专利名称：浮动闸极式驻极体电容麦克风的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种麦克风，特别涉及一种晶片式麦克风。
背景技术：
由于电子产品的发展趋势是一直往高品质、高价位、高功能，以及体积轻薄、小巧的方向发展，麦克风的发展当然也不例外，而，由于晶片式麦克风的制造发展，可以随着半导体及微机电制程的进步而同步提升，并且可以精确控制成品的体积尺寸，因此成为麦克风主要发展的重点。
一般晶片式麦克风所使用的麦克风晶片，从结构而论，可概分为应用两个构造各异的晶片连结(bonding)成一体的双晶片式麦克风晶片(例如日本特开平11-331988号、美国第6243474号专利申请案)，及以自一基板直接形成各细部构造的单晶片式麦克风晶片(例如美国第5870482号专利案)两种。无论是双晶片式麦克风晶片或是单晶片式麦克风晶片，其工作原理都是利用当外界的声能作用于麦克风晶片的振膜时，会相应改变电容，进而将电容的改变转换成电子信号向外传递。
过去麦克风晶片的电容，多是利用两个相间隔的导体层，及一夹附于此二导体层间的驻极体材料形成「驻极体式」电容为主。
而目前，虽然已有相关论文将浮动式电极应用于麦克风晶片上，以改善麦克风晶片的电容感应变化部分，然而，由于麦克风晶片不但在应用知识领域上横跨声学与电子学两大范畴，在制程上也需同时整合半导体制程及微机电制程两种相关技术，因此，如何妥善地将浮动式电极应用于麦克风晶片的电容部份，并整合相关制程、提升麦克风的实际使用效能，仍是业界努力的方向。
发明内容因此，本发明的目的，即在提供一种应用浮动式电极以形成电容的浮动闸极式驻极体电容麦克风。
本发明的一种浮动闸极式驻极体电容麦克风，包含一基座，及一电容式麦克风晶片。
该基座具有一界定出一容置空间的壳体，该壳体可电连接于一电路板上。
该电容式麦克风晶片封装于该容置空间中并与该壳体电连接，具有一与该壳体相连结的基材、一自该基材向上形成的感应部，该感应部包括一与基材相连结的第一导体层、一与该第一导体层相间隔的第二导体层、多数彼此相间隔地布设于该第一、二导体层间的分隔块、一设置于该基材上的浮动闸极式驻极体，及一与该第二导体层相连结的振膜，该浮动闸极式驻极体使该第一、二导体层共同构成电容。
当一声能作用于该感应部时，该振膜会相应地产生形变而使电容相应变化，同时，该振膜形变引起的气流，是自该第一、二导体层间的空隙经由这些分隔块彼此间的间隙自由流动至该容置空间中。
此外，本发明的另一种浮动闸极式驻极体电容麦克风，包含一基座，及一电容式麦克风晶片。
该基座具有一界定出一容置空间的壳体，该壳体可电连接于一电路板上。
该电容式麦克风晶片，封装于该容置空间中并与该壳体电连接，该电容式麦克风晶片具有一可被声能作用而产生形变的浮动闸极式驻极体振动单元，及一自该浮动闸极式驻极体振动单元向下形成的气室单元。
该浮动闸极式驻极体振动单元包括一基材、一形成在该基材的一顶面的第一导体层、一形成在该基材的一相反于该顶面的底面的浮动闸极式驻极体，及一自该基材底面更向下形成且包覆该浮动闸极式驻极体的绝缘层。
该气室单元包括一第二导体层，及一自该第二导体层向下形成的增厚层，该第二导体层具有一自该浮动闸极式驻极体振动单元向下形成的气室壁体，及一自该气室壁体更向下形成的图像壁体，该气室壁体界定出一气室空间，该绝缘层使该气室壁体与该浮动闸极式驻极体不相电导通，且该第一、二导体层借该浮动闸极式驻极体共同构成电容，该增厚层具有一自该图像壁体向下形成的增厚壁体，该图像壁体与该增厚壁体共同形成一围构出一区域范围的外环块，及多数位于该区域范围中彼此间隔的音孔块，该外环块与这些音孔块彼此间的间隙使该容置空间与该气室空间相连通。
当声能作用于该浮动闸极式驻极体振动单元时会使该浮动闸极式驻极体振动单元相应产生形变而使电容变化，同时该浮动闸极式驻极体振动单元形变所产生的气流可借该外环块与这些音孔块彼此间的间隙在该容置空间与该气室空间中流动。
图1是一俯视图，说明本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的一第一优选实施例。
