抗拉伸散热石墨贴片的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种抗拉伸散热石墨贴片，属于石墨片技术领域。
【背景技术】
[0002] 随着现代微电子技术高速发展，电子设备巧日笔记本电脑、手机、平板电脑等）日益 变得超薄、轻便，该种结构使得电子设备内部功率密度明显提高，运行中所产生的热量不易 排出、易于迅速积累而形成高温。另一方面，高温会降低电子设备的性能、可靠性和使用寿 命。因此，当前电子行业对于作为热控系统核也部件的散热材料提出越来越高的要求，迫切 需要一种高效导热、轻便的材料迅速将热量传递出去，保障电子设备正常运行。
[0003] 现有技术中聚醜亚胺薄膜大多用于柔性电路板，虽然有采用聚醜亚胺薄膜烧结获 得石墨散热片，从而贴覆在热源上，但是受限于聚醜亚胺薄膜的产品质量和性能的良莽不 齐，影响到了散热双面贴膜散热性能的发挥，存在W下技术问题：散热不均匀，易出现胶带 局部过热，提高了产品的散热性能不稳定、可靠性性能差，不利于产品质量管控，影响产品 的竞争力。
【发明内容】
[0004] 本发明发明目的是提供一种抗拉伸散热石墨贴片，该抗拉伸散热石墨贴片在垂直 方向和水平方向均提高了导热性能，避免局部过热，实现了导热性能的均匀性的同时，提高 了产品的散热性能稳定性、可靠性，大大降低了产品的成本。
[0005] 为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是：一种抗拉伸散热石墨贴片，所述 抗拉伸散热石墨贴片贴合于发热部件表面，所述抗拉伸散热石墨贴片包括石墨层、位于石 墨层表面的导热胶粘层和离型材料层，此离型材料层贴合于导热胶粘层与石墨层相背的表 面；所述石墨层通过W下工艺方法获得，此工艺方法包括W下步骤： 步骤一、在聚醜亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚醜亚胺 薄膜，所述石墨改性剂的粘度为3000(T48000CP; 所述石墨改性剂由W下重量份的组分组成： 二苯甲丽四酸二酢 20~25份， 均苯四甲酸二酢 12^18份， 二氨基二苯甲焼 2(T28份， 二甲基甲醜胺 20~25份， N-甲基化咯焼丽 8~10份， 己二醇 1. 5~2. 5份， 聚二甲基娃氧焼 2^3份； 步骤二、将处理后的聚醜亚胺薄膜从室温升至240~26(TC，保温后升温至480~52(TC，保温后升温至79(T81(rC，再升温至118(Tl25(rC后冷却，从而获得预烧制的碳化膜； 步骤H、采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜； 步骤四、升温至235(T245(rC，保温后升温至285(T295(rC，保温后冷却，从而获得主烧 制的石墨膜； 步骤五、然后步骤四所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述石墨层。
[0006] 上述技术方案中进一步改进的方案如下： 1、上述方案中，所述石墨层通过W下工艺方法获得，此工艺方法包括W下步骤： 步骤一、在聚醜亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚醜亚胺 薄膜； 步骤二、将处理后的聚醜亚胺薄膜在惰性气体保护下，W4^6度/min速度从室温升 至25(TC，保持0. 9~1. 1小时，然后W2. 5~3. 5度/min,升至50(TC，保持1小时；然后W4~6 度/min的速度升至80(TC，保持0. 9^1. 1小时；再W9^11度/min的速度升至120(TC，保存 0. 1小时后冷却，从而获得预烧制的碳化膜； 步骤H、采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜； 步骤四、W19^21度/min的速度升至240(TC，保持0. 1小时，再W19^21度/min 的速度升至290(TC，保持1.扩2. 2小时后冷却，从而获得主烧制的石墨膜； 步骤五、然后步骤四所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述石墨层。
[0007] 2、上述方案中，将所述步骤四获得石墨层进行压延处理。
[0008] 由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果： 1、本发明抗拉伸散热石墨贴片，其结构中石墨层由上、下表面均涂覆一层石墨改性剂 的聚醜亚胺薄膜制备而成，提高了在垂直方向和水平方向的导热性能，避免胶带局部过热， 实现了胶带导热性能的均匀性；其次，其位于聚醜亚胺薄膜表面的石墨改性剂由二苯甲丽 四酸二酢2(T25份、均苯四甲酸二酢12^18份、二氨基二苯甲焼20~28份、二甲基甲醜胺 3(T35份、己二醇1. 5^2. 5份、聚二甲基娃氧焼2^3份组成，涂覆于聚醜亚胺薄膜上，填充了 加热过程中的针孔，提高了结晶度同时，也克服了热收缩过大导致的不均匀，提高了石墨层 双向拉伸性能。
[0009] 2、本发明抗拉伸散热石墨贴片，其位于聚醜亚胺薄膜表面的石墨改性剂由二苯甲 丽四酸二酢2(T25份、均苯四甲酸二酢12^18份、二氨基二苯甲焼20~28份、二甲基甲醜胺 20~25份、N-甲基化咯焼丽8~10份、己二醇1. 5~2. 5份、聚二甲基娃氧焼2~3份组成，采用 二甲基甲醜胺2(T25份、N-甲基化咯焼丽扩10份降低了共沸点并且平滑的沸点区，改善了 最终产品成膜的平坦性和柔初性；其次，聚醜亚胺薄膜表面具有石墨改性剂，改善了双面贴 膜中石墨层与导热胶粘层导热性能。
