专利名称：电磁屏蔽方法及制品的制作方法
技术领域：
本发明涉及ー种电磁屏蔽方法及其制品。
背景技术：
现有技术，通常采用金属外罩、沉积有金属层的或结合有金属薄片的塑料复合屏蔽罩或金属纤维复合屏蔽罩来控制电磁干扰。然而，上述屏蔽罩均存在以下缺点:所占空间大、生产成本较高、安装时难以实现屏蔽罩与印刷电路板(PCB)或柔性线路板(FPC)之间无缝安装，如此导致屏蔽效率低下，PCB板或FPC板上的电子元件产生的热量难以散发出去，以及使得电子元件工作性能不稳定，甚至损坏电子元件。于PCB板或FPC板上直接沉积树脂绝缘层，再于该绝缘层上电镀或化学镀金属层，可实现电磁屏蔽。但是，为了保证该树脂绝缘层与PCB板或FPC板之间有良好的结合力，避免绝缘层发生剥落或龟裂等现象，对所使用的树脂的粘度值有严格的限制。而能满足上述粘度要求的树脂只限于某些特殊的有机树脂，这些特殊的有机树脂成分多、结构复杂、难以制造。此外，该绝缘层的厚度较大(难以控制在纳米级别)，因而对电子元件的散热存在不良影响。另外，电镀或化学镀金属层对环境的污染较大。
发明内容
鉴于此，本发明提供ー种电磁屏蔽方法。另外，本发明还提供一种经由上述电磁屏蔽方法制得的制品。ー种制品，包括基体及依次形成于该基体上的一绝缘层、导电层及防护层，该绝缘层为含氟ニ氧化硅层、ニ氧化硅层或氟氧化硅层，该导电层包括依次形成于所述绝缘层上的铬层及铜层，所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。ー种电磁屏蔽方法，其包括如下步骤:
提供基体；
采用化学气相沉积法，在反应温度为2(T50°C下，于基体上形成一绝缘层，该绝缘层为含氟ニ氧化硅层、ニ氧化硅层或氟氧化硅层；
采用真空镀膜法，在室温下，以铬靶为靶材，于该绝缘层上形成ー铬层；
采用真空镀膜法，在室温下，以铜靶为靶材，于该铬层上形成ー铜层；
采用真空镀膜法，在室温下，以铬靶、不锈钢靶及镍铬合金靶中的任意ー种为靶材，于该铜层上形成一防护层，所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。由于化学气相沉积方法具有良好的绕镀性能，使绝缘层平面处、凹处及折缝处沉积均匀，且可以做到与基体无缝结合，提高了基体的电磁屏蔽性能。所述防护层具有较高的硬度，使所述制品在组装、使用等过程中不易被刮伤而影响其电磁屏蔽性能。另外，通过上述方法形成的所述绝缘层、导电层及防护层的膜厚较小，可使电子元件产生的热量快速的散发出去，提高制品的散热性，进而提高了电子元件性能的稳定性。另ー方面，该绝缘层及导电层所占的空间小，质量轻。此外，以真空镀膜方法形成的绝缘层、导电层及防护层与基体、电子元件之间具有良好的结合力，可避免在使用过程中该绝缘层和/或导电层发生剥落或龟裂而降低制品的电磁屏蔽性能。
图1是本发明一较佳实施例制品的剖视图。图2为本发明一较佳实施例真空镀膜机的示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种制品，包括基体，其特征在于:该制品还包括依次形成于该基体上的ー绝缘层、导电层及防护层，该绝缘层为含氟ニ氧化硅层、ニ氧化硅层或氟氧化硅层，该导电层包括依次形成于所述绝缘层上的铬层及铜层，所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。
2.按权利要求1所述的制品，其特征在于:该绝缘层通过化学气相沉积的方式形成。
3.按权利要求1所述的制品，其特征在于:该绝缘层的厚度为2飞Mm。
4.按权利要求1所述的制品，其特征在于:所述铬层的厚度为10(T200nm。
