专利名称：摄像装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在例如摄像机、数字静止照相机、图像扫描仪用的图像输入装置中广泛使用的固态摄像装置。
背景技术：
近年来，为提高分辨率，一方面集中精力于缩小采用微细化工序的光电变换元件的单元尺寸，另一方面，因为光电变换信号的输出低下，引人注目的是可以将光电变换信号放大输出的放大型固态摄像装置。这种放大型固态摄像装置中有MOS型，AMI，CMD，BASIS等。其中，MOS型是将由光电二极管产生的光载体蓄积于MOS晶体管的栅极，按照扫描电路发出的驱动定时，将该电位变化进行电荷放大而输出到输出单元。近年来，在此MOS型中，光电变换单元，包含该外围电路单元，全部都由CMOS工序实现的CMOS型固态摄像装置特别受到注目。
图12示出现有的CMOS型固态摄像装置的框图。在图12中，1是像素单元，2是用来进行垂直扫描的垂直扫描电路块，D11～D33是光电二极管，M211～M233是用来将光电二极管的电荷复位的复位MOS M211～M233，M311～M333是用来放大光电二极管的电荷的放大MOS，M411～M433是用来进行行选择的选择MOS，V1～V3是垂直信号线，M51～M53是作为放大MOS的负载的负载MOS，M50是用来设定流过负载MOS的固定电流的输入MOS，5是用来设定输入MOS的栅极电压的电压输入端子。
下面对其动作予以说明。如果光入射到光电二极管D11～D33，就产生并蓄积光信号电荷。信号的读出由垂直移位寄存器2在垂直扫描的同时一行一行顺序读入到垂直信号线V1～V3。首先，如选择第1行，则选择MOS M411～M431的栅极PSEL1变为高电平，放大MOSM311～M331工作。由此，第1行的信号读出到垂直信号线V1～V3。之后，复位MOS M211～M231的栅极PRES1变为高电平，蓄积于光电二极管D11～D31上的电荷复位。之后，选择第2行，同样将第2行的信号读出到垂直信号线V1～V3。第3行以后也同样顺序地读出到垂直信号线V1～V3。
然而，在上述这种读出动作中，光信号越大，垂直信号线V1～V3上的电压越低。另外，垂直信号线V1～V3，因为与负载MOS M51～M53的漏极相连接，如垂直信号线上的电压变化，由于MOS晶体管的沟道长调制效果负载MOS的电流值变化。因此，在读出某一行时流过共用GND线4的电流，因光入射的像素数或入射的光量而变化。
另一方面，由于芯片尺寸等的制约，GND线4的布线宽度只能取有限值，具有某一阻抗。另外，流过负载MOS的固定电流的值，由于是通过在输入MOS M50的栅极和绝对GND(例如，外部衬底的接地电位)之间施加输入电压5而设定的，由于由GND线4的阻抗和流过的电流所决定的电压降，设定电流的值变化，因此，光入射的像素越多，入射的光量越大，GND线4的电压降越小，负载MOS的设定电流越大。
如着眼于某一行，在只在数个像素上有强光入射的场合，在没有光入射的像素(暗像素)中，负载MOS的电流值也变大，放大MOS的栅极和源极之间的电压变大。由于这一现象，出现的问题是包含强光入射的像素的行和不包含强光入射的像素的行的暗像素的输出电压不同，在强光光点入射的图像处，在光点左右会产生发白的带条。
另外，在具有光学黑色(OB)像素的固态摄像装置中，包含强光入射的像素的行和不包含强光入射的像素的行的暗像素及OB像素的输出电压不同，也会引起与上述相同的问题。
发明概述本发明的目的在于获得高画质的图像。
为达到上述目的，提供一种摄像装置，包括具有光电变换元件和将上述光电变换元件产生的信号放大输出的放大元件的像素，控制流过上述放大元件的电流的负载晶体管，以及抑制位于上述负载晶体管的上述放大元件的输出单元侧的第一主电极区域的电位变动的电位控制元件。
