专利名称：光源装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光源装置，且尤其涉及一种有机发光二极管光源装置。
背景技术：
在有机发光二极管(OLED)作为光源装置或液晶显示面板(LCD)的背光的应用状 况中，当一个大的发光面积有分区显示的需求时，往往要将发光区域分隔成数个子区，每个 子区分别拉出一条信号线至驱动电路或驱动电路板，如此才有办法达到分别控制各区亮暗 的目的。然而，金属信号线属于不透光材质，会影响整体的透光面积，而导致发光装置的开 口率降低。请参照图12，绘示现有的一种有机发光二极管的光源装置50，光源装置的发光 区52分割成多个子发光区52a，每个子发光区5 分别拉出一条信号线M至边缘的驱动电 路56。当发光区52分割的子发光区5 越多，所需的信号线M也越多。当众多的信号线 M遮蔽不少透光面积时，整体发光装置的开口率当然也就随的降低。现有解决上述问题的方式是缩减金属信号线的线宽以增加发光面积。然而，一味 缩小金属信号线的线宽只会造成信号线的阻抗加大，金属信号线的负载会增加，连带也会 提高整体的功率消耗，并无法真正的解决问题。因此，有机发光二极管光源装置需要更创新 的设计以克服上述的问题。
发明内容
本发明的一目的是在提供一种光源装置，借以解决上述现有技术中所提及的问题。根据上述的目的，本发明的一实施例中，提出一种光源装置，其包含一透光基板。 透光基板具有一发光区与一外围区，其中外围区位于透光基板的一边缘，而发光区具有多 个子发光区。多条第一金属线，设置于透光基板上，其一端分别与各子发光区连接，而另一 端则与外围区连接。其中，各子发光区具有一绝缘层、一第二金属线以及一有机发光二极管 层，而第二金属线设置于透光基板与有机发光二极管层之间，绝缘层设置于该些第一金属 在线与该些第二金属线之间，且每一第一金属线均与第二金属线在垂直投影方向重迭，此 外，该些第一金属线其中之一通过另一子发光区。在本发明另一实施例中，光源装置更包含一驱动电路组件设置于外围区上。在本发明另一实施例中，光源装置更包含一驱动电路元件，驱动电路元件电性连 接至外围区内的该些第一金属线。在本发明另一实施例中，连接至距离外围区较远的子发光区的第一金属线的数量 多于连接至距离外围区较近的子发光区的第一金属线的数量。在本发明另一实施例中，第一金属线与第二金属线为不透光金属线。在本发明另一实施例中，第一金属线与第二金属线彼此线宽相等。在本发明另一实施例中，第一金属线与第二金属线的线宽差距小于20%。
在本发明另一实施例中，第一金属线彼此间距相同且彼此平行。在本发明另一实施例中，第一金属线彼此之间的线宽差距小于20%。在本发明另一实施例中，第一金属线彼此之间的线宽差距小于20%。在本发明另一实施例中，绝缘层包含一通孔，供第二金属线穿过通孔连接至对应 的第一金属线。在本发明另一实施例中，光源装置更包含一阳极透光导电层，其中该阳极透光导 电层位于该第二金属线上方，使该阳极透光导电层位于该有机发光二极管层与该第二金属 线之间。在本发明另一实施例中，绝缘层包含一通孔，供第一金属线穿过通孔连接至阳极 透光导电层。在本发明另一实施例中，每一子发光区内的该第二金属线与另一子发光区内的该 第二金属线不互相连接。在本发明另一实施例中，每一子发光区的面积与形状均相同。在本发明另一实施例中，第二金属线以格子状或栅栏状设置于每一子发光区。在本发明另一实施例中，光源装置更包含一阴极不透光导电层，而阴极不透光导 电层位于有机发光二极管层上方。在本发明另一实施例中，该些第一金属线其中之一会与另一子发光区的第二金属 线在垂直投影方向重迭。由上述可知，应用本发明的有机发光二极管光源装置，借其第一金属线与第二金 属线重迭的设计，能有效增加光源装置的开口率或发光面积(相对于现有的有机发光二极 管光源装置而言)。此外，“连接至距离驱动电路元件较远的子发光区的信号线(即第一金 属线)的数量”大于“连接至距离驱动电路元件区较近的子发光区的信号线(即第一金属 线)的数量”的设计平均每一子发光区的信号线的功耗，使得光源装置能够更均勻的发光。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
