电光装置及具备其的电子设备的制作方法

专利名称：电光装置及具备其的电子设备的制作方法
技术领域：
本发明，涉及例如液晶装置等的电光装置，及具备有该电光装置的例 如液晶投影机等的电子设备的技术领域。
背景技术：
这种电光装置， 一般基于从外部电路通过外部电路连接端子向图像信 号线所供给的图傳 f言号所驱动。例如，在液晶装置中，图傳_信号，对于布 线于基板上的图像显示区域的多条数据线，从图像信号线通过釆样电路所 供给。采样电路，设置于位于图像显示区域的周边的周边区域，包括M 条数据线所设置的多个采样开关。采样开关， 一般由单沟道型或互补型的
薄膜晶体管(TFT: Thin Film Transistor)所构成。在采样开关的源连接 图像信号线，在漏连接数据线，在栅连接供给采样信号的采样信号线。关 于如此的采样开关，例如在专利文献l中，公开了以下技术通过在各采 样开关间设置屏蔽电极，对连接于采样开关的漏区域的数据线与连接于相 邻于其的采样开关的源区域的图^象信号线之间进行静电屏蔽。专利文献1特开2002—49330号7>才艮
另一方面，因为如此的多个采样开关，M条数据线隔开间隙所设置， 所以存在有可能在相邻的采样开关间的间隙中产生漏光的技术性问题点。 因此，当图像显示时，在作为不出射光的区域所设定的周边区域中，有可 能显示沿相邻的采样开关间的间隙的条紋状的泛白区域。

发明内容
本发明，鉴于例如上述的问题点所作出，目的在于提供能够减少相邻 的釆样开关间的间隙中的漏光的产生，可以显示高质量的图像的电光装置 及具备有该电光装置的电子设备。
本发明的电光装置为了解决上述问题，在基板上，具备多个像素部； 布线于设置有该多个像素部的像素区域的多条扫描线及多条数据线；设置 于位于前述像素区域的周边的周边区域，供给图像信号的图像信号线；在 前述周边区域，包括具备半导体层并对应于前述多条数据线所排列的多个 晶体管的采样电路，该半导体层具有(i)电连接于前述图像信号线，连接 于沿前述数据线延伸的第1方向所布线的源布线的源区域，(ii)电连接于 前述数据线，连接于沿前述第1方向所布线的漏布线的漏区域，和(iii) 形成于前述源区域及前述漏区域间的沟道区域；和在与前述半导体层相比 处于上层侧，设置于前述多个晶体管之中相邻的晶体管间的间隙区域的至 少一部分，并至少部分性地重叠于前述相邻的晶体管具有的前述半导体层 的间隙遮光膜。
若依照于本发明的电光装置，则构成采样电路的作为采样开关的晶体 管的漏布线及源布线，沿lt据线延伸的方向，例如列方向或者Y方向所布 线。而且，多个晶体管，对应于多条数据线，例如排列于行方向或者X方 向。
当本发明的电光装置工作时，例如从数据线驱动电路对于多个晶体管 的栅供给采样信号。由图像信号线所供给的图像信号，通过多个晶体管相 应于采样信号分别被采样，对于多条数据线所供给。另一方面，例如从扫 描线驱动电路对于扫描线顺序地供给扫描信号。由此，在例如具备有像素 开关元件、像素电极、存储电容等的像素部，例如以像素为单位进行液晶 驱动等的电光工作。该结果为，可以进行像素区域中的图像显示。
在本发明中尤其是，在比半导体层靠上层侧，具备i殳置于多个晶体管 之中相邻的晶体管间的间隙区域的至少一部分的间隙遮光膜。间隙遮光膜， 例如由不透明的金属等的遮光性材料所形成。而且，间隙遮光膜，在M 上俯视地看，形成为典型性地覆盖相邻的二个晶体管间的间隙区域，至 少部分性地重叠于相邻的二个晶体管具有的半导体层。因而，能够减少或
者防止产生于相邻的晶体管间的间隙区域中的漏光。即能够减少或者防止 例如在从外部的光源入射于该电光装置的入射光中所包括的例如百分之十 几程度的倾斜的光或者由基板的内面反射产生的光、在复板式的投影机等 从其他的电光装置发出而穿过合成光学系统而来的光等的返回光通过该电 光装置内的其他的部位所反射而成的漫反射光、杂散光，通过相邻的晶体 管间的间隙区域而向该电光装置外所出射的漏光的产生。从而，能够基本 上或者完全消除由于如此的漏光，在周边区域中显示沿相邻的晶体管间 的间隙区域的例如条紋状的泛白区域等的显示上的不良状况的产生。该结 果为，能够显示高质量的图像。
进而，间隙遮光膜，能够作为减少或者防止例如配置于比晶体管靠 上层侧的布线或者各种电子元件与该晶体管之间或者相邻的晶体管间的电 磁干扰的电磁屏蔽膜而起作用。
如以上说明地，若依照于本发明的电光装置，则因为具备间隙遮光膜， 所以能够减少采样电路内的晶体管间的间隙区域中的漏光的产生，可以显 示高质量的图像。
在本发明的电光装置的一个方式中，前述源布线、前述漏布线及前述 间隙遮光膜，互相由同一膜所形成。
