磁屏蔽室开关机构的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种磁屏蔽室开关结构。主要解决了现有大屏蔽室的屏蔽门、屏蔽窗的屏蔽效果差的问题。所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成，固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式，固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接，并通过支撑结构3限位固定。具有结构简单、屏蔽效果好的特点。
【专利说明】
磁屏蔽室开关机构
技术领域
[0001] 本发明涉及电磁屏蔽领域，适用于屏蔽室中屏蔽门、屏蔽窗的可开关的屏蔽结构， 具体是一种磁屏蔽室开关机构。
【背景技术】
[0002] 目前，磁屏蔽结构内部可用空间尺寸需求越来越大，因此，屏蔽室的可移动屏蔽结 构是搬运试验平台或试验对象的必要条件，如屏蔽门或屏蔽窗等，但目前的可移动屏蔽结 构与不可移动屏蔽结构的搭接方式较为简单，屏蔽效果不理想，且由于屏蔽室尺度较大，无 法采用整块板实现屏蔽。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的是为了解决上述现有技术存在的问题，进而提供一种屏蔽效果好， 且分块拼接的一种磁屏蔽室开关结构。
[0004] 本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
[0005] -种磁屏蔽室开关机构，包括固定屏蔽部分、活动屏蔽部分、及支撑结构，所述的 固定屏蔽部分与活动屏蔽部分分别由至少两层的导磁屏蔽层构成，固定屏蔽部分开口相对 的两侧及活动屏蔽部分两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式，固定屏蔽部分开 口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分两侧阶梯形式结构搭接，并通过支撑结构限 位固定；
[0006] 进一步的，所述的固定屏蔽部分与活动屏蔽部分搭接在同一平面上，支撑结构在 对应固定屏蔽部分与活动屏蔽部分搭接的位置上设置有由导磁材料制成的搭接机构；
[0007] 进一步的，所述的固定屏蔽部分与活动屏蔽部分下方分别有至少一层的屏蔽层设 置为延伸弯折结构，其中经过弯折后的屏蔽层需经热处理；
[0008] 进一步的；所述的固定屏蔽部分与活动屏蔽部分的屏蔽层由分块屏蔽板拼接构 成，且相邻的屏蔽层的屏蔽板拼接方向交错设置，不平行。
[0009] 本发明的有益效果是:通过采用本发明的技术方案，增加了固定屏蔽部分与活动 屏蔽部分搭接接触面积，多层屏蔽结构间的垂直距离减小，磁路顺畅性更好，提高磁导降低 磁阻，从而提尚屏蔽性能。
【附图说明】
[0010] 图1为本发明的结构示意图。
[0011] 图2为本发明水平搭接结构示意图。
[0012] 图3为本发明具有弯折结构的示意图。
[0013] 图4为本发明采用实施例1技术方案屏蔽室内部磁通密度分布图。
[0014] 图5为本发明采用实施例2技术方案屏蔽室内部磁通密度分布图。
[0015] 图6为本发明采用实施例3技术方案屏蔽室内部磁通密度分布图。
[0016] 图7为本发明采用常规技术屏蔽室内部磁通密度分布图。
[0017] 图中，1-固定屏蔽部分，2-活动屏蔽部分，3-支撑结构，4-搭接结构。
【具体实施方式】
[0018] 下面将结合附图对本发明做进一步的详细说明：本实施例在以本发明技术方案为 前提下进行实施，给出了详细的实施方式，但本发明的保护范围不限于下述实施例。
[0019] 实施例1，如图1所示，本实施例所涉及的一种磁屏蔽室开关机构，包括固定屏蔽部 分1、活动屏蔽部分2、及支撑结构3,所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两 层的导磁屏蔽层构成，固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的 分层结构分别设置为阶梯形式，固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏 蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接，并通过支撑结构3限位固定，固定屏蔽部分1与活动屏蔽部 分2上阶梯式搭接结构的设计磁路接触面积更大，多层屏蔽结构间的垂直距离减小，磁路顺 畅性更好，从而提高屏蔽性能，根据此实施例技术方案实验，磁屏蔽室外部加有匀强磁场磁 通密度均为50e-6T，屏蔽室中心点磁通密度6.97e-7T，屏蔽效果明显。
[0020] 实施例2,作为本发明的一个实施例，所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2搭接 在同一平面上，支撑结构3在对应固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2搭接的位置上设置有由 导磁材料制成的搭接机构4,进一步扩大屏蔽结构的搭接面积，取得更好导磁效果，实现更 好的屏蔽效果，根据此实施例技术方案实验，磁屏蔽室外部加有匀强磁场磁通密度均为 50e-6T，屏蔽室中心点磁通密度6.47e-7，屏蔽效果良好。
[0021] 实施例3,作为本发明的一个实施例，所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2下方 分别有至少一层的屏蔽层设置为延伸弯折结构，可增大屏蔽搭接结构的接触面积，提高磁 导，降低磁阻，进而提到屏蔽效果，导磁材料，如坡莫合金，受到应力后会降低其导磁特性， 采用相应的弯折工艺后，需进行一次热处理进而回复材料的高导磁特性，根据此实施例技 术方案实验，磁屏蔽室外部加有勾强磁场磁通密度均为50e-6T，屏蔽室中心点磁通密度 6.92e-7,屏蔽效果良好。
[0022]实施例4,作为本发明的一个实施例;所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2的屏 蔽层由分块屏蔽板拼接构成，且相邻的屏蔽层的屏蔽板拼接方向交错设置，不平行。
[0023] 根据实施例1中所述的磁屏蔽室开关机构提出的基础构型以及实施例2、实施例3 中在实施例1基础构型的基础上进行的改进构型，对比现有的磁屏蔽门进行了实验分析，在 磁屏蔽室外部加勾强磁场磁通密度均为50e-6T，用现有技术的磁屏蔽室开关机构以及本发 明中实施例1、2、3中所提到的技术方案进行实验，检测磁屏蔽机构内部中心点磁场密度，并 对实验结果进行了对比，如表1所示，通过数据对比分析可以明显看出，本发明的技术方案 磁屏蔽效果明显高于现有技术，图4、图5、图6、图7分别给出各方案屏蔽室内部磁通密度分 布情况。
[0024] 表 1
[0026]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，这些【具体实施方式】都是基于本发明 整体构思下的不同实现方式，而且本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域 的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的 保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
【主权项】
1. 一种磁屏蔽室开关机构，包括固定屏蔽部分1、活动屏蔽部分2、及支撑结构3,其特征 在于:所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成，固定屏 蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形 式，固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭 接，并通过支撑结构3限位固定。2. 根据权利要求1所述的磁屏蔽室开关机构，其特征在于:所述的固定屏蔽部分1与活 动屏蔽部分2搭接在同一平面上，支撑结构3在对应固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2搭接的 位置上设置有由导磁材料制成的搭接机构4。3. 根据权利要求1所述的磁屏蔽室开关机构，其特征在于:所述的固定屏蔽部分1与活 动屏蔽部分2下方分别有至少一层的屏蔽层设置为延伸弯折结构，其中经过弯折后的屏蔽 层需经热处理。4. 根据权利要求1或2或3所述的磁屏蔽室开关机构，其特征在于:所述的固定屏蔽部分 1与活动屏蔽部分2的屏蔽层由分块屏蔽板拼接构成，且相邻的屏蔽层的屏蔽板拼接方向交 错设置，不平行。
【文档编号】H05K9/00GK106028770SQ201610444315
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年6月20日
【发明人】潘东华, 李立毅, 孙芝茵
【申请人】哈尔滨工业大学