高隔离度毫米波单刀多掷开关的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种高隔离度毫米波单刀多掷开关。
【背景技术】
[0002]毫米波单刀多掷开关是毫米波多信道转换的重要部件，在多波束雷达，相控阵雷达，电子对抗等方面都有着的广泛的应用。
[0003]从指标要求来看，产品工作频率为33-38GHZ，隔离度大于80dB，可见高频率，高隔离度为该产品主要特点。由于用户要求的隔离度很高，但高隔离度需要有较长的电长度来实现，但是在毫米波的工作频率下，电长度的增加就意味着插损的大大增加，同时因为毫米波的波长很短，在1/4波长的有效间距下，无法采取传统的增加并联PIN 二极管的数量来增加隔离度，因此不能按常规的生产方式来做。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是提供一种高隔离度毫米波单刀多掷开关，以解决在毫米波的波长很短的情况下无法增加隔离度。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型提供一种高隔离度毫米波单刀多掷开关，包括一端与输入信号连接的第三电容，第三电容的另一端连接有第二电感和若干并联连接的开关臂；开关臂包括第二二极管、高通滤波器以及依次串联连接的第一二极管、第二单刀单掷开关、第一单刀单掷开关以及第一电容；所示第二二极管的阳极连接至第一二极管的阴极与第二单刀单掷开关之间，其阴极接地；高通滤波器包括一端连接至第一电容和第一单刀单掷开关之间的第一电感，以及与第一电感的另一端连接的第二电容。
[0006]进一步地，第一单刀单掷开关和第二单刀单掷开关采用的是GAAS芯片开关。
[0007]本实用新型的有益效果为:本申请采用了 GAAS芯片开关，其体积小，进一步减小了整个电路的体积，使本申请在体积小的情况下满足高隔离度的要求。并且，在上述开关臂中分别设有一滤波电路，避免了电感在高频下产生谐振。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型最佳实施例的电路原理图。
【具体实施方式】
[0009]下面对本实用新型的【具体实施方式】进行描述，以便于本技术另域的技术人员理解本实用新型，但应该清楚，本实用新型不限于【具体实施方式】的范围，对本技术另域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本实用新型的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本实用新型构思的发明创造均在保护之列。
[0010]如图1所示的高隔离度毫米波单刀多掷开关，包括一端与输入信号连接的第三电容C3，第三电容C3的另一端连接有第二电感L2和若干并联连接的开关臂。开关臂包括第二二极管D2、高通滤波器以及依次串联连接的第一二极管D1、第二单刀单掷开关S2、第一单刀单掷开关S1以及第一电容C1 ;所示第二二极管D2的阳极连接至第一二极管D1的阴极与第二单刀单掷开关S2之间，其阴极接地；高通滤波器包括一端连接至第一电容C1和第一单刀单掷开关S1之间的第一电感L1，以及与第一电感L1的另一端连接的第二电容C2。
[0011]根据本申请的一个实施例，第一单刀单掷开关S1和第二单刀单掷开关S2采用的是GAAS芯片开关。GAAS芯片开关具有隔离度高，插损小，体积小，工作频带宽(0.05-50GHz)的特点。
[0012]本申请采用GAAS芯片开关，进一步减小了整个电路的体积，使本申请在体积小的情况下满足高隔离度的要求。并且，在上述开关臂中分别设有一滤波电路，避免了电感在高频下产生谐振。
【主权项】
1.一种高隔离度毫米波单刀多掷开关，其特征在于，包括一端与输入信号连接的第三电容，所述第三电容的另一端连接有第二电感和若干并联连接的开关臂； 所述开关臂包括第二二极管、高通滤波器以及依次串联连接的第一二极管、第二单刀单掷开关、第一单刀单掷开关以及第一电容；所示第二二极管的阳极连接至所述第一二极管的阴极与第二单刀单掷开关之间，其阴极接地；所述高通滤波器包括一端连接至第一电容和第一单刀单掷开关之间的第一电感，以及与所述第一电感的另一端连接的第二电容。2.根据权利要求1所述的高隔离度毫米波单刀多掷开关，其特征在于，所述第一单刀单掷开关和第二单刀单掷开关采用的是GAAS芯片开关。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高隔离度毫米波单刀多掷开关，包括一端与输入信号连接的第三电容，第三电容的另一端连接有一第二电感和若干并联连接的开关臂。申请采用了GAAS芯片开关，其体积小，进一步减小了整个电路的体积，使本申请在体积小的情况下满足高隔离度的要求。
【IPC分类】H03K17/94
【公开号】CN204967787
【申请号】CN201520653637
【发明人】周开斌, 毛艳
【申请人】成都创新达微波电子有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年8月27日