图1绘示依照本发明一实施例的一种有机发光二极管光源装置的平面示意。图IA绘示依照本发明一实施例的有机发光二极管光源装置的部份示意图及其放 大图。图IB绘示依照本发明另一实施例的有机发光二极管光源装置的部份示意图及其 放大图。图2绘示依照本发明一实施例沿图IA的剖面线A-A’的剖面图。图3绘示依照本发明另一实施例沿图IB的剖面线A-A’的剖面图。图4绘示依照本发明一实施例沿图IA的剖面线B-B’的剖面图。图5绘示依照本发明另一实施例沿图IB的剖面线B-B’的剖面图。图6绘示依照本发明一实施例沿图IA的剖面线C-C’的剖面图。图7绘示依照本发明另一实施例沿图IB的剖面线C-C’的剖面图。图8绘示依照本发明一实施例沿图IA的剖面线D-D’的剖面图。图9绘示依照本发明另一实施例沿图IB的剖面线D-D’的剖面图。
图10绘示依照本发明一实施例沿图IA的剖面线E-E’的剖面图。
图11绘示依照本发明另一实施例沿图IB的剖面线E-E’的剖面图
图12绘示绘示现有的一种有机发光二极管的光源装置。
其中，附图标记
50 光源装置108a 第二金属线
52 发光区108b 第二金属线
52a:子发光区109a 绝缘层
54 信号线109b 绝缘层
56 驱动电路110 第一金属线
100 光源装置IlOa 第一金属线
101 透光基板IlOb 第一金属线
102 发光区112a:阳极透光导电层
102a:子发光区112b:阳极透光导电层
103 连接区114 绝缘层
103a 通孔116 有机发光二极管层
103b 通孔118:阴极不透光导电层
104 外围区
106a 驱动电路元件
106b 驱动电路元件
具体实施例方式请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的一种有机发光二极管光源装置的平面 示意。有机发光二极管光源装置100的发光区102包含多个子发光区102a，在本发明的实施 例中，每个子发光区10 的形状与面积可以是大致相同或完全相同，但不以此为限。每一 个子发光区10 均具有其第一金属线110(在本实施例中第一金属线110为信号线)连接 至一驱动电路元件106a，可通过驱动电路元件106a与第一金属线110来传递信号，以达到 分别控制各区亮暗的目的。换言之，第一金属线110其一端分别与各子发光区连接10 (请 同时参照图1A、图IB的连接区103)，而另一端则与外围区104连接。然，在本实施例中仅以驱动电路元件106设置于透光基板101上来说明，驱动电路 元件106a位于透光基板的边缘的周边区104上，但不以此为限。在其它实施例中(参照图 IA或图1B)，驱动电路元件106b可不位于透光基板上(例如图1的透光基板101)，而位于 另一片印刷电路板上。此时，所有发光区102的第一金属线110会连接至周边区104，再连 接至驱动电路元件10 。请同时参照图IA与图1B，图IA绘示依照本发明一实施例的有机发光二极管光源 装置的部份示意图及其放大图，图IB绘示依照本发明另一实施例的有机发光二极管光源 装置的部份示意图及其放大图。需注意的是图IA与图IB从透光基板101 —侧的观点所绘 示的图式，本实施例仅以从透光基板101往内部结构观察的上视图来说明。在图IA的实施例中，用以驱动子发光区10 的第一金属线IlOa与在同一子发光 区10 的第二金属线108a重迭，且第一金属线IlOa位于第二金属线108a的垂直投影的下方(请同时参照图2)，进而增加开口率或发光面积，也与下方的另一子发光区10 的第 二金属线108a重迭。在图IB的实施例中，用以驱动子发光区10 的第一金属线IlOb与在同一子发光 区10 的第二金属线108b重迭，且第二金属线108b位于第一金属线IlOb的投影的下方 (请同时参照图3)，进而增加开口率或发光面积，也与下方的另一子发光区10 的第二金 属线108b重迭。为了增加每一子发光区10 的开口率或发光面积，第二金属线(108a、108b)与第 一金属线(IlOaUlOb)会有“重迭”的设计。在本实施例中所提及的“重迭”并不需要第二 金属线(108a、108b)直接接触第一金属线(IlOaUlOb)，两金属线之间可以有其它中间层 存在，因此，本实施例的“重迭”是指在垂直投影上有重迭的部份。如图1A、1B所示的放大图中，第二金属线(108a、108b)是设置于每一子发光区 102a内的格子状或栅栏状的金属网格线，其功用是均勻化每一子发光区10 的阻抗、电 流，使得每一子发光区10 能均勻发光。