若依照于该方式，则因为例如与由布线电阻低、适合于布线的铝等的 金属膜等构成的源布线及漏布线利用同一膜，形成间隙遮光膜，所以可以 谋求基敗上的叠层结构及制造工序的简化。在此，本发明中的所谓"同一 膜"，并非是指在制造工序中的同一时机所成膜的膜，而是同一种类的膜。 本发明中的所谓"由同一膜所形成"，并不;l要求作为一片膜连续所形成 的意思，基本上，是只要为同一膜之中相互所分断的膜部分就可以的意思。
进而，对于相邻的漏布线间或者相邻的源布线及漏布线间的电i兹干扰， 通过与源布线及漏布线由同 一膜所形成而与这些布线"^殳置于同 一层的间隙 遮光膜，能够j吏之减少或者防止。即，间隙遮光膜，能够作为减少或者防
而起作用。因而，能够减少或者防止起因于相邻的漏布线间或者相邻的
源布线及漏布线间的电磁干扰，与漏布线电连接的数据线的电位发生变动， 由此而产生沿数据线的筋状的辉度不匀。
在本发明的电光装置的其他方式中，在比前述半导体层靠下层侧，具
有按每个前述半导体层分别与前述半导体层相重叠地，隔开前述间隙区 域所排列的多个下侧遮光膜。
若依照于该方式，则能够减少或者防止由M中的内面反射产生的 光、在复板式的投影机等从其他的电光装置发出而穿过合成光学系统而来 的光等的返回光，入射于构成采样电路的多个晶体管的情况。因而，能够 抑制或者防止例如在多个晶体管中产生由返回光引起的光泄漏电流，产 生晶体管中的工作不良。
进而，因为多个下侧遮光膜，隔开前述间隙区域所排列，所以能够抑 制或者防止假设在作为使多个下侧遮光膜连续起来的一片下侧遮光膜而 形成的情况下可能产生的、下侧遮光膜中的裂缝或者裂紋的产生。因而， 能够提高电光装置的可靠性。
另外，通过多个下侧遮光膜，能够减少或者防止从采样电路内的形成 有半导体层的区域出射漫反射光、杂散光。
在上述的具备多个下侧遮光膜的方式中，也可以构成为前述间隙遮 光膜，至少部分性地重叠于前述多个下侧遮光膜之中相邻的下侧遮光膜。
在该情况下，通过间隙遮光膜及下侧遮光膜，能够更可靠地减少或者 防止在周边区域中出射漫反射光、杂散光。
在上述的具备多个下侧遮光膜的方式中，也可以构成为前述多个晶 体管，分别具有与前述半导体层相比配置于上层侧并重叠于前述沟道区域 的栅电极；在前述间隙区域，具备由与前述栅电极及前述下侧遮光膜的至 少一方为同一膜所形成的屏蔽布线。
在该情况下，通过屏蔽布线，能够减少或者防止相邻的晶体管间的电 磁干扰。由此，能够降低或者防止分别电连接于相邻的晶体管的数据线的 电位发生变动。
在本发明的电光装置的其他方式中，前述间隙遮光膜，成为预定电位。
若依照于该方式，则因为对间隙遮光膜供给预定电位，所以能够防止 由于例如来自源布线、漏布线等的电磁干扰而使间隙遮光膜的电位变动。 因而，能够提高间隙遮光膜的作为电磁屏,的性能。即，能够减少由于 间隙遮光膜的电位发生变动，例如，通过间隙遮光膜产生相邻的二条漏布 线间的电磁干扰。在此，本发明中的所谓"预定电位"，是指与图像数据 的内容无关至少在每段预定期间固定的电位。例如，也可以如接地电位或
ground电位地，相对于时间轴为完全固定于一定电位的固定电位。或者， 也可以如共用电位或者对向电极电位地，例如在图像信号中的奇数场期间 固定为第1固定电位并在偶数场期间固定为第2固定电位地，相对于时间 轴为在每段一定期间固定于一定电位的固定电位。
在上述的间隙遮光膜成为预定电位的方式中，前述图傳4言号，电位以 预定周期相对于共用电位而以高位侧的正极性与低位侧的负极性所极性反 相；前述间隙遮光膜，作为前述预定电位为前述共用电位。
若依照于该方式，则即使在釆用了使供给于各像素部的图像信号的电
也能够使间隙遮光膜作为电磁屏皿可靠地起作用。即，因为间隙遮光膜， 为变成图像信号的极性反相的基准的共用电位，所以与假设间隙遮光膜为 与共用电位不相同的电位的情况相比较，能够减小该间隙遮光膜与例如漏 布线或者源布线之间的电位差。因而，能够减少或者防止该间隙遮光膜与 例如漏布线或者源布线之间的电磁干扰的发生。
还有，作为如此的反相驱动方式，能够采用1H反相驱动方式，或者 按每列进行反相的1S反相驱动方式，或按每个像素部使电位的极性进行反 相的点反相方式，其中1H反相驱动方式为如下方式在进行对应于例如l 帧或1场的图〗象信号的显示的期间，对排列于奇数行的l象素部以相对于共
电位为负极性的电位进行驱动，并在接下来进行对应于下一帧或下一场的 图像信号的显示的期间，相反地对排列于偶数行的像素部以正极性的电位 进行驱动并对排列于奇数行的像素部以负极性的电位进行驱动(即，对同
一行的像素部通过同 一极性的电位进行驱动，并使该电位极性M行以帧
或场为周期进行反相)。
本发明的电子设备为了解决上述问题，具备上述的本发明的电光装置。 若依照于本发明的电子设备，因为具备上述的本发明的电光装置，所
以能够实现可以进行高质量的显示的，投影型显示装置、便携电话机、电
子笔记本、文字处理器、取景器型或监视器直视型的磁带录傳水、工作站、
