专利名称：具有嵌套式共源共栅输入级和输出级的绝缘栅场效应管电流镜象放大器的制作方法
技术领域：
本发明涉及由绝缘栅场效应管(IGFET)构成的电流镜象放大器(CMA)，特别是涉及由嵌套式共源共栅输入级和输出级构成的电流镜象放大器。
利用IGFET的最简单的CMA结构可能是这种结构，它利用相同的第一和第二IGFET，把这两个ICFET各自的漏极分别连接到CMA的输入和输出端上，各自的源极连接到CMA的公共端上，并且各自的栅极有一个互连点。通过从CMA的输入端连接到第一和第二IGFET栅极互连点上，从而对第一IGFET提供从漏到栅的反馈。IGFET是电荷控制器件而不像双极晶体管那样是电流控制器件。因此，与利用双极晶体管构成类似的CMA相反，在这种利用IGFET的CMA中没有静态反馈电流误差。
在这种最简单的CMA结构中，第一IGFET是“主”晶体管，其源-栅电压由其漏-栅的反馈连接自行调整;第二IGFET为“从”晶体管，其源-栅电压与“主”晶体管中源-栅电压一起调整。IGFET比一般双极晶体管更易受到阿莱效应(Early effect)的影响，所以，在把IGFET用作“主”和“从”晶体管的CMA中，很常见的是把“从”晶体管用作共源放大器晶体管，其后跟随着共源共栅输出级中的共栅放大器晶体管。甚至在利用IGFET的比较复杂的CMA中，也能够识别出“主”晶体管(该晶体管通过反馈来进行调节，以导通CMA的输入电流)和相应的“从”晶体管(该晶体管根据此CMA的输入电流而进行调节，以导通与CMA输入电流成比例的每一个CMA输出电流)。
在CMA中使用的IGFET是增强型晶体管，所以，可以把“从”IGFET从导通状态去除掉，或使之“截止”。当把器件制作成更强增强型或遥截止特性时，“主”和“从”IGFET中的沟道电流对源-栅电压特性的匹配或比例关系趋向于更好。这些特性的严格匹配或成比例，是电流镜象工作良好的必要条件。当把CMA中“主”和“从”IGFET制作成更强增强型或遥截止特征时，为了维持通过沟道的显著导通所需的门限电压VT或源-栅电压至少增大到1伏，而且经常为几伏。在利用IGFET的最简单的CMA结构中，如上所述，VT的增大便增大了CMA工作时所需的公共端与输入端之间的输入电压。一般，在利用IGFET作为“主”和“从”器件的CMA中，把为了使CMA进行工作而提高公共端与输入端之间的输入电压标明为这种器件的VT的增大。在使用5伏或5伏以上电源电压的IGFET集成电路中，1伏或1伏以上的CMA输入电压一般并无重大关系，虽然这使电源干线之间所能供应的电流型级的总数减少，从而趋向于需要在电源干线之间附加电流通路，并趋向于引起不合乎理想的附加耗电。然而，在使用较低电源电压(例如3伏或3伏左右)的IGFET集成电路中，大于1伏或1伏左右的CMA输入电压是不能容许的。使用电源电压为3伏或低于3伏的IGFET集成电路日益受到电子设计师的关注，尤其是对于用电池供电的那些设备更是如此。
1976年4月27日颁发给O.H.Schade的题为“电流放大器”的第3953807号美国专利已被结合在本申请中作为参考。在第3953807号美国专利中，
图1示出第一和第二IGFET在CMA输入级中彼此为共源共栅连接，第三和第四IGFET在CMA输出级中彼此为共源共栅连接的全IGFET电流镜象放大器。第一和第三IGFET在各自的共源共栅连接中为共源放大器连接，其漏极分别连接到第二和第四IGFET的源极上;第一和第三IGFET的栅极由来自第一IGFET漏极的直接反馈连接所偏置。第二和第四IGFET在它们各自的共源共栅连接中为共栅放大器连接，它们的漏极分别连接到CMA输入端和CMA输出端;第二和第四IGFET的栅极由来自CMA输入端的直接反馈联接所偏置。这种CMA的输入电压大于门限电压的两倍。即使对于VT为1伏或1伏左右的IGFET来说，输入电压也趋向于超过2伏。
在第3953807号美国专利中已经表明，长期以来都希望降低利用IGFET的CMA按其结构进行工作所需的静态输入电压和输出电压。在第3953807号美国专利的图2中示出了图1的CMA的变型，图2中，自偏置的第二IGFET已被按电流正向导通的极性进行串联连接的结型二极管支路所代替。在该串联连接结型二极管支路两端上的电压降低于自偏置IGFET的源-栅电压VGS，所以，第四IGFET的源极跟随器作用把小于其VGS的源-漏电压(VDS)加于第三IGFET上。一种共源共栅放大器，其中共源放大器晶体管的VDS小于其VGS，按这种方式工作的共源共栅放大器被晶体管电路设计者命名为“嵌套”式共源共栅放大器。通过使串联连接的结型二极管支路两端上的压降小于自偏置的IGFET的源-栅电压(VGS)，就可以使具有“嵌套”式共源共栅放大器输出级的CMA输入电压减小，如果IGFET的VT仅仅是几伏的话。对于VT较低的IGFET，该串联连接的结型二极管支路可被单个结型二极管或串联连接的肖特基势垒二极管所代替，以得到其输入电压仅比IGFET(该IGFET的VT仅为1伏左右)的VGS大十分之几伏的CMA。在某些情况下，特别是在使用电源电压为3伏或小于3伏的集成电路中，如果能够进一步减小具有“嵌套”式共源共栅放大器输出级的CMA输入电压，则是合乎理想的。
迄今所述具有“嵌套”式共源共栅输出级的CMA是不合乎理想的，其中偏置二极管的电极并不存在于集成电路衬底之中，因而必须在半导体的绝缘区中来制作。这在某些制作工艺(例如互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺)中是不合乎理想的。这里公开的本发明的一个目的是，提供一种具有嵌套式共源共栅输入级和输出级的CMA，这种CMA在其结构中不要求相对于集成电路衬底为漂移电位的半导体结。
在第3953807号美国专利的图6中，Schade示出利用IGFET的CMA，该CMA的输入电压仅比IGFET的VGS大十分之几伏，该IGFET的VT仅为1伏左右。在这种CMA中，第一和第三IGFET的栅极被来自CMA输入端的直接反馈连接所偏置。把来自基准电压电路的1.5VGS左右的偏置电压提供到第二和第四IGFEA的栅极上，该基准电压电路由共源放大器结构中的另一个IGFET形成，该IGFET具有通过电阻分压器形成的漏-栅电压反馈。该1.5VGS左右的偏置电压出现在连接于那另一个IGFET的源极与漏极之间的电阻分压器的输入端上。这里公开的本发明的一些实施例的目的是，提供具有嵌套式共源共栅输入级和输出级的IGFET的CMA，该CMA在其结构中不须包括耗电的基准电压电路或电阻分压器。
