用于制造电路基板的中间材以及使用其的电路基板的制造方法

专利名称：用于制造电路基板的中间材以及使用其的电路基板的制造方法
技术领域：
本发明涉及用于制造各种电子设备中使用的电路基板的中间材以及使 用该中间材的电路基板的制造方法。
背景技术：
近年来，伴随着电子设备的小型化和高密度化，正在开发能够搭载更 多的电路以及零件的可高密度安装的龟路基板。
图7A 图7F是表示现有电路基板501的制造方法的剖面图。 图7A是用于制造电路基板的中间材21的剖面图。中间材21具有半固 化片121;以及通过使用热辊等的叠层法被贴附到半固化片121的面 121A、 121B上的有机薄膜22。半固化片121由玻璃纤维织物和浸渍于该玻 璃纤维织物中的环氧树脂等热固性树脂组成，通过干燥等方法热固性树脂 处于B阶段状态。
接着，如图7B所示，通过激光等加工法在中间材21上形成贯通孔23 之后，将中间材21配置在多孔性片材上，经由该多孔性片材吸引中间材 21。在吸引中间材21时，通过印刷法等将导电膏24填充到贯通孔23中。 之后，将中间材21从多孔性片材剥离，如图7所示，得到贯通孔23中填 充有导电膏的中间材21。导电膏24是通过捏合导电粒子和热固化性树脂、 固化剂以及溶剂等得到的。
接着，如图7D所示，剥离有机薄膜22，得到导电膏24从面121A、 121B突出的半固化片121。在半固化片121的面121A、 121B上配置铜箔 25。
接着，将半固化片121和铜箔25夹在SUS等金属中间板中，通过热压 进行加热加压，从而中间材21热固化成为固化基板122。进而，如图7E所 示，导电膏24被压縮，成为与铜箔25电连接的导通孔导体124。
接着，通过光刻等方法将铜箔25加工成所期望的图案并作为电路布线 层26,得到图7F所示的电路基板501。根据需要，在电路布线层26和固化基板122上设置阻焊剂。或者，根据需要对电路布线层26进行电镀处理 等表面加工处理。
图8A 图8D是表示现有多层电路基板503的制造方法的剖面图。 图8A表示作为利用图7A 图7F所示的方法制造的电路基板501的核 心基板31。核心基板31具有与图7F所示的固化基板122、导通孔导体124 以及电路布线层26分别对应的固化基板132、导通孔导体133以及电路布 线层32。
如图8B所示，在核心基板31的两面上，将与图7D所示的半固化片 121和导电膏24分别相同的半固化片36和导电膏35对准位置，在半固化 片36上重叠铜箔34并热压。由此，半固化片36成为固化基板136，得到 如图8C所示的层叠固化物502。
进而，通过光刻等方法将铜箔34加工成所期望的图案并制成电路布线 层37，得到如图8D所示的多层电路基板503。根据需要，在电路布线层 37和固化基板136上设置阻焊齐i」。或者，根据需要，对电路布线层37进行 电镀处理等表面加工处理。
并且，通过将多层电路基板37作为核心基板并重复图8A 图8D所示 方法，能够得到多层化的电路基板。
图9A 图9C是表示图7C所示的填充了导电膏的中间材的制造工序的 剖面图。
与图7C所示半固化片121相同，如图9A所示，有机薄膜41被贴附在 半固化片43的面43A、 43B上，并形成贯通孔44。贴附了有机薄膜41的 半固化片43被多孔性片材45吸引，在贯通孔44内导电膏42被吸引，贯通 孔44被导电膏42填充。
之后，如图9B和图9C所示，多孔性片材45被剥离，有机薄膜41从 半固化片43被剥离。由此，导电膏42的部分42A、 42B从半固化片43的 面43A、 43B分别突出为相当于有机薄膜41的厚度。
为了高密度地搭载零件，零件的端子间变窄因此需要减小布线层的焊 盘直径。导通孔导体的直径随之变小。
通过高密度安装使电路布线层及导通孔导体精细化，并更加薄型化， 由此在通过上述制造方法制成的电路基板501、 503中，会产生导通孔导体 和电路布线层之间的连接电阻明显增加的情况。下面对该示例进行说明。图10A 图10C是表示填充有导电膏的另一个中间材153的制造工序