另外，提供一种摄像装置，包括具有光电变换元件和将上述光电变换元件产生的信号放大输出的放大元件的像素，控制流过上述放大元件的电流的负载晶体管，抑制位于上述负载晶体管的上述放大元件的输出单元侧的与第一主电极串联的抑制晶体管，以及在从上述放大元件读出信号的期间及在不从上述放大元件读出信号的期间，都向上述控制晶体管的控制电极区域施加一定的第一电压的驱动电路。
本发明的其他目的和特征可由以下的实施方案示例得到清楚的了解。
附图简述图1为示出本发明的第1实施方案的固态摄像装置的框图。
图2为示出第2实施方案的固态摄像装置的框图。
图3为用来说明第2实施方案的动作的定时图。
图4为示出第3实施方案的固态摄像装置的框图。
图5为示出第4实施方案的固态摄像装置的框图。
图6为示出第5实施方案的固态摄像装置的框图。
图7为示出第6实施方案的固态摄像装置的框图。
图8为用来说明第6实施方案的动作的定时图。
图9为示出第7实施方案的固态摄像装置的框图。
图10为示出第8实施方案的固态摄像装置的框图。
图11为示出第9实施方案的摄像系统的框图。
图12为示出现有技术的示图。
实施发明的具体方式下面利用附图对本发明的实施方案予以说明。
第1实施方案图1为示出本发明的固态摄像装置的第1实施方案的框图。构成上述固态摄像装置的各电路元件，是利用半导体集成电路的制造技术，没有特殊限制，在单晶硅之类的一个半导体衬底上形成的。另外，在图1中，为简单起见，假设的是一个3行3列的像素阵列，但不限定于这一尺寸。
下面利用图1对该实施方案的固态摄像装置的构成予以说明。产生光信号的光电二极管D11～D33，在此示例中，阳极侧接地。光电二极管D11～D33的阴极侧与放大MOS M311～M333的栅极相连接。另外，在上述放大MOS M311～M333的栅极上连接有用来将其复位的复位MOS M211～M233的源极，复位MOS M211～M233的漏极，与复位电源相连接。此外，上述放大MOS M311～M333的漏极，连接到用来供给电源电压的选择MOS M411～M433。上述复位MOS M211的栅极，与在横向方向上延长配置的第1行选择线(垂直扫描线)PRES1相连接。配置于同一行的其他像素单元的同样的复位MOS M221，M231的栅极也共通连接到上述第1行选择线PRES1。上述选择MOS M411的栅极，与在横向方向上延长配置的第2行选择线(垂直扫描线)PSEL1相连接。配置于同一行的其他像素单元的同样的选择MOS M421，M431的栅极也共通连接到上述第2行选择线PSEL1。这些第1～第2行选择线，与垂直扫描电路部件2相连接，并根据后述的动作定时供给信号电压。在图1所示的剩余的行中也设置同样构成的像素单元和行选择线。向这些行选择线供给由上述垂直扫描电路部件2形成的PRES2～PRES3，PSEL2～PSEL3。
上述放大MOS M311的源极，与在纵向方向上延长配置垂直信号线V1相连接。配置于同一列的其他像素单元的同样的放大MOSM312，M313的源极也连接到上述垂直信号线V1。上述垂直信号线V1，经作为固定电压装置3的栅极接地MOS M71连接到作为负载元件的负载MOS M51。M71的栅极，连接到供给栅极电压的电压输入端子6。在图1所示的剩余的垂直信号线V2～V3中也同样连接放大MOS，栅极接地MOS及负载MOS。此外，上述负载MOS M51～M53的源极连接到共通的GND线4，而栅极在与输入MOS M50的栅极相连接的同时还连接到输入端子5。
