人造石墨散热片的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种人造石墨散热片的制造方法，特别是指一种PI膜于同一石墨化炉中，进行碳化及石墨化的制造方法。
【背景技术】
[0002]目前，一般现有的石墨散热片的制造方法，其先将一PI (Polyimide)膜(聚酰亚胺膜)送入一碳化炉中，以1100°C -1300°C的加热温度，对该PI膜进行加热碳化，令该PI膜碳化后形成一 PI碳化片；接着，再将该PI碳化片冷却，冷却至室温后，再将该PI碳化片送入一石墨化炉中，以2800°C -3000°C的加热温度，对该PI碳化片进行加热石墨化，使该PI碳化片石墨化后形成一 PI石墨散热片；之后，再将该PI石墨散热片冷却，冷却至室温后，以一压延装置压延其厚度，使该PI石墨散热片经压延后，形成厚度15-30 μ m得石墨散热片成品。
[0003]然而，该现有的石墨散热片的制造方法虽可制造出热传导系数K = 1300-1500w/mk的人造石墨散热片，但是其制造过程中，需要碳化炉及石墨化炉二种炉体，且碳化后需半天(约6小时)的时间，方可完全冷却,才能再进行石墨化,石墨化后亦需半天(约6小时)的时间，方可完全冷却，才能再进行压延厚度的程序，如此一来，不但增加制作成本，制作程序复杂，而且相当耗费时间，而且石墨化炉为高周波诱导式，利用铜通电诱导发热对该PI碳化片进行加热石墨化，高周波诱导式加热方式容易只加热至物体的表面，使加热不均匀，导致成品良率低，产品质量不稳定，相当不便利。
[0004]由此可见，上述现有的物品仍有诸多缺失，实非一良善的设计者，而亟待加以改良。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，发明人本于多年从事相关产品的制造开发与设计经验，针对上述的目标，详加设计与审慎评估后，终得一确具实用性的发明。
[0006]本发明的主要目的在于提供一种人造石墨散热片的制造方法，一 PI膜于同一石墨化炉中，进行碳化及石墨化，使大幅降低制作成本，制作程序简单，而且制造出的石墨散热片成品，成品良率闻，广品质量稳定。
[0007]为达上述目的，本发明提供一种人造石墨散热片的制造方法，包括以下步骤: 步骤一:先将一PI (Polyimide)膜送入一热阻式石墨化炉中，以1100°C-1300°C的加热温度，对该PI膜进行加热碳化，使该PI膜碳化后形成一 PI碳化片；
步骤二:再以2800°C -3000°C的加热温度，对该PI碳化片进行加热石墨化，使该PI碳化片石墨化后形成一 PI石墨散热片；
步骤三:再将该PI石墨散热片冷却，冷却至室温；
步骤四:再以一压延装置压延其厚度，使该PI石墨散热片经压延后，形成厚度15-30 μ m得石墨散热片成品。
[0008]本发明的一个实施例中，其中该热阻式石墨化炉的加热方式，将PI膜作为热阻体，对该PI膜通电加热。
[0009]为便于贵审查委员能对本发明的目的、形状、构造装置特征及其功效，做更进一步之认识与了解，兹举实施例配合图式，详细说明如下。
【附图说明】
[0010]图1为本发明人造石墨散热片的制造方法的制造流程图。
【具体实施方式】
[0011]本发明是有关一种人造石墨散热片的制造方法，请参阅图1所示，本发明的人造石墨散热片的制造方法，其依下列步骤进行处理:
步骤1:先将一 PI(Polyimide)膜(聚酰亚胺膜)送入一热阻式石墨化炉中，以IlOO0C -130(TC的加热温度，对该PI膜进行加热碳化，使该PI膜碳化后形成一 PI碳化片。
[0012]步骤2:再以2800°C -3000°C的加热温度，对该PI碳化片进行加热石墨化，使该PI碳化片石墨化后形成一 PI石墨散热片。
[0013]步骤3:再将该PI石墨散热片冷却，冷却至室温。
[0014]步骤4:再以一压延装置压延其厚度，使该PI石墨散热片经压延后，形成厚度15-30 μ m的石墨散热片成品。
[0015]上述热阻式石墨化炉的加热方式，是将PI膜作为热阻体，对该PI膜通电加热。
[0016]如此一来，于同一石墨化炉中，进行碳化及石墨化，可简化制作程序，使大幅降低制作成本，而且利用热阻式石墨化炉对该PI膜进行加热，可加热均匀，使制造出的石墨散热片成品，成品良率闻，广品质量稳定。
[0017]请再参阅第I图所示，该热阻式石墨化炉的加热方式，将PI膜作为热阻体，对该PI膜通电加热，因此，可加热均匀，使制造出的石墨散热片成品，成品良率高，产品质量稳定。
[0018]综上所述，本发明所揭示的构造，为昔所无，且确能达到功效的增进，并具可供产业利用性。
[0019]由以上详细说明，可使熟知本项技艺者明了本发明的确可达成前述目的，以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围；故，凡依本发明申请专利范围及发明说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。
【主权项】
1.一种人造石墨散热片的制造方法，其特征在于包括以下步骤: 步骤一:先将一 PI膜送入一热阻式石墨化炉中，以1100°c -1300°C的加热温度，对该PI膜进行加热碳化，使该PI膜碳化后形成一 PI碳化片； 步骤二:以2800°C -3000°C的加热温度，对该PI碳化片进行加热石墨化，使该PI碳化片石墨化后形成一 PI石墨散热片； 步骤三:将该PI石墨散热片冷却，冷却至室温； 步骤四:以一压延装置压延其厚度，使该PI石墨散热片经压延后，形成厚度15-30 μ m得石墨散热片成品。2.如权利要求1所述的人造石墨散热片的制造方法，其特征在于，其中该热阻式石墨化炉的加热方式，将PI膜作为热阻体，对该PI膜通电加热。
【专利摘要】本发明公开了一种人造石墨散热片的制造方法，其先将一PI(Polyimide)膜送入一热阻式石墨化炉中，以1100℃-1300℃的加热温度，对该PI膜进行加热碳化，令该PI膜碳化后形成一PI碳化片；接着，再以2800℃-3000℃的加热温度，对该PI碳化片进行加热石墨化，使该PI碳化片石墨化后形成一PI石墨散热片；之后，再将该PI石墨散热片冷却，冷却至室温后，以一压延装置压延其厚度，使该PI石墨散热片经压延后，形成厚度15-30μm的石墨散热片成品。
【IPC分类】C01B31/04
【公开号】CN105502348
【申请号】CN201410489431
【发明人】吴玉祥, 周宪聪, 陈伯坤
【申请人】江门市荣炭电子材料有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年9月23日