真空高温快速加热装置的制作方法

文档序号:8056601阅读:499来源:国知局
专利名称:真空高温快速加热装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及电子器件加工设备领域,尤其是加热器设备。
背景技术
对基片进行真空镀膜的设备中加热器是一个重要的设备,通常用石英管加热,为了提高加热效率,快速加热,采用“8”型红外辐射加热管,其接线端子用陶瓷制作,固接线端子与玻璃管发热一起处于其空加热室内,玻璃与陶瓷的膨胀系数不同,当温度> 200°C,玻璃与陶瓷连接处就会开裂,这远低于需要的工作温度。另外因为“8”型加热管结构比较复杂,在大气中不易实现真空密封。因此在上述现有技术的基础上进行了改进。

实用新型内容本实用新型的目的为提供一种避免在200°C以上温度陶瓷与玻璃连接处开裂并能满足此温度下真空密封的真空高温快速加热装置。实现上述目的的技术方案如下真空高温快速加热装置,具有真空加热室,在真空加热室内装有“8”型红外辐射加热管,其接线端子通过真空管安装板置于真空加热室外,玻璃管加热段外处于真空加热室内,“8”型红外辐射加热管与真空管安装板之间硅胶密封的位置也跟着处于真空管安装板外倒。“8”型红外辐射加热管的尾部装于处于真空加热室内的加热管托条上,加热管托条与真空管安装板之间具有螺杆固定件。真空管安装板与真空加热室之间通过0型密封圈密封。上述技术方案是将原来处于真空加热室内的接线端子伸至于真空加热室外,是接线端子处的温度低于200°C,避免了玻璃与陶瓷连接外的开裂,这种结构也提供了将硅胶密封的位置移至真空管安装板外倒的条件,使硅胶在低温下能发挥其应有的密封效果。本实用新型具有使“8”型红外辐射加热管能在200°C以上正常工作,并且具有结构简单,制作容易的有益效果。

附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中图1为本实用新型真空高温快速加热装置的结构示意图;图2为加热管安装板的俯视结构示意图。图中各标号的名称为1- “8”型红外辐射加热管,2-加热管安装板,3-加热管托条,[0016]4-螺杆固定件,5-陶瓷接线端子,6- “8”型玻璃管,7-密封硅胶,8-真空管安装板与真空加热管之间的0型密封圈,9-加热管密封板,10-导线。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。先对下列实施例并结构附图对本实用新型的技术方案作进一步说明。在真空高温快速加热装置的壁上装有加热管安装板工,在板上开有多个加热管安装孔“8”型红外辐射加热管1通过安装孔固定在安装板上,陶瓷接线端子与处于真空高温快速加热装置外侧,在加热管周围用706B硅胶7密封外盖有加热管密封板9.在用螺栓将密封板固定在安装板上,“8”型红外辐射加热管另一端于加热管托条3上,加热管托条通过螺杆固定件4固定在加热管安装板2上,加热管安装板和真空高温快速加温装置通过0型密封圈8进行真空密封,密封圈型号为315*5. 3氟胶。最后应说明的是以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.真空高温快速加热装置,具有真空加热室,在真空加热室内装有“8”型红外辐射加热管,其特征为“8”型红外辐射加热管接线端子通过真空管安装板置于真空加热室外,玻璃管加热段处于真空加热室内,“8”型红外辐射加热管与真空管安装板之间的硅胶密封的位置跟着也处于真空安装板外侧。
2.根据权利要求1所述的真空高温快速加热装置,其特征为“8”型红外辐射加热管的尾部装于加热管托条上,加热管托条与真空管安装板之间具有螺杆固定件。
3.根据权利要求1或2所述的真空高温快速加热装置,其特征为真空管安装板与真空加热室之间通过0型密封圈密封。
专利摘要本实用新型为真空高温快速加热装置,涉及电子加工设备领域,为提高加热效率,采用“8”型红外辐射加热管,均采用陶瓷制作的接线端子与玻璃管发热段一起处于真空加热室内,当温度>200℃,玻璃陶瓷连接处就会开裂。真空密封处易损坏,为此本实用新型将接线端子通过真空管安装极置于真空加热室外、玻璃管加热段仍处于加热室内,加热管与真空安装极之间硅胶密封的位置跟着也处于真空安装极外侧,本实用新型能在200℃以上温度正常工作,并具有结构简单,制作容易的有益效果。
文档编号H05B3/02GK202054885SQ20112009539
公开日2011年11月30日 申请日期2011年4月2日 优先权日2011年4月2日
发明者刘晓萌 申请人:张家港意发功率半导体有限公司
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