一种矢量相加移相器中的增益控制电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及通信设备与测量设备中所使用的信号移相处理电路。
【背景技术】
[0002] 矢量相加移相原理如图1所示。图中J+与价是两个正极性的单位正交矢量，j-与 t是两个负极性的单位正交矢量。
[0003]假设正交矢量和仍可以表不为cos( 〃）与sin( ，iV和供分别乘以相应的 系数J与沒并且相加可以得到输出信号
[0004]
[0005] 在冼功茜足= 的条件下改变儿沒值的大小，则输出信号可以保持幅值不 变，而相角随（故冶的比值而改变。这样可以通过两个正交信号的幅值改变实现输出信号 移相。改变正交信号J+和价的极性为J-或仏，可以使得输出信号相位在不同象限之间变 化。
[0006] 根据以上原理可构造矢量相加移相电路，其功能框图如图2所示。首先通过I/Q 网络产生两个幅值相等，相位差为90°的正交基矢量。两路输入正交信号经过极性选择网 络后分别被可变增益放大器放大后再相加得到输出信号。可变增益放大器的增益受增益控 制模块调节，可以使得输出信号相位改变而幅值保持不变。放大器的输入正交信号的极性 由极性选择模块决定，改变输入信号的极性可以使得输出信号的相位在四个象限之间进行 变换，实现360°范围内全相位移相。
[0007] 增益控制模块受控制信号调节改变两路正交基矢量的幅值时应当使得在变化过 程中I/Q正交基矢量幅值平方和为常数。2010年IEEETransactionsoncircuitsand systems-I:Regularpapers57 卷第 4 号由YouZheng,CarlosE.Saavedra发表的文章 Full360°vector-sumphaseshifterformicrowavesystemapplications报道了这 样的移相器。该文章使用了图3所示的增益控制模块，该电路通过控制电压VC3调节幅值控 制电压VI3与VQ3以产生幅值控制变量。为了满足幅值平方和为常数的条件，在V。3改变过程 中，应当保持电流T32的漏极电流I亘定，但是由于实际电路中VC3的改变会引起T32漏极 电压的改变，根据晶体管的沟道长度调制效应，晶体管T32的漏源电压的变化会引起IA3的改 变，这样会使得在移相过程中出现增益波动现象，即在不同的输出相位状态下电路的增益 会有变化。
[0008] 本发明针对此问题提出一种方案，可以减少移相过程中的增益波动。
【发明内容】
[0009] 本发明提出一种矢量相加移相电路中的增益控制电路，可以减少移相过程中的增 益波动。
[0010] 本发明所提出的模拟矢量相加移相器的增益控制电路，包括：电流源负载模块 400,偏置模块402,反馈调节模块401，核心控制模块403。
[0011] 进一步，所述反馈调节模块包括：PM0S晶体管％与PM0S晶体管M4，电阻Rb;PM0S 晶体管M3的源极与电源连接，漏极与PM0S晶体管M4的栅极和电阻Rb连接，栅极与PM0S晶 体管仏的源极与所述电流源负载模块连接；PM0S晶体管M4的漏极与核心控制模块403连 接。
[0012] 进一步，所述电流源负载模块包括：PM0S晶体管札与PM0S晶体管M2，电阻Ra;M:的 栅极与M2的栅极连接，M:与M2的源极连接电源，M2的漏极与反馈调节模块401连接，M:的 栅极与漏极连接，电阻Ra-端与Ml的漏极连接，另外一端连接偏置电压。
[0013] 进一步，权利要求1中的模拟矢量相加移相器的增益控制电路，其所述核心控制 模块包括：两个PM0S晶体管仏与M6,两个NM0S晶体管馬与M8;M5与M6的源极与反馈调节 模块连接，M5的栅极与控制电压连接，M6的栅极与偏置模块连接；M5与M7的漏极连接，M6与 M8的漏极连接；M7的漏极与栅极连接，M7的源极接地;M8的漏极与栅极连接，M8的源极接地； M#M8的栅极电压为矢量幅值控制电压。
[0014] 进一步，权利要求1中的模拟矢量相加移相器的增益控制电路，其所述偏置模块 包括连接在电源与地之间的两个串联电阻，两个电阻中间的节点与所述核心控制模块的m6 的栅极连接。
【附图说明】
[0015] 图1是矢量相加移相原理说明图；
[0016] 图2是矢量相加移相电路功能框图；
[0017] 图3是现有技术的增益控制电路；
[0018] 图4是本发明所提出的增益控制电路；
[0019] 图5是本发明所提出的增益控制电路在矢量求和网络中的应用示例。
【具体实施方式】