下面对动作予以说明。如果光入射到光电二极管D11～D33，D33，就产生并蓄积光信号电荷。信号的读出由垂直移位寄存器2在垂直扫描的同时一行一行顺序读入到垂直信号线V1～V3。首先，如选择第1行，则选择MOS M411～M431的栅极PSEL1变为高电平，放大MOSM311～M331工作。由此，第1行的信号读出到垂直信号线V1～V3。之后，复位MOS M211～M231的栅极PRES1变为高电平，蓄积于光电二极管D11～D31上的电荷复位。之后，选择第2行，同样将第2行的信号读出到垂直信号线V1～V3。第3行以后也同样顺序地读出到垂直信号线V1～V3。
在上述的动作中，例如，在读出第1行时，即使读出到各垂直信号线V1～V3的信号电压变化，负载MOS M51～M53的漏极电压，由于是由栅极接地MOS M71～M73决定的，不会改变。因此，在读出非常大的信号电荷的场合负载MOS M51～M53的电流值的变化也可保持很小。所以，由于GND线4的电压降不会因为光入射的像素数或入射的光量而变化，在读出任何行的场合负载MOS M51～M53的设定电流也会保持一定。根据上述构成，包含强光入射的像素的行和不包含强光入射的像素的行的暗像素(和OB像素)的输出电压相等，不会出现在光点左右会产生发白的带条的问题，可以获得鲜明的图像。
第2实施方案图2为示出本发明的固态摄像装置的第2实施方案的框图。第2实施方案的像素单元1是在第1实施方案追加要来在光电二极管D11～D33的阴极侧和放大MOS M311～M333的栅极之间传输蓄积于光电二极管上的光信号电荷的传输MOS M111～M133而构成。
上述M111的栅极，与在横向方向上延长配置的第3行选择线(垂直扫描线)PTX1相连接。配置于同一行的其他像素单元的同样的传输MOS M121～M131的栅极也共通连接到上述第3行选择线PTX1。第3行选择线也与第1～第2行选择线一样，与垂直扫描电路部件2相连接，并根据后述的动作定时供给信号电压。上述以外的像素单元构成与图1相同，对相同构成要素附加的标号相同。
此外，上述垂直信号线V1，经噪声信号传输开关M11连接到用来临时保持光信号的电容CTN1，并且同时经光信号传输开关M21连接到用来临时保持光信号的电容CTS1。噪声信号保持电容CTN1与光信号保持电容CTS1的对侧端子接地。噪声信号传输开关M11和噪声信号保持电容CTN1的连接点，以及光信号传输开关M21和光信号保持电容CTS1的连接点，分别经保持电容复位开关M31，M32接地的同时，还经水平传输开关M41，M42连接到用来取得光信号和噪声信号的差的差动电路块8。
水平传输开关M41，M42的栅极共通连接到列选择线H1而与水平扫描电路块7相连接。在图2所示的剩余的列V2～V3中也设置同样构成的读出电路。另外，与各列相连接的噪声信号传输开关M11～M13、光信号传输开关M21～M23的栅极分别共通与PTN，PTS相连接，并根据后述的动作定时分别供给信号电压。
下面参照图3对本实施方案的动作予以说明。在从光电二极管D11～D33读出光信号电荷之前，复位MOS M211～M231的栅极PRES1变为高电平。由此，放大MOS M311～M331的栅极由复位电源复位。在复位MOS M211～M231的栅极PRES1返回低电平之后，选择MOSM411～M431的栅极PSEL1，噪声信号传输开关M11～M13的栅极PTN变为高电平。由此，复位噪声叠加，复位信号(噪声信号)读出到噪声信号保持电容CTN1～CTN3。之后，噪声信号传输开关M11～M13的栅极PTN返回低电平。