在1981年4月7日颁发给C.F.Wheatley.Jr.的题为“利用嵌套式二极管装置的基准电压电路”的第4260946号美国专利示出了IGFET的共源共栅连接，其中，共源放大器IGFET和共栅放大器IGFET在其栅极下分别备有宽长比( (W)/(L) )相同、而半导体掺杂不同的沟道。因此，当同一电流流经它们各自的沟道时，共栅放大器IGFET的VGS小于共源放大器IGFET的VGS。这允许把它们的栅极连接到一起，并被来自共栅放大器IGFET漏极的反馈所偏置。这一反馈借助串联连接的IGFET沟道来调整加在共源放大器IGFET的源极与共栅放大器IGFET的漏极之间的电流的串联导通情况。使共栅放大器IGFET的VGS小于共源放大器IGFET的VGS，这样就使得共源放大器IGFET具有足够的VDS，以便通过其沟道而导通。
在1986年由John Wiley＆Sons公司出版的、由R.Gregorian和G.C.Temes编辑的《信号处理用的模拟MOS集成电路》一书中，在第4.16节“高性能CMOS运算放大器”中描述了用于偏置IGFET共源共栅放大器的电路。第一和第二偏置网络IGFET分别备有具有 (W)/(L) 值较大和较小的各自沟道，特别描述的是具有4∶1的比值的情况。第一和第二偏置网络IGFET中的每一个的源-栅电压VGS分别通过单独地施加的直接的漏-栅反馈连接来自行调整，而不带有显著的插入阻抗以控制其用来导通基准电流的沟道。第一偏置网络IGFET应用它的VGS以便确定以其静态源电位为基准的、在共源共栅连接中的共源放大器IGFET的静态栅极电位;第二偏置网络IGFET应用它的VGS以便确定以共源共栅连接中的共源放大器IGFET的静态源电位为基准的、在共源共栅连接中的共栅放大器IGFET的静态栅极电位。
利用本发明的电流镜象放大器(CMA)包括第一、第二、第三和第四场效应管(FET)，全部晶体管为同一导电性类型。第一和第二FET的CMA的输入级中彼此为嵌套式共源共栅的级连，第三和第四FET在CMA的输出级中彼此为嵌套式共源共栅的级连。第二和第四FET的漏极分别连接到CMA输入端和CMA输出端上，第一和第三FET的源极连接到CMA的公共端上。把CMA输入端的电压加到第一、第二、第三和第四FET栅极的互连点上，以便调整通过其沟道的电流的导通，由此实现CMA工作。第一与第二FET之间结构的差别使得第一FET的源-栅电压响应于通过各自沟道串联导通的电流而超过第二FET的源-栅电压;第三与第四FET之间类似的结构差别使得第三FET的源-栅电压响应于通过各自沟道串联导通的电流而超过第四FET的源-栅电压。这些结构差别包括半导体区内的掺杂不同(在这些半导体区内分别感应出每一个嵌套式共源共栅连接中的串联连接FET沟道);或者，在每一个嵌套式共源共栅连接中串联连接FET沟道的宽长比不同;或者，这两者都不同。
图1为实施本发明一个方面的电流镜象放大器原理图;
图2为实施本发明第二方面的第二电流镜象放大器原理图;
图3为实施本发明图1和图2所示的两个方面的第三电流镜象放大器原理图;
图4、图5和图6为实施本发明的多输出电流镜象放大器原理图;
图7为本发明其它实施例中可以作成图1～图6所示电流镜象放大器中任何一种的变型的原理图;
图8～图10中的各图都是差分输入跨导放大器的原理图，这种放大器利用具有嵌套式共源共栅输入级和输出级的IGFET镜象放大器。
在下列说明中，“m”、“n”和“p”为各个正数的代数符号，m总是大于1。这些正数中的任何两个可以彼此相等，也可以彼此不同。
图1的电流镜象放大器具有输入端IN1、输出端OUT11和公共端COM1。第一绝缘栅场效应晶体管Q11是共源共栅输入级中的共源放大器晶体管，在该输入级中，第二绝缘栅场效应晶体管Q12是共栅放大器晶体管。第三绝缘栅场效应晶体管Q13是共源共栅输出级中的共源放大器晶体管，在该输出级中，第四绝缘栅场效应晶体管Q14是共栅放大器晶体管。IGFETQ11、Q12、Q13和Q14的栅极连接成一个节点N1。在工作中，响应于从公共端COM1出来并通过Q11和Q12串联连接的沟道流入输入端IN1的输入电流，于是输入电压便呈现在输入端IN1之上。把这个输入电压通过不具有显著的插入阻抗的直接连线DC1加到节点N1上。
IGFET Q11和Q12备有具有长度比( (W)/(L) )彼此相同的各自沟道。IGFET Q13和Q14备有具有 (W)/(L) 值彼此相同的各自沟道，但是，该 (W)/(L) 值是IGFET Q11和Q12中 (W)/(L) 值的n倍。在图中，IGFET Q11、Q12、Q13和Q14中沟道 (W)/(L) 值的1∶1∶n∶n关系采用在它们附近的圆圈内的1和n来表示。在第一IGFET Q11与第三IGFET Q13的沟道中 (W)/(L) 值之间的1∶n值，确定了图1中输入端IN1与输出端OUT11之间的CMA的电流增益为-n。这是因为IGFET Q11和Q12分别为图1的CMA的“主”和“从”晶体管。通过公共端COM1的总电流为流经输入端IN1的输入电流与流经输出端OUT11的输出电流之和，所以，流经公共端COM1的总电流为流经输入端IN1的输入电流的(n+1)倍。
