一种电磁屏蔽用导电泡绵的制作方法
【专利说明】
[0001]【技术领域】本实用新型涉及电磁屏蔽材料领域，具体地说是一种具有多孔结构的电磁屏蔽用导电泡绵。
[0002]【【背景技术】】导电海绵是一种集导电和电磁屏蔽功能于一体的材料，它是一种三维网状结构，具有发泡孔径均匀、柔软、富有弹性、不脱肩的优点；还具有导电有效期长，屏蔽效果好，不受温度和湿度的影响，表面电阻值可按实际用途设定等特点，广泛应用于计算机、IXD显示器、液晶电视、激光打印机、高速复印机、通讯设备、移动电话、卫星通信、医疗设备、高压机测试、仪表仪器、垫片/隔板、插板电子产品、防震导电的包装。目前，导电海绵主要采用三维多孔聚氨酯海绵为基体，这种基体为三维多孔结构，具有较大的比表面积，对于电磁屏蔽的性能非常优异，但随着电子技术的快速发展，对电磁屏蔽材料超薄化的要求越来越高。现在国内最薄导电泡绵材料仅限于0.8_，对于0.8mm以下的导电泡绵完全依赖于国外进口。因此，开发超薄并且具备超高导电性的导电海绵，是电磁屏蔽材料技术发展的迫切需求。
[0003]【【实用新型内容】】本实用新型针对上述问题，提供一种超薄并具备优良导电性的导电泡绵。
[0004]一种电磁屏蔽用导电泡绵，包括薄膜基体，其特征在于，所述薄膜基体的厚度为0.1-5.0mm、质量密度为1-1OOg/Hl2 ;薄膜基体通过多孔模具冲有若干个孔，其中孔径为0.1-2.0mm,孔与孔之间的纵向距离为0.5-2.0mm,孔与孔之间的横向距离为0.5-2.0mm,开孔率为10-90% ;薄膜基体表面、以及孔壁上均涂覆有纳米铜粉层，纳米铜粉层的厚度为0.1-500 μ?? ;纳米铜粉层的表面电镀有双层金属导电层，所述双层金属导电层为铜导电层和镍防护层，铜导电层和镍防护层的厚度均为1-100 μπι;薄膜基体正、反面的双层金属导电层的厚度成梯度性差异分布，其中正面的双层金属导电层厚度为3-200 μπι，反面的双层金属导电层厚度为2-100 μπι。
[0005]所述薄膜基体采用聚氨酯、聚醚和PE中的一种。
[0006]所述纳米铜粉层的涂覆方式为冷喷涂方式，或是将纳米铜粉调成浆料再涂覆到基体表面。
[0007]所述纳米铜粉为球形铜粉，平均粒径为10-1000nm。
[0008]与现有技术相比，本实用新型的优点体现于:1、采用薄膜为基体进行冲孔，不仅能加工出更薄或更厚的导电泡绵，而且导电泡绵上的孔径非常均匀。2、导电海绵具有高强度、高抗疲劳性。3、采用冷喷涂或涂覆铜导电浆的方式进行涂覆球状铜粉层，能有效将铜粉均匀填充至孔结构内，使得导电海绵的表面电阻更小，体积电阻分布更均匀，导电性能好，并能较好的解决导电泡绵在模切过程掉粉的难题。4、金属涂层具有梯度分布，相对单一厚度涂层的普通材料，能有效对电磁波进行递减损耗，在更宽频率范围内吸收电磁波。
[0009]【【附图说明】】
[0010]图1为本实用新型的结构剖视图
[0011]图2为图1中A部基体内孔的纵、横向孔距显/」、/」、意图
[0012]图中:1、薄膜基体，2、孔，3、纳米铜粉层，4、铜导电层，5、镍防护层。
[0013]【【具体实施方式】】下面结合附图对本实用新型的实施阐述如下:
[0014]实施例一:
[0015]参见图1、图2，在厚度为0.1mm，质量密度为90g/m2的PE薄膜基体I上通过多孔模具冲有若干孔2，孔径为0.1mm，孔2与孔2之间的纵向距离为0.5_，孔2与孔2之间的横向距离为0.5mm，开孔率为10%。在薄膜基体I表面、孔2的壁上均涂覆有平均粒径为1nm的球形纳米铜粉层3，纳米铜粉层3的厚度为0.1 μ m，纳米铜粉层3的涂覆方式为冷喷涂。纳米铜粉层3的表面电镀有双层金属导电层，双层金属导电层中位于里面的铜导电层4在薄膜基体I正面的厚度为2um，在薄膜基体I反面的厚度为I ym。位于外面的镍防护层5在薄膜基体I正面的厚度为I μ m，在薄膜基体I反面的厚度为I μπι，即薄膜基体正反面的导电层厚度成梯度性差异分布，正面导电层厚度为3um，反面导电层厚度为2um。
[0016]实施例二:
[0017]参见图1、图2，在厚度为0.5_，质量密度为70g/m2的聚氨酯薄膜基体I上通过多孔模具冲有若干孔2，孔径为0.5_，孔2与孔2之间的纵向距离为0.8mm,孔2与孔2之间的横向距离为1.0mm，开孔率为35%。在薄膜基体I表面、孔2的壁上均涂覆有平均粒径为10nm的球形纳米铜粉层3，纳米铜粉层3的厚度为10 μ m，纳米铜粉层3的涂覆方式是将纳米铜粉调成浆料再涂覆到基体I表面。纳米铜粉层3的表面电镀有双层金属导电层，双层金属导电层中位于里面的铜导电层4在薄膜基体I正面的厚度为20um，在薄膜基体I反面的厚度为10 μπι。位于外面的镲防护层5在薄膜基体I正面的厚度为20 μm，在薄膜基体I反面的厚度为10 μ m，即薄膜基体正反面的导电层厚度成梯度性差异分布，正面导电层厚度为40um，反面导电层厚度为20um。