之后，传输MOS M111～M131的栅极PTX1变为高电平，光电二极管D11～D33的光信号电荷传输到放大MOS M311～M331的栅极。传输MOS M111～M131的栅极PTX1返回低电平之后光信号传输开关M21～M23的栅极PTS变为高电平。由此，光信号读出到光信号保持电容CTS1～CTS3。之后，光信号传输开关M21～M23的栅极PTS返回低电平。在到现在为止的动作中，与第1行相连接的像素单元的噪声信号和光信号分别由与各列相连接的噪声信号保持电容CTN1～CTN3和光信号保持电容CTS1～CTS3保持。
之后，复位MOS M211～M231的栅极PRES1变为高电平，光电二极管D11～D33的光信号电荷复位。之后，利用水平扫描电路块发出的信号H1～H3，各列的水平传输开关M41～M46的栅极顺序地变为高电平，噪声信号保持电容CTN1～CTN3和光信号保持电容电容CTS1～CTS3中保持的电压顺序地读出到差动电路块。在差动电路块中，取得光信号和噪声信号的差并顺序地输出到输出端子OUT。到此为止，与第1行相连接的像素单元的读出结束。
之后，在从第2行读出之前，噪声信号保持电容CTN1～CTN3及光信号保持电容CTS1～CTS3的复位开关M31～M36的栅极PCTR变为高电平，复原为GND。之后，同样，利用垂直扫描电路块发出的信号顺序地读出与第2行以后的各行相连接的像素单元的信号，全部像素单元的读出结束。
在上述的动作中，例如，在读出第1行时，即使读出到各垂直信号线V1～V3的信号电压变化，负载MOS M51～M53的漏极电压，由于是由栅极接地MOS M71～M73决定的，不会改变。因此，在读出非常大的信号电荷的场合负载MOS M51～M53的电流值的变化也可保持很小。所以，由于GND线4的电压降不会因为光入射的像素数或入射的光量而变化，在读出任何行的场合负载MOS M51～M53的设定电流也会保持一定。
根据上述构成，包含强光入射的像素的行和不包含强光入射的像素的行的暗像素(OB像素)的输出电压相等，不会出现在光点左右会产生发白的带条的问题，可以获得鲜明的图像。
第3实施方案图4为示出本发明的固态摄像装置的第3实施方案的框图。在本实施方案中，像素单元1的构成不同。在此示例中，放大MOSM311～M333的漏极直接与电源相连接。上述放大MOS M311的源极，经选择MOS M411与在纵向方向上延长配置垂直信号线V1相连接。配置于同一列的像素单元的同样的放大MOS M312，M313的源极也经选择MOS M412，M413连接到上述垂直信号线V1。在图4所示的剩余的垂直信号线V2～V3中也同样连接放大MOS及选择MOS。
本实施方案的动作与第2实施方案相同，具有同样的效果。
第4实施方案图5为示出本发明的固态摄像装置的第4实施方案的框图。在本实施方案中，与第1实施方案相比，固定电压装置3的构成不同。在此构成中，不需要独立给出设定栅极接地MOS M71～M73的栅极电压和负载的固定电流的输入MOS M50的栅极电压。
第5实施方案图6为示出本发明的固态摄像装置的第5实施方案的框图。在本实施方案中，与第1实施方案相比，固定电压装置3的构成不同。
第6实施方案图7为示出本发明的固态摄像装置的第6实施方案的框图。本实施方案的像素单元1，与第3实施方案中的构成相同。垂直信号线V1，经用来分离垂直信号线V1与负载的开关M81和栅极接地MOS M71连接到作为负载元件的负载MOS M51。另外，上述垂直信号线V1经用来控制限幅动作的开关M410连接到限幅晶体管M310。在图7所示的剩余的垂直信号线V2～V3中也同样连接放大MOS，开关，栅极接地MOS，负载MOS，限幅晶体管及控制开关。上述开关M81～M88的栅极及上述栅极接地MOS M71～M73的栅极分别共通连接到控制信号输入端子9及供给栅极电压的电压输入端子6，并且上述限幅晶体管M310～M330的栅极及上述控制开关M410～M430的栅极分别共通连接到限幅电压输入端子VCLIP及控制信号输入端子PSEL，并根据后述的动作定时分别供给信号电压。上述负载MOS M51～M53的源极连接到公用GND线4，栅极在连接到输入MOS M50的同时还连接到输入电压端子5。
