1.一种用于电加热的半导体光子晶体薄膜，其特征在于，其为光子晶体结构，其成分包括均匀混合的半导体材料、导电导热材料和聚合物；在薄膜总质量中，所述半导体材料占比50％-75％，所述导电导热材料占比10％-20％，所述聚合物占比5％-30％。
2.如权利要求1所述的一种用于电加热的半导体光子晶体薄膜，其特征在于，所述半导体光子晶体薄膜内具有孔隙。
3.如权利要求1或2所述的一种用于电加热的半导体光子晶体薄膜，其特征在于，所述半导体材料包括pbte、gete、agsbte2、bi2te3、sige、mnsi2、ces或其中任意几种的合金；所述导电导热材料包括碳或者金属；所述聚合物用作半导体光子晶体复合薄膜的基体，包括环氧树脂、tpu、pvc或pdms。
4.一种用于电加热的半导体光子晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
5.如权利要求4所述的一种用于电加热的半导体光子晶体薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(s1)中，加入半导体粉末、导电导热材料粉末时加入造孔剂；所述造孔剂的加入量为所述总质量a的1％-10％。
6.如权利要求4所述的一种用于电加热的半导体光子晶体薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(s2)中，采用辊压、旋涂、刮涂或滴涂的方式在4-15mpa连续压力下将所述均匀溶液体系制备成光子晶体结构的膜。
7.如权利要求6所述的一种用于电加热的半导体光子晶体薄膜的制备方法，其特征在于，采用辊压的方式将所述均匀溶液体系制备成光子晶体结构的膜的方法具体为：
8.如权利要求7所述的一种用于电加热的半导体光子晶体薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(s1)中，所述半导体粉末粒径为微米级以下；所述造孔剂的粒径为微米级以下。
9.一种半导体材料光子晶体加热膜，其特征在于，包括多张通过热压实贴合连接的权利要求1和/或2所述的用于电加热的半导体光子晶体薄膜，以及一上一下分别叠放在贴合连接后的多张半导体光子晶体薄膜的两端的导电电极；其中，相邻贴合的半导体光子晶体薄膜的成分不完全相同。
10.一种半导体材料光子晶体加热膜的制备方法，其特征在于，将权利要求3-8任一项所述方法制备得到的多张用于电加热的半导体光子晶体薄膜贴合，并在设定压力和温度下压实，然后空冷获得具有发热功能的半导体光子晶体复合薄膜；