专利名称：导电基板、导电基板的制造方法和激光照射装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及导电基板、导电基板的制造方法和激光照射装置。具体地说，本发明涉及通过进行基板上导电浆料的位置检测和通过激光照射进行导电浆料的烘焙以提高关于基板材料选择自由度的技术领域。
背景技术：
在各种电子设备中设置有具有导电层的导电基板。在这些导电基板中，存在一种例如通过印制在基板上形成导电层的导电基板(例如，參见日本未审查专利申请公开第2008-205144号)。在通过印制制造导电基板的方法中，在基板的预定位置处印制导电浆料，例如金属浆料，接着进行为了实现低电阻的热处理。通过热处理烘焙导电浆料以便去除包含在导电浆料内的不需要的分散剂并且使金属粒子彼此结合，从而形成导电层并且确保良好的导电性。该热处理通过将其上印制有导电浆料的基板插入和置于等于或高于200°C的烤箱内而进行。
发明内容
然而，如上，为了通过热处理形成导电层，需要将其上印制有导电浆料的基板置于等于或高于200°C的烤箱内，因此需要使用由具有高耐热性的材料制成的基板。因此，存在难以将具有低耐热性的廉价材料如PET (聚对苯ニ甲酸こニ醇酯)用于基板的问题，因此制造成本増加。期望提供一种导电基板、导电基板的制造方法和激光照射装置，通过克服上述问题而提闻关于基板材料选择的自由度。根据本发明的实施方式，提供了一种导电基板，该导电基板包括基板，由树脂材料制成；以及导电层，通过烘焙涂覆在基板上的预定位置处的导电浆料而形成在基板上，其中，导电层通过将第二激光照射至基于由第一激光照射至基板的照射位置引起的反射率差异而被检测到在基板上的位置的导电浆料、进行烘焙而形成。因此，仅将具有烘焙所需的光量的第二激光照射至基板上的导电浆料。在导电基板中，优选通过将第三激光照射至基板检测基板上的导电层的形成状态。通过将第三激光照射至基板来检测基板上的导电层的形成状态，由此能够根据导电层的形成状态而改变第二激光的光量。在导电基板中，优选根据照射时间改变第二激光对导电浆料的照射強度。通过根据照射时间改变第二激光向导电浆料的照射強度，可以根据激光的照射时间依赖于导电浆料的热吸收状态改变激光的照射強度。在导电基板中，优选沿着预定方向移动基板，通过沿着垂直于基板的移动方向的方向改变第一激光对基板的照射角度来检测导电浆料的位置，并且通过沿着垂直于基板的移动方向的方向改变第二激光对基板的照射角度来烘焙导电浆料。通过改变第一激光对基板的照射角度来检测导电浆料的位置，并且通过改变第二激光对基板的照射角度来烘焙导电浆料，从而在与激光对导电浆料的照射角度相对应的范围内执行导电浆料的位置检测和烘焙。
在导电基板中，第一激光和第二激光的激光源优选是公共的光源。第一激光和第二激光的激光源是公共的光源，因此从同一激光源发出的激光被输出为第一激光和第二激光。在导电基板中，第一激光、第二激光和第三激光的激光源优选是公共的光源。第一激光、第二激光和第三激光的激光源是相同光源，因此从同一激光源发出的激光被输出为第一激光、第二激光和第三激光。根据另ー实施方式，提供了一种导电基板的制造方法，包括在由树脂材料制成的基板的预定位置处涂覆导电浆料；基于由第一激光照射到基板的照射位置引起的反射率差异而检测导电浆料在基板上的位置；并且通过将第二激光照射至被检测到在基板上的位置的导电浆料来烘焙导电浆料，从而在基板上形成导电层。因此，仅将具有烘焙所需的光量的第二激光照射至基板上的导电浆料。在导电基板的制造方法中，优选通过将第三激光照射至基板来检测基板上的导电层的形成状态。通过将第三激光照射至基板来检测基板上的导电层的形成状态，因此可以根据导电层的形成状态来改变第二激光的光量。在导电基板的制造方法中，优选根据照射时间改变第二激光对导电浆料的照射强度。