正如C.F.Wheatley，Jr.在第4260946号美国专利中所描述的那样，把IGFET Q11和Q12安排成利用嵌套式二极管装置的基准电压电路，根据这里公开的本发明的一个方面，利用该嵌套式二极管装置来偏置IGFET Q13和Q14的共源共栅连接。IGFET Q11和Q12具有相同的结构尺寸，而且，除了在各自栅极下的半导体的掺杂不同以外，在所有方面基本相同。选择这些掺杂，使得允许IGFET Q11达到规定程度的漏-源电流导通所需的源-栅电压门限值比IGFET Q12的相应值更正一些。图1示出IGFET Q11为具有相当明显增强型特性(正如采用标准增强型FET符号所表示的那样)的金属氧化物半导体(MOS)晶体管，IGFET Q12为具有较不明显的增强型特性(正如采用Wheatley在第4260946号美国专利中所介绍的在源极与衬底极、漏极与衬底极之间使用小点符号所表示的那样)的MOS晶体管。这就是说，对于给定的漏-源电流IDS，IGFET Q11具有比IGFET Q12要高的源-栅电压VGS。从IGFET Q11中较大的XGS减掉处于源极跟随工作状态的IGFET Q12中较小的VGS，使IGFET Q11提供了Q11导通(最好是饱和导通)所需的正源-漏电压VDS。熟悉集成FET电路设计技术的人们已知对于除了在其栅极下的半导体的掺杂以外在所有方面都基本相同的晶体管，其源-栅电位之间的差别将保持恒定，只要其工作温度相同和漏-源电流相等。(例如，可参考1978年1月10日颁发给Tobey，Jr.等人的题为“势垒高度的电压基准”的第4068134号美国专利)。
IGFET Q13和Q14具有相同的结构尺寸，而且，除了在各自栅极下半导体的掺杂不同以外，在所有方面基本相同。IGFET Q13在栅极下半导体的掺杂与IGFET Q11在栅极下半导体的掺杂相同，而且，IGFET Q14在栅极下半导体的掺杂与IGFET Q12在栅极下半导体的掺杂相同。因此，IGFET Q13的VT超过IGFET Q14的VT的量与IGFET Q11的VT超过IGFET Q12的VT的量相同。从IGFET Q13的较大的VGS减掉处于源极跟随工作状态的IGFET Q14的较小的VGS，从而对IGFET Q13提供导通(最好是饱和导通)所需的正源-漏电压VDS。
图2电流镜象放大器具有输入端IN2、输出端OUT21和公共端COM2。第一绝缘栅场效应晶体管Q21是共源共栅输入级的共源放大器晶体管，在该输入级中，第二绝缘栅场效应晶体管Q22是共栅放大器晶体管。第三绝缘栅场效应晶体管Q23是共源共栅输出级的共源放大器晶体管，在该输出级中，第四绝缘栅场效应晶体管Q24是共栅放大器晶体管。IGFETQ21、Q22、Q23和Q24的栅极连接成一个节点N2。工作中，响应于从公共端COM2出来并通过Q21和Q22串联连接的沟道流入输入端IN2的输入电流，于是输入电压呈现在输入端IN2上。把这个输入电压通过不具有显著插入阻抗的直接连线DC2加到节点N2上。
图2的CMA中的IGFET Q21、Q22、Q23和Q24与图1的CMA中IGFET Q11、Q12、Q13和Q14不同。全部IGFET Q21、Q22、Q23和Q24的半导体都在形成沟道的栅极区内具有相同掺杂，所以，相同的势垒高度确定了它们的VT。第二IGFET Q22中沟道的 (W)/(L) 值比第一IGFET Q21中沟道的 (W)/(L) 值大一个系数m(该系数m大于1)，这正如在其各自沟道附近以圆圈内的m和1表示的那样。第四IGFET Q24中沟道的 (W)/(L) 值比第三IGFET Q23中沟道的 (W)/(L) 值也大一个系数m，这正如在其各自沟道附近以圆圈内的mn和n表示的那样。
第一IGFET Q21中沟道的 (W)/(L) 值与第三IGFET Q23中沟道的 (W)/(L) 值之关系为1∶n，正如在其各自沟道附近以圆圈内的1和n表示的那样。第一IGFET Q21与第三IGFET Q23中沟道 (W)/(L) 值之间的这一1∶n值确定了图2中输入端IN2与输出端OUT2端之间的CMA的电流增益为-n。这是因为IGFET Q21和Q23分别为图2的CMA的“主”和“从”晶体管。通过公共端COM2的总电流为流经输入端IN2的输入电流的(N+1)倍。
图3电流镜象放大器具有输入端IN3、输入端OUT31和公共端COM3。第一绝缘栅场效应晶体管Q31是共源共栅输入级的共源放大器晶体管，在该输入级中，第二绝缘栅场效应晶体管Q32是共栅放大器晶体管。第三绝缘栅场效应晶体管Q33是共源共栅输出级的共源放大器晶体管，在该输出级中，第四绝缘栅场效应晶体管Q34是共栅放大器晶体管。IGFETQ31、Q32、Q33和Q34的栅极连接成一个节点N3。在工作中，响应于从公共端COM3出来并通过Q31和Q32串联连接的沟道流入输入端IN3的输入电流，于是输入电压便呈现在输入端IN3上。把这个输入电压通过不具有显著插入阻抗的直接连线DC3加到节点N3上。
第一IGFET Q31中沟道的 (W)/(L) 值与第三IGFET Q33中沟道的 (W)/(L) 值之关系为1∶n，这正如在其各自沟道附近以圆圈内的1和n表示的那样。第一IGFET Q31与第三IGFET Q33中沟道 (W)/(L) 值之间的这一1∶n值确定了图3中输入端IN3与输出端OUT31之间CMA的电流增益为-n。这是因为IGFET Q31和Q33分别为图3的CMA的“主”和“从”晶体管。通过公共端COM3的总电流为流经输入端IN3的输入电流的(n+1)倍。
第二IGFET Q32中沟道的 (W)/(L) 值比第一IGFET Q31中沟道的 (W)/(L) 值大一个系数m(该系数m大于1)，正如在其各自沟道附近以圆圈内的m和1表示的那样。第四IGFET Q34中沟道的 (W)/(L) 值比第三IGFET Q33中沟道的 (W)/(L) 值也大一个系数m，这正如在其各自沟道附近以圆圈内的mn和n表示的那样。另外，在IGFET Q31和Q33栅极下半导体的掺杂与在I ET Q32和Q34栅极下半导体的掺杂的关系是它使得IGFET Q31和Q33的VGS相对于IGFET Q32和Q34的VGS分别提高了相同的量值，这个量值除了IGFET Q31和Q33的沟道的值所提供出的增加量之外，要比IGFET Q32和Q34中沟道的 (W)/(L) 值小一个系数m。
