极晶体管ITN4的栅极、第六反相器IV6的输入端连接，第四P沟道绝缘栅双极晶体管ITP4的栅极与第七反相器IV7的输出端连接，第四P沟道绝缘栅双极晶体管ITP4的发射极与第三P沟道绝缘栅双极晶体管ITP3的集电极连接，第二 P沟道绝缘栅双极晶体管ITP2的集电极同时与第四N沟道绝缘栅双极晶体管ITN4的集电极、电感L的第一端连接，电感L的第二端同时与电容C的第一端、电阻R的第一端连接，直流电源的正极同时与第一 P沟道绝缘栅双极晶体管ITPl的发射极、第二 P沟道绝缘栅双极晶体管ITP2的发射极、第三P沟道绝缘栅双极晶体管ITP3的发射极连接，直流电源的负极同时与第二 N沟道绝缘栅双极晶体管ITN2的发射极、第三N沟道绝缘栅双极晶体管ITN3的发射极、第四N沟道绝缘栅双极晶体管ITN4的发射极、电容C的第二端连接，电阻R的第二端为死区控制电路的信号输出端OUT。
[0011]本发明所述用于D类音频功率放大器的死区控制电路，当信号控制端CT为低电平该控制电路正常工作，当信号控制端CT为高电平该控制电路不工作。当信号输入端IN输入信号由高电平变成低电平时，第一 P沟道绝缘栅双极晶体管ITPl和第三P沟道绝缘栅双极晶体管ITP3导通，第二 N沟道绝缘栅双极晶体管ITN2和第三N沟道绝缘栅双极晶体管ITN3关断，第二 P沟道绝缘栅双极晶体管ITP2关断，此时第四P沟道绝缘栅双极晶体管ITP4仍处于关断状态，所以第四N沟道绝缘栅双极晶体管ITN4仍然关断；信号经第七反相器IV7延时输出低电平，此时第四P沟道绝缘栅双极晶体管ITP4被打开，第四N沟道绝缘栅双极晶体管ITN4才导通，该控制电路输出低电平。同理，当信号输入端IN输入信号由低电平变成高电平时，该控制电路第四N沟道绝缘栅双极晶体管ITN4先关断，然后第二 P沟道绝缘栅双极晶体管ITP2再导通。该控制电路由第七反相器IV7的延时和第七反相器IV7驱动第四P沟道绝缘栅双极晶体管ITP4导通的时间构成输出信号的下降产生的死区时间，由第六反相器IV6的延时和第六反相器IV6驱动第一 N沟道绝缘栅双极晶体管ITNl导通的时间构成输出信号的上升产生的死区时间，该控制电路的输出信号的下降产生的死区时间和上升产生的死区时间相近，失真小。
【主权项】
1.一种用于D类音频功率放大器的死区控制电路，其特征在于:包括第一反相器?第七反相器、第一与非门、第二与非门、第一 P沟道绝缘栅双极晶体管?第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一 N沟道绝缘栅双极晶体管?第四N沟道绝缘栅双极晶体管、电感、电容、电阻和直流电源，所述第一反相器的输入端为所述死区控制电路的信号控制端，所述第一反相器的输出端同时与所述第一与非门的B输入端、所述第二与非门的A输入端连接,所述第一与非门的A输入端与所述第二反相器的输入端连接并作为所述死区控制电路的信号输入端，所述第二反相器的输出端与所述第二与非门的B输入端连接，所述第二与非门的输出端与所述第三反相器的输入端连接，所述第三反相器的输出端与所述第四反相器的输入端连接，所述第一与非门的输出端与所述第五反相器的输入端连接，所述第五反相器的输出端同时与所述第一 P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第二 N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极连接，所述第一 P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第一 N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第二 P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第七反相器的输入端连接，所述第一 N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极与所述第六反相器的输出端连接，所述第一 N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极与所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极连接，所述第四反相器的输出端同时与所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极连接，所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第四N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第六反相器的输入端连接，所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极与所述第七反相器的输出端连接，所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极与所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极连接，所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第四N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述电感的第一端连接，所述电感的第二端同时与所述电容的第一端、所述电阻的第一端连接，所述直流电源的正极同时与所述第一 P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第二 P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极连接，所述直流电源的负极同时与所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第四N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述电容的第二端连接，所述电阻的第二端为所述死区控制电路的信号输出端。
【专利摘要】本发明公开了一种用于D类音频功率放大器的死区控制电路，包括第一反相器～第七反相器、第一与非门、第二与非门、第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第四N沟道绝缘栅双极晶体管、电感、电容、电阻和直流电源，第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管和第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第四N沟道绝缘栅双极晶体管、第六反相器、第七反相器构成死区时间的控制电路。本发明所述用于D类音频功率放大器的死区控制电路，是一种产生死区时间短的死区控制电路，因而引发的干扰小，功率损耗小。该死区控制电路的输出信号的下降产生的死区时间和上升产生的死区时间相近，失真小。
【IPC分类】H03F1-32, H03F3-217, H03F1-52, H03K19-082
【公开号】CN104617941
【申请号】CN201310539875
【发明人】朱珠, 张庆智
【申请人】成都步速者科技有限责任公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2013年11月4日