通过根据照射时间改变第二激光对导电浆料的照射強度，可以根据激光的照射时间依赖于导电浆料的热吸收状态改变激光的照射強度。在导电基板的制造方法中，优选沿着预定方向移动基板，通过沿着垂直于基板的移动方向的方向改变第一激光对基板的照射角度来检测导电浆料的位置，并且通过沿着垂直于基板的移动方向的方向改变第二激光对基板的照射角度来烘焙导电浆料。通过改变第一激光对基板的照射角度来检测导电浆料的位置，并且通过改变第二激光对基板的照射角度来烘焙导电浆料，从而在与激光对导电浆料的照射角度相对应的范围内进行导电浆料的位置检测和烘焙。在导电基板的制造方法中，第一激光和第二激光的激光源优选是公共的光源。第一激光和第二激光的激光源是公共是光源，因此从同一激光源发出的激光被输出为第一激光和第二激光。在导电基板的制造方法中，第一激光、第二激光和第三激光的激光源优选是公共的光源。第一激光、第二激光和第三激光的激光源是公共的光源，因此从同一激光源发出的激光被输出为第一激光、第二激光和第三激光。根据本发明的又ー实施方式，提供了ー种激光照射装置，该激光照射装置包括第一光学系统，该第一光学系统将第一激光照射至由树脂材料制成并且在预定位置处涂覆有导电浆料的基板，并且基于由照射位置引起的反射率差异检测导电浆料在基板上的位置；以及第二光学系统，该第二光学系统通过将第二激光照射至被检测到在基板上的位置的导电浆料来烘焙导电浆料，从而形成导电层。因此，仅将具有烘焙所需的光量的第二激光照射至基板上的导电浆料。激光照射装置优选还包括第三光学系统，该第三光学系统通过将第三激光照射至基板来检测基板上的导电层的形成状态。通过提供通过将第三激光照射至基板来检测基板上的导电层的形成状态的第三光学系统，可以根据导电层的形成状态来改变第二激光的光量。根据本发明的实施方式，提供了一种导电基板，该导电基板包括基板，由树脂材料制成；以及导电层，通过烘焙涂覆在基板上的预定位置处的导电浆料而形成在基板上，其中，导电层通过将第二激光照射至基于由第一激光照射至基板的照射位置引起的反射率差异而被检测到在基板上的位置的导电浆料、进行烘焙而形成。因此,可以将具有低耐热性的材料用于基板，并且提闻关于基板材料选择的自由度。根据本发明的实施方式，通过将第三激光照射至基板来检测基板上的导电层的形成状态。因此，能够通过烘焙状态的稳定性来制造具有高操作可靠性的导电基板。根据本发明的实施方式，根据照射时间来改变第二激光对导电浆料的照射強度。因此，对于根据激光的照射时间改变热吸收状态的导电浆料，可以确保考虑热吸收量的导电浆料的最佳烘焙状态，并且形成具有良好导电性的导电层。根据本发明的实施方式，沿着预定方向移动基板，通过沿着垂直于基板的移动方向的方向改变第一激光对基板的照射角度来检测导电浆料的位置，并且通过沿着垂直于基板的移动方向的方向改变第二激光对基板的照射角度来烘焙导电浆料。因此，可以简单并可靠地基于激光对基板的照射角度和基板的移动位置来对基板执行导电浆料的位置检测和执行激光对导电浆料的照射。根据本发明的实施方式，第一激光和第二激光的激光源是公共的光源。因此，可以减少部件的数目和制造成本。根据本发明的实施方式，第一激光、第二激光和第三激光的激光源是公共的光源。因此，可以进ー步减少部件的数目和制造成本。根据本发明的实施方式，提供了一种导电基板的制造方法，包括在由树脂材料制成的基板的预定位置处涂覆导电浆料；基于由第一激光照射到基板的照射位置引起的反射率差异而检测导电浆料在基板上的位置；并且通过将第二激光照射至被检测到在基板上的位置的导电浆料来烘焙导电浆料，从而在基板上形成导电层。因此，可以将具有低耐热性的材料用于基板，并且提高关于基板材料选择的自由度。根据本发明的实施方式，通过将第三激光照射至基板来检测基板上的导电层的形成状态。 因此，可以通过烘焙状态的稳定性来制造具有高操作可靠性的导电基板。根据本发明的实施方式，根据照射时间改变第二激光对导电浆料的照射強度。