电视电话机、POS终端、触摸面板等的各种电子设备。并且，作为本发明
中的电子设备，例如还可以实现电子纸等的电泳装置等。
本发明的作用及其他的优点可从接下来进行说明的用于进行实施的最 佳的方式得到明确。


图l是表示第1实施方式中的液晶装置的整体构成的俯视图。
图2是图1的H—H，线剖面图。
图3是概要性地表示第1实施方式中的液晶装置的电构成的框图。 图4是对示于图3的采样电路及在其周边所设置的各种信号线的构成
进行放大而示的框图。
图5是表示相邻的二个采样用TFT及设置于该相邻的二个采样用TFT
间的间隙遮光膜的构成的俯视图。 图6是图5的A—A，线剖面图。 图7是第2实施方式中的与图6相同主旨的剖面图。 图8是第3实施方式中的与图6相同主旨的剖面图。 图9是表示作为应用了电光装置的电子设备的一例的投影机的构成的
俯视图。
符号说明
6a…数据线，6…图像信号线，7…采样电路，9a…像素电极，10…TFT 阵列基板，10a…图像显示区域，20…对向141， 11a…扫描线，21…对向 电极，23…遮光膜，50…液晶层，52…密封材料，53…框缘遮光膜，71… 采样用TFT， 71D…漏布线，71G…栅布线，71S…源布线，74…半导体层，
74C…沟道区域，74D…漏区域，74S…源区域，101…数据线驱动电路，102… 外部电路连接端子，104,.,扫描线驱动电路，106…上下导通端子，107…上 下导通材料，114…采样信号线，210…间隙遮光膜，210a、 210b、 210c、 210d…间隙遮光层，Dl…间隙区域
具体实施例方式
在以下，关于本发明的实施方式参照附图而进行i兌明。在以下的实施
方式中，以作为本发明的电光装置的一例的驱动电路内置型的TFT有源矩 阵驱动方式的液晶装置为例。
第1实施方式
关于第1实施方式中的液晶装置，参照图1 图6进行说明。
首先，关于本实施方式中的液晶装置的整体构成，参照图1及图2而 进行说明。在此图1，是表示本实施方式中的液晶装置的构成的俯视图； 图2，为图1的H—H，线剖面图。
在图1及图2中，在本实施方式中的液晶装置中，TFT阵列基tl 10 与对向基板20对向配置。在TFT阵列14110与对向141 20之间封入液 晶层50， TFT阵列^10与对向a20，在扩展到作为本发明中的"像 素区域，，的一例的图像显示区域10a的周边的周边区域之中，通过i殳置于 密封区域的密封材料52所互相粘接。
在图1中，并行于周边区域之中的配置有密封材料52的密封区域的内 侧，对图像显示区域10a的框缘区域进行限定的由遮光性金属膜构成的框 缘遮光膜53,设置于对向基板20侧。还有，在本实施方式中，周边区域， 是从TFT阵列基^L 10的中心看，作为比通过框缘遮光膜53所限定的框缘 区域靠外的区域所规定的，包括框缘区域的区域。也就是说，周边区域， 是除了 TFT阵列基敗10中的图像显示区域10a以外的区域，作为不射出 光的区域所设定。
在位于周边区域之中的配置有密封材料52的密封区域的外侧的区域， 沿TFT阵列基板10的一边设置数据线驱动电路101及外部电路连接端子 102。在比沿该一边的密封区域靠内侧，采样电路7由框缘遮光膜53所覆
盖地设置。扫描线驱动电路104，在沿相邻于该一边的2边的密封区域的 内侧，由框缘遮光膜53所覆盖地设置。并且，在TFT阵列基板10上，在 对向于对向14120的4个角部的区域，配置用于使两^L间以上下导通材 料107进行连接的上下导通端子106。由此，能够在TFT阵列基板10与 对向J41 20之间取得电导通。
在TFT阵列J4！ 10上，形成用于对外部电路连接端子102、与数据 线驱动电路101、扫描线驱动电路104、上下导通端子106等进行电连接的 引绕布线卯。
在图2中，在TFT阵列基tl 10上，形成制作有作为^f象素开关元件的 像素开关用的TFT、扫描线、数据线等的布线的叠层结构。在图像显示区 域10a,在像素开关用的TFT、扫描线、数据线等的布线的上层设置像素 电极9a。在〗象素电极9a上，形成取向膜。另一方面，在对向基仗20中的 与TFT阵列基敗10的对向面上，形成遮光膜23。然后，在遮光膜23上， 与多个像素电极9a相对向而形成由ITO (Indium Tin Oxide,氧化铟锡) 等的透明材料构成的对向电极21。在对向电极21上，形成取向膜。液晶 层50,例如由一种或混合了几种向列液晶的液晶构成，在这一对取向膜间， 取预定的取向状态。
还有，在本实施方式中，以相对于图像显示区域10a中的液晶层50 从对向Ul 20侧所入射的入射光，从TFT阵列14110侧作为显示光所出 射为前提。
还有，虽然在此未进行图示，但是在TFT阵列基板10上，除了数据 线驱动电路101、扫描线驱动电路104以外，也可以形成用于对制造过程 中、出厂时的该液晶装置的质量、缺陷等进行检查的检查电路、检查用图 形等。