图4的多输出电流镜象放大器为图1的CMA的变型，图4中具有用于包括第五IGFET Q15和第六IGFET Q16在内的第二嵌套式共源共栅输出级的另一输出端OUT12。第六IGFET Q16中沟道的 (W)/(L) 值与第五IGFET Q15中沟道的 (W)/(L) 值相同，正如在其各自沟道附近以圆圈内的P表示的那样。第五IGFET Q15中沟道的 (W)/(L) 值与第一IGFET Q11中沟道的 (W)/(L) 值之关系为1∶p，正如在其各自沟道附近以圆圈内的1和P表示的那样。第一IGFET Q11、第三IGFET Q13和第五IGFET Q15中沟道 (W)/(L) 值之间的1∶n∶p比值确定了图4中输入端IN1与输出端OUT11之间的CMA电流增益为-n;输入端IN3与输出端OUT12之间CMA的电流增益为-p。这是因为IGFET Q11、Q13和Q15分别为图4的CMA的“主”晶体管、第一“从”晶体管和第二“从”晶体管。通过公共端COM1的总电流为流经输入端IN1的输入电流的(p+n+1)倍。
图5的多输出电流镜象放大器为图2的CMA的变型，其中具有用于包括第五IGFET Q25和第六IGFET Q26在内的第二嵌套式共源共栅输出级的另一输出端OUT22。第五IGFET Q25中沟道的 (W)/(L) 值与第一IGFET Q21中沟道的 (W)/(L) 值之关系为1∶p，已如在其各自沟道附近以圆圈内的1和p表示的那样。第一IGFET Q21、第三IGFET Q23和第五IGFET Q25中沟道 (W)/(L) 值之间的1∶n∶p值确定了图5中输入端IN2与输出端OUT21之间的CMA电流增益为-n;输入端IN2与输出端OUT22之间的CMA电流增益为-p。这是因为IGFET Q21、Q23和Q25分别为图5的CMA的“主”晶体管、第一“从”晶体管和第二“从”晶体管。通过公共端COM2的总电流为流经输入端IN2的输入电流的(p+n+1)倍。第六IGFET Q26中沟道的 (W)/(L) 值比第五IGFET Q25中沟道的 (W)/(L) 值大一个系数m，正如在其各自沟道附近以圆圈内的mp和p表示的那样，这使第六IGFET Q26的VGS小于第五IGFET Q25的VGS。
图6的多输出电流镜象放大器为图3的CMA的变型，其中具有用于包括第五IGFET Q35和第六IGFET Q36在内的第二嵌套式共源共栅输出级的另一输出端OUT32。第五IGFET Q35中沟道的 (W)/(L) 值与第一IGFET Q31中沟道的 (W)/(L) 值之关系为1∶p，正如在其各自沟道附近以圆圈内的1和p表示的那样。第一IGFET Q31、第三IGFET Q33和第五IGFET Q35中沟道 (W)/(L) 值之间的1∶n∶p值确定了图6中输入端IN3与输出端OUT31之间的CMA电流增益为-n;输入端IN3与输出端OUT32之间的CMA电流增益为-p。这是因为IGFET Q31、Q33和Q35分别为图6的CMA的“主”晶体管、第一“从”晶体管和第二“从”晶体管。通过公共端COM3的总电流为流经输入端IN3的输入电流的(p+n+1)倍。第六IGFET Q36中沟道的 (W)/(L) 值比第五IGFET Q35中沟道的 (W)/(L) 值大一个系数m，正如在其各自沟道附近以圆圈内的mp和p表示的那样，这使第六IGFET Q36的VGS小于第五IGFET Q35的VGS。另外，在第五IGFET Q35栅极下半导体的掺杂与IGFET Q31和Q32栅极下的相同，在第六IGFET Q36栅极下半导体的掺杂与IGFET Q32和Q34栅极下半导体的掺杂相同。这使IGFET Q36的VGS仍小于IGFET Q31的VGS，从而使IGFET Q35的VDS增大到与IGFET Q31的VDS相同，并使输入端IN3与输出端OUT32之间的电流增益更接近于-p值而不考虑IGFET Q31和Q35中存在的阿莱效应。
在图3～图6中，多输出CMA中的每一种CMA可以进一步改变，以便包括更多个嵌套式共源共栅输出级。虽然图1～图6示出CMA的IGFET为n沟道型的，但是，作为替代，也可利用p沟道型的IGFET构成类似的CMA。
图7示出的源极跟随器电路可用来代替下列的直接连接图1或图4的CMA中的输入端IN1与栅极互连节点N1之间的直接连接线DC1;图2或图5的CMA中的输入端IN2与栅极互连节点N2之间的直接连接线DC2;或者，图3或图6中的输入端IN3与栅极互连节点N3之间的直接连接线DC3。把另一个IGFET QSF的栅极连接到对应于输入端IN1、IN2、IN3之一的端子IN上，把它的源极连接到对应于栅极连节点N1、N2、N3之一的栅极互连节点N上。把IGFET QSF的漏极连接到端子B+上以接受正的工作电位，把IGFET QSF的源极通过源极负载电阻R连接到端子B上以接受负的工作电位。当CMA必须具有很快的电流切断能力时，源极负载电阻R提供用来使栅极互连节点N上的电容较快放电的途径。为了降低CMA输入电压的增大，可以通过对感应出沟道的源极跟随器IGFET QSF的栅极下的半导体进行掺杂从而使IGFET QSF成为耗尽型器件或降低了VT的增强型器件的方法来实现。还有一种在本技术领域中已知的、可以在实施本发明原理的另一CMA中代替源极跟随器的零偏置电压跟随器电路。
可以把图3～图6及其通过图7的变型中所示双输出CMA的输出端连接到与该CMAIGFET互补的IGFET导电性类型的差分放大器对的漏极上，以便提供各自的恒流负载。在这种情况下，将把m和p选择成相等。在特定应用中，将m和p都选为1的CMA也特别有意义。
图8示出把图1～图3中的CMA用作为平衡到单端变换器的差分输入跨导放大器。图8的差分输入跨导放大器的端子B-和B+用来把工作电源的负和正干线连接到3伏左右工作电源的负和正端子上。图8的差分输入跨导放大器在p沟道IGFET Q41和Q42的源极耦合差分放大器对的各自的栅极上设有不倒相输入端NIN和倒相输入端IIN。把Q41和Q42安排成长尾对连接方式，从其各自源极之间长尾连接的节点N4处取出恒定电流。这一电流供到另一p沟道IGFET Q43的漏极，IGFET Q43的源极连接到负干线上，IGFET Q43的栅极被另一p沟道IGFET Q44的源-漏电压正向偏置，IGFET Q44连接成二极管，其连接方式为将漏极直接连接到栅极上。Q43和Q44形成简单的CMA，该CMA在通过泄流电阻RB流入连接成二极管的IGFET Q44的电流与从节点N4取出后流入Q43漏极的尾电流之间的电流增益为2。电流增益2是这样建立的，使Q43的 (W)/(L) 值为Q44的两倍，这通常是使Q43的沟道宽度为Q44的两倍(其中Q43与Q44沟道的长度相等)。图8中，这一关系以在Q43源极附近的圆圈内的“2”和Q44源极附近的圆圈内的“1”来表示。流经泄流电阻RB的电流根据欧姆定律建立。即，以电阻RB两端的电压除以RB的阻值来确定流经这里的电流，其中，RB两端的电压等于端子B-与B+之间所加的3伏左右的工作电压减掉连接成二极管的p沟道IGFET Q44两端的压降及连接成二极管的n沟道IGFET Q50两端的压降。