因此，对于根据激光的照射时间改变热吸收状态的导电浆料，可以确保考虑热吸收量的导电浆料的最佳烘焙状态，并且形成具有良好导电性的导电层。根据本发明的实施方式，沿着预定方向移动基板，通过沿着垂直于基板的移动方向的方向改变第一激光对基板的照射角度来检测导电浆料的位置，并且通过沿着垂直于基板的移动方向的方向改变第二激光对基板的照射角度来烘焙导电浆料。因此，可以简单并可靠地基于激光对基板的照 射角度和基板的移动位置对基板执行导电浆料的位置检测和执行激光对导电浆料的照射。根据本发明的实施方式，第一激光和第二激光的激光源是公共的光源。因此，可以减少部件的数目和制造成本。根据本发明的实施方式，第一激光、第二激光和第三激光的激光源是公共的光源。根据本发明的实施方式，提供了ー种激光照射装置，该激光照射装置包括第一光学系统，该第一光学系统将第一激光照射至由树脂材料制成并且在预定位置处涂覆有导电浆料的基板，并且基于由照射位置引起的反射率差异检测导电浆料在基板上的位置；以及第二光学系统，该第二光学系统通过将第二激光照射至被检测到在基板上的位置的导电浆料来烘焙导电浆料，从而形成导电层。因此,可以将具有低耐热性的材料用于基板，并且提闻关于基板材料选择的自由度。根据本发明的实施方式，还提供了第三光学系统，该第三光学系统通过将第三激光照射至基板来检测基板上的导电层的形成状态。因此，可以通过烘焙状态的稳定性来制造具有高操作可靠性的导电基板。
图I连同图2至图6示出了根据本发明的实施方式的导电基板、导电基板的制造方法和激光照射装置，并且该图是导电基板的示意性平面图。图2是示出了激光照射装置等的概念图。图3连同图4至图6示出了当照射各激光束时的具体实例，并且该图是示出了当照射第一激光时的具体实例的示图。图4是示出了当照射第二激光时的具体实例的示图。图5是示出了在已调节基于第三激光的反射光量控制的第二激光的状态下照射第三激光时的具体实例的示图。图6是示出了根据时间改变第二激光的光量的实例的示图。
具体实施例方式在下文中，将參照附图描述根据本发明的实施方式的导电基板、导电基板的制造方法和激光照射装置。将根据本发明的实施方式的导电基板、导电基板的制造方法和激光照射装置应用于使用可印制电子技术制造的导电基板(该可印制电子技术可通过印制形成微细导电图案(导电层)实现减少环境污染和低成本)、该导电基板的制造方法和激光照射装置。使用该可印制电子技术所制造的导电基板应用于平板显示器，例如，液晶显示器、等离子体显示器或有机电致发光显示器。然而，在下文中，描述了以沿朝向竖直方向的方向设置具有导电层的作为印制对象的基板的状态下的方向，但本发明的实施方式不限于这样的方向。导电基板的结构如图I中所示，导电基板I包括用作印制对象的基板2，以及在基板2上形成的导电层3、3、...，并且导电层3、3、...用作导电图案。基板2使用树脂如聚对苯ニ甲酸こニ醇酯、聚酰亚胺等形成。
通过利用下文所述的激光照射装置照射的激光烘焙涂覆在基板2上的导电浆料(例如金属浆料)形成导电层3、3、...，并且使用例如银纳米墨。作为导电层3、3、...的材料，例如可使用金、铜、镍、錫、铅等。此外，导电浆料不限于金属浆料，并且例如可将有机导电浆料或导电聚合物用作导电浆料。激光照射装置的结构等和导电基板的制造方法激光照射装置100包括控制器10、激光源20、第一光学系统30、第二光学系统40和第三光学系统50 (參见图2)。将在预定位置涂覆有导电浆料的基板2设置在激光照射装置100的下侧，并且通过移动机构(未示出)沿着预定方向，例如，从左侧到右侧来移动基板2。控制器10具有控制整个激光照射装置100的功能，并且将各种命令发送给激光源20、第一光学系统30、第二光学系统40和第三光学系统50。