由于第二金属线(108a、108b)属于不透光的材质， 原本就会减少开口率或发光面积，因此让第一金属线(IlOaUlOb)与第二金属线(108a、 108b)重迭，以减少第一金属线(IlOaUlOb)占用更多的发光面积或是额外的透明基板(如 图1的透光基板101)面积，借以增加开口率或发光面积。更进一步说明，在本实施例的图 IA与图IB的放大图标中，用以驱动上方的子发光区10 的第一金属线(IlOaUlOb)不但 与在同一子发光区10 的第二金属线(108a、108b)重迭，而第一金属线(IlOaUlOb)也会 通过另一子发光区102a，且与另一子发光区10 的第二金属线(108a、108b)重迭，进而增 加开口率或发光面积。在本实施例中，每一第一金属线(IlOaUlOb)的线宽最佳为相同，但不以此为限， 可能受到工艺或其它因素影响下而会使每一第一金属线(IlOaUlOb)的线宽具有差距，然 在本实施例中，每一第一金属线(IlOaUlOb)彼此之间的线宽差距小于20%，为在本实施 例设计下可接受的范围。由于因为每一子发光区10 距离周边区104或驱动电路元件(106a、l(^b)的 远近不一，若连接较远的子发光区10 的第一金属线(IlOaUlOb)与连接较近的子发光 区10 的第一金属线(IlOaUlOb)使用相同的线宽(或相同的截面积)，将因为距离周边 区104较远的子发光区10 的的第一金属线(IlOaUlOb)长度大于距离较近的子发光区 10 的信号线，而导致由于长度不同的信号线造成不同阻抗的问题，进而影响从驱动电路 元件(106a、106b)(或周边区104)传递到每一子发光区10 的控制电流不同，使得每一子 发光区10 的发光均勻度受到影响。然，在本实施例中，为了使每一子发光区10 能够 具有均勻的发光特性，距离驱动电路元件(106a、106b)较远的子发光区10 的第一金属 线(IlOaUlOb)(即前述的信号线)数量多于连接至距离驱动电路元件106较近的子发光 区10 的第一金属线110数量，借以让连接于各每一子发光区10 的第一金属线(110a、 110b)会具有相同的阻抗值总合大致相同。换言之，通过每一子发光区10 至驱动电路元 件(106a、106b)的距离，来调控所需第一金属线(IlOaUlOb)的并联条数，其中每一并联的 第一金属线(IlOaUlOb)具有相同的宽度与截面积。举例而言，如图1所示，距离周边区104较近的子发光区10 具有1条并联的第 一金属线110，而距离周边区104较远的子发光区10 则具有四条并联的第一金属线110，通过并联数量来使每一子发光区10 的信号线有相同阻抗，以达到发光均勻的特性。因为每一条第一金属线(IlOaUlOb)均与第二金属线(108a、108b)重迭(参照图 1A、图IB所示的放大图中)，即使第一金属线(IlOaUlOb)的数量再多，也不至于减少的开 口率或发光面积，换言之，第一金属线(IlOaUlOb)不会完全覆盖在可发光面积，会有全部 或是大部份面积都与第二金属线(108a、108b)重迭，借以降低第一金属线(IlOaUlOb)对 于开口率或发光面积的影响，同时第一金属线(IlOaUlOb)也不需要设置在透明基板上额 外的区域，也可增加透明基板上可运用的面积，进而增加透明基板上可用来当作发光作用 的面积，以增加子发光区10 的数量或每一子发光区10 的面积。在第1A、1B图的实施例中，多条第一金属线(IlOaUlOb)彼此间距相同且彼此 平行，且第一金属线(IlOaUlOb)彼此之间的线宽需尽量相同，但不以此为限，当受到工 艺、金属线布局或其它因素影响时，第一金属线(IlOaUlOb)彼此之间的线宽的差距小于 20%，在此范围内所影响的发光均勻度为本实施例所可接受的范围，但可依不同设计需求 而定。以下将借此平面示意图于不同区域的剖面来说明有机发光二极管光源装置的结 构。请参照图2，其绘示依照本发明一实施例沿图IA的剖面线A-A’的剖面图。有机发 光二极管光源装置以一透光基板101(例如玻璃基板)为基础依续设置于第一金属线110a、 绝缘层109a、第二金属线108a、阳极透光导电层112a、绝缘层114、有机发光二极管层116 以及阴极不透光导电层118。