图2是图1沿I-I’剖线的一剖视图，辅助说明本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的一第一优选实施例。
图3是图1沿II-II’剖线的一局部剖视示意图，说明一浮动闸极式驻极体的结构。
图4是一流程图，说明制作如图3所示的浮动闸极式驻极体的过程。
图5是一局部剖视示意图，说明本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的一第二优选实施例的浮动闸极式驻极体的结构。
图6是一流程图，说明制作如图5所示的浮动闸极式驻极体的过程。
图7是一局部剖视示意图，说明本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的一第三优选实施例的浮动闸极式驻极体的结构。
图8是一流程图，说明制作如图7所示的浮动闸极式驻极体的过程。
图9是一俯视图，说明本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的一第四优选实施例。
图10是图9的沿III-III’剖线的一局部剖视示意图，说明一浮动闸极式驻极体的结构。
具体实施方式下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明本发明如图1所示，其是本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的一第一优选实施例，可电连接于一电器产品，例如手机(未示出)的电路板100上使用。
先参阅图1、图2，图2是图1沿一Z字形剖线I-I’的一剖视示意图，以详细说明本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的结构，该浮动闸极式驻极体电容麦克风包含一基座1、一场效应晶体管2，及一电容式麦克风晶片3。
该基座1具有一壳体11，该壳体11包含一底壁12、一由该底壁12的一外周缘向上延伸的周壁13、一可供一外界的声能穿透的上盖14，及多个布设于该底壁12上的电极接点15。底壁12与周壁13共同界定出一容置空间16，以供封装场效应晶体管2与电容式麦克风晶片3，上盖14与周壁13相连结而封闭容置空间16，使声能仅由上盖14进入并作用于封装于容置空间16中的电容式麦克风晶片3。每一电极接点15以表面贴装技术(SMT)电连接于电路板100上，以供电容式麦克风晶片3、场效应晶体管2与电路板100电连接。
场效应晶体管2是一现有的电子元件，同时借由例如多个焊线200分别与电容式麦克风晶片3、基座1的部分电极接点15相电连接，而可将电容式麦克风晶片2的电性改变，例如电容变化，转变成电子信号而向外传送。
一般场效应晶体管2形成的方式有两种，一种是预先制备好单一电子元件，于后续制程中再与电容式麦克风晶片3电连接；另一种则是在进行电容式麦克风晶片3的制程中，同步地内置于电容式麦克风麦克风晶片3中。在本例以及图示中，场效应晶体管2是以同步内置形成于电容式麦克风晶片3中的，由于这些整合各式电子元件于单一晶片中的技术，是属于另一种关于电路设计的领域范畴的，且非本发明重点所在，故在此不多加赘述。
电容式麦克风晶片3封装于基座1的容置空间16中，且同时与基座1的部分电极接点15以及场效应晶体管2以焊线200电性连接。电容式麦克风晶片3具有一与底壁12相连结的基材31，及一自基材31向上形成的感应部32。
基材31是一由硅晶圆分割而成的硅晶片。
感应部32包括一自基材31向上形成的第一导体层321、多数自该第一导体层321更向上形成的分隔块322、一自这些分隔块322向上形成的第二导体层323、一形成于该第二导体层323的一相对该第一导体层321的表面上的振膜324，及一形成于基材31上的浮动闸极式驻极体33。
该第一、二导体层321、323分别以一导体材料，例如金属构成，并可极化以构成电容。
