1.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
2.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，在提供一衬底的步骤中，具体包括下述步骤：
3.如权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述衬底包括钠钙玻璃、不锈钢箔、钛箔、pet。
4.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述衬底上表面制备透明导电层的步骤中，具体包括下述步骤：将所述衬底放入磁控溅射腔室内部并将真空度抽至指定气压之后，填充氩氧混合气进行磁控溅射得到所述透明导电层，其中，所述氩氧混合气中o2体积为0≤o2≤10％，余下为ar，溅射温度为20～150℃，溅射厚度50～150nm，所述透明导电层的透光率大于90％，方阻小于20ω。
5.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，在采用射频磁控溅射法在所述透明导电层上沉积空穴传输层的步骤中，具体包括下述步骤：将在所述衬底上表面制备有透明导电层的样品放入磁控溅射腔室内部并将真空度抽至指定气压之后，依次填充氩氧混合气和氩氮混合气进行射频磁控溅射，溅射完成后将样品进行退火，得到所述空穴传输层，其中：溅射温度为20～300℃，溅射厚度为10～30nm，退火温度为100～500℃，所述空穴传输层的厚度为20nm，透光率高于80％。
6.如权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述射频磁控溅射中靶材为590mm*90mm*5mm，纯度99.99％的氧化镍陶瓷靶材，靶材到衬底的距离为80mm；若将填充氩氧混合气制备的氧化镍称为a，填充氩氮混合气制备的氧化镍称为b，则制备的所述空穴传输层结构可以但不限于aa、bb、aabb、abab、baba、bbaa，其中，所述氩氧混合气中o2含量为0≤o2≤5％，所述氩氮混合气中o2含量为0≤o2≤20％。
7.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述空穴传输层上表面制备钙钛矿吸收层的步骤中，具体包括下述步骤：将在所述透明导电层上沉积空穴传输层的样品转移至手套箱中，采用溶液法制备厚度500～600nm的钙钛矿层，并在90～110℃退火25～40min，所述钙钛矿吸收层为卤化物钙钛矿，晶体结构为abx3，所述a为有机阳离子或无机阳离子，所述b为二价金属离子pb2+或sn2+；所述x为卤素离子i、br或cl。
8.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述钙钛矿吸收层上表面制备电子传输层的步骤中，具体包括下述步骤：在所述空穴传输层上表面制备钙钛矿吸收层获得的样品转移至旋蒸仪中，蒸镀20～40nm厚电子传输层，所述电子传输层可以是c60、pcbm或sno2中的一种。
9.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述电子传输层上表面制备空穴阻挡层的步骤中，具体包括下述步骤：将在所述钙钛矿吸收层上表面制备电子传输层的样品转移至旋蒸仪中，蒸镀5～10nm厚的bcp作为空穴阻挡层。
10.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，在在所述空穴阻挡层上表面制备背电极层的步骤中，具体包括下述步骤：将在所述电子传输层上表面制备空穴阻挡层的样品转移至旋蒸仪中，蒸镀100～150nm厚的背电极层，所述背电极层可以是但不限于au、ag、cu、al。
11.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池由下至上可分为衬底、透明导电层、空穴传输层、光吸收层、电子传输层、空穴阻挡层、背电极层，所述空穴传输层为射频磁控溅射法制备地单一或叠层结构的氧化镍。