接下来，关于本实施方式中的液晶装置的电构成，参照图3及图4而 进行说明。在此图3，是概要性地表示本实施方式中的液晶装置的电构成 的框图，图4，是对示于图3的采样电路及在其周边所设置的各种信号线 的构成进行放大而示的框图。
在图3中，在TFT阵列基板10上的图像显示区域10a，多条扫描线 11a及多条数据线6a互相交叉所布线，对应于这些交叉处，矩阵状地设置 对应于像素的像素部9。像素部9电连接于扫描线lla及数据线6a的各自。 像素部9，基本上，包括用于选择性地施加通过数据线6a所供给的图像信 号的^f象素开关用的TFT，和用于将所输入的图〗象信号施加于液晶层50 (参 照图2)并进行保持的、即与对向电极21 (参照图2) —起形成液晶保持 电容的像素电极9a (参照图2)所构成。还有，在《象素部9,为了防止由 液晶保持电容所保持的图像信号发生泄漏，也可以设置与该液晶保持电容 并联地附加的存储电容。
在图3中，在TFT阵列M 10上的周边区域,i殳置数据线驱动电路 101及采样电路7，以及扫描线驱动电路104。
对扫描线驱动电路104，例如从外部电路(图示省略)通过外部电路 连接端子102 (参照图1)，供给Y时钟信号CLY (及作为其反相信号的 反相Y时钟信号CLYinv) 、 Y起始脉冲DY。扫描线驱动电路104，若输 入Y起始脉冲DY，则以基于Y时钟信号CLY ;S^相Y时钟信号CLYinv 的定时顺序生成扫描信号而输出于扫描线lla。
对数据线驱动电路IOI，从外部电路通过外部电路连接端子102，供给 X时钟信号CLX (及作为其反相信号的反相X时钟信号XCLXinv) 、 X 起始脉沖DX。然后，数据线驱动电路IOI，若输入X起始脉冲DX，则以 基于X时钟信号CLX M相X时钟信号CLXinv的定时，顺序生成采样 信号S1.....Sn而输出于采样信号线114。
采样电路7，由为了对从图像信号线6被供给图像信号的数据线6a进 行选择而M条数据线6a设置的开关元件(即，采样开关)构成，其开关
工作，通过来自数据线驱动电路101的采样信号Sl.....Sn进行定时控
制地所构成。
对采样电路7,通过6条图像信号线6而供给通过外部电路串行-并行 变换成6相、即被相展开的图像信号VID1 VID6。 6条图像信号线6，分 别从外部电路连接端子102，迂回经过数据线驱动电路IOI的周围所引绕， 沿扫描线lla的排列方向(即，X方向)所布线。
还有，关于图像信号的相展开数(即，被串行一并行展开的图像信号
的系列数)，并不限于6相，例如能够为9相、12相、24相、48相、96
相…等。
如示于图4中地，采样电路7的开关元件，具体地作为采样用TFT71 所构成。还有，多个采样用TFT71，为本发明中的"多个晶体管"的一例。 并且，在图4中，为了简便，在包括于采样电路7中的多个采样用TFT71 之中，仅关于对应于属于第i数据线组的数据线6a的采样用TFT71代表 性地表示。在以下，关于对应于属于第i数据线组的数据线6a的采样用 TFT71而进行说明，关于其他的数据线组也同样地构成。
各采样用TFT71 (即，对应于属于第i数据线组的6条数据线6a的6 个采样用TFT71的各自)的源布线71S,电连接于6条图像信号线之中的 与之相对应的一条。
各采样用TFT71的漏布线71D，电连接于属于第i数据线组的6条数 据线6a之中的与之相对应的一条。
包括各采样用TFT71的栅电极的栅布线71G，与采样信号线114电连 接，被供给从数据线驱动电路101(参照图3)所输出的第i个采样信号Si。
因为如此地所构成，所以各采样用TFT71,相应于采样信号Si，按以 6条数据线6a为1组的数据线组(或块)的每组，供给图像信号VID1 VID6。 从而，因为对多条数据线6a按数据线组每组进行驱动，所以驱动频率得到 抑制。
还有，时钟信号CLX、 CLY等各种定时信号，例如由在未进行图示 的外部电路所形成的定时发生器所生成，通过外部电路连接端子102而供 给于TFT阵列基板10上的各电路。并且，在各驱动电路的驱动中需要的 电源等也例如从外部电路所供给。
再在图3中，在TFT阵列14110上的周边区域，例如从外部电i^ 给作为本发明中的"共用电位"的一例的对向电极电位LCC的对向电极 电位线605,从外部电路连接端子102到上下导通端子106所布线。由此， 对向电极电位LCC，通过上下导通端子106及上下导通材料107 (参照图 1)被供给于对向电极21。对向电极电位LCC，成为用于恰当地保持与像 素电极9a的电位差而形成液晶保持电容的对向电极21的基准电位。在本