5.按权利要求1所述的制品，其特征在于:所述铜层的厚度为30(T500nm。
6.按权利要求1所述的制品，其特征在于:所述防护层的厚度为20(T300nm。
7.按权利要求1所述的制品，其特征在于:该基体为印刷电路板或柔性线路板。
8.按权利要求7所述的制品，其特征在于:该基体上形成有至少ー电子元件，所述绝缘层及所述导电层沉积在所述电子元件的表面及基体的表面，以使电子元件被封闭于所述绝缘层内。
9.一种电磁屏蔽方法，其包括如下步骤: 提供基体； 采用化学气相沉积法，在反应温度为2(T5(TC下，于基体上形成一绝缘层，该绝缘层为含氟ニ氧化硅层、ニ氧化硅层或氟氧化硅层； 采用真空镀膜法，在室温下，以铬靶为靶材，于该绝缘层上形成ー铬层； 采用真空镀膜法，在室温下，以铜靶为靶材，于该铬层上形成ー铜层； 采用真空镀膜法，在室温下，以铬靶、不锈钢靶及镍铬合金靶中的任意ー种为靶材，于该铜层上形成一防护层，所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。
10.按权利要求9所述的电磁屏蔽方法，其特征在于:当所述绝缘层为含氟ニ氧化硅层吋，形成所述绝缘层的方法为:提供ー减压化学气相沉积装置，该减压化学气相沉积装置包括一沉积室及鼓泡器，将基体置于所述沉积室内，以氟铬三こ氧基硅烷和纯水为反应物，所述反应物通过所述鼓泡器气化后进入所述沉积室；设置反应室的压カ为60(T800Pa ;以氮气为工作气体，氮气的流量为5(T80SScm，沉积室的温度为2(T50°C，沉积时间8(Tl20min ；其中，氟铬三こ氧基硅烷与纯水的质量比为3:广2:1。
11.按权利要求9所述的电磁屏蔽方法，其特征在于:形成铬层的方法为:采用磁控派射法，以IS气为反应气体，设置IS气的流量为100sccnTl80sscm,施加于基体的偏压为-2(T-50V，设置铬靶材的功率为5 IOkW ;镀膜时间为5 lOmin。
12.按权利要求9所述的电磁屏蔽方法，其特征在于:形成铜层的方法为:采用磁控派射法，以IS气为反应气体，设置IS气的流量为100sccnTl80sscm,施加于基体的偏压为-2(T-50V，设置铜靶材的功率为5 IOkW ;镀膜时间为l(Tl5min。
13.按权利要求9所述的电磁屏蔽方法，其特征在于:形成防护层的方法为:采用磁控派射法，以IS气为反应气体，设置IS气的流量为100sccnTl80sscm,施加于基体的偏压为-2(T-50V，设置铬靶、不锈钢靶及镍铬合金靶材的功率为5 IOkW ;镀膜时间为l(Tl5min。
全文摘要
本发明提供一种电磁屏蔽方法，其包括如下步骤提供基体；采用化学气相沉积法，在反应温度为20~50℃下，于基体上形成一绝缘层，该绝缘层为含氟二氧化硅层、二氧化硅层或氟氧化硅层；采用真空镀膜法，在室温下，以铬靶为靶材，于该绝缘层上形成一铬层；采用真空镀膜法，在室温下，以铜靶为靶材，于该铬层上形成一铜层；采用真空镀膜法，在室温下，以铬靶、不锈钢靶及镍铬合金靶中的任意一种为靶材，于该铜层上形成一防护层，所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。本发明还提供了经由上述电磁屏蔽方法制得的制品。
文档编号H05K9/00GK103096699SQ20111033731
公开日2013年5月8日 申请日期2011年10月31日 优先权日2011年10月31日
发明者张新倍, 蒋焕梧, 陈正士, 徐华阳 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司