于大批量制备的热电堆传感器提升方法。
41.对此，结合附图对本说明书实施例提供的方案进行说明：
42.实施例1
43.图1为热电堆传感器性能提升系统的结构示意，如图1所示，系统包括：
44.打点器1、测试设备2、热电堆传感器3以及位置移动控制器；
45.所述位置移动控制器包括第一位置移动控制器4以及第二位置移动控制器14；所述第一位置移动控制器4上设置有打点器1以及测试设备2，以控制打点器1以及测试设备2在水平方向和竖直方向上的移动；第二位置移动控制器14上设置有载物台，热电堆传感器3放置在载物台上；第二位置移动控制器14控制热电堆传感器3在水平方向和竖直方向上移动；打点器1将墨点10覆盖在热电堆传感器3中满足预设条件的器件表面，完成对热电堆传感器3的性能提升；测试设备2用于对热电堆传感器3进行测试；墨点10的直径与厚度可调，通过调控墨点10的直径和厚度调控器件的性能。通过调控打印时间，打印时间是ms级的，比如：20ms、40ms、60ms、80ms、100ms等，墨点10直径随打印时间的变化，其次还可以调控墨点10的厚度，可以通过墨水浓度的调控实现。
46.其中，热电堆传感器3可以是晶圆级，如：热电堆晶圆，热电堆传感器具体为热电堆红外传感器。测试系统可以是cp测试系统。cp测试在整个芯片制作流程中处于晶圆制造和封装之间，测试对象是针对整片晶圆(wafer)中的每一个die，目的是确保整片(wafer)中的每一个die都能基本满足器件的特征或者设计规格书，通常包括电压、电流、时序和功能的验证。cp测试的具体操作是在晶圆制作完成之后，成千上万的裸die(未封装的芯片)规则的分布满整个wafer。由于尚未进行划片封装，只需要将这些裸露在外的芯片管脚，通过探针(probe)与测试机台(tester)连接，进行芯片测试就是cp测试。
47.墨点10通过该设备覆盖到器件上；测试设备2可以是热电堆传感器性能提升部件，可为激光器等激发器件工作的部件；具体地，测试设备可为激光器、黑体或其他可激发热电堆传感器工作的设备。位置移动控制器可实现器件定位。
48.图1中的系统，打点器1将墨点10覆盖在热电堆传感器中满足预设条件的器件表面，完成对热电堆传感器3的性能提升；测试设备2用于对热电堆传感器3进行测试，墨点10的直径与厚度可调。该系统在热电堆传感器3上对符合要求的器件覆盖墨点10，覆盖墨点10的器件可以增加热电堆传感器的吸收进而增加热电堆传感器的输出。同时覆盖墨点后的器件可以用该系统完成性能测试。
49.图2为墨点覆盖后的热电堆传感器结构示意图。如图2所示，墨点10覆盖后的热电堆传感器3包括基底6、热电偶7、金属连接线8、器件吸收层9、墨点10、支撑层11以及空腔12；所述基底6上沉积所述支撑层11，所述支撑层11上沉积热电偶7，所述热电偶7为堆叠结构；所述热电偶7的热端和冷端分别连上金属连接线8；所述支撑层11上覆盖所述器件吸收层9；所述器件吸收层9上覆盖有墨点10；刻蚀器件背腔，形成悬空结构。支撑层11可以是绝缘层，首先在基底6上沉积支撑层11，现有技术中的支撑层是由sio2+si3n4+sio2构成的，在本方案中在基底+支撑层上再沉积热电偶7，比如n-poly与p-poly，热电偶7是堆叠结构的，即n-poly+sio2+p-poly+sio2，然后刻蚀金属连接通孔沉积金属，将热电偶7的热端和冷端分别连上金属引线8，然后再沉积sio2做隔离绝缘，然后再覆盖吸收层si3n4，最后刻蚀器件背腔，形成悬空结构-空腔12，由此完成热电堆器件的制备，墨点10就覆盖在器件吸收层之上，墨点10是黑色的圆形覆盖在器件表面，黑色也表明其在可见光波段具有高吸收率，墨点材料是均匀的，则墨点是稳定的，也对覆盖墨点的器件性能稳定性有益。
50.图3为墨点与纳米森林集成在热电堆传感器表面的结构示意图，如图3所示，所述热电堆传感器3的表面还覆盖有具有光吸收特性以及亲水特性的纳米结构；所述纳米结构设置在所述热电堆传感器3表面与所述墨点10之间，利用纳米森林的宽光谱高吸收特性和
亲水特性，在纳米森林集成在热电堆上之后再利用cp测试系统覆盖墨点10，这样在进一步增加光吸收特性的同时，利用纳米森林的亲水特性还可以帮助墨水快速在器件表面散开。纳米森林加墨点与热电堆集成的器件结构示意图如图5所示。本发明提供的方案还可与可增加光吸收特性的纳米结构相结合，比如具有金字塔形的介电薄膜，黑硅，纳米森林等，其中纳米森林除了具有宽光谱高吸收的特性外，还具有亲水性，在进一步增加器件光吸收的同时，通过亲水性帮助墨水散开在表面并固化。若为其他高吸收结构但不亲水的，可涂覆一层亲水涂层，有助于墨水散开并固化。
51.另外，需要说明的是，热电堆传感器性能提升系统中的打点器在热电堆传感器表面覆盖墨水或者吸收率满足预设条件的溶液，例如氧化石墨烯溶液、石墨烯溶液。
52.本方案中，可与具有宽光谱高吸收特性和亲水特性的纳米森林结合，在进一步增加器件光吸收的同时，帮助墨点快速散开固化。
53.所述测试设备2包括激光器以及电测试设备；所述位置移动控制器控制所述热电堆传感器3上覆盖墨点10的器件逐个被辐射在所述激光器的激光下，器件输出的电学信号通过所述电测试设备得到。