控制器10具有储存各种信息的存储器10a。激光源20例如是半导体激光器，并且基于来自控制器10的输出命令P将例如300nm到600nm的激光发射至基板2。第一光学系统30包括第一扫描光学单兀31、第一光量检测兀件32和第一 A/D转换单元33。将反射或透射激光的透反镜(transflective mirror) 61设置在激光源20和第一扫描光学単元31之间，并且将反射或透射激光的透反镜62设置在第一扫描光学単元31和第一光量检测单元32之间。第一扫描光学単元31例如具有多棱镜，并且基于来自控制器10的扫描命令A，使用从激光源20发出、被透反镜61反射、并且透射通过透反镜62的第一激光照射基板2，以在预定角度范围内扫描。使用从第一扫描光学単元31照射的第一激光沿向前和向后方向扫描基板2，并且在基板2的扫描过程中被反射的第一激光的反射光被透反镜62所反射接着入射至第一光量检测元件32。在此时，由于由第一激光的照射位置引起(依赖于第一激光的照射位置)的反射率差异，从涂覆在基板2上的导电浆料反射的具有大光量的反射光和从基板2上没有导电浆料存在的部分反射的具有小光量的反射光入射至第一光量检测元件32。通过第一光量检测元件32检测入射反射光的光量，并且将光量的检测值发送至第一 A/D转换单元33。发送至第一 A/D转换单元33的反射光的光量检测值通过第一 A/D转换单元33转换成数字值，接着将经转换的检测信号发送至控制器10。控制器10基于激光对基板2的照射角度(扫描角度)和从第一 A/D转换单元33发送的检测信号检测(计算)导电浆料在基板2上的位置，并且将检测到的导电浆料的位置信息储存在存储器IOa中。第二光学系统40包括第二扫描光学单元41、第二光量检测元件42和第二 A/D转换单元43。 反射或透射激光的透反镜63和64从透反镜61侧开始顺序设置在透反镜61和第ニ扫描光学单元41之间。第二扫描光学单兀41例如具有多棱镜，并且基于来自控制器10的扫描调制命令B，使用从激光源20发出、顺序透射通过透反镜61、63和64、并且被调制的第二激光照射基板2，以在预定角度范围内扫描。相对于第一激光对基板2的照射位置，第二激光对基板2的照射位置位于基板2的移动方向上。在此时，控制器10从存储器IOa读取通过第一激光照射检测到的导电浆料的位置信息，并且基于位置信息仅将具有烘焙所需的光量的第二激光照射至导电浆料。因此，不利用第二激光照射、或者利用具有小于烘焙所需的光量的光量的第二激光照射基板2上不存在导电浆料的部分。将第二激光照射至导电浆料，导电浆料被烘焙以形成导电层3、3、...。当将第二激光照射至导电浆料时，第二激光的反射光透射通过透反镜64、被透反镜63反射、并且入射至第二光量检测元件42。通过第二光量检测元件42检测入射反射光的光量，并且将光量的检测值发送至第二 A/D转换单元43。发送至第二 A/D转换单元43的反射光的光量检测值通过第二 A/D转换单元43转换成数字值，接着将经转换的检测信号发送至控制器10。控制器10基于从第二 A/D转换单元43发送的检测信号检测从激光源20发出的激光的输出，并且基于检测到的值，调节从激光源20发出的、导电浆料的烘焙所需的激光的输出。第三光学系统50包括第三扫描光学单兀51、第三光量检测兀件52和第三A/D转换单元53。将反射或透射激光的透反镜65设置在第三扫描光学単元51和第三光量检测单元52之间。第三扫描光学単元51例如具有多棱镜，并且基于来自控制器10的扫描命令C，使用从激光源20发出、顺序透射通过透反镜61和63、被透反镜64反射、并且透射通过透反镜65的第三激光在预定角度范围内照射基板2。相对于第二激光对基板2的照射位置，第三激光对基板2的照射位置定位于基板2的移动方向上。