[0010] 3、本发明抗拉伸散热石墨贴片，在预烧制的碳化膜和石墨化之间增加压延步骤， W及再形成导热石墨贴片后再次压延，避免了權皱和石墨化烧结过程中的体积收缩，提高 了致密性和结晶度，进一步提高了在垂直方向和水平方向的导热性能。
【附图说明】
[0011] 附图1为本发明抗拉伸散热石墨贴片结构示意图； 附图2为本发明抗拉伸散热石墨贴片应用示意图。
[0012] W上附图中：1、发热部件；2、石墨层；3、导热胶粘层；4、离型材料层。
【具体实施方式】
[0013] 下面结合实施例对本发明作进一步描述： 实施例；一种抗拉伸散热石墨贴片，所述抗拉伸散热石墨贴片贴合于发热部件1表面， 所述抗拉伸散热石墨贴片包括石墨层2、位于石墨层2表面的导热胶粘层3和离型材料层 4,此离型材料层4贴合于导热胶粘层3与石墨层2相背的表面；所述石墨层2通过W下工 艺方法获得，此工艺方法包括W下步骤： 步骤一、在聚醜亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚醜亚胺 薄膜，所述石墨改性剂的粘度为3000(T48000CP; 所述石墨改性剂由W下重量份的组分组成，如表1所示： 表1 _
【主权项】
1. 一种抗拉伸散热石墨贴片，所述抗拉伸散热石墨贴片贴合于发热部件（1)表面，所 述抗拉伸散热石墨贴片包括石墨层（2)、位于石墨层（2)表面的导热胶粘层（3)和离型材料 层（4)，此离型材料层（4)贴合于导热胶粘层（3)与石墨层（2)相背的表面；其特征在于：所 述石墨层（2)通过以下工艺方法获得，此工艺方法包括以下步骤： 步骤一、在聚酰亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚酰亚胺 薄膜，所述石墨改性剂的粘度为3000(T48000CP ; 所述石墨改性剂由以下重量份的组分组成： 二苯甲酮四酸二酐 2(T25份， 均苯四甲酸二酐 12~18份， 二氨基二苯甲烷 20~28份， 二甲基甲酰胺 20~25份， N-甲基吡咯烷酮 8~10份， 乙二醇 L 5~2. 5份， 聚二甲基硅氧烷 2~3份； 步骤二、将处理后的聚酰亚胺薄膜从室温升至24(T260°C，保温后升温至48(T520°C， 保温后升温至79(T810°C，再升温至118(T125(TC后冷却，从而获得预烧制的碳化膜； 步骤三、采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜； 步骤四、升温至235(T2450°C，保温后升温至285(T2950°C，保温后冷却，从而获得主烧 制的石墨月吴； 步骤五、然后步骤四所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述石墨层4。
2. 根据权利要求1所述的抗拉伸散热石墨贴片，其特征在于：所述石墨层（2)通过以下 工艺方法获得，此工艺方法包括以下步骤： 步骤一、在聚酰亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚酰亚胺 薄膜； 步骤二、将处理后的聚酰亚胺薄膜在惰性气体保护下，以4飞度/min速度从室温升 至250°C，保持0. 9~I. 1小时，然后以2. 5~3. 5度/min，升至500°C，保持1小时；然后以4~6 度/min的速度升至800°C，保持0. 9~I. 1小时；再以9~11度/min的速度升至1200°C，保存 0. 9~1. 1小时后冷却，从而获得预烧制的碳化膜； 步骤三、采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜； 步骤四、以19~21度/min的速度升至2400°C，保持0. 9~I. 1小时，再以19~21度/min 的速度升至2900°C，保持I. 8~2. 2小时后冷却，从而获得主烧制的石墨膜； 步骤五、然后步骤四所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述石墨层（2)。
3. 根据权利要求1所述的抗拉伸散热石墨贴片，其特征在于：将所述步骤五获得石墨 层进行压延处理。
【专利摘要】本发明公开一种抗拉伸散热石墨贴片，此离型材料层贴合于导热胶粘层与石墨层相背的表面；石墨层通过以下工艺方法获得：在聚酰亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚酰亚胺薄膜，所述石墨改性剂的粘度为30000~48000CP；将处理后的聚酰亚胺薄膜从室温升至1180~1250℃后冷却，从而获得预烧制的碳化膜；采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜；升温至2850~2950℃从而获得主烧制的石墨膜；然后步骤四所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述石墨层。本发明实现了导热性能的均匀性的同时，提高了产品的散热性能稳定性、可靠性，大大降低了产品的成本。
【IPC分类】H05K7-20, B32B9-04
【公开号】CN104812205
【申请号】CN201410036660
【发明人】金闯, 杨晓明
【申请人】苏州斯迪克新材料科技股份有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2014年1月26日