Q41和Q42的漏极电流作为第一和第二输入电流从双输入双输出电流镜象放大器DCMA1的各个输入连线回到节点N5和N6上。节点N7是到工作电压正干线上的公共连接点。双输入双输出电流镜象放大器DCMA1响应于其第一和第二输入电流而分别提供第一和第二输出电流。第一和第二输出电流分别通过节点N8上的输出连线提供到电流镜象放大器CMA的输入连线上，并通过节点N9上的输出连线提供到图8差分输入跨导放大器的输出端OUT上。电流镜象放大器CMA具有到工作电压负干线上的公共连线，还具有到图8差分输入跨导放大器输出端OUT的输出连线。这种电流镜象放大器CMA是图1、图2和图3所示类型之一，其中n为1。
双输入双输出电流镜象放大器DCMA1由增强型p沟道IGFET Q50、Q51、Q52、Q53、Q54、Q55、Q56、Q57和Q58根据本发明规则而构成。连接成二极管的Q50、“主”晶体管Q51和Q52、“从”晶体管Q53和Q54具有相同的 (W)/(L) 值，正如在其每一个源极附近以圆圈内的“1”表示的那样。把“主”晶体管Q51和Q52中每一个都连接成共源放大器结构，并且，分别与Q55和Q56连接成共源共栅放大器，其中Q55和Q56中每一个都连接成共栅放大器结构。把“从”晶体管Q53和Q54中每一个都连接成共源放大器结构，并且，分别与Q57和Q58连接成共源共栅放大器，其中Q57和Q58中每一个都连接成共栅放大器结构。把Q55、Q56、Q57和Q58中每一个的栅极都连接到节点N5′上，节点N5′被工作电压正干线B+经过连接成二极管的Q50沟道两端降压以后的电压所偏置。Q55、Q56、Q57和Q58有相同的 (W)/(L) 值，正如在其每一个源极附近以圆圈内的“m”表示的那样;m等于4或者大于4，因此，与Q50的源-栅偏置电压相比，Q55、Q56、Q57和Q58中源-栅偏置电压足够小，从而对Q51、Q52、Q53和Q54提供足够的源-漏电压，以便使其与Q55、Q56、Q57和Q58实现嵌套式共源共栅工作。
从CMADCMA1节点N5上的输入连线之一到“主”晶体管Q51的栅极有一条反馈连线。这条反馈连线控制Q51和Q55的嵌套式共源共栅连接以便从节点N5提供Q41所要求的漏极电流，该电流从Q55的漏极提供到节点N5上。这条反馈连线为“主”晶体管Q51建立了源-栅电压，因此，Q51及其共源共栅连接的共栅放大器晶体管Q55导通着Q41所要求的漏极电流，该源-栅电压被用作“从”晶体管Q53的源-栅电压，控制Q53及其共源共栅连接的共栅放大器晶体管Q57以便把与Q41所要求的漏极电流幅度相同的电流从Q57的漏极提供到节点N8上。
从CMADCMA1节点6上的另外的输入连线到“主”晶体管Q52的栅极还有一条反馈连线。这条反馈连线控制Q52和Q56的嵌套式共源共栅连接以便从节点N6提供Q42所要求的漏极电流，该电流从Q56的漏极提供到节点N6。这条反馈连线为“主”晶体管Q52建立了源-栅电压，从而Q52及其共源共栅连接的共栅放大器晶体管Q56导通着Q42所要求的漏极电流，该源-栅电压被用作“从”晶体管Q54的源-栅电压，控制Q54及其共源共栅连接的共栅放大器晶体管Q58从而把与Q42所要求的漏极电流幅度相同的电流从Q58的漏极提供到节点N6上。
当加到端子NIN和IIN上的输入电压相等时，Q41和Q42所要求的漏极电流一般相等。双输入双输出电流镜象放大器DCMA1响应于对节点N5和N6(DCMA1的输入连线)上的这种通常相等的电流要求，以便从节点N8和N9(DCMA1的输出连线)提供出通常相等的电流。电流镜象放大器DCMA1从节点N8提供到电流镜象放大器CMA输入连线上的电流控制CMA以在其输出连线上要求幅度相同的电流，从而吸收电流镜象放大器DCMA1从节点N9提供的电流。差分输入跨导放大器中连接到二端电阻性负载(图8中未示出)的第一端上的端子OUT的电位将由加到该电阻性负载第二端上的电位来确定。
在另一种电阻性负载的结构中，把一对电阻的各自的第一端一起连接到差分输入跨导放大器的端子OUT上，将其各自的第二端分别连接到工作电压正干线B+和工作电压负干线B-上，由此，形成一个电阻分压器。在差分输入跨导放大器端子OUT上的直流偏置电压基本上与当端子OUT与形成该电阻分压器的那一对电阻中互连的第一端断开时该电阻分压器所建立的电压相同。
端子NIN和IIN之间的输入信号电压将使Q41和Q42所要求的漏极电流不平衡，并且将引起双输入双输出电流镜象放大器DCMA1从节点N8和N9提供的输出电流的相应的不平衡。电流镜象放大器CMA强制电流镜象放大器DCMA1从其节点N8和N9提供的输出电流之差通过差分输入跨导放大器的端子OUT和二端电阻性负载(端子OUT连接到该负载上，图8中未示出)而流动。
Q43和Q44的简单电流镜象放大器联接方式允许Q43的漏极电位仅比工作电源电压负干线B-高出十分之二伏或十分之二伏左右。所以，可以把Q41和Q42的栅极电压偏置到比源-栅偏置电压仅高十分之二伏左右那样低的静止电压上(以负工作电源电压B-为基准)。这允许其漏极电压仅比源-栅的偏置电压高出十分之四伏那样低(以负工作电源电压B-为基准)。把节点N5和N6的电位仅从正工作电源电压B+偏移一个源-栅的偏置电压。假定门限电压为1伏左右，Q41和Q42工作在3伏，则按嵌套式共源共栅连接方式的Q51和Q55以及按嵌套式共源共栅连接方式的Q52和Q56是可取的。嵌套式共源共栅连接的Q53和Q57和电流镜象放大器CMA中的嵌套式共源共栅连接的“主”晶体管及其共栅放大器晶体管(这些晶体管为串联连接)可利用3伏B电源满意地工作。嵌套式共源共栅连接的Q54和Q58以及电流镜象放大器CMA中的嵌套式共源共栅连接的“从”晶体管及共栅放大器晶体管(这些晶体管为串联连接)可利用3伏B电源满意地工作。输出摆动可在负工作电源电压B-的十分之四伏左右的范围内而对CMA的电流镜象作用无任何可察觉的影响;或者，可在正工作电源电压B+的十分之四伏左右的范围内而对DCMA1的电流镜象作用无任何可察觉的影响。在3伏的B电源的绝大部分范围内的较大摆动是可能的，这时线性和响应速度将受到某些损害。
