部分是 第一信号线的直线部分，与第二信号线的弯曲部分相连的直线部分是第二信号线的直线部 分。在本实施方式中，弯曲部分是指信号线的延伸方向变化的部分，其角度并无限定。弯曲 部分可以由曲线构成，也可以由包含顶点的直线构成。
[0046] 此外，在本说明书中，以下，也将包含第一信号线、第二信号线的信号线Ll~L7及 其他的信号线统称为"信号线L100"。另外，也将第一信号线统称为"第一信号线L110"，也 将第二信号线统称为"第二信号线L120"。
[0047] 如图IA所示，本实施方式的印刷布线板1具备：形成于绝缘性基材10的一方主面 侧的信号线Ll~L7 ;覆盖信号线Ll~L7的保护层20 ;以及形成于绝缘性基材10的另一 方主面侧的接地层30。本实施方式的印刷布线板1具有所谓的微带线构造。在接地层30 与信号线Ll~L7之间夹设有绝缘性基材。
[0048] 本实施方式的印刷布线板1的构造并不限定于图IA所示的构造。本实施方式的 印刷布线板1也可以是所谓的带状线构造，具备：形成于绝缘性基材10的一方主面侧的信 号线Ll~L7 ;覆盖信号线Ll~L7的保护层（绝缘层）20 ;设置于保护层（绝缘层）20的 敞开主面侧的接地层（未图示）；以及形成于绝缘性基材10的另一方主面侧的接地层30。 信号线Ll~L7也可以形成为由隔着绝缘性基材形成的上下的接地层（未图示）夹持的构 造。
[0049] 本实施方式的印刷布线板1也可以是所谓的共面线构造，具备：形成于绝缘性基 材10的一方主面侧的信号线Ll~L7 ;形成于绝缘性基材10的一方主面侧，且与信号线 Ll~L7并列设置的接地线（未图示）；以及覆盖信号线Ll~L7及接地线的保护层（绝缘 层）20。信号线Ll~L7与接地线形成于绝缘性基材10的同一主面，且在两者之间夹设有 保护层20 (绝缘性基材）。
[0050] 如图IB所示，在本实施方式的绝缘性基材10的背面侧形成有接地层30。本实施 方式的接地层30具有离散地除去了多个局部区域30A而由残存的残存区域30B构成的网 眼构造。在图IB所示的例子中，示出了由斜格子图案构成的网眼构造的例子，但是网眼构 造的图案（花纹）并没有特别的限定，能够形成为除去了矩形形状的局部区域30A的纵格 子图案、横格子图案、除去了六边形状的局部区域30A的蜂窝状图案、以及除去了圆形形状 的局部区域30A的圆形图案。
[0051] 对本实施方式的印刷布线板1的制造方法简单地进行说明。首先，准备双面导体 包覆层叠板L。该导体包覆层叠板L是在聚酰亚胺（PI)等绝缘性基材10的两个主面经由 粘合层而粘贴有铜等金属箱的板状部件。作为绝缘性基材10,能够使用聚对苯二甲酸乙二 醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚酯（PE)、液晶聚合物（LCP)等。而且，使在印刷 布线板1的一方主面相反侧的另一方主面形成的金属箱作为接地层30发挥功能。接地层 30通过蚀刻工序而具备希望的网眼构造。接地层30的残存率被控制为希望的值。在印刷 布线板1的一方主面，使用普通的光刻法将规定区域除去，形成信号线LlOO (根据需要形成 接地线）。之后，层叠覆盖信号线LlOO (根据需要形成的接地线）的片状的保护层20,经过 热处理，得到本实施方式所涉及的印刷布线板1。
[0052] 在第一实施方式中，基于图2A~图2C，以网眼构造是斜格子图案的情况为例进行 说明。
[0053] 图2A是从一方主面侧观察第一实施方式中的形成有作为信号线的模型设定的模 型信号线LlO~L16的绝缘性基材10的俯视图。如图2A所示，各模型信号线LlO~L16 的电路宽度形成为不同值。图2B是从另一方主面侧观察第一实施方式中的形成有斜格子 图案的接地层30的绝缘性基材10的俯视图。图2C与图2A同样是从一方主面侧观察绝缘 性基材10的俯视图，是透视另一方主面的接地层30的图。图2C示出模型信号线LlO~ L16与接地层30之间的位置关系。如该图所示，模型信号线LlO~L16与以各模型信号线 LlO~L16为基准的规定宽度的区域PlO~P16相对应。
[0054] 对于与以各模型信号线LlO~L16为基准的规定宽度的区域PlO~P16对应的区 域（后述区域D)，能够使接地层30的残存率分别变化，对此将在后面详细叙述。控制残存 率的区域是以各模型信号线LlO~L16的各位置为基准定义的。而且，在本实施方式中，可 以以信号线LlOO的任一个第一信号线LllO的位置或者第二信号线L120的位置为基准定 义，也可以以第一信号线LllO与第二信号线L120之间的中央位置为基准定义。残存率被 控制的区域D是以信号线LlOO的弯曲部分的位置或者直线部分的位置为基准定义的。虽 没有特别的限定，但是在本实施方式中，接地层30的残存率被控制的区域可以是仅包含弯 曲部分的区域，可以是仅包含直线部分的区域，也可以是包含弯曲部分和直线部分双方的 区域。在控制与包含弯曲部分的区域对应的接地层30的残存率的情况下，优选控制残存率 的区域为第一信号线不是直线（曲率不为零）的弯曲部分的从一方端到另一方端为止的区 域。
