一种麦克风封装结构的制作方法

本实用新型涉及声电技术领域，尤其涉及一种麦克风封装结构。

背景技术：

mems(microelectromechanicalsystems，微机电系统)麦克风是一种用微机械加工技术制作出来的电能换声器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、薄型化发展，mems麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。

参见图1，mems麦克风一般包括基板11和壳体12，基板11和壳体12围成腔体，腔体内设置有mems芯片100和asic芯片200，壳体12能够阻挡大部分光线。但是基板11上开设有声孔13，对于从声孔13进入并穿过mems芯片100后反射和衍射到asic芯片200的光线无屏蔽作用，使得asic芯片200所在的区域产生光噪，影响mems麦克风的性能。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种麦克风封装结构，以解决现有技术中存在的自声孔进入的光线在asic芯片区域产生光噪的技术问题。

如上构思，本实用新型所采用的技术方案是：

一种麦克风封装结构，包括：

基板；

壳体，设置于所述基板上，所述壳体与所述基板围成容置腔，所述容置腔内设置有mems芯片和asic芯片；

第一挡板，设置于所述mems芯片与所述asic芯片之间并将所述容置腔分为第一腔体和第二腔体，所述第一腔体上设置有声孔，所述asic芯片位于所述第二腔体内。

其中，所述基板内设置有导线层，所述mems芯片与所述导线层的一端电连接，所述导线层的另一端与所述asic芯片电连接。

其中，所述mems芯片与所述导线层之间通过导线连接，所述导线层与所述asic芯片之间通过导线连接。

其中，所述mems芯片与所述导线层之间通过焊点连接，所述导线层与所述asic芯片之间通过焊点连接。

其中，所述第一挡板垂直于所述基板。

其中，所述第一挡板的边缘与所述基板和/或所述壳体之间具有间隙。

其中，所述第一挡板由非金属材质制成，所述第一挡板的外表面上设置有金属层。

其中，还包括：

第二挡板，位于所述第二腔体内且设置于所述asic芯片远离所述第一挡板的一侧，所述第一挡板、所述第二挡板、所述基板与所述壳体围设于所述asic芯片的外周。

其中，所述第二挡板的边缘与所述基板和/或所述壳体之间具有间隙。

其中，还包括：

第三挡板，设置于所述第一挡板与所述第二挡板之间，所述第一挡板、所述第二挡板、所述第三挡板与所述基板围设于所述asic芯片的外周。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提出的麦克风封装结构，第一挡板设置于mems芯片与asic芯片之间并将容置腔分为第一腔体和第二腔体，第一腔体上设置有声孔，asic芯片位于第二腔体内。第一挡板能够有效阻挡自声孔进入的光线，防止光线对asic芯片造成光噪影响。

附图说明

图1是现有麦克风封装结构的示意图；

图2是本实用新型实施例一提供的一种麦克风封装结构的示意图；

图3是本实用新型实施例一提供的另一种麦克风封装结构的示意图；

图4是本实用新型实施例一提供的再一种麦克风封装结构的示意图；

图5是本实用新型实施例二提供的一种麦克风封装结构的示意图；

图6是本实用新型实施例二提供的另一种麦克风封装结构的示意图；

图7是本实用新型实施例三提供的一种麦克风封装结构的示意图；

图8是本实用新型实施例三提供的另一种麦克风封装结构的示意图；

图9是本实用新型实施例四提供的一种麦克风封装结构的示意图；

图10是本实用新型实施例四提供的另一种麦克风封装结构的示意图。

图中：

100、mems芯片；200、asic芯片；

11、基板；12、壳体；13、声孔；

21、第一挡板；22、第二挡板；23、第三挡板；

3、粘接件；

4、导线层；

5、导线；

6、焊点。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

实施例一

参见图2，本实用新型实施例提供一种麦克风封装结构，包括基板11、壳体12和第一挡板21，壳体12设置于基板11上，壳体12与基板11围成容置腔，容置腔内设置有mems芯片100和asic芯片200；第一挡板21设置于mems芯片100与asic芯片200之间并将容置腔分为第一腔体和第二腔体，第一腔体上设置有声孔13，asic芯片200位于第二腔体内。第一挡板21能够有效阻挡自声孔13进入的光线，防止光线对asic芯片200造成光噪影响。