由此图可知，第二金属线108a设置于透光基板101与该有机 发光二极管层116之间，绝缘层109a位于第二金属线108a与第一金属线IlOa之间，阳极透 光导电层112a(例如氧化铟锡，ΙΤ0)设置于第二金属线108a上，使阳极透光导电层11 位 于该有机发光二极管层116与第二金属线108a之间，且阴极不透光导电层118位于有机发 光二极管层116上方，其中绝缘层114位于有机发光二极管116下方。在本实施例中，右边 的第二金属线108a重迭于第一金属线IlOa的上。这里所谓的“重迭”包含“完全重迭”或 “部份重迭”。在本实施例中，第二金属线108a的线宽dl较第一金属线IlOa的线宽d2小， 但实际应用时并不局限于此。线宽dl也可以等于或大于线宽d2，但两者线宽差距小于20% 为较佳，也即线宽差距(dl-d2)/dl < 20% (当dl数值较大时)或线宽差距(d2-dl)/d2 < 20% (当d2数值较大时)。请参照图3，其绘示依照本发明另一实施例沿图IB的剖面线A-A’的剖面图。有机 发光二极管光源装置以一透光基板101(例如玻璃基板)为基础依续形成第二金属线108b、 阳极透光导电层112a、绝缘层109b、第一金属线110b、绝缘层114、有机发光二极管层116 以及阴极不透光导电层118。图3的实施例与图2的实施例的主要差异在于第一金属线与 第二金属线设置上下相对关系的不同。由此图可知，绝缘层109b位于第二金属线108b与 第一金属线IlOb之间，阳极透光导电层112b (例如氧化铟锡，ΙΤ0)设置于第二金属线108b 上，使阳极透光导电层11 位于该有机发光二极管层116与第二金属线108a之间，且阴极 不透光导电层118位于有机发光二极管层116上方，其中绝缘层114位于有机发光二极管 116下方。在图3右侧的第一金属线IlOb与第二金属线108b重迭的区域，第一金属线IlOb 被夹持于两绝缘层(109b、114)之间，且绝缘层114也位于有机发光二极管层116与第一金 属线IlOb之间。在图3左侧的第一金属线IlOb与第二金属线108b未重迭的区域，两绝缘层(10%、114)彼此重迭。在本实施例中，第一金属线IlOb重迭于第二金属线108b之上。这里所谓的“重 迭”包含“完全重迭”或“部份重迭”。在本实施例中，第二金属线108b的线宽较第一金属线 IlOb的线宽小，但实际应用时并不局限于此。第一金属线的线宽也可以等于或小于第二金 属线线宽，但两者线宽差距小于20%为较佳(请参照图2的实施例中“线宽差距”的精确定 义)。请参照图4、图5，其中图4绘示沿图IA的剖面线B-B’的剖面图，而图5绘示沿图 IB的剖面线B-B’的剖面图。两剖面图主要绘示出第一金属线与第二金属线之间的连接关 系(例如图4、5的连接区103剖面结构)。请参照图4的实施例，子发光区10 具有连接区103与通孔103a，其中连接区103 是第一金属线IlOa与第二金属线108a形成电性连接的区域，并且通孔103a是形成于绝缘 层109a。在连接区103内，通过通孔103a以供第二金属线108a穿过绝缘层109a而连接至 第一金属线110a，使得第一金属线IlOa与第二金属线108a达到电性连接的作用。请参照图5的实施例，在每一个子发光区10 中，且在第二金属线108b与第一金 属线IlOb的连接区103内，绝缘层109a具有一通孔10北，借以供第一金属线IlOb穿过绝 缘层109b而连接至阳极透光导电层112b (间接电性连接至第二金属线108b)。由于，阳极 透光导电层112b的片电阻较大(相对于第二金属线108b或金属材料而言)，而当第一金 属线IlOb将控制电流传递于阳极透光导电层112b时，受到较大片电阻的影响，难以将控制 电流均勻的传递到阳极透光导电层112b的各处，然而，阳极透光导电层112b需要能透光， 因此其厚度需较薄，因此将控制电流传递到第二金属线108b所受到的阻抗会小于将控制 电流横向传递到阳极透光导电层112b的各处所产生的阻抗，所以通过第二金属线108b来 传递控制电流，进而达到均勻发光亮度的特性。在本实施例中，第二金属线108b以格子状 或栅栏状设置于于每一子发光区，借以减少子发光区整体的导电阻抗。图5的实施例与图 4的实施例的主要差异，除了第一金属线与第二金属在线、下的互换外，还在于第一金属线 IlOb穿过绝缘层109b的通孔10 连接至阳极透光导电层112b，而非直接连接至第二金属 线 108bo请同时参照图6、图7，其中图6绘示沿图IA的剖面线C_C’的剖面图，而图7绘示 沿图IB的剖面线C-C’的剖面图。