入机构43同样供给微波电力，从该微波导入机构43向微波福射板50的中央部50b导入微波。从微波导入机构43导入的微波，透射滞波件131经由隙缝天线部134的隙缝133和微波透射部件132辐射到腔室I内，在腔室I内的中央部50b的正下方部分生成表面波等离子体。
[0111]在中央部50b，也能够使气体的流向与微波的辐射方向，能够将气体有效地等离子体化。另外，气体扩散空间135和气体排出孔136与透射微波的隙缝133分离，所以不会产生在气体通过它们时发生等离子体化的不良。另外，微波透射部件132以包含隙缝形成区域的方式设置，所以在中央部50b的正下方区域也能够使等离子体均匀。
[0112]<其它实施方式>
[0113]在上述实施方式中，在微波辐射板50的中央部设置有微波导入机构43，在腔室I内的与晶片W的中央区域对应的部分也生成表面波等离子体，但是本发明的要点在于在周缘部生成均匀的等离子体，中央部的构成不限于上述实施方式。本发明的其它实施方式中，在中央部具有形成电容耦合等离子体的构成。图13是表示本发明的其它实施方式的等离子体处理装置的概略构成的截面图。
[0114]如图13所示，本实施方式的等离子体装置10(V在微波供给部40，微波辐射机构43仅采用周缘部的4个，替代图1的微波辐射板50，设置包含配置有微波辐射机构43的区域的环状的微波辐射板50'，在其内侧的中央部分，隔着绝缘部件151设置有具有与晶片W大致同等的大小的呈导电性的喷淋头150。喷淋头150包括:形成为圆板状的气体扩散空间152 ;以从气体扩散空间152面对腔室I内的方式形成的多个气体排出孔153 ;和用于将来自气体供给配管111气体导入到气体扩散空间152的气体导入孔154。喷淋头150通过匹配器155与等离子体生成用的高频电源156电连接。基座11具有导电性部分，作为喷淋头150的对向电极发挥作用。通过从该高频电源156向喷淋头150供给高频电力，在喷淋头150与基座11之间形成高频电场，在晶片W的正上方的空间形成电容耦合等离子体。该中央部分的构成与对晶片进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置相同，这种构成的等离子体处理装置100'能够用作利用微波生成的表面波等离子体进行例如晶片的周缘的等离子体密度调整的等离子体蚀刻装置。另外，在图13中，对与图1相同的部分标注相同附图标记省略说明。
[0115]<其它的应用〉
[0116]以上，参照附图，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限于上述2个实施方式，在本发明的思想范围内能够进行各种变形。例如，本发明的要点在于，在周缘部生成均匀的等离子体，中央部的构成不限于上述2个实施方式，能够根据所要求的等离子体分布采用各种构成。也可以不在中央部设置生成等离子体的机构。
[0117]另外，上述实施方式中，示出了在微波辐射板50的周缘部50a之上沿着周方向设有4个微波导入机构43的例子，但周缘部的微波导入机构43的数量不限于四个，只要为两个以上即可，其数量能够适当设定，以获得本发明的效果。
[0118]并且，微波输出部30和微波供给部40的构成等不限于上述实施方式，例如，在无需进行从隙缝天线部辐射的微波的指向性控制或形成圆偏波的情况下，不需要相位器。另夕卜，滞波件也不是必须的。
[0119]另外，在上述实施方式中，作为等离子体处理装置，例示了成膜装置和蚀刻装置，但不限于此，也能够用于包括氧化处理和氮化处理在内的氮氧化膜形成处理、灰化处理等的其它的等离子体处理。并且，被处理体不限于半导体晶片W，也可以为以IXD (液晶显示器)用基板为代表的FPD (平板显示器)基板、陶瓷基板等的其它的基板。
【主权项】
1.一种微波等离子体源，其向等离子体处理装置的腔室内辐射微波而形成表面波等离子体，所述微波等离子体源的特征在于，包括: 生成并输出微波的微波输出部； 用于传送从所述微波输出部输出的微波的的微波供给部；和 构成所述腔室的顶壁，用于将从所述微波供给部供给来的微波辐射到所述腔室内的微波辐射部件， 所述微波供给部包括微波导入机构，该微波导入机构在所述微波辐射部件之上的与所述腔室内的周缘部分对应的位置沿圆周方向设置有多个，将微波导入到所述微波辐射部件， 所述微波辐射部件包括: 隙缝天线部，其具有沿着配置有所述微波导入机构的微波导入机构配置区域以整体形状呈圆周状的方式设置有多个的微波辐射用的隙缝；和 微波透射部件，其在与所述微波导入机构配置区域对应的位置以覆盖所述隙缝的方式设置成圆周状，由使从所述隙缝辐射的微波透射的电介质构成。