实施方式中，采用1H反相驱动方式，图像信号VID1 VID6，电位以预定 周期相对于对向电极电位LCC以高位侧的正极性与低位侧的负极性被极 性反相。更具体地，图像信号VID1 VID6，在进行对应于一帧的显示的期 间，对排列于奇数行的像素部9供给相对于对向电极电位LCC为正极性 的电位并对排列于偶数行的像素部9供给相对于对向电极电位LCC为负 极性的电位地；且在接下来的进行对应于下一帧的显示的期间，相反对排 列于偶数行的像素部9供给正极性的电位并对排列于奇数行的像素部9供 给负极性的电位地；使电位被极性反相。即，图像信号VID1 VID6，对同 一行的像素部9以同一极性的电位供给并对相邻的行的像素部9以不相同 的极性的电位供给地，且对该电位极性按每行以帧为周期进行反相地，使 电位被极性反相。
在本实施方式中，与对向电极电位线605电连接的对向电极电位分支 布线606，沿扫描线lla的排列方向(即，X方向)所布线。
如示于图3及图4中地，在本实施方式中尤其是，在TFT阵列141 IO上的周边区域，设置间隙遮光膜210。间隙遮光膜210，设置于相邻的 采样用TFT71间的每个间隙。
间隙遮光膜210,沿数据线6a或者漏布线71D (即，沿Y方向)延伸 地所设置。间隙遮光膜210，电连接于被供给对向电极电位LCC的对向电 极电位分支布线606。
接下来，关于本实施方式中的采样用TFT及间隙遮光膜的具体的构 成，参照图5及图6而进行说明。在此图5，是表示相邻的二个釆样用TFT 及设置于该相邻的二个采样用TFT间的间隙遮光膜的构成的俯视图。图6， 是图5的A—A'线剖面图。还有，在图6中，为了使各层、各构件在附 图中为可以辨认的程度的大小，按该各层、各构件而使比例尺不同。
在图5及图6中，各采样用TFT71，在设置于TFT阵列14^10上的 基底绝缘膜12上所形成。采样用TFT71,具备半导体层74，源布线71S， 漏布线71D，栅布线71G及栅绝缘膜75。
半导体层74，具有通过来自栅布线71G的电场而形成沟道的沟道区 域74C、源区域74S和漏区域74D。
源布线71S,通过层间绝缘膜41及42在比半导体层74靠上层侧，例 如由铝等的金属膜所形成。源布线71S，通过贯通层间绝缘膜41及42所 开孔的接触孔8s连接于源区域74S。源布线71S，沿数据线6a延伸的方向 (即，Y方向)延伸地所形成。源布线71S,通过未图示的接触孔及中继 布线等，与图像信号线6电连接(参照图4)。
漏布线71D，与源布线71S由同一膜所形成，即通过层间绝缘膜41 及42在比半导体层74靠上层侧，例如由铝等的金属膜所形成。漏布线71D, 通过贯通层间绝缘膜41及42所开孔的接触孔8d连接于漏区域74D。漏布 线71D,沿数据线6a延伸的方向(即，Y方向)延伸地所形成。漏布线 71D，通过未图示的接触孔及中继布线等，与数据线6a电连接(参照图4)。
栅布线71G，通过栅绝缘膜75在比半导体层74靠上层侧，例如由导 电性多晶硅膜等所形成。栅布线71G，包括通过栅绝缘膜75与半导体层 74的沟道区域74相重叠的栅电极，并沿数据线6a延伸的方向(即，Y方 向)延伸地所形成。栅布线71G，通过未图示的接触孔及中继布线等，与 釆样信号线114电连接(参照图4 )。
在图5中，在本实施方式中尤其是，具备设置于相邻的二个采样用 TFT71间的间隙区域Dl的间隙遮光膜210。间隙遮光膜210，覆盖间隙区 域D1地，沿漏布线71D延伸的方向(即，Y方向)延伸地所形成。
如示于图5及图6中地，间隙遮光膜210，具有通过层间绝缘膜43 在比漏布线71D (及源布线71S)靠上层侧例如由铝等的金属膜所形成的 第l间隙遮光层210a，和由与漏布线71D为同一膜(即，例如铝等的金属 膜)所形成的第2间隙遮光层210b。即，间隙遮光膜210,作为由间隙遮 光层210a及210b构成的二重膜所形成。
还有，在间隙遮光层210a的上层侧，覆盖TFT阵列基板10的整面地， 形成层间绝缘膜44。
间隙遮光层210a及210b，在TFT阵列14110上俯视，互相重叠地 (更正确地是，间隙遮光层210a覆盖间隙遮光层210b地)，沿漏布线71D 延伸的方向延伸地所形成。间隙遮光层210a及210b的各自，都通过未图 示的接触孔及中继布线等，与对向电极电位分支布线606电连接(参照图
4)。还有，间隙遮光层210a及210b，也可以通过在层间绝缘膜43所开 孔的一个或多个接触孔，互相连接。