此外，上述垂直信号线V1，经箝位电容C01和传输开关M21连接到用来临时保持信号的电容CT1，经水平传输开关M41连接到在反馈系统中连接反馈电容CF和复位开关的运算放大器10的反转端子。运算放大器10的正转端子连接到参考电压VREF。信号保持电容CT1和开关M21的连接点经箝位开关M31与电源相连接。
水平传输开关M41的栅极与列选择线H1相连接而连接到水平扫描电路块5。在图7所示的剩余的垂直信号线V2～V3中也设置同样构成的读出电路。另外，与各列相连接的箝位开关M31～M33的栅极及传输开关M21～M23的栅极分别共通与箝位信号输入端子PCOR及传输信号输入端子PT相连接，并根据后述的动作定时分别供给信号电压。
下面参照图8对本实施方案的动作予以说明。在从光电二极管D11～D33读出光信号电荷之前，复位MOS M211～M231的栅极PRES1变为高电平。由此，放大MOS M311～M331的栅极由复位电源复位。在复位MOS M211～M231的栅极PRES1返回低电平的同时，开关M81～M83的栅极控制信号9变为高电平，并且在箝位开关M31～M33的栅极PCOR变为高电平之后，选择MOS M411～M431的栅极PSEL1及限幅控制信号PSEL变为高电平。由此，复位噪声叠加，复位信号(噪声信号)读出到垂直信号线V1～V3，由箝位电容C01～C03箝位。同时传输开关M21～M23的栅极PT变为高电平，信号保持电容CT1～CT3由箝位电压复位。之后，箝位开关M31～M33的栅极PCOR返回低电平。
之后，传输MOS M111～M131的栅极PTX1变为高电平，光电二极管D11～D33的光信号电荷，在传输到放大MOS M311～M331的栅极的同时，光信号读出到垂直信号线V1～V3。此时，限幅晶体管M310～M330由于控制信号而变为工作状态，在放大MOS M311～M331的栅极电压较箝位电压VCLIP低的场合，垂直信号线的电压由箝位电压VCLIP决定的电压箝位。之后，在传输MOS M111～M131的栅极PTX1返回到低电位之后，传输开关M221～M23的栅极PT变为低电位。由此，将来自复位信号的变化量(光信号)读出到信号保持电容CT1～CT3。在到现在为止的动作中，与第1行相连接的像素单元的光信号由与各列分别相连接的信号保持电容CT1～CT3保持。
之后，复位MOS M211～M231的栅极PRES1及传输MOSM111～M131的栅极PTX1变为高电平，而开关M81～M83的栅极控制信号9变为低电平，光电二极管D11～D33的光信号电荷被复位。之后，利用水平扫描电路块发出的信号H1～H3，各列的水平传输开关M41～M46的栅极顺序地变为高电平，在信号保持电容CT1～CT3保持的电压顺序地读出到运算放大器的反馈电容CF并顺序地输出到输出端子OUT。在读出各列信号的间隙期间，利用复位开关M0复位反馈电容CF的电荷。到此为止，与第1行相连接的像素单元的读出结束。之后，同样，利用垂直扫描电路块发出的信号顺序地读出与第2行以后的各行相连接的像素单元的信号，全部像素单元的读出结束。
在上述的动作中，例如，在读出第1行时，即使读出到各垂直信号线V1～V3的信号电压变化，负载MOS M51～M53的漏极电压，由于是由栅极接地MOS M71～M73决定的，不会改变。因此，在读出非常大的信号电荷的场合负载MOS M51～M53的电流值的变化也可保持很小。所以，由于GND线4的电压降不会因为光入射的像素数或入射的光量而变化，在读出任何行的场合负载MOS M51～M53的设定电流也会保持一定。