的剖面图。
与图9A所示半固化片43相同，如图IOA所示，有机薄膜51A、 51B 被分别贴附在半固化片53的面53A、 53B上，并形成贯通孔54。贴附了有 机薄膜51A、 51B的半固化片53被多孔性片材55吸引，在贯通孔54内导 电膏52被吸引，贯通孔54被导电膏52填充。
之后，如图10B所示，多孔性片材55被剥离。之后，如图10C所示， 有机薄膜51A、 51B从半固化片53被剥离。由此，导电膏52的部分52A 从半固化片53的面53A突出为相当于有机薄膜51A的厚度。但是，剥离有 机薄膜51B时，会产生导电膏52的部分56随着薄膜51B —同从导电膏52 分离的情况。此时，贯通孔54中填充的导电膏52的量变得比原本应填充 的导电膏52的量少。由此，电路基板中的导通孔导体和铜箔的连接电阻明 显增加，其间产生连接不良。
图11A 图11C是表示填充有导电膏的又一个中间材163的制造工序 的剖面图。
与图9A所示半固化片43相同，如图11A所示，在半固化片63的两面 上贴附有机薄膜61，并形成贯通孔64。贴附了有机薄膜61的半固化片63 被多孔性片材65吸引，在贯通孔64内导电膏62被吸引，贯通孔64被导电 膏62填充。
之后，如图11B所示，将中间材163从多孔性片材65剥离时，会产生 导电膏62的部分66从贯通孔64脱离的情况。此时，如图11C所示，贯通 孔64未被导电膏62填充，从而不能制成在电路基板中与铜箔连接的导通 孔导体。

发明内容
用于制造电路基板的中间材具备形成有贯通孔的半固化片；设置在 所述半固化片的一个面上且形成有与所述贯通孔连接的第一孔的第一薄 膜；设置在所述半固化片的另一面上且形成有与所述贯通孔连接的第二孔 的第二薄膜；以及填充所述贯通孔、所述第一孔和所述第二孔的导电膏。 半固化片的厚度t,、半固化片的贯通孔的最小直径rmin、第一薄膜的厚度 tfl、第一孔的直径rn、第二片材的厚度k以及第二孔的直径化满足<formula>formula see original document page 9</formula>的关系。
利用该中间材，得到精细化的导通孔导体与金属箔切实且稳定地连接 的电路基板。


图1是本发明实施方式的中间材的剖面图。
图2是实施方式的中间材的放大剖面图。
图3A是表示实施方式的电路基板的制造方法的剖面图。
图3B是表示实施方式的电路基板的制造方法的剖面图。
图3C是表示实施方式的电路基板的制造方法的剖面图。
图3D是表示实施方式的电路基板的制造方法的剖面图。
图3E是表示实施方式的电路基板的制造方法的剖面图。
图3F是表示实施方式的电路基板的制造方法的剖面图。
图3G是表示实施方式的电路基板的制造方法的剖面图。
图3H是表示实施方式的电路基板的制造方法的剖面图。
图4表示实施方式的电路基板样品的评价结果。
图5是形成实施方式的电路基板的温度分布和压力分布。
图6A是表示实施方式的多层电路基板的制造方法的剖面图。
图6B是表示实施方式的多层电路基板的制造方法的剖面图。
图6C是表示实施方式的多层电路基板的制造方法的剖面图。
图6D是表示实施方式的多层电路基板的制造方法的剖面图。
图7A是表示现有电路基板的制造方法的剖面图。
图7B是表示现有电路基板的制造方法的剖面图。
图7C是表示现有电路基板的制造方法的剖面图。
图7D是表示现有电路基板的制造方法的剖面图。
图7E是表示现有电路基板的制造方法的剖面图。
图7F是表示现有电路基板的制造方法的剖面图。
图8A是表示现有多层电路基板的制造方法的剖面图。
图8B是表示现有多层电路基板的制造方法的剖面图。
图8C是表示现有多层电路基板的制造方法的剖面图。
图8D是表示现有多层电路基板的制造方法的剖面图。图9A是表示现有电路基板的制造方法的剖面图。
