1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：
2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一振动组件的振动方向与所述第二振动组件的振动方向呈垂直设置；且/或，所述第一壳体和所述第二壳体呈垂直设置。
3.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述磁路系统包括：
4.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述第一磁路部分包括中心磁路部分和边磁路部分，所述边磁路部分设于所述中心磁路部分的外侧，并与所述中心磁路部分间隔以形成所述第一磁间隙；所述第二磁路部分与部分所述中心磁路部分和部分所述边磁路部分相对且间隔，以配合形成所述第二磁间隙。
5.根据权利要求4所述的发声装置，其特征在于，所述中心磁路部分包括相连接的中心磁路和第一共用磁路，所述边磁路部分包括边磁路和第二共用磁路，所述边磁路位于所述中心磁路的外侧，并间隔形成第一子间隙，所述第二共用磁路位于所述第一共用磁路背向所述中心磁路的一侧，并间隔形成第二子间隙，所述第一子间隙与所述第二子间隙连通，以形成所述第一磁间隙；所述第二磁路部分包括间隔设置的第一磁铁和第二磁铁，所述第一磁铁与所述第一共用磁路相对且间隔，以形成第三子间隙，所述第二磁铁与所述第二共用磁路相对且间隔，以形成第四子间隙，所述第三子间隙和所述第四子间隙连通，并形成所述第二磁间隙。
6.根据权利要求5所述的发声装置，其特征在于，所述第一共用磁路的厚度大于或等于所述中心磁路的厚度；且/或，所述第二共用磁路的厚度大于或等于所述边磁路的厚度；且/或，所述第一磁铁的厚度大于或等于所述中心磁路的厚度；且/或，所述第二磁铁的厚度大于或等于所述边磁路的厚度。
7.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述盆架包括依次连接的第一段、第二段及第三段，所述第一段和所述第三段分别与所述第二段呈夹角设置，并位于所述第二段的相对两侧，所述第一段和所述第三段与所述第一壳体平行，所述第二段与所述第二壳体平行；部分所述第一磁路部分设于所述第一段，所述第二磁路部分设于所述第三段，并与所述第二段连接。
8.根据权利要求7所述的发声装置，其特征在于，所述第一段设有第一泄气孔，所述发声装置还包括对应所述第一泄气孔设置的第一网布；且/或，所述第二段设有第二泄气孔，所述发声装置还包括对应所述第二泄气孔设置的第二网布。
9.根据权利要求3至8中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述第一振动组件包括：第一振膜，所述第一振膜连接于所述第一壳体，所述第一振膜设有导电层；和第一音圈，所述第一音圈的一端连接于所述第一振膜，所述第一音圈的另一端悬设于所述第一磁间隙内，所述第一音圈的引线与所述导电层电连接。
10.根据权利要求9所述的发声装置，其特征在于，所述外壳内设有第一导电嵌件，所述第一导电嵌件用于与外部电路电连接，所述导电层远离所述第一音圈的一端与所述第一导电嵌件电连接；且/或，所述第一振动组件还包括第一定心支片，所述第一定心支片的一端与所述外壳连接，所述第一定心支片的另一端与所述第一音圈远离所述第一振膜的一端连接；且/或，所述第一振动组件还包括第一球顶，所述第一球顶连接于所述第一振膜背向所述第一音圈的一侧；且/或，所述第一音圈为环形音圈。
11.根据权利要求3至8中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述第二振动组件包括：振膜组件，所述振膜组件连接于所述第二壳体；第二音圈，所述第二音圈设于所述第二磁间隙内；及连接杆，所述连接杆的一端与所述振膜组件连接，所述连接杆的另一端伸入所述第二磁间隙内，并与所述第二音圈连接。
12.根据权利要求11所述的发声装置，其特征在于，所述振膜组件包括：安装壳，所述安装壳连接于所述第二壳体；第二振膜，所述第二振膜设于所述安装壳，所述第二振膜与所述安装壳为一体成型结构；及第二球顶，所述第二球顶设于所述第二振膜面向所述连接杆的一侧。
13.根据权利要求12所述的发声装置，其特征在于，所述第二音圈为扁平音圈；且/或，所述连接杆包括两个，两个所述连接杆间隔设置；且/或，所述连接杆邻近所述第二振膜的一端弯折形成固定部，所述第二球顶对应所述固定部形成有限位槽，所述固定部容纳并限位于所述限位槽内；且/或，所述外壳内还设有第二导电嵌件，所述第二导电嵌件用于与外部电路电连接，所述连接杆邻近所述第二球顶弯折形成定位部，所述第二振动组件还包括第二定心支片，所述第二定心支片的一端连接于所述定位部，并与所述第二音圈的引线电连接，所述第二定心支片的另一端与所述第二导电嵌件电连接。
14.一种电子设备，其特征在于，包括设备壳体和如权利要求1至13中任一项所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。