图9示出一个与图8相同的差分输入跨导放大器，其中除了以双输入双输出电流镜象放大器DCMA2代替了双输入双输出电流镜象放大器DCMA1以外。图9中双输入双输出电流镜象放大器DMCA2与图8中电流镜象放大器DCMA1的区别在于，以共栅放大器晶体管Q65、Q66、Q67和Q68代替了共栅放大器晶体管Q55、Q56、Q57和Q58。Q65、Q66、Q67和Q68具有彼此相同的 (W)/(L) 值，并且，与连接成二极管的Q50、“主”晶体管Q51和Q52、“从”晶体管Q53和Q54的 (W)/(L) 值也相同，正如在其每一个源极附近以圆圈内的“1”表示的那样。在Q65、Q66、Q67和Q68栅极下半导体的掺杂与Q50、Q51、Q52、Q53和Q54栅极下的不同。这样，使得与Q50的源-栅偏置电压相比，Q65、Q66、Q67和Q68的源-栅偏置电压足够地小，从而使Q51、Q52、Q53和Q54获得足够的源-漏电压，以便使其与Q65、Q66、Q67和Q68实现嵌套式共源共栅工作。
图10示出与图8相同的差分输入跨导放大器，其中除了以双输入双输出电流镜象放大器DCMA3代替了双输入双输出电流镜象放大器DCM1以外。图10中双输入双输出电流镜象放大器DCMA3与图8中电流镜象放大器DCMA1的区别在于，以共栅放大器晶体管Q75、Q76、Q77和Q78代替了共栅放大器晶体管Q55、Q56、Q57和Q58。Q75、Q76、Q77和Q78具有相同的 (W)/(L) 值，正如在其每一个源极附近以圆圈内的“m”表示的那样;但是，该 (W)/(L) 值比Q50、Q51、Q52、Q53和Q54的 (W)/(L) 值大一个系数m。在Q75、Q76、Q77和Q78栅极下半导体的掺杂与Q50、Q51、Q52、Q53和Q54栅极下的不同。这样，使得Q75、Q76、Q77和Q78的源-栅偏置电压相对于Q50的源-栅偏置电压减小得更多，从而更好地对Q51、Q52、Q53和Q54提供足够的源-漏电压，以便使其与Q75、Q76、Q77和Q78实现嵌套式共源共栅工作。
可以对图8、图9和图10的差分输入跨导放大器进行修改，使其可以作为跨导乘法器或同步检波器来进行工作。具体方案是切断Q43栅极与已连接成二极管的Q44之间的连接，并且通过安排使得Q43的栅极接受已调制的电压(例如，把Q43用作电流镜象放大器结构中的“从”晶体管而另一个p沟道的IGFET(而不是Q44)用作“主”晶体管时所产生出的已调制电压)。
可以通过把嵌套式共源共栅连接的输出级电路内的晶体管的 (W)/(L) 值改变成该嵌套式共源共栅连接中输入级电路内的晶体管 (W)/(L) 值的p倍(p为正数，通常是1的几倍)，从而对双输入双输出电流镜象放大器DCMA1、DCMA2和DCMA3中每一个进行修改。这将使其每一个的输出电流相对于其输入电流呈现出电流增益-p，而不是电流增益-1。利用n沟道IGFET而不是p沟道IGFET构成的、类似于DCMA1、DCMA2和DCMA3的双输入双输出电流镜象放大器是本发明的另外的类型的实施例。
权利要求
1.一种电流镜象放大器，其特征在于包括属于同一导电性类型的第一、第二、第三和第四场效应管，其中每一个场效应管具有各自的栅极、各自的源极、各自的漏极、和在其源极与漏极之间各自的沟道，该沟道的宽长比与所述第一、第二、第三和第四场效应管中别的场效应管沟道的宽长比有规定的比例，所述第一场效应管的漏极连接到所述第二场效应管的源极上，所述第三场效应管的漏极连接到所述第四场效应管的源极上；用来接受输入电流的输入端，所述第二场效应管的漏极连接到该输入端上，输入电压响应于所述输入电流而呈现在该输入端上；用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置；第一输出端，所述第四场效应管的漏极连接到该输出端上；公共端，所述第一和第三场效应管的源极连接到该公共端上而不带有显著的插入阻抗；所述第一、第二、第三和第四场效应管栅极的互连点；存在于所述第一与第二场效应管之间的结构差别，以便响应于第一和第二晶体管的电流通过其各自沟道的串联导通，从而使所述第一晶体管的源-栅电压比所述第二晶体管源-栅电压大出预定的量值；以及存在于所述第三与第四场效应管之间的结构差别，以便响应于电流通过第三和第四晶体管的各自沟道的串联导通，从而使所述第三晶体管的源-栅电压比所述第四晶体管源-栅电压大出预定的量值。
2.根据权利要求1中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置包括从所述输入端到所第一、第二、第三和第四场效应管的栅极的所述互连点的、不带有显著插入阻抗的连线。
3.根据权利要求1中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置包括与所述第一、第二、第三和第四场效应管属于同一导电性类型的第五场效应管的源极跟随器连接。
4.根据权利要求1中所述的电流镜象放大器，其特征在于还包括与所述第一、第二、第三和第四场效应管属于同一导电性类型的第五和第六场效应管，所述第五和第六场效应管具有与所述第一、第二、第三和第四场效应管栅极的所述互连点相连接的各自栅极，所述第五和第六场效应管具有在各自源极与各自漏极之间各自的沟道，所述第五场效应管的源极连接到所述公共端上，所述第五场效应管的漏极连接到所述第六场效应管的源极上;第二输出端，所述第六场效应管的漏极连接到该输出端上;和存在于所述第五与第六场效应管之间的结构差别，以便响应于电流通过第五和第六晶体管的各自沟道的串联导通，从而使所述第五晶体管的源-栅电压比所述第六晶体管源-栅电压大出预定量值。