图9B是表示现有电路基板的制造方法的剖面图。 图9C是表示现有电路基板的制造方法的剖面图。 图IOA是表示现有另一个电路基板的制造方法的剖面图。 图IOB是表示现有另一个电路基板的制造方法的剖面图。 图IOC是表示现有另一个电路基板的制造方法的剖面图。 图IIA是表示现有又一个电路基板的制造方法的剖面图。 图11B是表示现有又一个电路基板的制造方法的剖面图。 图IIC是表示现有又一个电路基板的制造方法的剖面图。
附图标记说明
11 半固化片
12A 有机薄膜(第一薄膜)
12B 有机薄膜(第二薄膜)
13 贯通孔
15 导电膏
112A 孔(第一孔)
112B 孔(第二孔)
125A 金属箔(第一金属箔)
125B 金属箔(第二金属箔)
211 增强材料
311 树脂
412A 脱模剂层(第一脱模剂层)
412B 脱模剂层(第二脱模剂层)
531 核心基板
701 金属中间板
1001 中间材
具体实施例方式
图1是用于制造本发明实施方式的电路基板的中间材1001的剖面图。 中间材1001具备半固化片11、以及被分别贴附在半固化片11的面IIA、IIB上的有机薄膜12A、 12B。半固化片ll上形成有贯穿面11A、 IIB之间 的贯通孔13。在有机薄膜12A、 12B的贯通孔13开口的部分上分别形成有 孔112A、 112B。 g卩，在中间材1001上形成有由贯通孔B和与贯通孔13 连接的孔112A、 ？L 112B构成的贯通孔1001A。贯通孔1001A中填充有导 电膏15。艮卩，导电膏15被填充到孔112A、 H2B和贯通孔13中。
有机薄膜12A、 12B分别具有厚度tfl、 te，孔112A、 112B分别具有直 径rn、 rG。半固化片11具有厚度tP贯通孔13具有最小直径rmin。中间材 1001的厚度t。表示如下。
t0=ti+tfl+tf2
实施方式中，rn/tf!以及化/tf2为3以上，且r函/to为1.5以下。满足该条 件的中间材1001中，能够防止产生如图IOC所示导电膏15的一部分与有 机薄膜12A、 12B—同被取下的现象及如图IIC所示导电膏15与多孔性片 材65—同脱离的现象。
优选有机薄膜12A、 12B的厚度tf!、 h为5pm以上30pm以下。如果 厚度tfl、 tf2小于5,，则有机薄膜12A、 12B从半固化片ll上被剥离时会 产生破裂的情况。如果厚度tfl、 h超过30拜，则如图10C所示，导电膏 15的一部分会被有机薄膜12A、 12B取下。
图2是中间材1001的放大剖面图。半固化片11由增强材料211和环氧 树脂等热固性树脂311构成，其中增强材料211由玻璃纤维织物构成，环 氧树脂等热固性树脂311浸渍于增强材料211中。通过千燥等方法，热固 性树脂311处于B阶段状态。有机薄膜12A具有由聚对苯二甲酸乙二酯、 聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂薄膜构成的芯材312A以及设置在芯材312A上 的脱模剂层412A。脱模剂层412A也可以由热固性树脂形成。利用脱模剂 层412A，有机薄膜12A能够容易地从半固化片11剥离。以脱模剂层412A 与半固化片11的面IIA相接的方式，在半固化片11的面IIA上设置有机 薄膜12A。同样，有机薄膜12B具有由聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸 乙二醇酯等树脂薄膜构成的芯材312B以及设置在芯材312B上的脱模剂层 412B。脱模剂层412B也可以由热固性树脂形成。利用脱模剂层412B，有 机薄膜12B能够容易地从半固化片11剥离。以脱模剂层412B与半固化片 11的面IIB相接的方式，在半固化片11的面IIB上设置有机薄膜12B。
优选半固化片11的热固性树脂311的软化温度比导电膏15开始固化的反应开始温度低。半固化片11加热成形时，在半固化片11软化的状态下 将贯通孔13内的导电膏15 —次性充分压縮后，导电膏15开始固化。从 而，导电膏15固化而得到的导通孔导体与电路布线层切实地电连接。