根据上述构成，包含强光入射的像素的行和不包含强光入射的像素的行的暗像素(OB像素)的输出电压相等，不会出现在光点左右会产生发白的带条的问题，可以获得鲜明的图像。
在本实施方案中，设置有用来分离垂直信号线V1与负载的开关M81～M83，具有和使输入到栅极接地MOS M71～M73的栅极的电压6在栅极接地电压和GND之间脉冲动作的构成同样的效果。
第7实施方案图9为示出本发明的固态摄像装置的第7实施方案的框图。在本实施方案中，是将像素单元1的构成设定为一维的直线传感器。像素单元1的构成，与第1实施方案相比，其构成不包括用来选择行的选择MOS，放大MOS M311～M333的漏极直接与电源相连接。如光入射到光电二极管D11～D33，就在产生并蓄积光信号电荷的同时，输出到放大MOS M311～M333的输出线V4～V6。之后，复位MOSM211～M231的栅极PRES变为高电平，而蓄积于光电二极管D11～D31的电荷被复位。
在上述的动作中，即使读出到各垂直信号线V4～V6的信号电压变化，负载MOS M51～M53的漏极电压，由于是由栅极接地MOSM71～M73决定的，不会改变。因此，在读出非常大的信号电荷的场合负载MOS M51～M53的电流值的变化也可保持很小。所以，由于GND线4的电压降不会因为光入射的像素数或入射的光量而变化，在读出任何行的场合负载MOS M51～M53的设定电流也会保持一定。
根据上述构成，由于暗像素(及OB像素)的输出电压不会因强光入射的像素数而变化，所以在后级无需设置箝位电路，电路简单。
在上述第1～7实施方案中说明的固态摄像装置中，在栅极接地MOS M71～M73的栅极上，在从图像单元内的放大MOS向垂直信号线V1～V3读出信号期间，施加一定的电压V6，而在其外的期间可以不施加电压，或施加小于电压V6的电压V6’，并且在从图像单元内的放大MOS向垂直信号线V1～V3读出信号期间和在其外的期间也可以施加一定的电压V6。
在前者的场合，因为只是在必需时在栅极接地MOS M71～M73的栅极上施加电压，可以降低消耗功率。
另外，在后者的场合，由于不需要切换施加的电压，电路的构成简单。
在上述第1～7实施方案中说明的固态摄像装置，有没有OB像素的装置都可以。
第8实施方案图10为示出采用上面说明的第1～7实施方案的任何一个的固态摄像装置的摄像系统的框图。11是固态摄像装置，12是用来控制固态摄像装置的输出信号的振幅的可编程增益放大器(PGA)，13是AD变换器(ADC)，而14为数字输出。在采用上述说明的固态摄像装置的场合，由于包含强光入射的像素的行和不包含强光入射的像素的行的水平OB像素的输出不会变化，不需要对水平OB箝位，可如图10那样以DC直接连接方式构成。由此，不会由于水平OB箝位电平各行之间的偏差而产生的横线等，可以构成由简洁的电路块构成的高画质的摄像系统。
第9实施方案图11为示出将上面说明的第1～7实施方案的任何一个的固态摄像装置应用于摄像系统(静止摄像机)的场合的框图。101是兼作透镜的保护体和主开关的镜头盖，102是将被扫描物体光学成像于固态摄像元件104的透镜，103是用来使通过透镜102的光量可变的光圈，104是将由透镜102成像的被扫描物体作为图像信号收入的固态摄像装置，106是对从固态摄像装置104经进行增益校正等的摄像信号处理电路105输出的图像信号进行模拟数字变换的A/D变换器，107是对从A/D变换器106输出到图像数据进行各种校正的同时对数据进行压缩的信号处理单元。另外，108是向固态摄像元件104，摄像信号处理单元105，A/D变换器106，信号处理单元107输出各种定时信号的定时发生单元，109是对各种运算和静止摄像机整体进行控制的整体控制运算单元，110是要来临时存储图像数据的存储单元，111是用来对记录媒体进行记录或读出的接口单元，112是用来对图像数据进行记录或读出的半导体存储器等的可拆装的记录媒体，113是用来与外部计算机等进行通信的接口单元。
