存储装置的制作方法

本文所描述的实施例一般地涉及存储装置。

背景技术：

1、已知一种存储装置，其中，均包括诸如磁阻效应元件之类的可变电阻元件和选择器元件(例如，切换元件)的存储器基元(memory cell)集成在半导体衬底上。

技术实现思路

1、实施例提供了能够维持存储器基元的特性并减小漏电流的存储装置。

2、一般而言，根据一个实施例，一种包括存储器基元的存储装置，所述存储器基元包括：可变电阻元件；以及切换元件，其具有骤回(snapback)电流-电压特性。所述切换元件包括：第一导电层，其与所述可变电阻元件接触；第二导电层；以及切换层，其设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间。所述切换层包括一个或多个切换构件和热导率高于1.4w/m/k的第一绝缘层。所述切换层与所述第一导电层之间的连接表面处的所述一个或多个切换构件的横截面积或横截面积之和以及所述切换层与所述第二导电层之间的连接表面处的所述一个或多个切换构件的横截面积或横截面积之和均小于所述第一导电层与所述可变电阻元件之间的连接表面处的横截面积。

技术特征：

1.一种包括存储器基元的存储装置，所述存储器基元包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中

8.根据权利要求1所述的存储装置，其中

9.根据权利要求1所述的存储装置，其中

10.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述可变电阻元件是磁阻效应元件并且包括：

11.一种制造存储器基元的丝型切换元件的切换层的方法，其中，所述切换层位于与所述存储器基元的可变电阻元件接触的所述丝型切换元件的第一导电层和第二导电层之间，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中

13.根据权利要求11所述的方法，其中

14.根据权利要求11所述的方法，其中

15.根据权利要求11所述的方法，其中

16.一种包括存储器基元的存储装置，所述存储器基元包括：

17.根据权利要求16所述的存储装置，其中

18.根据权利要求16所述的存储装置，其中

19.根据权利要求16所述的存储装置，其中

20.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述可变电阻元件是磁阻效应元件并且包括：

技术总结
实施例提供了能够维持存储器基元的特性并减小漏电流的存储装置。一种存储装置包括存储器基元，存储器基元包括可变电阻元件以及具有骤回电流‑电压特性的切换元件。切换元件包括：第一导电层，其与可变电阻元件接触；第二导电层；以及切换层，其设置在第一导电层和第二导电层之间。切换层包括至少一个切换构件和热导率高于1.4W/m/K的第一绝缘层。切换层与第一导电层之间的连接表面处的切换构件的横截面积以及切换层与第二导电层之间的连接表面处的切换构件的横截面积均小于第一导电层和可变电阻元件之间的连接表面处的横截面积。

技术研发人员：福田健二,野本梨菜,金谷宏行,中山昌彦,杉山英行
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15