这些分隔块322彼此相间隔地呈一环状分布，每一分隔块322分别具有一预定的截面形状(图示中仅以截面均为矩形、但大小不同为例说明)，而使得这些分隔块322共同将该第一导体层321、振膜324间的空隙分隔出一可供气流流动的振动空间325，同时相邻两分隔块322间的间隙326配合形成预定形状，使振动空间321与容置空间16借这些形成预定形状的间隙326相连通。
同时配合参阅图3，图3是图1沿剖线II-II’的一剖视示意图，浮动闸极式驻极体33具有一形成在基材31上的p型区域331、两个彼此相隔离地形成在p型区域331中的n+型区域332、332’、一形成在该二n+型区域332、332’对应上方的浮动闸极333，及一形成在浮动闸极333对应上方的控制闸极334。
参阅图4，上述浮动闸极式驻极体33的制造过程，是先以次步骤411在基材31上形成p型区域331；接着以次步骤412在p型区域331中形成两个彼此相隔离的n+型区域332、332’；然后再以次步骤413在二n+型区域332、332’对应上方形成浮动闸极333；最后以次步骤414在浮动闸极333对应上方形成控制闸极334，而完成相关硬件结构，待最后电容式麦克风晶片3其他相关结构制备完成后，再将n+型区域332接地、另一n+型区域332’施加正电压，并在控制闸极334施加正电压后，使浮动闸极333写入负电荷，即可使第一、二导体层321、323构成驻极体式电容，完成电容式麦克风晶片3的制备。通过这些次步骤形成特定MOS结构，如p型区域、n+型区域…的制程，已为业界所周知，且非本发明重点所在，故在此不再多加赘述。
当声能穿过上盖14而作用于感应部32时，振膜324会相应产生形变而使电容相应变化，场效应晶体管2同步将该电容变化转换成电子信号向外传送，同时，振膜324形变引起的气流，可经由多个间隙在振动空间321与容置空间16中自由流动，而使电容式麦克风晶片3具有预定的频率响应，而发挥浮动闸极式驻极体电容麦克风的预定功效。
虽然在上例说明中，本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的电容式麦克风晶片3的浮动闸极式驻极体33，是以一n+型区域332接地、另一n+型区域332’带正电压，加正电压于控制闸极334后，使浮动闸极333写入负电荷，进而使第一、二导体层321、323被极化为例说明，然而实质上，只需使两n+型区域332、332’带有较低的正电压，p型区域331带低的正电压或是负电压，而使得控制电极334所带的正电压较二n+型区域332、332’与p型区域331为高，进而使浮动闸极333写入负电荷后，即可使第一、二导体层321、323形成驻极体式电容，完成麦克风晶片3的制备。
本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的第二、三优选实施例，均与上述该第一优选实施例相似，其不同处仅在于电容式麦克风晶片3的浮动闸极式驻极体33而已，以下仅就其不同处详加说明。
参阅图5，本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的第二优选实施例所说明的浮动闸极式驻极体34包含一在基材31上形成的n型区域341、两个彼此相隔离地形成在n型区域341的p+型区域342、342’、一形成在两个p+型区域342、342’对应上方的浮动闸极343，及一形成在该浮动闸极343对应上方的控制闸极344，当该二p+型区域342、342’分别带0或负电压，该n型区域341带一较低的正电压、控制闸极334带一较高的正电压后，使浮动闸极343带负电荷，即可使第一、二导体层321、323极化，完成电容式麦克风晶片的制备。
当然，在此也不须一定要使p+型区域342、342’分别带0或负电压、n型区域341带正电压，仅需使得二p+型区域342、342’、n型区域的电压比控制闸极344的电压低很多，而使浮动闸极343带负电荷，即可达到使第一、二导体层321、323构成驻极体式电容的目的。
