用于光刻的辐射源和方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的相夺引用
[0002] 本申请要求2012年11月15日提交的美国临时申请61/726, 843和2012年12月 18日提交的美国临时申请61/738, 700的权益，并且其通过整体引用并入本文。
技术领域
[0003] 本发明涉及用于生成用于在用于器件制造的光刻应用中使用的辐射的方法和设 备。
【背景技术】
[0004] 光刻设备是将期望的图案应用到衬底上（通常到衬底的目标部分上）的机器。例 如，可以在集成电路（IC)的制造中使用光刻设备。在这种情况下，可以使用图案形成装置 (备选地称为掩模或者掩模版）来产生将在IC的单独层上形成的电路图案。该图案可以被 转移到衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如，包括一个或者几个裸片的一部分）上。 图案的转移通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料层（抗蚀剂）上。一般而言，单 个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。
[0005] 光刻被广泛认为是IC和其他器件和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随 着使用光刻制作的特征的尺寸变得越来越小，光刻正在成为对于使微型IC或者其他器件 和/或结构能够被制造的更加关键的因素。
[0006] 图案印刷极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利准则给出，如等式（1)所示：
【主权项】
1. 一种辐射源，所述辐射源被布置为从等离子体生成辐射，所述等离子体从包括气 体的围闭件内的燃料生成，并且生成的所述等离子体导致初级碎片的发射，所述辐射源包 括： 具有光活性表面的部件，以及 碎片接收表面，被定位和/或定向以使得在使用时所述初级碎片的发射引起具有燃料 层的所述碎片接收表面的污染， 其中所述碎片接收表面被布置为保持在足够高的温度，以将所述燃料层保持为液态， 并且在使用时提供比在超过所述燃料的熔点20°C的温度的所述液态燃料层内的所述气体 的泡的形成率显著更低的所述液态燃料层内的所述气体的泡的所述形成率。
2. 根据权利要求1所述的辐射源，其中所述碎片接收表面包括加热器。
3. 根据权利要求2所述的辐射源，其中所述加热器是电加热器或者由热传递流体加热 的加热管。
4. 根据任一项前述权利要求所述的辐射源，其中所述碎片接收表面被布置为在使用时 被保持在超过300°C的温度。
5. 根据任一项前述权利要求所述的辐射源，其中所述碎片接收表面被布置为在使用时 被保持在足够高的温度以防止所述液态燃料层内的所述气体的泡的形成。
6. 根据任一项前述权利要求所述的辐射源，其中所述碎片接收表面被布置为在使用时 被保持在550°C或者更高的温度。
7. 根据任一项前述权利要求所述的辐射源，其中所述辐射源被布置为接收激发束，以 使得在使用时所述激发束入射在等离子体形成位置处的所述燃料上以生成所述等离子体， 并且 其中所述碎片接收表面和包括光活性表面的部件被交错地定位和/或定向以使得垂 直于所述碎片接收表面的基本上所有的线不与所述部件的所述光活性表面相交。
8. 根据任一项前述权利要求所述的辐射源， 其中所述辐射源包括用于在所述燃料向所述等离子体形成位置行进时屏蔽所述燃料 的护罩；并且 其中所述碎片接收表面包括所述护罩的表面的至少一部分。
9. 根据任一前述权利要求所述的辐射源，其中所述部件包括作为光活性部件的辐射收 集器，所述辐射收集器被布置为收集由所述等离子体形成位置处的所述等离子体发出的辐 射并且由此形成辐射束。
10. 根据任一前述权利要求所述的辐射源，其中所述辐射源包括污染物阱，所述污染物 阱被布置为降低由所述等离子体生成的碎片的传播；并且 其中所述碎片接收表面包括所述污染物阱的表面的至少一部分。
11. 根据任一前述权利要求所述的辐射源，其中所述辐射源包括第一碎片接收表面和 第二碎片接收表面，所述第一碎片接收表面和所述第二碎片接收表面被定位和/或定向以 使得在使用时所述初级碎片的发射引起具有相应的燃料层的所述碎片接收表面的污染，所 述第一碎片接收表面是根据权利要求1至10中任一项所述的碎片接收表面，并且其中： 所述第二碎片接收表面被布置为保持在足够高的温度以将其相应的燃料层保持为液 态，并且 所述第二碎片接收表面和包括光活性表面的部件被交错地定位和/或定向以使得垂 直于所述第二碎片接收表面的基本上所有的线不与所述部件的所述光活性表面相交。
12. -种辐射源，所述辐射源被布置为从等离子体生成辐射，所述等离子体从包括气 体的围闭件内的燃料生成，并且生成的所述等离子体导致初级碎片的发射，所述辐射源包 括： 具有光活性表面的部件，以及 碎片接收表面，被定位和/或定向以使得在使用时所述初级碎片的发射引起具有燃料 层的所述碎片接收表面的污染， 其中所述碎片接收表面被布置为保持在超过所述燃料的熔点至少100°c的温度，优选 地超过所述燃料的所述熔点至少150°c，更加优选地超过所述燃料的所述熔点至少200°C， 以便降低所述液态燃料内的所述气体的泡的形成。
13. 根据权利要求12所述的辐射源，进一步包括被布置在所述液态燃料顶上的碳层。
14. 一种辐射源，所述辐射源被布置为接收激发束，以使得在使用时所述激发束入射在 等离子体形成位置处的燃料上，从而导致初级碎片的发射，所述辐射源包括： 碎片接收表面，被定位和/或定向以使得在使用时所述初级碎片的发射引起所述碎片 接收表面的污染；以及 具有光活性表面的部件； 其中所述碎片接收表面和所述部件被定位和/或定向以使得垂直于所述碎片接收表 面的基本上所有的线不与所述部件的所述光活性表面相交。
15. 根据权利要求12至14中的任一项所述的辐射源，其中所述辐射源包括用于在所述 燃料向所述等离子体形成位置行进时屏蔽所述燃料的护罩；并且 其中所述碎片接收表面包括所述护罩的表面的至少一部分。
16. 根据权利要求12至15中任一项所述的辐