请同时参照图2、6，两图主要差异之处在于图6有3条第一金属线IlOa与第二金 属线108a重迭的状况，而图2只有1条第一金属线IlOa与第二金属线108a重迭的状况。 在本实施例中，第二金属线108a的线宽较第一金属线IlOa的线宽小，但实际应用时并不局 限于此，第二金属线的线宽也可以等于或小于第一金属线线宽，然两者线宽差距小于20% 为较佳。请同时参照图3、图7，两图主要差异之处在于图7有3条第一金属线IlOb与第二 金属线108b重迭的状况，而图3只有1条第一金属线IlOb与第二金属线108b重迭的状况。 在本实施例中，第二金属线108b的线宽较第一金属线IlOb的线宽大，但实际应用时并不局 限于此。第二金属线的线宽也可以等于或小于第一金属线线宽，但两者线宽差距小于20% 为较佳。请同时参照图8、图9，其中图8绘示沿图IA的剖面线D_D’的剖面图，而图9绘示沿图IB的剖面线D-D’的剖面图。此剖面图跨越两个子发光区10加。在图8的连接区103中，左侧第二金属线108a穿越绝缘层109a的通孔103a连接 至第一金属线110a。此外，在本实施例的图8中，用以驱动左侧子发光区10 的第一金属 线IlOa不但与左侧子发光区10 内的第二金属线108a重迭外，也会通过另一子发光区 102a (右侧子发光区10 )，且与右侧子发光区10 内的第二金属线108a重迭。然而，左、 右两个子发光区10 的第二金属线108a与阳极透光导电层11 不互相连接。在图9的连接区103中，第一金属线IlOb穿越绝缘层109b的通孔10 连接至阳 极透光导电层112b。此外，在本实施例的图9中，用以驱动左侧子发光区10 的第一金属线 IlOb不但与左侧子发光区10 内的第二金属线108b重迭，也会通过右侧子发光区102b， 且与右侧子发光区10 内的第二金属线108b重迭。然而，左、右两个子发光区10 的第 二金属线108b与阳极透光导电层112b不互相连接。请同时参照图10、11，其中图10绘示沿图IA的剖面线E-E’的剖面图，而图11绘 示沿图IB的剖面线E-E’的剖面图。此剖面图也跨越两个子发光区10加。剖面线E-E’与 剖面线D-D’的差异在于剖面线E-E’并未剖在任何第二金属线(108a、108b)与第二金属线 (112a、112b)重迭之处。图10的剖面图只绘示第二金属线108a，并未绘示第一金属线110a。此外，两个子 发光区10 的第二金属线108a与阳极透光导电层11 不互相连接，并且通过绝缘层114 来区格不同的子发光区10加。图11的剖面图只绘示第二金属线108b，并未绘示第一金属线110b。此外，两个子 发光区10 的第二金属线108b与阳极透光导电层112b不互相连接，并且通过绝缘层109b 来区格不同的子发光区10加。然，在本实施例中仅以第一金属线110只为直向方向来说明，如图1所示，但本发 明不以此为限，也可以将第一金属线110只为横向方向或是直向与横向都同时存在来设 计。此外，周边区104也可位于透光基板101的上、下、左、右的任一个边上。由上述本发明实施例可知，应用本发明的有机发光二极管光源装置，借其第一金 属线与第二金属线重迭的设计，能有效增加光源装置的开口率或发光面积(相对于现有的 有机发光二极管光源装置而言)。此外，“连接至距离驱动电路元件较远的子发光区的信号 线(即第一金属线)的数量”大于“连接至距离驱动电路元件区较近的子发光区的信号线 (即第一金属线)的数量”的设计平均每一子发光区的信号线的功耗，使得光源装置能够更 均勻的发光。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟 悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种光源装置，其特征在于，包含一透光基板，具有一发光区与一外围区，其中该外围区位于该透光基板的一边缘，该发 光区具有多个子发光区；以及多条第一金属线，设置于该透光基板上，其一端分别与各该子发光区连接，而另一端则 与该外围区连接；其中，各该子发光区具有一绝缘层、一第二金属线以及一有机发光二极管层，该第二金 属线设置于该透光基板与该有机发光二极管层之间，该绝缘层设置于该些第一金属在线与 该些第二金属线之间，且每一第一金属线均与该第二金属线在垂直投影方向重迭，此外，该 些第一金属线其中之一通过另一该子发光区。
