用于石墨散热片的制造工艺的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于石墨散热片的制造工艺，属于石墨片技术领域。
【背景技术】
[0002] 随着现代微电子技术高速发展，电子设备巧日笔记本电脑、手机、平板电脑等）日益 变得超薄、轻便，该种结构使得电子设备内部功率密度明显提高，运行中所产生的热量不易 排出、易于迅速积累而形成高温。另一方面，高温会降低电子设备的性能、可靠性和使用寿 命。因此，当前电子行业对于作为热控系统核也部件的散热材料提出越来越高的要求，迫切 需要一种高效导热、轻便的材料迅速将热量传递出去，保障电子设备正常运行。
[0003] 现有技术中聚醜亚胺薄膜大多用于柔性电路板，虽然有采用聚醜亚胺薄膜烧结获 得石墨散热片，从而贴覆在热源上，但是受限于聚醜亚胺薄膜的产品质量和性能的良莽不 齐，影响到了散热双面贴膜散热性能的发挥，存在W下技术问题：散热不均匀，易出现胶带 局部过热，提高了产品的散热性能不稳定、可靠性性能差，不利于产品质量管控，影响产品 的竞争力。
【发明内容】
[0004] 本发明发明目的是提供一种用于石墨散热片的制造工艺，该制造工艺获得的用于 石墨散热片在垂直方向和水平方向均提高了导热性能，避免局部过热，实现了导热性能的 均匀性的同时，提高了产品的散热性能稳定性、可靠性，大大降低了产品的成本。
[0005] 为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是：一种用于石墨散热片的制造工 艺，其特征在于；所述石墨散热片通过W下步骤获得： 步骤一、在聚醜亚胺薄膜的上、下表面分别涂覆石墨改性剂获得处理后的聚醜亚胺薄 膜，处理后的聚醜亚胺薄膜由聚醜亚胺薄膜、第一涂覆层和第二涂覆层组成； 所述石墨改性剂由W下重量份的组分组成： 二苯甲丽四酸二酢 20~25份， 均苯四甲酸二酢 12^18份， 二氨基二苯甲焼 2(T28份， 二甲基甲醜胺 20~25份， N-甲基化咯焼丽 8~10份， 己二醇 1. 5~2. 5份， 聚二甲基娃氧焼 2^3份， 邻苯二甲酸二下醋 0.扩1.5份； 步骤二、将处理后的聚醜亚胺薄膜在惰性气体保护下，从室温升至24CTC^26(TC，保温 后升至48(TC^50(TC，保温后再升温至78(TC^82(TC，保温后升至120(TC后冷却，从而获得 预烧制的碳化膜； 步骤H、将碳化膜升温至235(TC^245(TC，保温，再升温至285(TC^295(TC后冷却，从而 获得主烧制的石墨膜； 步骤四、然后将步骤H所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述导热石墨贴片。
[0006] 上述技术方案中进一步改进的方案如下： 1、上述技术方案中，所述石墨改性剂的粘度为3000(T48000CP。
[0007] 2、上述技术方案中，包括W下步骤： 步骤一、在聚醜亚胺薄膜的上、下表面分别涂覆石墨改性剂获得处理后的聚醜亚胺薄 膜，处理后的聚醜亚胺薄膜由聚醜亚胺薄膜、第一涂覆层和第二涂覆层组成，所述石墨改性 剂的粘度为30000~48000CP; 所述石墨改性剂由W下重量份的组分组成： 二苯甲丽四酸二酢 20~25份， 均苯四甲酸二酢 12^18份， 二氨基二苯甲焼 2(T28份， 二甲基甲醜胺 20~25份， N-甲基化咯焼丽 8~10份， 己二醇 1. 5~2. 5份， 聚二甲基娃氧焼 2^3份， 邻苯二甲酸二下醋 0.扩1.5份； 步骤二、将处理后的聚醜亚胺薄膜在惰性气体保护下，从室温升至24CTC^26(TC，保温 后升至48(TC^50(TC，保温后再升温至78(TC^82(TC，保温后升至120(TC后冷却，从而获得 预烧制的碳化膜； 步骤H、将碳化膜升温至235(TC^245(TC，保温，再升温至285(TC^295(TC后冷却，从而 获得主烧制的石墨膜； 步骤四、然后将步骤H所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述导热石墨贴片。
[0008] 由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果： 1、本发明用于石墨散热片的制造工艺，其结构中石墨层由上、下表面均涂覆一层石墨 改性剂的聚醜亚胺薄膜制备而成，提高了在垂直方向和水平方向的导热性能，避免胶带局 部过热，实现了胶带导热性能的均匀性；其次，其位于聚醜亚胺薄膜表面的石墨改性剂由二 苯甲丽四酸二酢2(T25份、均苯四甲酸二酢12^18份、二氨基二苯甲焼20~28份、二甲基甲 醜胺3(T35份、己二醇1. 5^2. 5份、聚二甲基娃氧焼2^3份组成，涂覆于聚醜亚胺薄膜上，填 充了加热过程中的针孔，提高了结晶度同时，也克服了热收缩过大导致的不均匀，提高了石 墨层双向拉伸性能。