而第二优选实施例所说明的浮动闸极式驻极体34的制造方法，是如图6所示，先在硅基材31上形成一n型区域341；再在该n型区域上形成两个彼此相隔离的p+型区域342、342’；接着在该二p+型区域342、342’对应上方形成浮动闸极343；最后在浮动闸极343对应上方形成控制闸极344后，即完成浮动闸极式驻极体34结构上的制备。最后类似上例所说明的，在其他电容式麦克风晶片结构制备完成后，将浮动闸极式驻极体34写入电荷，进而使第一、二导体层321、323构成电容，完成电容式麦克风晶片的制备。
参阅图7，本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的第三优选实施例所说明的浮动闸极式驻极体35，具有一形成在基材31上的p型区域351、三个彼此相间隔形成在p型区域351中的第一n+型区域352、第二n+型区域353、第三n+型区域354、一形成在第一、二n+型区域352、353对应上方的浮动闸极355，及一形成在第二、三n+型区域353、354对应上方的控制闸极356，当使第一n+型区域352带一正电压、p型区域351与第三n+型区域354接地，并使控制闸极356带一略低于第一n+型区域352的电压的正电压后，使浮动闸极355写入正电荷，即可使该第一、二导体层321、323构成驻极体式电容。
而第三优选实施例所说明的浮动闸极式驻极体35的制造方法，是如图8所示，先在硅基材31上形成p型区域351；再在p型区域351中形成三个相隔离的第一、二、三n+型区域352、353、354；然后在第一、二n+型区域352、353对应上方形成浮动闸极355；最后在第二、三n+型区域353、354对应上方形成控制闸极356，完成浮动闸极式驻极体35结构上的制备；最后类似第一优选实施例中所说明的，在其他电容式麦克风晶片结构制备完成后写入电荷，进而使该第一、二导体层321、323极化构成电容，完成电容式麦克风晶片的制备。
当然，熟悉电机电路技术的人员都知道，由于上述p、n型区域、结构、写入电荷方式等等具有可以加以对应转换而产生多种变化组合的特性，因此必然可由上述实施例再加以推导衍生多种这些对应变换的相关结构；然而由于其基本结构已为本发明上述实施例所囊括，且这些对应变换组合的方式众多，因此在此不再将这些对应结构、电性变化一一加以举例赘述。
再者，由于此些特定MOS结构，如p、n型区域、n+型区域，以及以MOS制程形成该些结构的制程，已为业界所周知，且非本发明重点所在，故在此也不再多加赘述。
图9是本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风的一第四优选实施例，其可电连接于一电器产品，例如手机(图未示出)的电路板100上使用。该浮动闸极式驻极体电容麦克风包含一基座5、一场效应晶体管2’，及一电容式麦克风晶片6。
该基座5具有一壳体51，该壳体51包含一底壁52、一由该底壁52的一外周缘向上延伸的周壁53、一可供一外界的声能穿透的上盖54，及多个布设于该周壁上相反于该底壁52的一壁体上的电极接点55(图示中仅绘示一电极接点为例说明)。底壁52与周壁53共同界定出一容置空间56，以供封装场效应晶体管2’与电容式麦克风晶片6，上盖54与周壁53相连结而封闭容置空间56，使声能仅由上盖54进入并作用于封装于容置空间56中的电容式麦克风晶片6。电极接点55以表面贴装技术(SMT)电连接于电路板100上，以供电容式麦克风晶片6、场效应晶体管2’与电路板100电连接。
场效应晶体管2’是一现有的电子元件，同时借由例如多个焊线200分别与电容式麦克风晶片6、基座5的电极接点55相电连接，而可将电容式麦克风晶片6的电性改变，例如将电容变化，转变成电子信号而向外传送。
一般场效应晶体管2’形成的方式有两种，一种是预先制备好单一电子元件，于后续制程中再与电容式麦克风晶片6电连接；另一种则是在进行电容式麦克风晶片6的制程中，同步内置于电容式麦克风麦克风晶片6中。在本例以及图示中以前者为例说明，由于场效应晶体管的制备以及与其他电子元件如电容式麦克风晶片电连接，已为业界所周知，且非本发明重点所在，故在此不多加赘述。
电容式麦克风晶片6封装于基座5的容置空间56中，且同时与基座5的电极接点55以及场效应晶体管2’以焊线200电连接。电容式麦克风晶片6具有一浮动闸极式驻极体振动单元7，及一自该浮动闸极式驻极体振动单元7向下形成的气室单元8。