下面对上述构成的摄影时的摄像系统的动作予以说明。
如对开镜头盖101就接通主电源，接着接通控制系统的电源，并且接通A/D变换器106等的摄像系统电路的电源。
于是，为了控制曝光量，整体控制运算单元109打开光圈103，在将从固态摄像元件104输出的信号在A/D变换器106中变换之后，输入到信号处理单元107。整体控制运算单元109根据该数据进行曝光运算。
利用该测光结果判断亮度，整体控制运算单元109按照该结果控制光圈。
之后，根据固态摄像元件104输出的信号，由整体控制运算单元109将高频分量取出计算到被扫描物体的距离。其后，驱动透镜判断焦点是否对准，在判断焦点未对准时，就再驱动透镜进行测距。
于是，在确定焦点对准之后就开始曝光。如曝光结束，就将固态摄像元件104输出的图像信号在A/D变换器106中进行A-D变换，通过信号处理单元107由整体控制运算单元109写入存储单元。之后，蓄积于存储单元110中的数据由整体控制运算单元109控制通过记录媒体控制I/F单元记录于半导体存储器等可以拆装的记录媒体112。另外，也可通过外部I/F单元113直接输入计算机等而进行图像加工。
权利要求
1.一种摄像装置，包括具有光电变换元件和将上述光电变换元件产生的信号放大输出的放大元件的像素，控制流过上述放大元件的电流的负载晶体管，以及抑制位于上述负载晶体管的上述放大元件的输出单元侧的第一主电极区域的电位变动的电位控制元件。
2.如权利要求1所述的摄像装置，其中上述电位控制元件是在上述第一主电极区域中串联的控制晶体管。
3.如权利要求1所述的摄像装置，其中还包括在从上述放大元件读出信号的期间及在不从上述放大元件读出信号的期间，都向上述控制晶体管的控制电极区域施加一定的第一电压的驱动电路。
4.如权利要求1所述的摄像装置，其中还包括以在从上述放大元件读出信号的期间向上述控制晶体管的控制电极区域施加一定的第一电压，而在不从上述放大元件读出信号的期间向上述控制晶体管的控制电极区域施加一个比第一电压低的电压或不施加电压的方式进行驱动的驱动电路。
5.如权利要求1所述的摄像装置，其中上述电位控制元件是在上述第一主电极区域中串联的栅极接地的晶体管。
6.一种摄像装置，包括具有光电变换元件和将上述光电变换元件产生的信号放大输出的放大元件的像素，控制流过上述放大元件的电流的负载晶体管，抑制位于上述负载晶体管的上述放大元件的输出单元侧的与第一主电极串联的抑制晶体管，以及在从上述放大元件读出信号的期间及在不从上述放大元件读出信号的期间，都向上述控制晶体管的控制电极区域施加一定的第一电压的驱动电路。
7.如权利要求6所述的摄像装置，其中上述控制晶体管是栅极接地的晶体管。
8.如权利要求1或6所述的摄像装置，还包括将光成像于上述像素的透镜，将上述像素发出的信号变换为数字信号的模拟数字变换电路，以及对从上述模拟数字变换电路发出的信号进行处理的信号处理电路。
全文摘要
提供一种摄像装置，包括具有光电变换元件和将上述光电变换元件产生的信号放大输出的放大元件的像素；控制流过上述放大元件的电流的负载晶体管；以及抑制位于上述负载晶体管的上述放大元件的输出单元侧的第一主电极区域的电位变动的电位控制元件。
文档编号H04N5/357GK1398105SQ02140650
公开日2003年2月19日 申请日期2002年7月11日 优先权日2001年7月12日
发明者樱井克仁, 小泉彻, 樋山拓己 申请人:佳能株式会社