1.一种闪存存储器版图，包括多个组有源区及位于相邻所述组有源区之间的连接区，其特征在于，所述闪存存储器版图包括：
2.如权利要求1所述的闪存存储器版图，其特征在于，每个所述组有源区内包含的所述有效有源区的个数为128个～1024个。
3.如权利要求1所述的闪存存储器版图，其特征在于，在所述连接区内，多个所述第二浮栅图形沿所述第二方向平行排列且沿所述第一方向延伸，所述第二浮栅图形呈直条形。
4.如权利要求1所述的闪存存储器版图，其特征在于，所述有效有源区呈直条形，所述第一浮栅图形呈直条形。
5.如权利要求1所述的闪存存储器版图，其特征在于，相邻两列所述连接区中，第n列所述连接区中每行的所述第一浮栅图形靠下区域都设置一个所述第二浮栅图形，第n+1列所述连接区中每行的所述第一浮栅图形靠上区域都设置一个所述第二浮栅图形；或者，第n列连接区中每行的所述第一浮栅图形靠上区域都设置一个所述第二浮栅图形，第n+1列连接区中每行的所述第一浮栅图形靠下区域都设置一个所述第二浮栅图形；所述第二浮栅图形区域的控制栅多晶硅层去除；通过所述第二浮栅图形将相邻的两个组有源区之间的所述第一控制栅或所述第二控制栅断开。
6.如权利要求1所述的闪存存储器版图，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。
7.如权利要求1所述的闪存存储器版图，其特征在于，所述控制栅接触孔图形呈直条形，所述控制栅接触孔图形与所述第二浮栅图形均部分重叠，所述控制栅接触孔图形区域的控制栅多晶硅层保留。
8.一种闪存存储器的制作方法，其特征在于，采用如权利要求1至7中任一项所述的闪存存储器版图进行制作，所述制作方法包括：
9.根据权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，其特征在于，形成所述开口具体包括：
10.根据权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，其特征在于，利用具有所述控制栅接触孔版图层的掩膜版对所述控制栅多晶硅层与所述浮栅多晶硅层进行图形化之后，形成了第一连接块和第二连接块，所述第二控制栅在所述一列连接区中具有向下一行延伸的所述第二连接块；所述第一控制栅在所述另一列连接区中具有向上一行延伸的所述第一连接块。
11.根据权利要求10所述的闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
12.根据权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
13.一种闪存存储器，其特征在于，采用如权利要求8至12中任一项所述的闪存存储器的制作方法制作而成，包括呈阵列排布的存储单元，