具体地，声孔13开设于基板11上，mems芯片100和asic芯片200均与基板11连接。基板11上设置有电路板，以将mems芯片100和asic芯片200置于电路中。声孔13可以正对mems芯片100设置。

在本实施例中，第一挡板21垂直于基板11，便于生产安装。当然，也可以根据实际需要设置第一挡板21相对于基板11倾斜，只要第一挡板21遮挡于asic芯片200靠近声孔13的一侧使得声孔13与asic芯片200分别位于两个腔体内即可。

由于基板11与壳体12之间一般采用焊接，焊接会产生高温，第一挡板21的边缘与基板11和/或壳体12之间具有间隙，能够防止在安装时产生爆壳现象。间隙可以设置在第一挡板21的边缘任意位置处，只要使得第二腔体不是封闭的腔体即可。

可选地，第一挡板21与壳体12固定连接，在将壳体12与基板11之间连接时，第一挡板21的底面与基板11之间具有间隙，能够防止壳体12与基板11焊接时产生爆壳现象。

可选地，参见图3，第一挡板21与基板11之间固定连接，在将壳体12扣盖于基板11上连接时，第一挡板21与壳体12之间具有间隙，能够防止壳体12与基板11焊接时产生爆壳现象。具体地，第一挡板21与基板11之间可以采用粘接件3粘接。

基板11内设置有导线层4，mems芯片100与导线层4的一端电连接，导线层4的另一端与asic芯片200电连接。由于第一挡板21的阻挡，mems芯片100与asic芯片200无法直接连接，导线层4设置于基板11的内部，不影响第一挡板21的设置，且实现了mems芯片100与asic芯片200之间的间接连接。

可选地，mems芯片100与导线层4之间通过导线5连接，导线层4与asic芯片200之间通过导线5连接。具体地，asic芯片200与基板11上的电路板之间通过导线5连接，导线层4通过电路板借助导线5实现与asic芯片200之间的电连接。

可选地，参见图4，mems芯片100与导线层4之间通过焊点6连接，导线层4与asic芯片200之间通过焊点6连接。具体地，mems芯片100与asic芯片200焊接于基板11上的电路板，通过焊点6借助导线层4实现电连接，无需布设导线5，避免了第一挡板21对打线的影响。

导线层4正对第一挡板21设置，尽量缩短导线层4的长度，只要使得导线层4能够连接第一挡板21两侧的空间即可。

可选地，第一挡板21可以由非金属材质制成，例如高分子材料、玻璃纤维或者陶瓷等现有材料；第一挡板21也可以由现有的金属材质制成，在此不作限制。

当第一挡板21由非金属材质制成时，可以在第一挡板21的外表面上设置金属层，金属层的设置，能够起到屏蔽作用，以改善麦克风的抗辐射性能，降低对操作者的伤害。

实施例二

图5示出了实施例二，其中与实施例一相同或相应的零部件采用与实施例一相应的附图标记。为简便起见，仅描述实施例二与实施例一的区别点。区别之处在于，还包括第二挡板22，第二挡板22位于第二腔体内且设置于asic芯片200远离第一挡板21的一侧，第一挡板21、第二挡板22、基板11与壳体12围设于asic芯片200的外周。

第二挡板22与第一挡板21配合，对asic芯片200的周边进行更全面的遮挡，能够更有效地阻挡自声孔13进入的光线，提高抗光噪能力和射频性能，使得麦克风信号稳定。

在本实施例中，第一挡板21和第二挡板22均垂直于基板11，便于生产安装。当然，也可以根据实际需要设置第一挡板21和第二挡板22相对于基板11倾斜，只要第一挡板21和第二挡板22遮挡于asic芯片200的周边即可。