间隙遮光层210a，在TFT阵列基板10上俯视，覆盖相邻的二个采样 用TFT71间的间隙区域D1地，部分重叠于该二个釆样用TFT71分别具 有的半导体层74地所形成。因而，能够减少相邻的二个采样用TFT71间 的间隙区域D1中的漏光的发生。即，能够减少例如在从外部的光源入 射于该液晶装置的入射光中所包括的例如百分之十几程度的倾斜的光或者 由TFT阵列1^L 10中的内面反射产生的光、在复板式的投影机等从其他 的液晶装置发出而穿透合成光学系统而来的光等的返回光(图中，从下方 朝向上方的光)通过该液晶装置内的其他的部位(例如，参照图l及图2， 设置于上述的对向基板20侧的框缘遮光膜53等)所反射的漫反射光、杂 散光(图中，从上方朝向下方的光)，通过间隙区域D1而向该液晶装置 外出射的漏光的产生。从而，能够基本上消除由于如此的漏光，在周边 区域中显示沿间隙区域Dl的例如条紋状的泛白区域等的显示上的不良状 况的发生。该结果为，可以进行高质量的图像显示。
进而，在本实施方式中尤其是，间隙遮光膜210，如上述地，因为除 了间隙遮光层210a还具有间隙遮光层210b，所以能够更可靠地减少产生 于相邻的二个采样用TFT71间的间隙区域D1中的漏光。另外，间隙遮光 层210b，因为在相邻的二个采样用TFT71间的间隙区域D1，与漏布线71D 由同一膜所形成，所以能够降低相邻的二个采样用TFT71的各自的漏布线 71D间的寄生电容。即，能够作为减少或者防止相邻的二个采样用TFT71 的各自的漏布线71D间的电磁干扰的电磁屏蔽膜而起作用。
另外，在本实施方式中尤其是，因为对间隙遮光层210a及210b供给 对向电极电位LCC,所以能够防止间隙遮光层210a及210b的电位由于来 自漏布线71D(或者，栅布线71G、源布线71S)的电磁干扰而变动。因 而，能够减少由于间隙遮光层210a及210b的电位发生变动，通过间隙 遮光层210a或210b产生的相邻的二个采样用TFT71的各自的漏布线71D 间的电磁干扰。即，能够更进一步减少相邻的二个采样用TFT71的各自的
漏布线71D间的电磁干扰。该结果为，能够减少在显示于图像显示区域10a 的显示图像中，产生沿数据线的筋状的辉度不匀。
另外，因为对间隙遮光层210a及210b供给对向电极电位LCC，所以 即使在如本实施方式地采用了使图像信号VID1 VID6的电位的极性相对
也能够可靠地使间隙遮光层210a及210b作为电磁屏皿而起作用。即， 因为间隙遮光层210a及210b，为变成图像信号VID1 VID6的极性反相的 基准的对向电极电位LCC，所以与假设间隙遮光层210a及210b为与对向 电极电位LCC不相同的电位的情况相比较，能够减小间隙遮光层210a及 210b与漏布线71D或者源布线71S之间的电位差。因而，能够减少产生于 间隙遮光层210a及210b与漏布线71D或者源布线71S之间的电磁干扰。
在图6中，在本实施方式中尤其是，在比半导体层74靠下层侧，具备 多个下侧遮光膜410。下侧遮光膜410，例如由包括钬(Ti)、铬(Cr)、 鴒(W)、钽(Ta)、钼(Mo)等的高熔点金属之中的至少一种的金属 单质、合金、金属硅化物、聚硅化物(polysmcide)或它们的叠层体等的 遮光性导电材料所形成。多个下侧遮光膜410，在TFT阵列基板10上俯 视，分别与多个半导体层74相重叠地，具有与半导体层74基本同样的平 面形状地分别形成，隔开间隙区域D1所排列。因而，能够减少由TFT阵 列^ 10中的内面反射产生的光、在复板式的投影机等从其他的液晶装置 所发出而穿透合成光学系统而来的光等的返回光，入射于多个采样用 TFT71的各个。从而，例如能够抑制在采样用TFT71中由于返回光产生 光泄漏电流、产生采样用TFT71中的工作不良的情况。
进而，多个下侧遮光膜410，因为隔开间隙区域D 1所排列，所以能 够抑制假设在作为使多个下側遮光膜410连续起来的一片下侧遮光膜形 成的情况下可能产生的、下侧遮光膜410中的裂紋或者裂缝的产生。因而， 能够提高液晶装置的可靠性。
另外，通过多个下侧遮光膜410，能够减少从釆样电路7内的形成有 半导体层74的区域出射漫反射光、杂散光的情况。
在图6中，在本实施方式中尤其是，间隙遮光层210a，部分重叠于相 邻的二个下侧遮光膜410地所形成。因而，通过间隙遮光层210a及下侧遮 光膜410，能够更可靠地减少在周边区域中出射漫^Jt光、杂散光的情况。
如以上说明地，若依照于本实施方式中的液晶装置，则因为具备间隙 遮光膜210，所以能够减少采样电路7内的采样用TFT71间的间隙区域 Dl中的漏光的产生，可以显示高质量的图像。
第2实施方式
关于第2实施方式中的液晶装置，参照图7而进行说明。在此图7， 是第2实施方式中的与图6相同主旨的剖面图。还有，在图7中，对与示 于图1~图6中的第1实施方式中的构成要件同样的构成要件附加相同的参 照符号，且对它们的说明适当进行省略。
在图7中，第2实施方式中的液晶装置，在代替上述的第l实施方式 中的间隙遮光膜210而具备间隙遮光膜220之点，与上述的笫1实施方式 中的液晶装置不同，关于其他之点，与上述的第1实施方式中的液晶装置 基本相同地构成。