导电膏15由至少包括导电粒子和热固性树脂的混合物组成。优选该导
电粒子为金、铜、银、铟以及焊锡等金属，也可以是这些金属的合金。而 且，该导电粒子也可以是由被这些金属覆盖的球状物质组成的粒子。导电
膏15在常温下软化。而且，优选导电膏15的热固性树脂以液状环氧树脂 为主要成分，利用该材料能够以高生产率填充导电膏15，且能够切实地连 接导通孔导体和电路布线层。
以无机材料形成半固化片11的增强材料211时，优选增强材料211由 玻璃纤维织物或玻璃纤维无纺布，或者它们的复合材料构成，利用由该材 料构成的增强材料211得到性价比高的高刚度电路基板。
更优选的是半固化片11的热固性树脂311包括30 80phr的无机填 料。通过调整无机填料的含量，能够在半固化片11加热成形时有效地控制 热固性树脂311的流动特性，因此能够切实地将导电膏15构成的导通孔导 体与电路布线层连接。无机填料由二氧化硅、氢氧化铝、氮化铝以及氧化 铝等非导电性无机材料组成，优选具有直径在10pm以下的任意形状。
以有机材料形成半固化片11的增强材料211时，优选由聚亚胺和芳族 聚酰胺等有机薄膜、芳族聚酰胺织物、芳族聚酰胺无纺布的至少一个构 成，能够将电路基板用于高频电路且能够减轻重量。此时，以环氧树脂为 主要成分的半固化片11的热固性树脂311由于其性价比高，因此最为优 选，但是也可以以聚酰亚胺树脂、聚酯树脂以及氰酸酯树脂等其他树脂为 主要成分。
对中间材1001以及使用其的电路基板1004的制造方法进行说明。图 3A 图3H是表示中间材1001以及使用其的电路基板1004的制造方法的剖 面图。
在边长为250mm，厚度约为40pm的玻璃纤维织物中浸渍70wt。/。的包 含软化点为70°C、粒径为2 8拜的50phr的氢氧化铝的热固性环氧树脂， 并使其半固化，从而准备厚度为60|im的半固化片11。准备具有脱模剂 的、厚度为10 30pm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜12A、 12B。如 图3A所示，使用加温至约IO(TC的覆膜机，分别热压接由PET构成的有机薄膜12A、 12B使其以与脱模剂相接的方式贴附在半固化片11的面11A、 11B上，从而得到有机薄膜12A、 12B的面212A、 212B露出的中间材 1001。
接着，如图3B所示，在贴附了有机薄膜12A、 12B的半固化片11 上，通过二氧化碳激光形成贯穿面212A、 212B之间的贯通孔1001A。如 图1所示，贯通孔1001A由贯穿半固化片11的面IIA、 11B之间的贯通孔 13以及分别贯穿有机薄膜12A、 12B的贯通孔112A、 112B构成。贯通孔 112A、 112B的直径为50 180pm，贯通孔13的最小直径为40, 170pm。之后，如图3C所示，以面212B与片材155相接的方式，将中间 材1001配置在由纤维素等多孔性材料构成的多孔性片材155上，用真空泵 间隔多孔性片材155吸引中间材1001。
用真空泵吸引中间材1001,并且用刮板将导电膏15填充到贯通孔 IOOIA中之后，剥离多孔性片材155，从而如图3D所示，得到具有填充了 导电膏15的贯通孔IOOIA的中间材1001。
导电膏15含有不含溶剂的热固性环氧树脂和铜粉作为主要成分，还含 有酸酐类固化剂。使用三根辊充分捏合85重量％的铜粉、12.5重量％的热 固性环氧树脂以及2.5重量％的固化剂，制成导电膏15。导电膏15开始固 化的反应开始温度为120°C。
接着，将有机薄膜12A、 12B从中间材IOOI剥离，以使导电膏15从半 周化片11的面IIA、 IIB突出。之后，如图3E所示，在半固化片11的面 IIA、 11B上分别重叠厚度为14pm的铜箔等金属箔125A、 125B，制成图 3F所示的叠层体1002。实施方式中，金属箔125A具有128g/n^的质量厚 度。
