辅助振膜及发声器件的制作方法

文档序号:21496841发布日期:2020-07-14 17:26阅读:150来源:国知局
辅助振膜及发声器件的制作方法

【技术领域】

本实用新型涉及电声转换领域,尤其涉及一种运用于便携式电子产品的辅助振膜及发声器件。



背景技术:

随着移动互联网时代的到来,智能移动设备的数量不断上升。而在众多移动设备之中,手机无疑是最常见、最便携的移动终端设备。目前,手机的功能极其多样,其中之一便是高品质的音乐功能,因此,用于播放声音的发声器件被大量应用到现在的智能移动设备之中。

相关技术的所述发声器件包括盆架和分别固定于所述盆架的振动系统及具有磁间隙的磁路系统;所述振动系统包括固定于所述盆架的振膜以及插设于所述磁间隙以驱动所述振膜振动发声的音圈以及固定于所述盆架并与所述音圈远离所述振膜一端连接的弹性支撑组件。所述磁路系统包括连接于所述盆架的磁轭、固定于所述磁轭的主磁钢和副磁钢,所述主磁钢与所述副磁钢间隔设置并共同形成所述磁间隙。所述弹性支撑组件包括弹性件以及贴设于所述弹性件的辅助振膜。所述辅助振膜包括横截面呈弧形结构的折环部以及由所述折环部的相对两侧分别延伸的且用于固定连接的第一连接部和第二连接部,所述第一连接部连接于所述盆架,所述第二连接部连接于所述音圈。

然而,相关技术中的所述发声器件,成型后的所述辅助振膜所有位置厚度相同,对于部分产品而言,各部分高度相同的所述辅助振膜在振动时会出现空间不足的情况,所述辅助振膜两边区域跟所述弹性件撞击,导致产品纯音不良,使其性能出现不良。

因此,实有必要提供一种新的辅助振膜及发声器件解决上述技术问题。



技术实现要素:

本实用新型的目的是克服上述技术问题,提供一种声学性能好且可靠性高的辅助振膜及发声器件。

为了实现上述目的,本实用新型提供一种辅助振膜,其包括横截面凹陷呈弧形结构的折环部以及由所述折环部的相对两侧分别延伸的第一连接部和第二连接部,所述折环部沿其长度方向包括中间区和由所述中间区两端分别延伸的两个边区,所述中间区凹陷的深度小于所述边区凹陷的深度。

优选的,所述折环部的凹陷深度由所述中间区分别向两个所述边区方向逐渐增大。

优选的,所述辅助振膜由硅胶、橡胶、peek、tpu材料中的至少一种制成。

本实用新型还提供一种发声器件,包括盆架、分别固定于所述盆架的振动系统和驱动所述振动系统振动发声的磁路系统,所述振动系统包括振膜、固定于所述振膜并驱动所述振膜振动发声的音圈和固定于所述盆架并连接于所述音圈远离所述振膜一端的辅助振膜,所述辅助振膜为如上任意一项所述的辅助振膜。

优选的,所述振动系统还包括固定于所述盆架并与所述音圈远离所述振膜一端连接的弹性件,所述辅助振膜贴合于所述弹性件远离所述振膜一侧;所述弹性件包括固定于所述盆架的第一固定臂、连接于所述音圈的第二固定臂以及连接所述第一固定臂和第二固定臂的两个弹臂,两个所述弹臂相互间隔形成中空区域且沿垂直于所述振膜振动方向的平面反向凹陷;所述第一连接部贴合于所述第一固定臂,所述第二连接部贴合于所述第二固定臂,所述折环部与两个所述弹臂正对且相互间隔,所述中间区与所述中空区域正对设置。

优选的,所述折环部向远离所述振膜的方向凹陷成型。

优选的,所述音圈呈矩形,所述辅助振膜包括两个且分别位于所述音圈短轴相对两侧。

与现有技术相比,本实用新型的辅助振膜及运用该辅助振膜的发声器件中,将所述辅助振膜的折环部设置呈非等高结构,所述折环部沿其长度方向包括中间区和由所述中间区两端分别延伸的两个边区,所述中间区凹陷的深度小于所述边区凹陷的深度,使得所述辅助振膜两个所述边区域用于振动的空间增加。该结构使得所述辅助振膜的两个所述边区的振动空间变大,避免所述辅助振膜振动时与所述弹性件在两个所述边区发生碰撞,改善所述辅助振膜的结构和摇摆性,从而有效提高了辅助振膜及发声器件的纯音等声学性能,可靠性更好。

【附图说明】

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:

图1为本实用新型辅助振膜的立体结构示意图;

图2为沿图1中a-a线的剖示图;

图3为本实用新型发声器件的结构示意图;

图4为本实用新型发声器件的部分立体结构分解图;

