存储装置以及存储装置的制造方法与流程

实施方式大体涉及存储装置以及存储装置的制造方法。

背景技术：

1、已知使用具有动态地可变的电阻的元件来存储数据的存储装置。存储装置被要求正确地存储以及读出数据。

技术实现思路

1、一个实施方式涉及的存储装置包括：第1铁磁性层；上述第1铁磁性层上的第1绝缘层；上述第1绝缘层上的第2铁磁性层；第1氧化物，其遍及上述第1铁磁性层的侧面上、上述第1绝缘层的侧面上以及上述第2铁磁性层的侧面上而扩展；第2氧化物，其覆盖上述第1铁磁性层、上述第1绝缘层以及上述第2铁磁性层，具备氧化镁、氧化铝、氧化硅或者碱土金属氧化物；以及上述第2氧化物上的硅氮化物。

技术特征：

1.一种存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的装置，

3.根据权利要求1所述的装置，

4.根据权利要求1所述的装置，

5.根据权利要求1所述的装置，还具备：

6.根据权利要求1所述的装置，还具备：

7.一种存储装置，具备：

8.根据权利要求7所述的装置，

9.根据权利要求7所述的装置，

10.根据权利要求7所述的装置，还具备：

11.根据权利要求7所述的装置，还具备：

12.一种存储装置的制造方法，包括：

13.根据权利要求12所述的方法，

14.根据权利要求12所述的方法，还包括：

15.根据权利要求12所述的方法，

16.根据权利要求12所述的方法，

17.根据权利要求16所述的方法，

技术总结
本发明提供存储装置以及存储装置的制造方法。一个实施方式涉及的存储装置包括：第1铁磁性层；第1铁磁性层上的第1绝缘层；第1绝缘层上的第2铁磁性层；第1氧化物，其遍及第1铁磁性层的侧面上、第1绝缘层的侧面上以及第2铁磁性层的侧面上地扩展；第2氧化物，其覆盖第1铁磁性层、第1绝缘层以及第2铁磁性层，具备氧化镁、氧化铝、氧化硅或者碱土金属氧化物；以及第2氧化物上的硅氮化物。

技术研发人员：北川英二
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11