将叠层体1002配置在约lmm厚的SUS304板上，并将它们设置在平板 上。之后，将叠层体1002放入真空热压机中，并由作为金属中间板的两个 SUS304板夹持，在半固化片11的热固性树脂311 (图2)固化的温度下加 热并压制，制成如图3G所示的电路基板1003。如果在加热加压时半固化 片11软化，则由于该加压，导电膏15收縮。电路基板1003具备半固化 片11固化而得到的固化基板161、分别设置在固化基板161的面161A、 161B上的金属箔125A、 125B以及导电膏15固化而得到的导通孔导体 162。导通孔导体162与金属箔125A、 125B连接，并被设置在贯穿固化基板161的面161A、 161B之间的贯通孔1161内。
图5是为了制作电路形成基板1002，加热加压叠层体中间材1002时的 温度分布Ql和压力分布PQ1。半固化片11的热固性树脂311的软化温度 比导电膏15开始固化的反应开始温度低。半固化片11为B阶段的半固化 状态，如果加热，则暂时软化后再固化。
首先，放入叠层体1002，将真空压制机的温度从温度Tll (5(TC)提 升到树脂311的软化温度T1 (70°C)，并保持规定期间P1，例如30分钟。 温度变为温度Tl时开始，向叠层体1002施加5MPa的压力。在期间Pl 内，树脂311软化，但导电膏15不固化，因此通过施加的压力能够有效地 压縮导电膏15。
使真空热压机的温度在温度Tl下保持期间Pl，之后，在期间P2内， 以5。C/min的升温速度使加热压制机的温度上升并保持为温度T2 U3(TC)。温度T2比导电膏15的反应开始温度高，比树脂311的固化温 度低，因此在期间P2内，导电膏固化但树脂311不固化。在期间P2内， 由于树脂311不固化，因此能够切实地成型半固化片11。并且，在期间P2 之前的期间Pl，半固化片11的树脂311在软化的状态下，导电膏15被充 分压縮后才开始固化。从而，导电膏15固化而得到的导通孔导体162中， 导电粒子的密度增加，因此导通孔导体162具有高导电性，且与金属箔 125A、 125B切实地电连接。
使真空热压机的温度保持在温度T2之后，在期间P3内，以5°C/min 的升温速度使加热压制机的温度上升并保持为温度T3 (200°C)。在温度T3 内树脂311固化，半固化片11成为固化基板161。
按照温度分布Ql使真空热压机的温度变化时，半固化片11的温度如 分布Q2所示变化。从期间Pl到期间P3，向叠层体1002施加5MPa的压 力，压接半固化片11和金属箔125A、 125B。
接着，如图3H所示，利用光刻法分别将电路基板1003的金属箔 125A、 125B图案化，形成电路布线层126A、 126B，从而得到电路基板 1004。
利用上述方法，制成样品1 7的七个种类的各十个电路形成基板1002 的样品，分割一个电路形成基板1002的样品，制成六个电路基板1003的 样品。电路基板1003的样品具有500个导通孔导体162。这些样品的导孔导体162的评价结果示于图4中。图4表示样品的半固化片11的厚度t,
和有机薄膜12A、 12B的厚度tf!、 tf2以及贯通孔112A、 112B的直径化、rG 和贯通孔13的最小直径rmin、以及一个导通孔导体162的金属箔125A、 125B之间的电阻。实施方式中，正常形成导通孔导体162的情况下，电阻 Rl为10mQ以下，因此该值作为判定金属箔125A、 126是否与导通孔导体 162正常连接的标准。图4表示以下所示的比率R1和比率R2。 <formula>formula see original document page 15</formula>样品1、 3 5、 7的电阻在10mQ以下，导通孔导体162正常形成并与 金属箔125A、 125B连接，但样品2、 6的电阻超过10mQ，则导通孔导体 126没有正常地与金属箔125A、 125B连接。