图5为本实用新型发声器件的辅助振膜与弹性件的装配结构示意图。

【具体实施方式】

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。

请同时参阅图1-2所示,其中,图1为本实用新型辅助振膜的立体结构示意图;图2为沿图1中a-a线的剖示图。本实用新型提供一种辅助振膜10,其包括横截面凹陷呈弧形结构的折环部1以及由所述折环部1的相对两侧分别延伸的第一连接部2和第二连接部3。也就是说,所述第一连接部2向远离所述第一连接部2弯折延伸形成所述折环部1,所述折环部1向远离所述第一连接部2弯折延伸形成所述第二连接部3,所述第一连接部2与所述第二连接部3均位于所述折环部1的同一侧,所述凹陷指所述折环部1向所述第一连接部2与所述第二连接部3的一侧的方向远离形成。

所述折环部1用于振动发声,并提高的振动力度和幅度。

具体的,所述折环部1沿其长度方向包括中间区11和由所述中间区11两端分别延伸的两个边区12,所述中间区11凹陷的深度小于所述边区12凹陷的深度。也就是说,所述辅助振膜10的所述折环部1设置呈非等高结构,通过所述辅助振膜10的两个所述边区12凹陷的深度小于所述边区12凹陷的深度,使得所述辅助振膜10的两个所述边区12用于振动的空间增加。该结构使得所述辅助振膜10的两个所述边区12的振动空间变大,从而有效提高了所述辅助振膜10及采用该辅助振膜10的发声器件100的纯音等声学性能,并且可靠性更好。

在本实施方式中,所述折环部1的凹陷深度由所述中间区11分别向两个所述边区12方向逐渐增大。该结构有利于保证所述辅助振膜10及采用该辅助振膜10的发声器件100的纯音等声学性能。

所述第一连接部2和所述第二连接部3均用于固定连接,从而使所述辅助振膜10固定。所述第一连接部2和所述第二连接部3用于改善所述辅助振膜10的摇摆性。

本实用新型的所述辅助振膜10由硅胶、橡胶、peek、tpu材料中的至少一种制成。当然,其材料不限于此,还包括与上述结构类似的高分子材料。

请同时参阅图3-5所示,图3为本实用新型发声器件的结构示意图;图4为本实用新型发声器件的部分立体结构分解图;图5为本实用新型发声器件的辅助振膜与弹性件的装配结构示意图。本实用新型还提供一种发声器件100,包括盆架20、振动系统30以及磁路系统40。

所述振动系统30固定于所述盆架20。具体的,所述振动系统30包括所述辅助振膜10、所述振膜301、所述音圈302以及弹性件303。

所述辅助振膜10固定于所述盆架20并连接于所述音圈302远离所述振膜301一端。其中,所述辅助振膜10为本实用新型所述的辅助振膜10。

所述振膜301用于振动发声。其中,所述辅助振膜10的所述折环部1的横截面凹陷呈弧形结构,所述凹陷指所述折环部1向远离所述振膜301的方向形成,也就是说所述凹陷指所述折环部1靠近所述磁路系统40方向形成。其中,所述折环部1的凹陷深度为所述折环部1向远离所述振膜301的方向的距离。该距离也就是所述辅助振膜10沿所述振膜301振动的方向上所述折环部1与所述弹性件303之间的深度。

所述音圈302固定于所述振膜301并驱动所述振膜301振动发声。在本实施方式中,所述音圈302呈矩形,所述辅助振膜10包括两个且分别位于所述音圈302短轴相对两侧。该结构有利于所述辅助振膜10的对称性,从而有效提高了所述辅助振膜10及所述发声器件100的纯音等声学性能

所述弹性件303固定于所述盆架20并与所述音圈302远离所述振膜301一端连接。所述辅助振膜10贴合于所述弹性件303远离所述振膜301一侧。该结构一方面用于加强所述振膜301的振动效果,改善所述发声器件100的声学性能,另一方面用于平衡所述振动系统30的摇摆,提高所述发声器件100的稳定性。

在本实施方式中,所述弹性件303包括固定于所述盆架20的第一固定臂3031、连接于所述音圈302的第二固定臂3032以及连接所述第一固定臂3031和第二固定臂3032的两个弹臂3033。两个所述弹臂3033相互间隔形成中空区域且沿垂直于所述振膜301振动方向的平面反向凹陷。所述第一连接部2贴合于所述第一固定臂3031。所述第二连接部3贴合于所述第二固定臂3032。所述折环部1与两个所述弹臂3033正对且相互间隔,所述中间区11与所述中空区域正对设置。

所述磁路系统40驱动所述振动系统30振动发声。

与现有技术相比,本实用新型的辅助振膜及运用该辅助振膜的发声器件中,将所述辅助振膜的折环部设置呈非等高结构,所述折环部沿其长度方向包括中间区和由所述中间区两端分别延伸的两个边区,所述中间区凹陷的深度小于所述边区凹陷的深度,使得所述辅助振膜两个所述边区域用于振动的空间增加。该结构使得所述辅助振膜的两个所述边区的振动空间变大,避免所述辅助振膜振动时与所述弹性件在两个所述边区发生碰撞,改善所述辅助振膜的结构和摇摆性,从而有效提高了辅助振膜及发声器件的纯音等声学性能,可靠性更好。

以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

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