[0009] 2、本发明用于石墨散热片的制造工艺，其位于聚醜亚胺薄膜表面的石墨改性剂由 二苯甲丽四酸二酢2(T25份、均苯四甲酸二酢12^18份、二氨基二苯甲焼20~28份、二甲基 甲醜胺20~25份、N-甲基化咯焼丽8~10份、己二醇1. 5~2. 5份、聚二甲基娃氧焼2~3份组 成，采用二甲基甲醜胺2(T25份、N-甲基化咯焼丽扩10份降低了共沸点并且平滑的沸点区， 改善了最终产品成膜的平坦性和柔初性；；其次，二甲基甲醜胺2(T25份、N-甲基化咯焼丽 8~10份和邻苯二甲酸二下醋0. 8~1. 5份聚醜亚胺薄膜表面，防止气泡产生，更有利于填充 聚醜亚胺薄膜的微小针孔，改善了散热贴片导热性能的均匀性。
[0010] 3、本发明用于石墨散热片的制造工艺，在预烧制的碳化膜和石墨化之间增加压延 步骤，w及再形成导热石墨贴片后再次压延，避免了權皱和石墨化烧结过程中的体积收缩， 提高了致密性和结晶度，进一步提高了在垂直方向和水平方向的导热性能。
【具体实施方式】
[0011] 下面结合实施例对本发明作进一步描述： 实施例；一种用于石墨散热片的制造工艺，所述石墨散热片通过W下步骤获得： 步骤一、在聚醜亚胺薄膜的上、下表面分别涂覆石墨改性剂获得处理后的聚醜亚胺薄 膜，处理后的聚醜亚胺薄膜由聚醜亚胺薄膜、第一涂覆层和第二涂覆层组成； 所述石墨改性剂由W下重量份的组分组成： 表1
【主权项】
1. 一种用于石墨散热片的制造工艺，其特征在于：所述石墨散热片通过以下步骤获 得： 步骤一、在聚酰亚胺薄膜的上、下表面分别涂覆石墨改性剂获得处理后的聚酰亚胺薄 膜，处理后的聚酰亚胺薄膜由聚酰亚胺薄膜、第一涂覆层和第二涂覆层组成； 所述石墨改性剂由以下重量份的组分组成： 二苯甲酮四酸二酐 2(T25份， 均苯四甲酸二酐 12~18份， 二氨基二苯甲烷 20~28份， 二甲基甲酰胺 20~25份， N-甲基吡咯烷酮 8~10份， 乙二醇 L 5~2. 5份， 聚二甲基硅氧烷 2~3份， 邻苯二甲酸二丁酯 0.8~1.5份； 步骤二、将处理后的聚酰亚胺薄膜在惰性气体保护下，从室温升至240°C ~260°C，保温 后升至480°C~500°C，保温后再升温至780°C~820°C，保温后升至1200°C后冷却，从而获得 预烧制的碳化膜； 步骤三、将碳化膜升温至2350°C~2450°C，保温，再升温至2850°C~2950°C后冷却，从而 获得主烧制的石墨膜； 步骤四、然后将步骤三所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述导热石墨贴片。
2. 根据权利要求1所述的用于石墨散热片的制造工艺，其特征在于：所述石墨改性剂 的粘度为 3000(T48000CP。
3. -种根据权利要求1或2所述的用于石墨散热片的制造工艺，其特征在于：包括以 下步骤： 步骤一、在聚酰亚胺薄膜的上、下表面分别涂覆石墨改性剂获得处理后的聚酰亚胺薄 膜，处理后的聚酰亚胺薄膜由聚酰亚胺薄膜、第一涂覆层和第二涂覆层组成，所述石墨改性 剂的粘度为3000(T48000CP ; 所述石墨改性剂由以下重量份的组分组成： 二苯甲酮四酸二酐 2(T25份， 均苯四甲酸二酐 12~18份， 二氨基二苯甲烷 20~28份， 二甲基甲酰胺 20~25份， N-甲基吡咯烷酮 8~10份， 乙二醇 L 5~2. 5份， 聚二甲基硅氧烷 2~3份， 邻苯二甲酸二丁酯 0.8~1.5份； 步骤二、将处理后的聚酰亚胺薄膜在惰性气体保护下，从室温升至240°C ~260°C，保温 后升至480°C~500°C，保温后再升温至780°C~820°C，保温后升至1200°C后冷却，从而获得 预烧制的碳化膜； 步骤三、将碳化膜升温至2350°C~2450°C，保温，再升温至2850°C~2950°C后冷却，从而 获得主烧制的石墨膜； 步骤四、然后将步骤三所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述导热石墨贴片。
【专利摘要】本发明一种用于石墨散热片的制造工艺，包括：在聚酰亚胺薄膜的上、下表面分别涂覆石墨改性剂，处理后的聚酰亚胺薄膜由聚酰亚胺薄膜、第一涂覆层和第二涂覆层组成；石墨改性剂由以下重量份的组分组成：二苯甲酮四酸二酐20~25份，均苯四甲酸二酐12~18份，二氨基二苯甲烷20~28份，二甲基甲酰胺20~25份，N-甲基吡咯烷酮8~10份，乙二醇1.5~2.5份，聚二甲基硅氧烷2~3份，邻苯二甲酸二丁酯0.8~1.5份；将处理后的聚酰亚胺薄膜从室温升至1200℃后获得预烧制的碳化膜；将碳化膜升温至2850℃~2950℃后冷却，从而获得主烧制的石墨膜。本发明实现了导热性能的均匀性的同时，提高了产品的散热性能稳定性、可靠性，大大降低了产品的成本。
【IPC分类】H05K7-20, B32B9-04
【公开号】CN104812204
【申请号】CN201410036320
【发明人】金闯, 杨晓明
【申请人】斯迪克新型材料（江苏）有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2014年1月26日