专利名称：一种减少bbo晶体中心包络的熔盐生长法的制作方法
技术领域：
本发明涉及晶体生长领域，特别是一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法。
背景技术：
低温相偏硼酸钡β -BaB204是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。本发明
虽然该晶体具有优异的性能，但是实际晶体生长想要得到大尺寸优质的晶体毛坯并不容易，晶体中存在一些质量问题主要有中间包络、气泡、生长纹等。本发明采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，通过改进生长工艺，采用旋转炉，改变温场分布形式，有效解决中间包络问题。
发明内容
本发明的目的是探究一种解决BBO晶体中间包络问题的方法。为解决BBO晶体中间包络问题，本发明通过如下方式实现采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，采用旋转式熔盐生长炉，旋转式熔盐生长炉的炉丝非均勻缝补，通过炉管四分之一不绕炉丝，旋转加热得到不对称温场，加强熔体对流，解决BBO晶体中心包络问题。
具体实施例方式实施例一称取一定量的碳酸钡、硼酸和氟化钠，满足BaB204:NaF=2:1 (摩尔比)于原料桶中混勻。将混好的料于1000°c的硅碳棒炉中熔解至反应完全。将熔好的料倒入钼金坩锅置于旋转炉中，升温至980°c，恒温18h，而后在饱和温度以上10°C下。将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢的下至熔液表面，10r/min转动，半小时之后降7°C，晶体开始生长，以后每天0. l°C/h降温，直至晶体快至坩埚壁停止籽晶杆旋转，炉子开始以5r/min旋转，继续降温生长。降温至800°C，生长结束，提起晶体，以50°C /h退火至室温，得到中间无包络的晶体。
权利要求
1. 一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法，采用碳酸钡和硼酸为原料，氟化钠为助熔剂，使用旋转式熔盐炉加热，其特征在于所述旋转式熔盐炉的炉丝非均勻分布。
全文摘要
一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，采用旋转式熔盐生长炉，所述旋转式熔盐生长炉的炉丝非均匀分布，通过旋转加热得到不对称温场，加强熔体对流，解决BBO晶体中心包络问题。
文档编号C30B9/12GK102383182SQ20111032350
公开日2012年3月21日 申请日期2011年10月23日 优先权日2011年10月23日
发明者吴少凡, 王昌运, 陈伟 申请人:福建福晶科技股份有限公司