54.具体实施时，热电堆晶圆放置在载物台上，通过控制让器件逐个被辐射在激光下，激发器件工作，器件的电学信号输出通过电测试设备得到，由此对器件的好坏、性能分类，最终根据性能评估测试结果得到一个在整片晶圆上器件性能分类的器件位置文件；墨点打印部分，可以由墨水、打印器构成。具体实施时，根据器件性能分类位置文件，通过位置移动控制器，在所属类别上的器件打印墨点10，墨水的浓度和打印的时间是可控可调的。
55.可选的，热电堆传感器性能提升系统还可以包括：探针部件5；所述探针部件5放置在所述载物台上，且设置在所述热电堆传感器3两边，用于固定所述热电堆传感器3；所述热电堆传感器3为晶圆级。
56.实施例2
57.如图4所示，测试方法应用于实施例1的热电堆传感器性能提升系统，该流程可以包括以下步骤：
58.步骤410：通过位置移动控制器控制打点器以及热电堆传感器，以使打点器在热电堆传感器表面覆盖墨点。
59.步骤420：调控所述墨点的直径或厚度，得到墨点覆盖后的热电堆传感器。
60.步骤430：测试设备对墨点覆盖后的热电堆传感器进行性能测试，得到测试结果。
61.步骤440：基于所述测试结果完成所述热电堆传感器的器件分选。
62.为了方便说明，cp测试系统可以包括三个功能模块。第一功能模块是根据芯片的光电响应进行功能评估的模块，这样就可以得到热电堆芯片在激光照射下的输出信号。第二功能模块是采用打印头进行墨水点注入的模块。第三功能模块是三维移动控制器，在评估和打印过程中，用3d位置移动控制器来控制打点器、测试设备与热电堆传感器对齐。
63.待热电堆晶圆放置到载物台后，利用cp测试系统中的第一功能模块对这些晶圆级传感器的状态进行估计。经过功能评估后，生成包含整个晶圆上合格芯片位置信息的映射文件，随后借助3d位置移动控制器和映射文件，可以指导在合格芯片上精确打印墨点。在这种情况下，墨水点的大小可以通过打印头的直径、注射速度和注射时间来很好地控制；墨点的厚度可以通过墨水的浓度来控制。此外，在墨水点打印完成后，利用功能评估模块对新器
件的电压信号进行第二次测试，检查带有墨水点的热电堆的新状态和性能，然后基于新状态和性能完成器件分选。
64.图4中的方法，利用测试系统中的打点器和普通墨水完成热电堆的性能提升；墨水的直径和厚度均可以调控，进而实现对器件性能的调控；利用测试系统将墨点或其他具有高吸收率溶液打印在热电堆传感器中满足预设条件的器件上完成性能提升过程，随后利用测试系统完成器件性能测试，从而完成器件分选过程，性能提升以及性能测试都可通过测试系统完成，简单便捷，成本低，且适于大批量制备的热电堆传感器提升方法。
65.基于图4的方法，本说明书实施例还提供了该方法的一些具体实施方式，下面进行说明。
66.可选的，所述位置移动控制器包括第一位置移动控制器以及第二位置移动控制器；
67.通过位置移动控制器控制打点器以及热电堆传感器，以使打点器在热电堆传感器表面覆盖墨点，具体可以包括：
68.通过所述第一位置移动控制器控制所述打点器以及所述测试设备对准所述热电堆传感器上满足预设条件的器件；
69.对准后采用所述打点器在所述满足预设条件的器件上注入墨水，形成墨点。
70.可选的，方法还可以包括：
71.待测热电堆传感器放置到载物台后，利用热电堆传感器性能提升系统对待测热电堆传感器的状态进行估计；
72.经过功能评估后，生成包含整个热电堆传感器上满足预设条件的合格器件与位置信息的映射文件；
73.基于所述位置移动控制器和所述映射文件，在合格器件上打印墨点。
74.其中，通过调控墨点的特征来调控器件的性能时，可以基于图5进行说明，图5为不同打印墨点时间下墨点的直径与器件的输出示意图。如图5所示，随着打印墨点时间的增加，墨点的直径也在增大，在400mw功率下的660nm激光器辐照下，器件的输出也在随着墨点直径的增加而增加。另一方面也说明墨点的直径与性能提升程度是可控的。
75.通过本发明提供的方法，覆盖墨点的热电堆传感器与未覆盖墨点的热电堆传感器的性能可以结合图6以及图7进行说明，图6为覆盖墨点的热电堆传感器与普通热电堆传感器吸收区的在2.5-14.5μm波段的吸收率测试结果对比图，图7为覆盖墨点的热电堆传感器与普通热电堆传感器在606nm-1550nm短波段范围内100mw激光功率下输出对比图。如图6所示，覆盖墨点的红外热电堆器件吸收率在2.5-14.5μm全波段获得了提升，尤其是在2.5-8μm波段。进一步地，如图7所示，覆盖墨点的热电堆传感器相对没有墨点覆盖的热电堆传感器性能有了很大的提升，在606nm-1550nm范围内性能提升在200％以上。通过图6和图7的结果对比可知，覆盖墨点的热电堆传感器输出相对于未覆盖墨点的热电堆传感器获得了提升，此外随着温度的增加，其输出提升百分比也在增加。并且采用本发明提供的方案，增加性能的输出具有良好的一致性，在打印墨点的过程中具有良好的一致性，墨点可批量性制备。
