一种双边沿触发电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本公开涉及电路领域，尤其涉及一种双边沿触发电路。
【背景技术】
[0002]ISP(In-System Programming，在线编程)技术是一种广泛应用在单片机中的技术。通过ISP技术，能够通过简单的下载线直接为单片机芯片写入或者擦除程序，并支持在线调试，从而不需要编程器就可以实现对单片机芯片的开发。因此，具有ISP功能的单片机芯片可以直接焊接在电路板上，避免了在对单片机芯片进行调试时，频繁插入、取出单片机芯片对单片机芯片和电路板带来的不便，在单片机芯片领域得到了广泛的应用。
[0003]当通过ISP技术开发单片机芯片时，需要触发ISP程序。现有技术中在触发ISP程序时，采用的传统方法通常是对单片机进行插拔电处理，使单片机的业务中断，然后将单片机与外接的电路相连接，向单片机输入特定的触发信号，以便触发单片机进入ISP模式。当单片机进入ISP模式后，再为单片机供电，使单片机开始工作。
[0004]但是，发明人发现，采用传统方法触发单片机进入ISP模式时，单片机的业务会发生中断，降低单片机的工作效率。
【实用新型内容】
[0005]为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种双边沿触发电路。
[0006]为了解决上述技术问题，本实用新型实施例公开了如下技术方案:
[0007]根据本公开实施例的第一方面，提供一种双边沿触发电路，包括:互相连接的电压选通控制电路和比较分压电路，其中，
[0008]所述电压选通控制电路分别与外接电路和第一基准电源相连接，所述电压选通控制电路接收所述外接电路传输的输出信号，将所述输出信号转化成控制信号，并将所述控制信号传输至所述比较分压电路；
[0009]所述比较分压电路与第二基准电源相连接，在接收到所述电压选通控制电路输出的所述控制信号后，所述比较分压电路将所述控制信号与所述第二基准电源提供的基准电压相比较，产生相应的触发信号，并将所述触发信号传输至单片机。
[0010]结合第一方面，在第一方面第一种可能的实现方式中，所述电压选通控制电路包括:左控制电路、右控制电路和选通比较电路，其中，
[0011]所述左控制电路分别与外接电路，以及第一基准子电源相连接，在接收到所述外接电路产生的输出信号后，所述左控制电路根据所述输出信号，产生相应的下降沿波形或上升沿波形，其中，所述第一基准电源包括所述第一基准子电源；
[0012]所述右控制电路分别与外接电路，以及第二基准子电源相连接，在接收到所述外接电路产生的输出信号后，所述右控制电路根据所述输出信号，产生与所述左控制电路相反的波形，其中，若所述左控制电路产生下降沿波形，则所述右控制电路产生上升沿波形，若所述左控制电路产生上升沿波形，则所述右控制电路产生下降沿波形，所述第一基准电源包括所述第二基准子电源；
[0013]所述选通比较电路分别与所述左控制电路，以及右控制电路相连接，在接收到所述左控制电路和右控制电路产生的波形后，所述选通比较电路对所述波形进行选通处理，并输出控制信号。
[0014]结合第一方面第一种可能的实现方式，在第一方面第二种可能的实现方式中，所述左控制电路包括:第六电阻、第五电容、第三电容、第四电容、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第四电阻、第七电阻、第七电容和第十电阻，其中，
[0015]所述第六电阻的第一端与所述外接电路相连接，接收所述单片机传输的所述输出信号，所述第六电阻的第二端与所述第五电容的第一端，以及所述第二 NMOS管的栅极相连接;
[0016]所述第五电容的第一端与所述第六电阻的第二端相连接，所述第五电容的第二端接地；
[0017]所述第二 NMOS管的漏极与所述第四电容的第二端，以及所述第七电阻的第二端相连接，所述第二 NMOS管的栅极与所述第五电容的第一端，以及所述第六电阻的第二端相连接，所述第二 NMOS管的源极接地；
[0018]所述第三电容的第一端接地，第二端分别与第一基准子电源、第四电容的第一端和第七电阻的第一端相连接；
[0019]所述第四电容的第一端接地，第二端分别与第七电阻的第二端、第一 NMOS管的栅极，以及第二 NMOS管的漏极相连接；