利用从第三扫描光学単元51照射的第三激光沿向前和向后方向扫描基板2，并且在基板2的扫描过程中被反射的第三激光的反射光被透反镜65反射接着入射至第三光量检测元件52。在此时，根据形成导电浆料的状态改变光量的反射光入射至第三光量检测元件52。通过第三光量检测元件52检测入射反射光的光量，并且将光量的检测值发送至第三A/D转换单元53。发送至第三A/D转换单元53的反射光的光量检测值通过第三A/D转换单元53转换成数字值，接着将经转换的检测信号发送至控制器10。控制器10基于第三激光的照射角度(扫描角度)和从第三A/D转换单元53发送的检测信号控制激光源20的输出，使得当照射第三激光时反射的光量变成烘焙导电浆料所需的光量，从而调节照射至导电浆料的第二激光的光量。此外，尽管在上文中已经描述了设置有第一光学系统30、第二光学系统40和第三光学系统50的激光照射装置100的实例，但激光照射装置例如可以是具有多个组的所谓的多头(multi-head),其中姆个组都具有第一光学系统30、第二光学系统40和第三光学系统50。如果设置了多头，则由于可用激光一起照射多个基板2、2、...，所以可以提高导电基板I的生产率。当照射各激光束时的具体实例在下文中，将參照各个示图(參照图3至图6)描述当照射各激光束时的具体实例。首先，将描述当照射第一激光时的具体实例(參见图3)。在图3中，横轴表不第一激光的照射时间，并且纵轴表不第一激光对基板2的扫描角度(实线)、第一激光的输出(单点划线)和第一激光的反射光量(双点划线)。图3中所示的实例表示第一激光从时间O到时间T3以0°到Θ的照射角度扫描、并且在时间Tl和时间T2之间检测导电浆料P的状态。第一激光的输出(光量)是常数值α，并且反射光量在导电浆料P不存在的位置处是小光量Fl，而在导电浆料P存在的位置处是大光量F2。这样，第一激光用作通过基板2的扫描基于由照射位置引起的反射率差异，来检测导电浆料P在基板2上的位置的激光。接着，将描述当照射第二激光时的具体实例(參见图4)。在图4中，横轴表不第二激光的照射时间，并且纵轴表不第二激光向基板2的扫描角度(实线)，以及第ニ激光的输出(单点划线)。图4中所示的实例表示利用第二激光从时间Tl到时间Τ2扫描导电浆料P，并且在时间Tl和时间Τ2之间将第二激光照射至导电浆料P的状态。第二激光的输出(光量)在导电浆料P不存在的位置处是O光量，并且在导电浆料P存在的位置处是大光量F。这样，第二激光用作被照射至通过照射第一激光而检测到位置的导电浆料P并且检测高温的导电层3、3、…的激光。通过用于由照射第三激光而保持导电浆料P的最佳烘焙状态的控制以及用于稳定来自激光源20的激光发射造成的温度变化所导致的输出的反馈控制，实时调节第二激光的光量。此外，尽管在上文中已经描述了在时间O和时间Tl、时间Τ2和时间Τ3之间光量是O的实例，但可以存在光量小于不会在这些时程损伤基板2的光量F的光量的第二激光的照射。接着，将描述当照射第三激光时的具体实例(參见图5的上部)。在图5的上部中，横轴表示第三激光的照射时间，并且纵轴表示第三激光对基板2的扫描角度(实线)、第三激光的输出(单点划线)和第三激光的反射光量(双点划线)。图5的上部所示的实例表示第三激光从时间O到时间Τ3以0°到Θ的照射角度扫描，并且在时间Tl和时间Τ2之间将第三激光照射至导电层3的状态。第三激光的输出(光量)是常数值β，并且反射光量在导电层3不存在的位置处是小光量F3，而在导电层3、存在的位置处是大光量F4。此时，当以最佳状态形成导电层3吋，预先将反射光的光量视为光量F5。当将第三激光照射至通过烘焙导电浆料P形成的导电层3、3、…时的反射光量低于当通过包含在导电浆料P中的分散剂的不充分分解而确保最佳烘焙状态时所得到的反射光量。因此，图5的上部中所示的实例相当于没有以最佳状态形成的导电层3的情況。