2.如权利要求1所述的微波等离子体源，其特征在于: 所述微波辐射部件在与所述微波导入机构对应的位置具有用于缩短微波的波长的滞波件。
3.如权利要求1或2所述的微波等离子体源，其特征在于: 所述微波辐射部件还包括:设置于所述隙缝天线部的内侧部分，向所述腔室内喷淋状地导入用于等离子体处理的气体的喷淋构造部。
4.如权利要求1?3中任一项所述的微波等离子体源，其特征在于: 所述微波辐射部件呈圆板状，所述微波等离子体源还包括配置在所述微波辐射部件之上的与所述腔室内的中央部分对应的位置的微波导入机构，从所述微波辐射部件的中央也在所述腔室内的中央部生成表面波等离子体。
5.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括: 收纳被处理基板的腔室； 向所述腔室内供给气体的气体供给机构；和 向所述腔室内辐射微波而形成表面波等离子体的微波等离子体源， 所述等离子体处理装置通过所述表面波等离子体对被处理基板实施等离子体处理， 所述微波等离子体源包括: 生成并输出微波的微波输出部； 用于传送从所述微波输出部输出的微波的的微波供给部；和 构成所述腔室的顶壁，用于将从所述微波供给部供给来的微波辐射到所述腔室内的微波辐射部件， 所述微波供给部包括微波导入机构，该微波导入机构在所述微波辐射部件之上的与所述腔室内的周缘部分对应的位置沿圆周方向设置有多个，将微波导入到所述微波辐射部件， 所述微波辐射部件包括: 隙缝天线部，其具有沿着配置有所述微波导入机构的微波导入机构配置区域以整体形状呈圆周状的方式设置有多个的微波辐射用的隙缝；和 微波透射部件，其在与所述微波导入机构配置区域对应的位置以覆盖所述隙缝的方式设置成圆周状，由使从所述隙缝辐射的微波透射的电介质构成。
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于: 所述微波辐射部件在与所述微波导入机构对应的位置具有用于缩短微波的波长的滞波件。
7.如权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于: 所述微波辐射部件还包括:设置于所述隙缝天线部的内侧部分，向所述腔室内喷淋状地导入用于等离子体处理的气体的喷淋构造部。
8.如权利要求5?7中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于: 所述微波辐射部件呈圆板状，所述微波等离子体源还包括配置在所述微波辐射部件之上的与所述腔室内的中央部分对应的位置的微波导入机构，从所述微波辐射部件的中央也在所述腔室内的中央部生成表面波等离子体。
9.如权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于: 所述微波辐射部件呈与所述腔室内的周缘部对应的环状， 所述等离子体处理装置还包括: 载置被处理基板的载置台； 在所述微波辐射部件的内侧部分向所述腔室内喷淋状地导入用于等离子体处理的气体的喷淋头；和 在所述喷淋头与所述载置台之间形成高频电场的高频电场形成机构， 利用所述高频电场形成机构在所述腔室内形成电容耦合等离子体。
【专利摘要】本发明提供一种微波等离子体源，其能够确保等离子体的扩散，并且即使减少微波辐射部的数量，也能够形成均匀的表面波等离子体。微波等离子体源(2)包括微波输出部(30)、微波供给部(40)和微波辐射板(50)。微波供给部(40)具有在微波辐射部件(50)的周缘部(50a)之上沿着圆周方向设置的多个微波导入机构(43)，微波辐射板(50)包括：隙缝天线部(124)，其具有沿着微波导入机构配置区域以整体形状呈圆周状的方式设置有多个的微波辐射用的隙缝(123)；和在与微波导入机构配置区域对应的位置以覆盖隙缝(123)的方式设置成圆周状，用于透射从隙缝(123)辐射的微波的微波透射部件(122)。
【IPC分类】H05H1-46
【公开号】CN104717820
【申请号】CN201410784335
【发明人】小松智仁, 池田太郎, 藤野丰
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2014年12月16日
【公告号】US20150170881