[0055] 图3是将图2C所示的区域III放大示出的图。图3所示的接地层30具有离散地 除去了多个局部区域30A而由残存的残存区域30B构成的斜格子图案的网眼构造。图3所 示的虚线Q是基于模型信号线L16的位置的基准位置。在本实施方式中，第一区域Dl是以 模型信号线L16的位置为基准定义的。例如，如该图所示，以与模型信号线L16对应的位置 Q为基准定义第一区域Dl。接地层30的第一区域Dl是以与模型信号线L16对应的位置Q 为基准而由第一规定宽度W1R、WlL定义的。在本实施方式中，上述区域PlO~P16的位置 与接地层30的第一区域Dl的位置通用。而且，控制与该第一区域Dl对应的接地层30的 残存率。
[0056] 与模型信号线LlO~L16、特别是与模型信号线L16相关的说明能够应用于本实施 方式的信号线L100、信号线LlOO所包含的第一信号线110、及第二信号线120。
[0057] 在本例中，可以在第一信号线LllO (位置Q)的左右两侧定义第一区域D1，也可以 在任意一方侧定义第一区域Dl。第一信号线LllO右侧的第一规定宽度WlR与第一信号线 LllO左侧的第一规定宽度WlL可以是不同的值。在第一信号线LllO与第二信号线L120之 间的距离短的情况下，也可以使第一信号线LllO右侧或者左侧的一方为窄区域，使另一方 为宽区域。这里，对第一区域Dl的设定方法进行了说明，但能够应用相同的方法来设定第 二区域D2。
[0058] 在本实施方式中，以使得与以第一信号线LllO的位置为基准定义的第一规定宽 度W1R、W1L的第一区域Dl对应的第一接地层30的残存率，比与以第二信号线L120的位置 为基准定义的第二规定宽度W2R、W2L的第二区域D2对应的第二接地层30的残存率低的方 式，形成接地层30。利用作为接地部发挥功能的铜等导体的除去量（除去率）控制接地层 30的残存率。
[0059] 以下，对本实施方式中的接地层30的残存率的计算方法进行说明。在本实施方式 中，利用残存区域的宽度与被除去的局部区域的宽度来定义具有网眼构造的第一接地层30 的残存率。在本实施方式中，通过使接地层30形成为网眼构造，能够利用蚀刻等除去接地 层30的方法来任意地控制残存率。特别是通过利用规则的图形图案构成接地层30的网眼 构造，能够容易地进行残存率的预测，因此能够通过蚀刻处理得到希望的残存率的接地层 30。由此，能够针对各信号线实现任意的残存率的接地层30。
[0060] 基于图3对接地层30为斜格子图案的网眼构造的情况下的、接地层30的残存率 的计算方法进行说明。在本实施方式中，将存在有导体的区域30B(图中淡黑色所示的部 分）相对于形成有接地层30的绝缘性基材10的规定区域的总面积、即相对于存在导体的 部分30B与导体被除去的部分30A的合计值所占的面积的比例作为接地层30的残存率。 形成有接地层30的绝缘性基材10的规定区域D由沿着信号线LlOO的延伸方向的长度LG 与沿着信号线的宽度方向的规定宽度W1L、WlR定义。虽未在本例中示出，但是沿着信号线 LlOO的延伸方向的长度LG是与弯曲部分的长度对应地定义的。规定宽度WlUWlR是以信 号线LlOO所被配设的位置Q为基准定义的。
[0061] 在本实施方式中，基于形成图3所示的格子图案的电路宽度ML与导体被除去的局 部区域的宽度MS，计算接地层30的残存率。根据形成格子图案的电路宽度ML计算接地层 30的残存量，根据局部区域的宽度MS计算接地层30的缺损量。
[0062] 在接地层30的网眼构造为斜格子图案之外的情况下，利用几何学方法适当地计 算残存有接地层30的残存区域的面积、以及接地层30被除去的局部区域的面积。另外，接 地层30的残存率的计算方法并不限定于这种几何学计算方法，也可以对照相机的拍摄图 像进行图像解析，并根据颜色等图像数据上的特征，求出残存有接地层30的残存区域的面 积以及接地层30被除去的局部区域的面积。
[0063] 具体而言，在本实施方式中，例如通过下式1来求出接地层30的残存率。能够利 用相同的方法来计算以第一信号线LllO为基准的第一区域的接地层30的残存率、以及以 第二信号线L120为基准的第二区域的接地层30的残存率。
[0064]
[0065] 在本实施方式中，以第一信号线LllO为基准的第一区域Dl的宽度比以第二信号 线L120为基准的第二区域D2的宽度宽。如图3所示，残存率被控制的第一区域的接地层 30设置于以第一信号线LllO的位置Q为基准的由规定宽度W1R、W1L定义的宽度的第一区 域D。同样地，残存率被控制的第二区域的接地层30设置于以第二信号线L120的位置Q为 基准的由规定宽度W2R、W2L定义的宽度的第二区域D2。
[0066] 图4中示出接地层30的残存率与信号的传输速度之比。传输速度之比是