2.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，更包含一驱动电路元件设置于该外 围区上。
3.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，更包含一驱动电路元件，且该驱动电 路元件电性连接至该外围区内的该些第一金属线。
4.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，连接至距离该外围区较远的该子发 光区的该些第一金属线的数量多于连接至距离该外围区较近的该子发光区的该些第一金 属线的数量。
5.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，该第一金属线与该第二金属线为不 透光金属线。
6.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，该第一金属线与该第二金属线彼此 线宽相等。
7.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，该第一金属线与该第二金属线的线 宽差距小于20%。
8.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，该第一金属线彼此间距相同且彼此 平行。
9.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，该第一金属线彼此之间的线宽差距 小于20%。
10.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，该第二金属线彼此之间的线宽差距 小于20%。
11.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，该绝缘层包含一通孔，供该第二金 属线穿过该通孔连接至对应的该第一金属线。
12.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，更包含一阳极透光导电层，该阳极 透光导电层位于该第二金属线上方，使该阳极透光导电层位于该有机发光二极管层与该第 二金属线之间。
13.根据权利要求10所述的光源装置，其特征在于，该绝缘层包含一通孔，供该第一金 属线穿过该通孔连接至该阳极透光导电层。
14.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，每一该子发光区内的该第二金属线 与另一该子发光区内的该第二金属线不互相连接。
15.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，每一该子发光区的面积与形状均相同。
16.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，该第二金属线以格子状或栅栏状设 置于每一该子发光区。
17.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，更包含一阴极不透光导电层，该阴 极不透光导电层位于该有机发光二极管层上方。
18.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，该些第一金属线其中之一与另一该 子发光区的该第二金属线在垂直投影方向重迭。
全文摘要
本发明公开了一种光源装置，包含透光基板与多条第一金属线，其中透光基板具有发光区与外围区，而发光区具有多个子发光区，且多条第一金属线设置于透光基板上，其一端分别与各子发光区连接，而另一端则与外围区连接。然，各子发光区具有绝缘层、第二金属线以及有机发光二极管层，而第二金属线设置于透光基板与有机发光二极管层之间，绝缘层设置于该些第一金属在线与该第二金属线之间，且每一第一金属线均与第二金属线在垂直投影方向重迭，此外，该些第一金属线其中之一通过另一子发光区。应用本发明的有机发光二极管光源装置，借其第一金属线与第二金属线重迭的设计，能有效增加光源装置的开口率或发光面积。
文档编号H05B33/08GK102097452SQ20101054098
公开日2011年6月15日 申请日期2010年11月9日 优先权日2010年11月9日
发明者常鼎国, 林俊良, 林振祺, 陈介伟 申请人:友达光电股份有限公司