5.根据权利要求4中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置包括从所述输入端到所述第一、第二、第三和第四场效应管栅极所述互连点的、不带有显著插入阻抗的连线。
6.根据权利要求4中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置包括与所述第一、第二、第三、第四、第五和第六场效应管属于同一导电性类型的第七场效应管的源极跟随器连接。
7.根据权利要求4中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第三和所述第五场效应管的沟道具有相同的各自的宽长比。
8.根据权利要求7中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第一和所述第三场效应管的沟道具有相同的各自的宽长比。
9.根据权利要求1中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第一和所述第三场效应管的沟道具有相同的各自的宽长比。
10.根据权利要求1中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中把分别形成第一和第二场效应管沟道的半导体区实行不同掺杂，以便使第一场效应管的势垒高度超过第二场效应管的势垒高度;并把分别形成第三和第四场效应管沟道的半导体区实行不同掺杂，以便使第三场效应管的势垒高度超过第四场效应管的势垒高度。
11.根据权利要求1中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第二场效应管中沟道的宽长比比所述第一场效应管中沟道的宽长比大一个大于1的系数m;所述第四场效应管中沟道的宽长比比所述第三场效应管中沟道的宽长比大一个所述系数m。
12.一种电流镜象放大器，其特征在于包括属于同一导电性类型的第一、第二、第三和第四场效应管，其中每一个场效应管具有在规定掺杂的半导体区上的各自的栅极、各自的源极、各自的漏极、和在其源极与漏极之间各自的沟道，所述第三和第四场效应管的沟道具有相同的、等于所述第一和第二场效应管沟道的n倍的宽长比，其中n为正数，所述第一场效应管的漏极连接到所述第二场效应管的源极上，所述第三场效应管的漏极连接到所述第四场效应管的源极上，把分别形成第一和第二场效应管沟道的半导体区实行不同掺杂，从而使第一场效应管的势垒高度超过第二场效应管的势垒高度一个规定的量值，并把形成第三和第四场效应管沟道的半导体区实行不同掺杂，从而使第三场效应管的势垒高度超过第四场效应管的势垒高度一个规定的量值;用来接受输入电流的输入端，所述第二场效应管的漏极连接到该输入端上，并且输入电压响应于所述输入电流而呈现在该输入端上;用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置;第一输出端，所述第四场效应管的漏极连接到该输出端上;公共端，所述第一和第三场效应管的源极连接到该公共端上而不具有显著插入阻抗;和所述第一、第二、第三和第四场效应管栅极的互连点。
13.根据权利要求12中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置包括从所述输入端到所述第一、第二、第三和第四场效应管栅极所述互连点的、不具有显著插入阻抗的连线。
14.根据权利要求12中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置包括与所述第一、第二、第三和第四场效应管属于同一导电性类型的第五场效应管的源极跟随器连接。
15.根据权利要求12中所述的电流镜象放大器，其特征在于还包括与所述第一、第二、第三和第四场效应管属于同一导电性类型的第五和第六场效应管，所述第五和第六场效应管具有与所述第一、第二、第三和第四场效应管的栅极的所述互连点连接的各自栅极，所述第五和第六场效应管具有在各自源极与各自漏极之间的各自的沟道，所述第五场效应管的源极连接到所述公共端上，所述第五场效应管的漏极连接到所述第六场效应管的源极上，把形成第五和第六场效应管沟道的半导体区实行不同掺杂，从而使第五场效应管的势垒高度超过第六场效应管势垒高度一个规定的量值;以及第二输出端，所述第六场效应管的漏极连接到该输出端上。
16.根据权利要求15中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第五和第六场效应管的沟道具有相同的、等于所述第一和第二场效应管沟道的p倍的宽长比。
17.根据权利要求15中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中n等于p。
18.根据权利要求17中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中n为1。
19.根据权利要求12中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第一和所述第三场效应管的沟道具有相同的各自宽长比。
20.一种电流镜象放大器，其特征在于包括属于同一导电性类型的第一、第二、第三和第四场效应管，每一个场效应管具有各自的栅极、各自的源极、各自的漏极、和在其源极与漏极之间各自的沟道，该沟道在与所述第一、第二、第三和第四场效应管中的别的场效应管相同的规定的掺杂半导体区内形成，所述第一场效应管的漏极连接到所述第二场效应管的源极上，所述第三场效应管的漏极连接到所述第四场效应管的源极上;用来接受输入电流的输入端，所述第二场效应管的漏极连接到该输入端上，并且输入电压响应于所述输入电流而呈现在该输入端上;用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置;第一输出端，所述第四场效应管的漏极连接到该输出端上;公共端，所述第一和第三场效应管的源极连接到该公共端上而不具有显著的插入阻抗;以及所述第一、第二、第三和第四场效应管栅极的互连点，所述第二场效应管中沟道的宽长比比所述第一场效应管中沟道的宽长比大一个大于1的系数m，所述第四场效应管中沟道的宽长比比所述第三场效应管中沟道的宽长比大一个所述系数m。
