专利名称：Des的加工工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及高端电子产品，特别是电路板制生产技术领域。
背景技术：
目前业内在DES生产线中采用体积百分比浓度为3-5%的硫酸溶液进行酸洗，其缺陷是单一中和去膜后，在PCB板上残余有氢氧化钠，在氢氧化钠的作用下，无法进一步保证铜面清洁度和粗糙度。
发明内容
本发明目的在于提出一种能克服以上缺陷的DES的加工工艺。本发明包括以下工艺步骤
1)将显影蚀刻去模经两道显影后，冲去污水；
2)采用溢流方式水洗后，吹干水分；
3)蚀刻处理；
4)以体积百分比浓度为3 5%的盐酸清洗；
5)洗涤；
6)退膜;
7)冲洗去除污水；
8)水洗;
9)以体积百分比浓度为5 7%的硫酸和过硫酸钠40 60g/l组成的混合酸液进行洗
涤；
10)清洗。上述显影蚀刻去模可以为干模或湿模。DES线原来采用的浓度为3-5%的硫酸溶液进行酸洗目的是为了中和去膜后PCB板上残余的氢氧化钠。本发明以硫酸和过硫酸钠形成混合酸液进行酸洗，可以达到既中和氢氧化钠，又可将铜面进行进一步的清洗保证铜面清洁度。
具体实施例方式1)将显影蚀刻去模(干膜或湿膜)经两道显影后，冲去污水；
2)采用溢流方式水洗后，吹干水分；
3)经三次蚀刻处理；
4)补偿蚀刻；
5)以体积百分比浓度为3 5%的盐酸洗；
6)采用溢流方式水洗；
7)清水洗涤；
8)三次退膜；
39)冲洗去除污水；
10)采用溢流方式水洗；
11)以体积百分比浓度为5 7%的硫酸和过硫酸钠40 60g/l组成的混合酸液进行洗涤；
12)采用溢流方式水洗；
13)干板组合；
14)出板。
权利要求
1.DES的加工工艺，其特征在于包括以下步骤1)将显影蚀刻去模经两道显影后，冲去污水；2)采用溢流方式水洗后，吹干水分；3)蚀刻处理；4)以体积百分比浓度为3 5%的盐酸清洗；5)洗涤；6)退膜;7)冲洗去除污水；8)水洗;9)以体积百分比浓度为5 7%的硫酸和过硫酸钠40 60g/l组成的混合酸液进行洗10)清洗。
2.根据权利要求1所述DES的加工工艺，其特征在于所述显影蚀刻去模为干模或湿模。
全文摘要
DES的加工工艺，涉及高端电子产品，特别是电路板制生产技术领域。本发明将显影蚀刻去模经两道显影，冲去污水、水洗吹干水分、蚀刻处理、盐酸清洗、洗涤、退膜、去除污水、再水洗，然后以体积百分比浓度为5～7%的硫酸和过硫酸钠40～60g/l组成的混合酸液进行洗涤；再经清洗制成。本发明以硫酸和过硫酸钠形成混合酸液进行酸洗，可以达到既中和氢氧化钠，又可将铜面进行进一步的清洗保证铜面清洁度。
文档编号H05K3/26GK102365003SQ20111032134
公开日2012年2月29日 申请日期2011年10月21日 优先权日2011年10月21日
发明者张俊 申请人:江苏同昌电路科技有限公司