[0018]实施例三:
[0019]参见图1、图2，在厚度为0.7mm，质量密度为10g/m2的聚氨酯薄膜基体I上通过多孔模具冲有若干孔2，孔径为1.0mm，孔2与孔2之间的纵向距离为1.0mm,孔2与孔2之间的横向距离为1.2mm，开孔率为70%。在薄膜基体I表面、孔2的壁上均涂覆有平均粒径为500nm的球形纳米铜粉层3，纳米铜粉层3的厚度为100 μ m，纳米铜粉层3的涂覆方式是将纳米铜粉调成浆料再涂覆到基体I表面。纳米铜粉层3的表面电镀有双层金属导电层，双层金属导电层中位于里面的铜导电层4在薄膜基体I正面的厚度为50um，在薄膜基体I反面的厚度为25 μ mo位于外面的镍防护层5在薄膜基体I正面的厚度为50 μ m，在薄膜基体I反面的厚度为30 μ m，即薄膜基体正反面的导电层厚度成梯度性差异分布，正面导电层厚度为lOOum，反面导电层厚度为80um。
[0020]实施例四:
[0021]参见图1、图2，在厚度为5.0mm，质量密度为35g/m2的聚氨酯薄膜基体I上通过多孔模具冲有若干孔2，孔径为2.0mm，孔2与孔2之间的纵向距离为2.0mm，孔2与孔2之间的横向距离为2.0mm，开孔率为90%。在薄膜基体I表面、孔2的壁上均涂覆有平均粒径为100nm的球形纳米铜粉层3，纳米铜粉层3的厚度为500 μ m，纳米铜粉层3的涂覆方式冷喷涂。纳米铜粉层3的表面电镀有双层金属导电层，双层金属导电层中位于里面的铜导电层4在薄膜基体I正面的厚度为lOOum，在薄膜基体I反面的厚度为50 μπι。位于外面的镍防护层5在薄膜基体I正面的厚度为100 μ m，在薄膜基体I反面的厚度为50 μ m，即薄膜基体正反面的导电层厚度成梯度性差异分布，正面导电层厚度为200um，反面导电层厚度为10um0
[0022]本实用新型的双层金属导电层中，所采用的金属不限于铜镍层，也可以是铜、镍、银等任意单金属或合金。
【主权项】
1.一种电磁屏蔽用导电泡绵，包括薄膜基体，其特征在于，所述薄膜基体的厚度为0.1-5.0mm、质量密度为1-1OOg/Hl2 ;薄膜基体通过多孔模具冲有若干个孔，其中孔径为0.1-2.0mm,孔与孔之间的纵向距离为0.5-2.0mm,孔与孔之间的横向距离为0.5-2.0mm,开孔率为10-90% ;薄膜基体表面、以及孔壁上均涂覆有纳米铜粉层，纳米铜粉层的厚度为0.1-500 μπι ;纳米铜粉层的表面电镀有双层金属导电层，所述双层金属导电层为铜导电层和镍防护层，铜导电层和镍防护层的厚度均为1-100 μπι;薄膜基体正、反面的双层金属导电层的厚度成梯度性差异分布，其中正面的双层金属导电层厚度为3-200 μπι，反面的双层金属导电层厚度为2-100 μπι。
2.根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽用导电泡绵，其特征在于，所述薄膜基体采用聚氨酯、聚醚和PE中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的一种电磁屏蔽用导电泡绵，其特征在于，所述纳米铜粉层的涂覆方式为冷喷涂方式，或是将纳米铜粉调成浆料再涂覆到基体表面。
4.根据权利要求3所述的一种电磁屏蔽用导电泡绵，其特征在于，所述纳米铜粉为球形铜粉，平均粒径为10-1000nm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电磁屏蔽用导电泡绵，包括薄膜基体，薄膜基体通过多孔模具冲有若干个孔，其中孔径为0.1-2.0mm，孔与孔之间的纵向距离为0.5-2.0mm，孔与孔之间的横向距离为0.5-2.0mm，开孔率为10-90%；薄膜基体表面、以及孔壁上均涂覆有纳米铜粉层，纳米铜粉层的表面电镀有双层金属导电层；薄膜基体正、反面的双层金属导电层的厚度成梯度性差异分布。采用薄膜为基体进行冲孔，不仅能加工出更薄或更厚的导电泡绵，而且导电泡绵上的孔径非常均匀。金属涂层具有梯度分布，相对单一厚度涂层的普通材料，能有效对电磁波进行递减损耗，在更宽频率范围内吸收电磁波。<sup/>
【IPC分类】H05K9-00
【公开号】CN204560124
【申请号】CN201520315332
【发明人】杨芳, 孙爱祥, 甘勇, 张晓莉, 周诗彪
【申请人】常德鑫鸿金属材料有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年5月16日