21.根据权利要求20中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置包括从所述输入端到所述第一、第二、第三和第四场效应管的栅极的所述互连点的、不带有显著插入阻抗的连线。
22.根据权利要求21中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第一和所述第三场效应管的沟道具有相同的宽长比。
23.根据权利要求20中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置包括与所述第一、第二、第三和第四场效应属于同一导电性类型的第五场效应管的源极跟随器连接。
24.根据权利要求23中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第一和所述第三场效应管的沟道具有相同的宽长比。
25.根据权利要求20中所述的电流镜象放大器，其特征在于还包括与所述第一、第二、第三和第四场效应管属于同一导电性类型的第五和第六场效应管，所述第五和第六场效应管具有与所述第一、第二、第三和第四场效应管的栅极的所述互连点相连接的各自的栅极，所述第五和第六场效应管具有在各自源极与各自漏极之间的各自的沟道，所述第五场效应管的源极连接到所述公共端上，所述第五场效应管的漏极连接到所述第六场效应管的源极上，所述第六场效应管中沟道的宽长比比所述第五场效应管中沟道的宽长比大一个所述系数m;以及第二输出端，所述第六场效应管的漏极连接到该输出端上。
26.根据权利要求25中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第一、所述第三和所述第五场效应管的沟道具有相同的各自宽长比。
27.根据权利要求20中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第一和所述第三场效应管的沟道具有相同的各自宽长比。
28.一种电流镜象放大器，其特征在于包括属于同一导电性类型的第一、第二、第三、第四和第五场效应管，其中每一个场效应管具有各自的栅极、各自的源极、各自的漏极、和在其源极与漏极之间各自的沟道，该沟道的宽长比与所述第一、第二、第三和第四场效应管中的别的场效应管沟道的宽长比有规定的比例，所述第一场效应管的漏极连接到所述第二场效应管的源极上，所述第三场效应管的漏极连接到所述第四场效应管的源极上;用来接受输入电流的输入端，所述第二场效应管的漏极连接到该输入端上，并且输入电压响应于所述输入电流而呈现在该输入端上;用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置;第一输出端，所述第四场效应管的漏极连接到该输出端上;公共端，所述第一、第三和第五场效应管的源极连接到该公共端上而不具有显著插入阻抗;用来接受与所述输入电流属于同一极性的偏置电流的偏置端，所述第五场效应管的漏极连接到该偏置端上，并且响应于所述偏置电流从而在所述偏置端上呈现一个电压，且该电压被加到所述第一、第二和第五场效应管栅极所述互连点上;存在于所述第一与第二场效应管之间的结构差别，以便响应于电流通过所述第一和第二晶体管的各自沟道的串联导通，从而使所述第一晶体管的源-栅电压比所述第二晶体管源-栅电压大预定量值;存在于所述第三与第四场效应管之间的结构差别，以便响应于电流通过所述第三和第四晶体管的各自沟道的串联导通，从而使所述第三晶体管的源-栅电压比所述第四晶体管源-栅电压大预定量值。
29.根据权利要求28中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述用来把所述输入电压加到所述第一和第三场效应管栅极上的装置包括从所述输入端到所述第一和第三场效应管栅极所述互连点的、不带有显著插入阻抗的连线。
30.根据权利要求28中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中把分别形成第一和第二场效应管沟道的半导体区实行不同掺杂，从而使第一场效应管的势垒高度超过第二场效应管的势垒高度;和把分别形成第三和第四场效应管沟道的半导体区实行不同掺杂，从而使第三场效应管的势垒高度超过第四场效应管的势垒高度;并把分别形成第一、第三和第五场效应管沟道的半导体区实行彼此相同的掺杂。
31.根据权利要求30中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第二场效应管中沟道的宽长比比所述第一场效应管中沟道的宽长比大一个大于1的系数m;所述第四场效应管中沟道的宽长比比所述第三场效应管中沟道的宽长比大一个所述系数m。
32.根据权利要求28中所述的电流镜象放大器，其特征在于，其中所述第二场效应管中沟道的宽长比比所述第一场效应管中沟道的宽长比大一个大于1的系数m;所述第四场效应管中沟道的宽长比比所述第三场效应管中沟道的宽长比大一个所述系数m。
全文摘要
电流镜象放大器(CMA)包括同一导电性类型的第一、第二、第三和第四场效应管(FET)。第一和第二FET以及第三和第四FET分别在CMA输入级以及输出级中彼此为嵌套式共源共栅连接。第二和第四FET的漏极分别连接到CMA输入端和CMA输出端上，第一和第三FET的源极连接到CMA的公共端上。CMA输入端的电压加到第一、第二、第三和第四FET栅极互连点上，以调整通过其沟道电流的导通，由此实现CMA工作。
文档编号H03F3/345GK1111853SQ94119069
公开日1995年11月15日 申请日期1994年12月14日 优先权日1993年12月14日
发明者A·L·林堡 申请人:三星电子株式会社