间隙遮光膜220，与上述的第1实施方式中的间隙遮光膜210同样地， 覆盖相邻的二个采样用TFT71间的间隙区域D1地，沿漏布线71D延伸的 方向延伸地形成。
间隙遮光膜220，具有间隙遮光层220a,间隙遮光层220b,间隙遮 光层220c和间隙遮光层220d。即，间隙遮光膜220，作为由这4个间隙遮 光层构成的四重膜所形成。还有，间隙遮光层220c和间隙遮光层220d ， 分别为本发明中的"屏蔽布线"的一例。
间隙遮光层220a及220b，分别与上述的第1实施方式中的间隙遮光 层210a及210b基本同样地构成。
间隙遮光层220c，由与栅布线71G为同一膜，即由例如导电性多晶硅 膜所形成。间隙遮光层220c，与间隙遮光层220b同样地，在间隙区域D1， 沿漏布线71D延伸的方向延伸地所形成。因而，通过间隙遮光层220c，能 够减少相邻的釆样用TFT71间的电磁干扰。进而，虽然在此并未图示，但
是间隙遮光层220c,通过贯通层间绝缘膜41及42所开孔的接触孔与间隙 遮光层220b电连接，并通过开孔于基底绝缘膜12的接触孔与间隙遮光层 220d电连接。即，间隙遮光层220c，作为电中继连接间隙遮光层220b与 间隙遮光层220d之间的中继层而起作用。因而，能够更可靠地减少相邻的 采样用TFT71间的电磁干扰。
间隙遮光层220d，由与下侧遮光膜410为同一膜，即由例如包括钬、 铬、钨、钽、钼等的高熔点金属之中的至少一种的金属单质、合金、金属 硅化物、聚硅化物或它们的叠层体等的遮光性导电材料所形成。间隙遮光 层220d，与间隙遮光层220c同样地，在间隙区域Dl,沿漏布线71D延伸 的方向延伸地所形成。因而，通过间隙遮光层220d，能够更进一步可靠地 减少相邻的采样用TFT71间的电磁干扰。进而，通过间隙遮光层220d, 能够减少由TFT阵列^ 10中的内面反射产生的光、在复板式的投影机 等从其他的液晶装置所发出而穿透合成光学系统而来的光等的返回光，入 射于多个采样用TFT71的各个。另外，通过间隙遮光层220d，能够更进 一步可靠地减少采样用TFT71间的间隙区域D1中的漏光的产生。
第3实施方式
关于第3实施方式中的液晶装置，参照图8而进行+兌明。在此图8, 是第3实施方式中的与图6相同主旨的剖面图。还有，在图8中，对与示 于图1 图6中的第1实施方式及示于图7中的第2实施方式中的构成要件 同样的构成要件附加相同的参照符号，且对它们的说明适当进行省略。
在图8中，第3实施方式中的液晶装置，在代替上述的第2实施方式 中的间隙遮光膜220而具备间隙遮光膜230之点，与上述的第2实施方式 中的液晶装置不同，关于其他之点，与上述的第2实施方式中的液晶装置 基本相同地构成。
间隙遮光膜230,与上述的第1或第2实施方式中的间隙遮光膜210 或220同样地，覆盖相邻的二个采样用TFT71间的间隙区域D1地，沿漏 布线71D延伸的方向延伸地所形成。
间隙遮光膜230，具有间隙遮光层230b，间隙遮光层230c和间隙遮
光层230d。即，间隙遮光膜230,作为由这3个间隙遮光层构成的三重膜 所形成。
间隙遮光层230c及230d，分别与上述的第2实施方式中的间隙遮光 层220c及220d基本同才羊地所构成。
间隙遮光层230b，与上述的第1实施方式中的间隙遮光层210b同样 地，由与漏布线71D (及源布线71S)为同一膜，即例如由铝等的金属膜 所形成。间隙遮光层230b，与上述的第1实施方式中的间隙遮光层210a 同样地，在TFT阵列基板10上俯视，覆盖相邻的二个采样用TFT71间的 间隙区域Dl地，部分重叠于该二个采样用TFT71分别具有的半导体层74 地所形成。因而，能够可靠地减少产生于相邻的二个采样用TFT71间的间 隙区域D1中的漏光。
还有，如此地，间隙遮光层230b,形成为可以形成为部分重叠于相 邻的釆样用TFT71分别具有的半导体层74，采样用TFT71的各自的漏布 线71D及源布线71S,与第1实施方式相比较，形成为具有窄的布线宽度。
间隙遮光层230b,通过未图示的接触孔及中继布线等，与对向电极电 位分支布线606电连接，对间隙遮光层230b，供给对向电极电位LCC。 因而，能够防止间隙遮光层230b的电位由于来自漏布线71D(或者，栅布 线71G、源布线71S)的电磁干扰而发生变动。从而，能够减少由于间 隙遮光层230b的电位变动，通过间隙遮光层230b产生相邻的采样用 TFT71的各自的漏布线71D间的电磁干扰。换句话说，则间隙遮光层230b， 能够可靠地作为减少相邻的采样用TFT71的各自的漏布线71D间的电磁 干扰的电磁屏蔽膜而起作用。
电子设备
接下来，关于将上述的各实施方式中的液晶装置应用于各种电子i殳备 中的情况而进行^说明。在此，关于将各实施方式中的液晶装置用作光阀的 投影机而进行说明。在此图9，是表示投影机的构成例的俯视图。
