振荡器的制造方法、电路装置的制造方法以及电路装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及振荡器的制造方法、电路装置的制造方法以及电路装置。
【背景技术】
[0002]目前开发了采用石英振子或MEMS (Micro Electro Mechanical Systems:微电子机械系统)振子等振子(压电振子)的振荡器。因为振子的特性存在制造偏差，所以需要进行过驱动检查或驱动等级(drive level)特性检查等，来检查振子的特性。
[0003]专利文献I公开了能够在同一收容容器内安装石英振子和振荡电路之后进行石英振子的等级特性检查的压电振荡器。
[0004]专利文献1:日本特开2001-7648号公报
[0005]专利文献I所记载的压电振荡器需要在组装振荡器之后将振荡电路变更为检查用的模式，然后进行振子特性的检查。因此，存在耗费检查所需的时间以及工时的课题。另夕卜，存在还需要用于将振荡电路变更为检查用的模式的设备的课题。
【发明内容】
[0006]本发明是鉴于以上这样的技术课题而完成的。根据本发明的几个方式，可提供能够削减检查所需的时间以及工时、并能够抑制设备投资的振荡器的制造方法、电路装置的制造方法以及电路装置。
[0007][应用例I]本应用例的振荡器的制造方法包含以下的工序:准备半导体电路装置的工序，该半导体电路装置具有与振子连接的振荡部、以及控制部，该控制部切换通常模式和交流电压施加模式作为动作模式，所述动作模式已经被设定为所述交流电压施加模式，其中，在该通常模式下，所述振荡部进行振荡动作，在该交流电压施加模式下，所述振荡部不进行振荡动作，并且所述振子被施加用于驱动所述振子的交流电压；连接工序，其使振子与所述振荡部电连接；以及交流电压施加工序，在被设定为所述交流电压施加模式的状态下，施加用于驱动与所述振荡部电连接的状态下的所述振子的交流电压。
[0008]根据本应用例，因为电路装置的控制部的动作模式是设定为交流电压施加模式的状态，所以在施加用于驱动振子的交流电压时不需要从通常模式变更为交流电压施加模式，只要供给电源电压就能够在连接工序之后迅速地进行交流电压施加工序。另外，还不需要用于为了施加用于驱动振子的交流电压而从通常模式变更为交流电压施加模式的设备。因此，例如在施加用于检查振子的电压作为用于驱动振子的交流电压时，可实现能够削减检查所需的时间以及工时并能够抑制设备投资的振荡器的制造方法。
[0009][应用例2]在上述振荡器的制造方法中优选的是，所述交流电压是用于进行驱动检查的电压以及用于进行驱动等级特性检查的电压中的至少I个。
[0010]通过施加用于进行驱动检查的电压以及用于进行驱动等级特性检查的电压中的至少I个作为交流电压，可检查与电路装置电连接的状态下的振子的重要特性。
[0011][应用例3]、[应用例4]在上述振荡器的制造方法中优选的是，该制造方法还包含:切换工序，在所述交流电压施加工序之后，将所述动作模式切换为所述通常模式。
[0012]通过进行切换工序，振荡器成为可进行通常的振荡动作的状态，所以能够实现可作为振荡器迅速使用的振荡器的制造方法。
[0013][应用例5]本应用例的电路装置的制造方法包含以下的工序:形成电路的电路形成工序，该电路包含与振子电连接的振荡部、以及控制部，该控制部切换通常模式和交流电压施加模式作为动作模式，其中，在该通常模式下，所述振荡部进行振荡动作，在该交流电压施加模式下，所述振荡部不进行振荡动作，并且所述振子被施加用于驱动所述振子的交流电压；以及设定工序，将所述动作模式设定为所述交流电压施加模式。