[0020] 图4为本发明提出的增益控制电路，其核心控制模块403是两个NM0S晶体管M7_M8 与两个级联的PM0S晶体管M5-M6。晶体管M5-M6的漏极电流可以通过控制电压调配， M5_M6的漏极电流之和为
[0021]
[0022] 这里是M5的漏极电流而JQ4是M6的漏极电流。JA4是M4的漏极电流。M7~M8 的栅极电压为增益控制模块输出电压Ki4与Kq4。反馈调节模块401包括M3-M4与电阻戽，其 可以减少控制电压^变化引起的JA4的变化。电流源负载模块400包括晶体管乂、112与 电阻Ra。偏置模块402包括电阻R。与Rd。当电流IA4增大，M4的源极电位降低，M3的漏极 电流增加，电阻Rb上电压降增大，M4栅极电位增加，这将会抑制IA4的增加，使得在移相过程 中IA4的电流更为稳定。
[0023] 图5为一种使用了图4的增益控制电路的矢量求和网络。该电路主要由增益控 制、极性选择和矢量相加三个模块组成。增益控制模块在图5的左边，矢量相加模块主要由 I支路放大器I与Q支路放大器Q组成。放大器I与放大器Q均由两个可变增益差分放大 单元组成。放大器I包含晶体管，放大器Q包含晶体管T7~T12。I支路基矢量信号由 VI+与Vp端输入，Q支路基矢量信号由VQ+与VQ_端输入。极性选择模块主要由四个开关^ 、$、%、&组成，它们分别控制T3、T6、1~9与T12的栅极电压状态。不同的开关状态对应不 同的输入信号极性。
[0024] 假设T3的栅极连接到控制电压％，T9的栅极连接到控制电压，则^与！^的 栅极被连接到地。放大器的小信号输出电压可以表示为
[0025]
[0026] 这里Kwt是差分输出电压，G与KQ是差分输入I/Q信号。&是晶体管!^-!^的 跨导，是晶体管T占T8的跨导。6与％可以分别表示为fcos&t」与fci/? &认这 里左是比例因子，则可以表示为
[0027]
[0028] 这里
[0029]
[0030]
[0031] 这里化为M0S晶体管沟道载流子迀移率，Q为栅氧化层电容。
[0032] 由以上可见，移相器的增&AV与电流IA有关，本文件提出的增益控制模块可以使 得电流石与；在变化时电流/A的稳定性更高，因而可以实现对于移相器增益波动的抑 制。
【主权项】
1. 一种模拟矢量相加移相器的增益控制电路，其特征在于，包括：电流源负载模块 (400)，偏置模块（402)，反馈调节模块（401)，核心控制模块（403)。2. 根据权利要求1所述的模拟矢量相加移相器的增益控制电路，其特征是：所述反馈 调节模块包括：PMOS晶体管^与PMOS晶体管M 4，电阻Rb;PMOS晶体管M 3的源极与电源连 接，漏极与PMOS晶体管M4的栅极和电阻R b连接，栅极与PMOS晶体管M 4的源极与所述电流 源负载模块连接；PMOS晶体管仏的漏极与核心控制模块（403)连接。3. 根据权利要求1所述的模拟矢量相加移相器的增益控制电路，其特征是：所述电流 源负载模块包括：PMOS晶体管札与PMOS晶体管M 2，电阻Ra;M i的栅极与M 2的栅极连接，M 1 与仏的源极连接电源，112的漏极与反馈调节模块（401)连接，M1的栅极与漏极连接，电阻R a 一端与Ml的漏极连接，另外一端连接偏置电压。4. 根据权利要求1所述的模拟矢量相加移相器的增益控制电路，其特征是：所述核心 控制模块包括：两个PMOS晶体管仏与M 6，两个NMOS晶体管馬与M 8;M 5与M 6的源极与反馈 调节模块连接，M5的栅极与控制电压连接，M 6的栅极与偏置模块连接；M 5与M 7的漏极连接， 16与M 8的漏极连接；M 7的漏极与栅极连接，M 7的源极接地；M 8的漏极与栅极连接，M 8的源极 接地戽与M 8的栅极电压为矢量幅值控制电压。5. 根据权利要求1所述的模拟矢量相加移相器的增益控制电路，其特征是：所述偏置 模块包括连接在电源与地之间的两个串联电阻，两个电阻中间的节点与所述核心控制模块 的M 6的栅极连接。
【专利摘要】一种模拟矢量相加移相器中的增益控制电路。增益控制电路可以通过对于两路正交基矢量信号的幅值进行改变以调节输出信号的相位。在增益控制电路中使用了反馈调节模块减小移相过程中的增益波动。
【IPC分类】H03G3/20
【公开号】CN204707098
【申请号】CN201520121829
【发明人】田学农
【申请人】苏州科技学院, 田学农
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年3月3日