76.上述实施例1和实施例2中的方案，通过在热电堆表面覆盖墨点增加传感器的吸收进而增加器件的输出，在这个过程中，可以通过调控墨点的直径和厚度调控器件的性能，而后通过cp测试系统对性能增强后的器件进行性能测试从而验证性能提升结果，完成器件分
选过程。
77.并且，常规的cp测试系统在进行热电堆晶圆的cp测试时，首先进行整片晶圆上每个热电堆器件的性能测试，这时候会得到一个芯片性能被分类后的位置映射文件。墨点打印系统再根据这个位置映射文件把不符合要求的热电堆器件打上墨点，再进行后续的封装，这样在封装的时候可以辨别出要封装的器件(即未打墨点的器件)，从而减少了封装成本。在本发明中，利用了墨点的高吸收性能，采取了与常规cp测试打墨点相反的方式，即在符合要求的器件上打印墨点，不符合要求的器件不打墨点，实际应用中，在封装步骤就可以辨认出哪些是需要封装的器件，哪些是不需要封装的器件，打完墨点之后进行器件性能评估测试过程，验证性能提升结果，器件性能提升和器件性能测试一体化。更为具体地，覆盖墨点的器件可以增加热电堆传感器的吸收进而增加热电堆传感器的输出。同时覆盖墨点后的器件可以用同一套cp测试系统完成性能测试，将热电堆传感器的性能提升步骤与cp测试步骤合并到一起，并且在这个过程中，还可以通过调控墨点的直径调控器件的性能。本发明简单、便捷、不易对器件原本结构造成损伤，成本低，易于实现大批量制备。
78.基于同样的思路，本发明还提供热电堆传感器性能提升装置，如图8所示，所述装置可以包括：
79.墨点覆盖模块810，用于通过位置移动控制器控制打点器以及热电堆传感器，以使打点器在热电堆传感器表面覆盖墨点；
80.墨点调控模块820，用于调控所述墨点的直径或厚度，得到墨点覆盖后的热电堆传感器；
81.性能测试模块830，用于测试设备对墨点覆盖后的热电堆传感器进行性能测试，得到测试结果；
82.器件分选模块840，用于基于所述测试结果完成所述热电堆传感器的器件分选。
83.基于图8中的装置，还可以包括一些具体的实施单元：
84.可选的，所述位置移动控制器可以包括第一位置移动控制器以及第二位置移动控制器；
85.墨点覆盖模块810，具体可以用于：
86.通过所述第一位置移动控制器控制所述打点器以及所述测试设备对准所述热电堆传感器上满足预设条件的器件；
87.对准后采用所述打点器在所述满足预设条件的器件上注入墨水，形成墨点。
88.可选的，装置还可以包括：
89.状态估计模块，用于待测热电堆传感器放置到载物台后，利用热电堆传感器性能提升系统对待测热电堆传感器的状态进行估计；
90.映射文件生成模块，用于经过功能评估后，生成包含整个热电堆传感器上满足预设条件的合格器件与位置信息的映射文件；
91.基于所述位置移动控制器和所述映射文件，在合格器件上打印墨点。
92.可选的，性能测试模块830，具体可以用于：
93.在合格器件上打印墨点完成后，采用所述热电堆传感器性能提升系统对墨点覆盖后的热电堆传感器进行二次测试，检查带有墨点的热电堆传感器的新状态和性能。
94.在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实
现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机程序或指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序或指令时，全部或部分地执行本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、终端、用户设备或者其它可编程装置。所述计算机程序或指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机程序或指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线或无线方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是集成一个或多个可用介质的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，例如，软盘、硬盘、磁带；也可以是光介质，例如，数字视频光盘(digitalvideodisc，dvd)；还可以是半导体介质，例如，固态硬盘(solidstatedrive，ssd)。
95.尽管在此结合各实施例对本发明进行了描述，然而，在实施所要求保护的本发明过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其他单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。
96.尽管结合具体特征及其实施例对本发明进行了描述，显而易见的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本发明的示例性说明，且视为已覆盖本发明范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。