[0014]根据本应用例，因为电路装置的动作模式是设定为交流电压施加模式的状态，所以在组装为振荡器之后可迅速地对与电路装置电连接的状态下的振子施加交流电压例如用于进行驱动检查的电压，能够检查振子的特性。另外，还不需要用于为了施加交流电压而从通常模式变更为交流电压施加模式的设备。因此，例如，在施加用于检查振子的电压作为用于驱动振子的交流电压时，可实现能够削减检查所需的时间以及工时并能够抑制设备投资的电路装置的制造方法。
[0015][应用例6]本应用例的电路装置具备:振荡部，其与振子电连接；以及控制部，其切换通常模式和交流电压施加模式作为动作模式，其中，在该通常模式下，所述振荡部进行振荡动作，在该交流电压施加模式下，所述振荡部不进行动作，并且所述振子被施加用于驱动所述振子的交流电压，所述动作模式已经被设定为所述交流电压施加模式。
[0016]根据本应用例，因为半导体电路装置的动作模式是设定为交流电压施加模式的状态，所以在组装为振荡器之后可迅速地对与半导体电路装置电连接的状态下的振子施加交流电压例如用于进行驱动检查的电压，能够检查振子的特性。另外，也不需要用于为了施加交流电压而从通常模式变更为交流电压施加模式的设备。因此，例如在施加用于检查振子的电压作为用于驱动振子的交流电压时，可实现能够削减检查所需的时间以及工时并能够抑制设备投资的半导体电路装置。
【附图说明】
[0017]图1是本实施方式的半导体电路装置I的电路图。
[0018]图2是示出本实施方式的半导体电路装置I的制造方法的流程图。
[0019]图3是示出本实施方式的振荡器1000的制造方法的流程图。
[0020]图4是本实施方式的振荡器1000的剖视图。
[0021]图5是示出检查工序的概要的框图。
[0022]图6是示出本实施方式的振荡器1000的制造方法的变形例的流程图。
[0023]标号说明
[0024]I半导体电路装置；10振荡部；11振荡电路；12偏压生成电路；13增益控制部；14输出缓冲器；20控制部；21串行接口 ；22寄存器；23存储器；24开关控制电路；25X0端子输入输出部；26XI端子输入输出部；100振子；1000振荡器；1100陶瓷封装；1200盖；1300电极；1400收容室；2000电源；3000信号发生器；OUT输出端子；VC控制端子；VDD电源端子；VSS接地端子；XI XI端子；XOXO端子。
【具体实施方式】
[0025]以下，使用附图来详细说明本发明的优选实施例。所用的附图只是为了便于说明。此外，以下说明的实施例并非不当地限定权利要求书记载的本发明的内容。另外，以下说明的全部结构并非是本发明的必须构成要件。
[0026]1.半导体电路装置
[0027]图1是本实施方式的半导体电路装置I (电路装置的一例)的电路图。
[0028]本实施方式的半导体电路装置I具备:与振子100电连接的振荡部10 ;以及控制部20，其切换振荡部10进行振荡动作的通常模式和检查振子100的特性的检查模式(交流电压施加模式的一例)作为动作模式，动作模式被设定为检查模式。
[0029]振荡部10与振子100电连接而进行振荡动作。在图1所示的例子中，振荡部10构成为包含振荡电路11、偏压生成电路12、频率控制部13以及输出缓冲器14。
[0030]振荡电路11主要与振子100电连接而进行振荡动作。振荡电路11例如可采用皮尔斯振荡电路、反相型振荡电路、考比兹振荡电路、哈特莱振荡电路等各种公知的振荡电路。在本实施方式中，振荡电路11是皮尔斯振荡电路。
[0031]偏压生成电路12根据从电源端子VDD供给的电力，生成偏置电流而提供给振荡电路11。在本实施方式中，对皮尔斯振荡电路的振荡用晶体管供给电流。
[0032]频率控制部13根据对控制端子VC输入的控制信号来控制振荡电路11所包含的可变电容。由此，可通过使振荡电路11中的负载电容变化来控制振荡频率。
[0033]输出缓冲器14由放大电路构成。输出缓冲器14接受振荡电路11输出的振荡信号的输入，输出至输出端子OUT。
[0034]控制部20控制振荡部10的动作。在图1所示的例子中，控制部20构成为包含串行接口