样品2的电阻为远远超过标准的10mQ的数百Q。样品2的半固化片 11的厚度t，和贯通孔13的最小直径rmin、以及贯通孔112A、 112B的直径 rfl、化与样品l相同，但有机薄膜12A、 12B的厚度tfl、 ^比样品1大。如 果研磨解析样品2的导通孔导体162的剖面，则判明导电膏15的填充量较 少。并且，导电膏附着在剥离后的有机薄膜12A、 12B的贯通孔112A、 112B上，能够确认图IOC所示的缺陷。因为样品2的比率R1不满3，所以 由于图10C所示的缺陷，导通孔导体126未与金属箔125A、 125B正常地 连接。
当相对于有机薄膜25A、 25B的孔125A、 125B的壁面的导电膏15的 剪切强度超过导电膏15的体积强度时，产生图IOC所示的缺陷。如果有机 薄膜25A、 25B的贯通孔125A、 125B的直径rn、 rf2与有机薄膜25A、 25B 的厚度tfl、 fe的比率Rl在3以上，则能够使相对于有机薄膜25A、 25B的 孔125A、 125B的壁面的导电膏15的剪切强度小于导电膏15的体积强度， 因此能够消除图IOC所示的缺陷。
样品6具有相当于导通孔导体126与金属箔125A、 125B完全断线时的 电阻。样品6与样品1、 2相同，其半固化片11的厚度t以及贯通孔 112A、 112B、 13的直径卬、rQ、 r她与样品7相同，但有机薄膜12A、 12B 的厚度tfl、 ^与样品7不同。合格品的样品7的有机薄膜的厚度tfl、 h比 样品6的大。如果解析样品6的导通孔导体126的剖面，则判明贯通孔 IOOIA未被导电膏15填充。与贯通孔IOOIA相同大小的导电膏15附着在用于将导电膏15填充到贯通孔1001A中的多孔性片材155 (图3C)上。根 据该结果，由于比率R2超过1.5，因此产生图IIB所示的缺陷，从而几乎 未形成导通孔导体126。
比率R1为3的样品3与比率R2为L5的样品5中未产生上述缺陷，电 阻在10mQ以下。
当导电膏15与多孔性片材155的粘结强度超过导电膏15的体积强度
时，产生图IIB所示的缺陷。如果贯通孔13的最小直径l"min与中间材1001
的厚度to的比率R2在1.5以下，则能够使导电膏15与多孔性片材155的粘 结强度小于导电膏15的体积强度，因此不产生图IIB所示的缺陷。
本实施方式中对半固化片11的厚度t,为60nm的电路基板进行了说 明，但半固化片ll的厚度"例如为80pm、 100pm、 120,也能够得到相同 结果。
也可以通过使用导电膏15的方法以外的通孔、锡球、填充镀等方法形 成导通孔导体162。当利用通孔形成导通孔导体162时，优选将树脂填充到 通孔的空洞中或者使用盖镀。
图6A 图6D是表示实施方式的多层电路基板1006的制造方法的剖面图。
图6A表示作为利用图3A 图3H所示方法制造的电路基板1004的核 心基板531。核心基板531具有与图3H所示的固化基板161、导通孔导体 162以及电路布线层126A、 126B分别对应的固化基板632、导通孔导体 633以及电路布线层532A、 532B。
如图6B所示，以导电膏535与电路布线层532A抵接的方式，将与图 3E所示的半固化片ll和导电膏15分别相同的半固化片536和导电膏535 对准位置，并在核心基板531的面531A上重叠。而且，以导电膏2535与 电路布线层532B抵接的方式，将与图3E所示的半固化片11和导电膏15 分别相同的半固化片2536和导电膏2535对准位置，并在核心基板531的 面531B上重叠。在半固化片536上重叠铜箔534，并在半固化片2536上重 叠铜箔2534，从而形成叠层体。将该叠层体夹在两个金属中间板701中进 行热压。由此，半固化片536、 2536分别成为固化基板636、 2636，且导电 膏535、 2535分别成为导通孔导体5535、 6535，得到图6C所示的层叠固 化物1005。优选金属中间板701的热膨胀系数(线膨胀系数)与核心基板531的 热膨胀系数(线膨胀系数)实质上相同，由此能够防止热压叠层体时，核