如示于图9中地，在投影机1100内部，设置由卣素灯等的白色光源构 成的灯单元1102。从该灯单元1102所射出来的投影光，通过配置于光导
向构件1104内的4片镜体1106及2片分色镜1108而分离为RGB的3原 色，入射于作为对应于各原色的光阀的液晶面板1110R、 1110B及1110G。 液晶面板1110R、 1110B及1110G的构成，与上述的液晶装置相同， 由从图像信号处理电路所供给的R、 G、 B的原色信号所分别驱动。然后， 通过这些液晶面板所调制过的光，从3个方向入射于分色棱镜1112。在该 分色棱镜1112中，R及B的光90度地进行弯曲，另一方面G的光则直线 前进。从而，合成各色的图像的结果，通过投影透镜1114,在屏幕等投影 彩色图像。
在此，若着眼于由各液晶面板1110R、 1110B及1110G产生的显示像， 则由液晶面板1110G产生的显示像，需要相对于由液晶面板1110R、1110B 产生的显示像进行左右翻转。
还有，因为在液晶面板1110R、 1110B及1110G，通过分色镜1108， 对应于R、 G、 B的各原色的光进行入射，所以不必设置滤色器。
还有，除了参照图9而进行了说明的电子设备之外，还可举出便携型 的个人计算机，便携电话机，液晶电视机，取景器型、监视器直视型的磁 带录像机，汽车导航装置，寻呼机，电子笔记本，电子计算器，文字处理 器，工作站，电视电话机，POS终端，具备有触摸面板的装置等。而且， 不用说当然也可以应用于这些各种电子设备中。
本发明，并不限于上述的实施方式，在不违反从技术方案及说明书整 体所读取的发明的主旨或者思想的范围内可以适当改变，伴随如此的改变 的电光装置及具备该电光装置的电子设备也包括在本发明的技术范围内。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，在基板上，具有多个像素部；布线于设置有该多个像素部的像素区域的多条扫描线及多条数据线；设置于位于前述像素区域的周边的周边区域，供给图像信号的图像信号线；采样电路，其在前述周边区域，包括具备半导体层并对应于前述多条数据线所排列的多个晶体管，该半导体层具有(i)电连接于前述图像信号线，连接于沿前述数据线延伸的第1方向布线的源布线的源区域，(ii)电连接于前述数据线，连接于沿前述第1方向布线的漏布线的漏区域，和(iii)形成于前述源区域及前述漏区域间的沟道区域；和间隙遮光膜，其与前述半导体层相比位于上层侧，设置于前述多个晶体管之中相邻的晶体管间的间隙区域的至少一部分，并至少部分地重叠于前述相邻的晶体管所具有的前述半导体层。
2. 按照权利要求l所述的电光装置，其特征在于 前述源布线、前述漏布线及前述间隙遮光膜，互相由同一膜形成。
3. 按照权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于 在与前述半导体层相比位于下层侧，具备多个下侧遮光膜，该下侧遮光膜按前述半导体层每个分别与前述半导体层相重叠地，隔开前述间隙区 域排列。
4. 按照权利要求3所述的电光装置，其特征在于 前述间隙遮光膜，至少部分地重叠于前述多个下侧遮光膜之中的相邻的下侧遮光膜。
5. 按照权利要求3或4所迷的电光装置，其特征在于 前述多个晶体管，分别具有与前述半导体层相比配置于上层侧并重叠于前述沟道区域的栅电极；在前述间隙区域，具备由与前述栅电极及前述下侧遮光膜的至少一方为同一膜所形成的屏蔽布线。
6. 按照权利要求1 5中的任何一项所述的电光装置，其特征在于 前述间隙遮光膜，为预定电位。
7. 按照权利要求6所述的电光装置，其特征在于 前述图像信号，电位以预定周期相对于共用电位以高位侧的正极性与低位侧的负极性净皮极性反相；前述间隙遮光膜，作为前述预定电位为前述共用电位。
8. —种电子i殳备，其特征在于 具备权利要求1 7中的任何一项所述的电光装置。
全文摘要
本发明提供电光装置及具备其的电子设备，减少相邻的采样开关间的间隙中的漏光的产生。电光装置，在像素区域(10a)的周边的周边区域，具备包括多个晶体管(71)的采样电路(7)，晶体管(71)具备具有连接于沿数据线(6a)延伸的第1方向的源布线(71S)的源区域(74S)、连接于沿第1方向的漏布线(71D)的漏区域(74D)、和沟道区域(74C)的半导体层(74)，并对应于多条数据线所排列。而且，在比半导体层(74)靠上层侧，具备设置于相邻的晶体管间的间隙区域(D1)的至少一部分、并至少部分地重叠于该相邻的晶体管所具有的半导体层的间隙遮光膜(210)。
文档编号H05B33/12GK101193481SQ20071019463
公开日2008年6月4日 申请日期2007年11月27日 优先权日2006年11月27日
发明者吉井荣仁 申请人:精工爱普生株式会社