1.一种三维存储器，其特征在于，包括外围电路芯片和存储阵列芯片，所述外围电路芯片包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，
3.根据权利要求2所述的三维存储器，其中，
4.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，
5.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，至少一个所述高压晶体管的尺寸大于至少一个所述低压晶体管的尺寸。
6.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，所述第一连接层的所述导电材料包括wsi或tisi，所述第二连接层的所述导电材料包括tisi或cosi。
7.根据权利要求2所述的三维存储器，其中，所述外围电路芯片还包括：
8.根据权利要求7所述的三维存储器，其中，
9.根据权利要求8所述的三维存储器，其中，所述外围电路芯片还包括第一互连层、第二互连层和第三互连层中的至少之一，其中，
10.根据权利要求9所述的三维存储器，其中，所述第一互连层、所述第二互连层和所述第三互连层中的至少之一包括w。
11.根据权利要求7所述的三维存储器，其中，
12.根据权利要求7所述的三维存储器，其中，至少一个所述高压晶体管的尺寸大于至少一个所述低压晶体管的尺寸，至少一个所述低压晶体管的尺寸大于至少一个所述极低压晶体管的尺寸。
13.根据权利要求12所述的三维存储器，其中，所述高压晶体管、所述低压晶体管和所述极低压晶体管中的至少一个为金属氧化物半导体场效应晶体管。
14.根据权利要求8所述的三维存储器，其中，
15.根据权利要求14所述的三维存储器，其中，
16.根据权利要求14所述的三维存储器，其中，所述第一连接层的所述导电材料包括wsi或tisi，所述第二连接层的所述导电材料包括tisi或cosi，所述第三连接层的所述导电材料包括nisi。
17.根据权利要求8所述的三维存储器，其中，
18.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，
19.根据权利要求18所述的三维存储器，其中，