心基板531的破损。核心基板531的固化基板161由玻璃环氧树脂组成 时，SUS304或SUS301具有与玻璃环氧树脂实质上相同的热膨胀系数(线 膨胀系数)，因此，优选使用SUS304或SUS301作为金属中间板701。
并且，利用光刻等方法将铜箔534、 2534加工成所期望的图案，并制 成电路布线层537、 2537，从而得到图6D所示的多层电路基板1006。根据 需要，在电路布线层537、 2537和固化基板536、 2536上设置阻焊剂。或 者，根据需要，对电路布线层537、 2536施加电镀处理等表面精加工处 理。
并且，将多层电路基板1006作为核心基板，重复图6A 图6D所示的 方法，由此能够得到多层化的电路基板。
优选核心基板531的电路布线层532A、 532B的面5532A、 5532B为粗 糙面。为粗糙面的面5532A、 5532B可以使用表面粗糙化的箔作为金属箔 534、 2534，也可以利用CZ处理等化学研磨或喷砂法等物理研磨使金属箔 534、 2534的面粗糙化。导电膏535、 2535即导通孔导体5535、 6535与粗 糙化后的面5532A、 5532B抵接，由此金属箔534、 2534分别与导通孔导体 5535、 6535切实地连接。
如上所述，利用由实施方式的中间材1001中的导电膏15形成的导通 孔导体162，得到与电路布线层126A、 126B稳定且切实地连接的电路基板 1004。
并且，利用实施方式的电路基板1004，得到通过导通孔导体全层切实 连接的、适用于高密度安装的多层电路基板。 工业利用可能性
利用本发明的中间材，得到精细化的导通孔导体与金属箔切实且稳定 地连接的电路基板。
权利要求
1、 一种用于制造电路基板的中间材，其具备半固化片，其具有第一面和在所述第一面的相反侧的第二面，并具有 厚度tp且形成有贯穿所述第一面和所述第二面之间的具有最小直径r^的 贯通孔；第一薄膜，其设置在所述半固化片的所述第一面上，具有厚度tfl，且形成有与所述贯通孔连接的具有直径rfl的第一孔；第二薄膜，其设置在所述半固化片的所述第二面上，具有厚度tc，且 形成有与所述贯通孔连接的具有直径&的第二孔；以及，导电膏，其被填充到所述贯通孔、所述第一孔以及所述第二孔中，其中，满足下述条件rfi/tfi》3W(h+tfi+t。)《1.5。
2、 根据权利要求l所述的中间材，其中， 厚度tfi、 tf2在5[im以上30^n以下。
3、 根据权利要求l所述的中间材，其中， 所述半固化片包括增强材料；以及， 树脂，其浸渍于所述增强材料中， 所述半固化片的所述树脂的软化温度比所述导电膏的反应开始温度低。
4、 根据权利要求3所述的中间材，其中， 所述半固化片包括增强材料，其由有机薄膜、芳族聚酰胺织物以及芳族聚酰胺无纺 布中的至少一个构成；以及，树脂，其浸渍于所述增强材料中。
5、 根据权利要求l所述的中间材，其中，所述半固化片包括增强材料，其由玻璃纤维织物、玻璃纤维无纺布、以及玻璃纤维 织物和玻璃纤维无纺布的复合材料中的一个构成；以及， 树脂，其浸渍于所述增强材料中。
6、 根据权利要求5所述的中间材，其中， 所述半固化片的所述树脂包括30 80phr的无机填料。
7、 根据权利要求l所述的中间材，其中， 所述半固化片包括增强材料，其由有机薄膜、芳族聚酰胺织物以及芳族聚酰胺无纺 布中的至少一个构成；以及，树脂，其浸渍于所述增强材料中。
8、 根据权利要求l所述的中间材，其中， 所述第一薄膜由有机材料组成。
9、 根据权利要求8所述的中间材，其中， 所述第二薄膜由有机材料组成。