该浮动闸极式驻极体振动单元7包括一基材71、形成在该基材71的一顶面的第一导体层72、一形成在该基材71的一相反于该顶面的底面的蚀刻停止层73、一形成在该蚀刻停止层73底面的浮动闸极式驻极体74，及一自该蚀刻停止层73底面更向下形成且包覆该浮动闸极式驻极体73的绝缘层75。该第一导体层72的截面略成V字型，是以可导电的导体材料所形成；该蚀刻停止层73主要是配合制程而蚀刻出预定深度所必须的结构，将于制程说明时一并详述；该绝缘层75是以绝缘材料所形成，其功用将配合后续气室单元8一并说明。
配合参阅图10，图10是图9沿剖线III-III’的一剖视示意图，该浮动闸极式驻极体74与前述的浮动闸极式驻极体33相似，具有一形成在蚀刻停止层73上的p型区域331、两个彼此相隔离地形成在p型区域331中的n+型区域332、332’、一形成在该二n+型区域332、332’对应上方的浮动闸极333，及一形成在浮动闸极333对应上方的控制闸极334，其形成过程是类似于图4所示的过程，其不同处仅在于图4的过程是在硅基材31上形成p型区域331，而此处是在蚀刻停止层73上形成p型区域331而已，由于制程、结构均相类似，故在此不再详细重述。
该气室单元8包括一第二导体层81，及一自该第二导体层81向下形成的增厚层82。
该第二导体层81是以可导电的导体材料以电镀、溅镀、蒸镀等方式形成，具有一自绝缘层75向下形成的气室壁体811，及一自该气室壁体811更向下形成的图像壁体812。该气室壁体811界定出一气室空间83。该绝缘层75使该第二导体层81与该浮动闸极式驻极体74不相电导通。该增厚层82具有一自该图像壁体812向下形成的增厚壁体821，该图像壁体812与该增厚壁体821共同形成一围构出一区域范围的外环块84，及多个位于该区域范围中彼此间隔的音孔块85，该外环块84与这些音孔块85彼此间的间隙86使容置空间56与气室空间83相连通。
当使n+型区域332接地、该另一n+型区域332’施加正电压，并于控制闸极334加正电压后，使浮动闸极333写入负电荷，进而使第一、二导体层72、81构成驻极体式电容。
当声能自上盖54进入作用于浮动闸极式驻极体振动单元7时，浮动闸极式驻极体振动单元7可产生形变进而产生电容变化，再借场效晶体2’转换成电子信号后向外传输；同时该浮动闸极式驻极体振动单元7形变所产生的气流可借该外环块84与这些音孔块85彼此间的间隙86在容置空间56与气室空间83中流动，使得本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风具有良好的频率响应。
当然，在上述所说明的第四优选实施例的浮动闸极式驻极体电容麦克风，其浮动闸极式驻极体74及该构造的相关制程，也可以换用如第二、三优选实施例中所说明的浮动闸极式驻极体34、35及由其相关制程所制备，由于此部份的细部构造与制程已于前述详细说明，在此不再一一赘述。此外，在硅基材上应用半导体与微机电制程形成电容式麦克风晶片6的各结构的过程已为业界所周知，且非本发明重点所在，故对每一步骤也不再多加赘述。
由上述说明可知，本发明浮动闸极式驻极体电容麦克风，主要是将浮动闸极式驻极体应用微机电与半导体制程，整合应用于原有单晶片式麦克风晶片、背板式麦克风晶片中，以形成这些麦克风晶片最重要的电容部分，同时，配合麦克风晶片其他的结构，不但可以简易地制备电容式麦克风晶片，同时可以使得制成的浮动闸极式驻极体电容麦克风具有更好的频率响应，确实达到本发明的目的。
权利要求
1.一种浮动闸极式驻极体电容麦克风，包含一基座，及一电容式麦克风晶片，其特征在于该基座具有一界定出一容置空间的壳体，该壳体可电连接于一电路板上；该电容式麦克风晶片封装于该容置空间中并与该壳体电连接，具有一与该壳体相连结的基材，及一自该基材向上形成的感应部，该感应部包括一与基材相连结的第一导体层、一与该第一导体层相间隔的第二导体层、多个彼此相间隔地布设于该第一、二导体层间的分隔块、一设置于该基材上的浮动闸极式驻极体，及一与该第二导体层相连结的振膜，该浮动闸极式驻极体使该第一、二导体层共同构成驻极体式电容；当一声能作用于该感应部时，该振膜会相应产生形变而使电容相应变化，同时，该振膜形变引起的气流自该第一、二导体层间的空隙经由这些分隔块彼此间的间隙自由流动至该容置空间中。