第二挡板22的边缘与基板11或者壳体12之间具有间隙，能够防止在安装时产生爆壳现象。

可选地，第二挡板22与壳体12固定连接，在将壳体12与基板11之间连接时，第二挡板22的底面与基板11之间具有间隙，能够防止壳体12与基板11焊接时产生爆壳现象。

可选地，参见图6，第一挡板21和第二挡板22与基板11之间固定连接，在将壳体12扣盖于基板11上连接时，第一挡板21和第二挡板22与壳体12之间具有间隙，能够防止壳体12与基板11焊接时产生爆壳现象。具体地，第一挡板21和第二挡板22与基板11之间可以采用粘接件3粘接。

基板11内设置有导线层4，mems芯片100与导线层4之间通过导线5连接，导线层4与asic芯片200之间通过导线5连接。具体地，asic芯片200与基板11上的电路板之间通过导线5连接，导线层4通过电路板借助导线5实现与asic芯片200之间的电连接。

可选地，第二挡板22可以由非金属材质制成，例如高分子材料、玻璃纤维或者陶瓷等现有材料；第二挡板22也可以由现有的金属材质制成，在此不作限制。

当第二挡板22由非金属材质制成时，可以在第二挡板22的外表面上设置金属层，金属层的设置，能够起到屏蔽作用，以改善麦克风的抗辐射性能，降低对操作者的伤害。

实施例三

图7示出了实施例三，其中与实施例二相同或相应的零部件采用与实施例二相应的附图标记。为简便起见，仅描述实施例三与实施例二的区别点。区别之处在于，mems芯片100与导线层4之间通过焊点6连接，导线层4与asic芯片200之间通过焊点6连接。具体地，mems芯片100与asic芯片200焊接于基板11上的电路板，通过焊点6借助导线层4实现电连接，无需布设导线5，避免了第一挡板21和第二挡板22对打线的影响。

可选地，参见图8，第一挡板21和第二挡板22均与基板11之间固定连接，在将壳体12扣盖于基板11上连接时，第一挡板21和第二挡板22与壳体12之间具有间隙，能够防止壳体12与基板11焊接时产生爆壳现象。具体地，第一挡板21和第二挡板22与基板11之间可以采用粘接件3粘接。

实施例四

图9示出了实施例四，其中与实施例二相同或相应的零部件采用与实施例二相应的附图标记。为简便起见，仅描述实施例四与实施例二的区别点。区别之处在于，还包括第三挡板23，第三挡板23设置于第一挡板21与第二挡板22之间，第一挡板21、第二挡板22、第三挡板23与基板11围设于asic芯片200的外周。

第一挡板21、第二挡板22与第三挡板23配合，对asic芯片200的周边进行更全面的遮挡，能够更有效地阻挡自声孔13进入的光线，提高抗光噪能力和射频性能，使得麦克风信号稳定。

在本实施例中，第三挡板23平行于基板11，便于生产安装。当然，也可以根据实际需要设置第三挡板23相对于基板11倾斜，只要第一挡板21、第二挡板22与第三挡板23配合遮挡于asic芯片200的周边即可。

为了便于安装，可以设置第一挡板21和第二挡板22与壳体12固定连接，第三挡板23位于第一挡板21与第二挡板22之间且与壳体12贴合，在将壳体12与基板11之间连接时，由于第一挡板21和/或第二挡板22与基板11之间具有间隙，能够防止壳体12与基板11焊接时产生爆壳现象。

基板11内设置有导线层4，mems芯片100与导线层4之间通过导线5连接，导线层4与asic芯片200之间通过导线5连接。具体地，asic芯片200与基板11上的电路板之间通过导线5连接，导线层4通过电路板借助导线5实现与asic芯片200之间的电连接。

可选地，参见图10，mems芯片100与导线层4之间通过焊点6连接，导线层4与asic芯片200之间通过焊点6连接。具体地，mems芯片100与asic芯片200焊接于基板11上的电路板，通过焊点6借助导线层4实现电连接，无需布设导线5，避免了第一挡板21和第二挡板22对打线的影响。

以上实施方式只是阐述了本实用新型的基本原理和特性，本实用新型不受上述实施方式限制，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。