[0020]所述第一 NMOS管的栅极分别与第七电阻的第二端、第四电容的第二端，以及第二NMOS管的漏极相连接，所述第一 NMOS管的漏极与所述第四电阻的第二端相连接，所述第一NMOS管的源极分别于第七电容的第一端、第十电阻的第一端，以及所述选通比较电路相连接;
[0021]所述第四电阻的第一端与所述第三电容的第二端相连接，所述第四电阻的第二端与所述第一 NMOS管的漏极相连接；
[0022]所述第七电阻的第一端分别与所述第一基准子电源、第三电容的第二端，以及第四电阻的第一端相连接，所述第七电阻的第二端分别与所述第四电容的第二端、第一 NMOS管的栅极，以及第一 NMOS管的漏极相连接；
[0023]所述第七电容的第一端分别与所述第一 NMOS管的源极、第十电阻的第一端，以及所述选通比较电路相连接，所述第七电容的第二端接地；
[0024]所述第十电阻的第一端分别与所述第一 NMOS管的源极和所述选通比较电路相连接，所述第十电阻的第二端接地。
[0025]结合第一方面第一种可能的实现方式，在第一方面第三种可能的实现方式中，所述右控制电路包括:第五电阻、第九电阻和第六电容，其中，
[0026]所述第五电阻的第一端与所述外接电路相连接，接收所述单片机传输的所述输出信号，所述第五电阻的第二端与第二基准子电源相连接；
[0027]所述第九电阻的第一端分别与所述外接电路，以及所述第五电阻的第一端相连接，所述第九电阻的第二端分别与所述选通比较电路，以及所述第六电容的第一端相连接；
[0028]所述第六电容的第一端分别与所述第九电阻的第二端，以及所述选通比较电路相连接，所述第六电容的第二端接地。
[0029]结合第一方面第一种可能的实现方式，在第一方面第四种可能的实现方式中，所述选通比较电路包括:第一二级管、第二二极管和第十一电阻，其中，
[0030]所述第一二极管的阳极与所述右控制电路相连接，所述第一二极管的阴极分别与所述第二二极管的阴极、第十一电阻的第一端，以及所述比较分压电路相连接；
[0031]所述第二二极管的阳极与所述左控制电路相连接，所述第二二极管的阴极分别与所述第一二极管的阴极、第十一电阻的第一端，以及所述比较分压电路相连接；
[0032]所述第十一电阻的第一端分别与所述第一二极管的阴极、第二二极管的阴极，以及所述比较分压电路相连接，所述第十一电阻的第二端接地。
[0033]结合第一方面，在第一方面第五种可能的实现方式中，所述比较分压电路包括:第八电阻、第三电阻、第二电容、第一运算放大器、第一电容、第二电阻和第一电阻，其中，
[0034]所述第八电阻的第一端接地，所述第八电阻的第二端分别与所述第三电阻的第二端，以及与所述第一运算放大器的负向输入端相连接；
[0035]所述第三电阻的第一端分别与所述第二电容的第二端、第二基准电源，以及所述第一电容的第二端相连接，所述第三电阻的第二端分别与第八电阻的第一端，以及所述第一运算放大器的负向输入端相连接；
[0036]所述第二电容的第一端接地，第二端分别与所述第二基准电源，以及所述第三电阻的第一端相连接；
[0037]所述第一运算放大器的负向输入端分别与所述第三电阻的第二端，以及所述第八电阻的第一端相连接，所述第一运算放大器的正向输入端与所述电压选通控制电路相连接，所述第一运算放大器的输出端与所述第二电阻的第二端相连接，所述第一运算放大器的负电源端接地，所述第一运算放大器的正电源端分别与所述第一电容的第二端以及所述第二基准电源、所述第二电容的第二端，以及所述第三电阻的第一端相连接；
[0038]所述第一电容的第一端接地，第二端分别与所述第二基准电源，以及所述第一运算放大器的正电源端相连接；
[0039]所述第二电阻的第一端分别与所述第一电阻的第一端，以及所述单片机相连接，所述第二电阻的第二端与所述第一运算放大器的输出端相连接；
[0040]所述第一电阻的第一端分别于所述第二电阻的第一端，以及所述单片机相连接，所述第一电阻的第二端接地。
[0041]本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:
[0042]本申请公开一种双边沿触发电路，所述双边沿触发电路包括互相连接的电压选通控制电路和比较分压电路，其中，所述双边沿触发电路中的电压选通控制电路分别与外接电路和第一基准电源相连接，能够接收外接电路传输的输出信号，并将所述输出信号转化成控制信号，所述比较分压电路与第二基准电源相连接，在获取所