10、 一种电路基板的制造方法，其包括 制成中间材的步骤；所述中间材具备半固化片，其具有第一面和在所述第一面相反侧的第二面， 具有厚度tp且形成有贯穿所述第一面和所述第二面之间的具有最小直径rmin的贯通孔；第一薄膜，其设置在所述半固化片的所述第一面上，具有厚度tfl，且形成有与所述贯通孔连接的具有直径rfl的第一孔；第二薄膜，其设置在所述半固化片的所述第二面上，具有厚度fe，且形成有与所述贯通孔连接的具有直径化的第二孔；以 及，导电膏，其被填充到所述贯通孔、所述第一孔以及所述第二 孔中，并且，满足下述条件， rfl/tfl》3W(t'+tf!+tf2)《1.5，剥离所述第一薄膜和所述第二薄膜的步骤；在剥离所述第一薄膜和所述第二薄膜的步骤之后，将第一金属箔重叠 在所述半固化片的所述第一面上，形成叠层体的步骤；以及，使所述叠层体固化的步骤。
11、 根据权利要求io所述的电路基板的制造方法，其中，使所述叠层体固化的步骤包括在第一温度下加热所述叠层体的步骤；在所述第一温度下加热所述叠层体的步骤之后，在比所述第一加热温度高的第二温度下加热所述叠层体的步骤；以及，在所述第二温度下加热所述叠层体的步骤之后，在比所述第二温 度高的第三温度下加热所述叠层体的步骤。
12、 根据权利要求ll所述的电路基板的制造方法，其中， 所述半固化片包括树脂，所述第一温度为所述半固化片的所述树脂的软化点附近的温度。
13、 根据权利要求12所述的电路基板的制造方法，其中， 所述半固化片的所述树脂的所述软化温度比所述导电膏的反应开始温度低。
14、 根据权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中， 所述第一薄膜包括与所述半固化片的所述第一面相接的第一脱模剂层。
15、 根据权利要求14所述的电路基板的制造方法，其中，所述第一脱模剂层由热固性树脂组成。
16、 根据权利要求14所述的电路基板的制造方法，其中，所述第二薄膜包括与所述半固化片的所述第二面相接的第二脱模剂层。
17、 根据权利要求16所述的电路基板的制造方法，其中，所述第二脱模剂层由热固性树脂组成。
18、 根据权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，所述形成叠层体的步骤包括在剥离所述第一薄膜和所述第二薄膜的 步骤之后，将第二金属箔重叠在所述半固化片的所述第二面上的步骤。
19、 根据权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，所述形成叠层体的步骤包括在剥离所述第一薄膜和所述第二薄膜的 步骤之后，将核心基板重叠在所述半固化片的所述第二面上的步骤，所述使叠层体固化的步骤包括将所述叠层体夹在金属中间板中的步骤；以及， 将夹在所述金属中间板中的所述叠层体加热加压的步骤。
20、根据权利要求19所述的电路基板的制造方法，其中，所述金属中间板的热膨胀系数与所述核心基板的热膨胀系数实质相
全文摘要
用于制造电路基板的中间材具备形成有贯通孔的半固化片；设置在所述半固化片的一面上且形成有与所述贯通孔连接的第一孔的第一薄膜；设置在所述半固化片的另一面上且形成有与所述贯通孔连接的第二孔的第二薄膜；以及填充所述贯通孔、所述第一孔和所述第二孔的导电膏。半固化片的厚度t₁、半固化片的贯通孔的最小直径r_min、第一薄膜的厚度t_f1、第一孔的直径r_f1、第二片材的厚度t_f2以及第二孔的直径r_f2满足r_f1/t_f1≥3、r_f2/t_f2≥3、r_min/(t₁+t_f1+t_f2)≤1.5的关系。利用该中间材，得到精细化的导通孔导体与金属箔切实且稳定地连接的电路基板。
文档编号H05K3/46GK101313637SQ20068004359
公开日2008年11月26日 申请日期2006年12月6日 优先权日2005年12月12日
发明者川北嘉洋, 竹中敏昭 申请人:松下电器产业株式会社