2一种浮动闸极式驻极体电容麦克风，包含一基座，及一电容式麦克风晶片，其特征在于该基座具有一界定出一容置空间的壳体，该壳体可电连接于一电路板上；该电容式麦克风晶片封装于该容置空间中并与该壳体电连接，具有一可被声能作用而产生形变的浮动闸极式驻极体振动单元，包括一基材、形成在该基材的一顶面的第一导体层、一形成在该基材的一相反于该顶面的底面的浮动闸极式驻极体，及一自该基材底面更向下形成且包覆该浮动闸极式驻极体的绝缘层；及一自该浮动闸极式驻极体振动单元向下形成的气室单元，包括一第二导体层，及一自该第二导体层向下形成的增厚层，该第二导体层具有一自该浮动闸极式驻极体振动单元向下形成的气室壁体，及一自该气室壁体更向下形成的图像壁体，该气室壁体界定出一气室空间，该绝缘层使该气室壁体与该浮动闸极式驻极体不相电导通，且该第一、二导体层借该浮动闸极式驻极体共同构成驻极体式电容，该增厚层具有一自该图像壁体向下形成的增厚壁体，该图像壁体与该增厚壁体共同形成一围构出一区域范围的外环块，及多个位于该区域范围中彼此间隔的音孔块，该外环块与这些音孔块彼此间的间隙使该容置空间与该气室空间相连通；当声能作用于该浮动闸极式驻极体振动单元时会使该浮动闸极式驻极体振动单元对应产生形变而使电容变化，同时该浮动闸极式驻极体振动单元形变所产生的气流可借该外环块与这些音孔块彼此间的间隙在该容置空间与该气室空间中流动。
3如权利要求1或2所述浮动闸极式驻极体电容麦克风，其特征在于该浮动闸极式驻极体电容麦克风还包含一将该电容变化转换成一电子信号的场效应晶体管。
4如权利要求1或2所述浮动闸极式驻极体电容麦克风，其特征在于该浮动闸极式驻极体包含一形成在该基材上的p型区域、二彼此相隔离地形成在该p型区域中的n+型区域、一形成在该二n+型区域对应上方的浮动闸极，及一形成在该浮动闸极对应上方的控制闸极，该二n+型区域施加有低电压，该p型区域也施加有一低于该二n+型区域所施加的电压的电压，并使该控制闸极施加一远高于该二n+型区域所施加电压，而可使该浮动闸极写入负电荷，进而使该第一、二导体层构成驻极体式电容。
5如权利要求1或2所述浮动闸极式驻极体电容麦克风，其特征在于该浮动闸极式驻极体包含一形成在该基材上的n型区域、二彼此相隔离地形成在该n型区域中的p+型区域、一形成在该二p+型区域对应上方的浮动闸极，及一形成在该浮动闸极对应上方的控制闸极，该二p+型区域施加有负电压，并使该控制闸极施加一正电压后，可使该浮动闸极写入负电荷，进而使该第一、二导体层构成驻极体式电容。
6如权利要求1或2所述浮动闸极式驻极体电容麦克风，其特征在于该浮动闸极式驻极体包含一形成在该基材上的p型区域、三彼此相隔离地形成在该p型区域中的第一n+型区域、第二n+型区域与第三n+型区域、一形成在该第一、第二n+型区域对应上方的浮动闸极，及一形成在该第二、第三n+型区域对应上方的控制闸极，将该第三n+型区域与该p型区域接地，第一n+型区域施加正电压，并使该控制闸极带有一低于该n+型区域所带的正电压的正电压，而使该浮动闸极写入正电荷，进而使该第一、二导体层构成驻极体式电容。
7如权利要求2所述浮动闸极式驻极体电容麦克风，其特征在于该第二导体层是以一可导电的导体材料以选自由下列方式所构成的群组形成电镀、溅镀、蒸镀，及这些方式的组合。
全文摘要
本发明提供一种浮动闸极式驻极体电容麦克风，其包含可电连接于电路板上的基座，及封装于该基座中的电容式麦克风晶片，电容式麦克风晶片的特征是利用二相间隔的导体层及一形成在此二导体层间的浮动闸极式驻极体共同形成电容，使当声能作用时电容相应变化，并可转换成电子信号传输。
文档编号H04R19/04GK1738489SQ200410057539
公开日2006年2月22日 申请日期2004年8月17日 优先权日2004年8月17日
发明者张昭智, 林泓均, 洪瑞华 申请人:佳乐电子股份有限公司