因此，预先将当确保最佳烘焙状态时得到的反射光量设定成參照光量，并且将当照射第三激光时得到的反射光量和參照光量之间的差与当进行后续烘焙时的第二激光相加作为校正值，从而调节第二激光的光量。对整个基板2实时执行这种控制，从而形成在整个基板2上的导电浆料P、P、…的烘焙状态具有小的不平衡并且具有良好导电性的导电层3、3、…。图5的下部分示出了表示当进行上述控制时已经调节了第二激光的状态的实例。第二激光具有F6到F7的光量以在被调节后增大输出。此外，如图6中所示，在被照射至导电浆料P的状态下，第二激光可根据照射时间改变照射強度(光量)。例如，在根据时间改变光量的状态下，可将与被照射至导电浆料P并且在时间Tl和T2之间确保最佳烘焙状态的光量类似的光量照射至导电浆料P。当激光被照射至导电浆料P时，由于基板2的金属微粒或材料，热吸收状态可根据经过的时间而改变，因此，在照射激光后，热吸收率马上变低。因此，通过进行如上所述的用于根据时间改变第二激光的光量的控制，可以考虑到根据经过的时间改变的热吸收量而确保导电浆料P的最佳烘焙状态，并且形成具有良好导电性的导电层3、3、…。结论如上所述，在导电基板I中，通过将第二激光照射至基于由第一激光照射的照射位置引起的反射率差异而被检测到在基板2上的位置的导电浆料、进行烘焙而形成导电层3、3、…0因此，由于仅将具有烘焙所需的光量的第二激光照射至基板2上的导电浆料，可以将具有低耐热性的材料用于基板2，以提高关于基板2材料选择的自由度，并且降低制造成本。此外，由于将第三激光照射至基板2并且由此检测在基板2上形成的导电层3、3、…的状态，所以可以通过烘焙状态的稳定性来制造具有高操作可靠性的导电基板I。 此外，沿预定方向移动基板2，并且沿着垂直于基板2的移动方向的方向改变和扫描第一激光和第二激光的照射角度。因此，可以简单并可靠地基于激光对基板2的照射角度和基板2的移动位置对基板2执行导电浆料的位置检测以及执行激光对导电浆料的照射。此外，第一激光和第二激光使用激光源20作为公共的光源，因此能够減少部件的数目和制造成本。此外，第三激光使用激光源20作为与第一激光和第二激光公共的光源，因此能够 进ー步減少部件的数目和制造成本。其他如上所述，根据本发明的实施方式制造的导电基板I应用于平板显示器，例如液晶显示器、等离子体显示器或有机电致发光显示器。本发明可应用于其他领域，例如，具有通过印制形成的半导体电路的电子纸、具有通过印制形成的电容器结构的存储器装置、通过印制形成的天线装置以及具有通过印制形成配线的染料敏化太阳能电池的领域。此外，本发明可应用于柔性显示器领域，其中，使用银纳米墨在塑料基板上形成配线，或使用并五苯形成栅绝缘层或聚合物绝缘层。本发明包含于2011年2月3日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP2011-021634中所披露的主题，将其全部内容结合于此作为參考。本领域的技术人员应当理解，根据设计要求和其他因素，可以 进行各种修改、组合、子组合和变形，只要它们在所附权利要求或其等同物的范围之内。
权利要求
1.一种导电基板，包括 基板，由树脂材料制成；以及 导电层，通过烘焙涂覆在所述基板上的预定位置处的导电浆料而形成在所述基板上， 其中，所述导电层通过将第二激光照射至基于由第一激光照射至所述基板的照射位置引起的反射率差异而被检测到在所述基板上的位置的所述导电浆料、进行烘焙而形成。
2.根据权利要求I所述的导电基板，其中，通过将第三激光照射至所述基板来检测所述基板上的所述导电层的形成状态。
3.根据权利要求I所述的导电基板，其中，根据照射时间改变所述第二激光对所述导电浆料的照射強度。
4.根据权利要求I所述的导电基板，其中，沿着预定方向移动所述基板， 其中，通过沿着垂直于所述基板的移动方向的方向改变所述第一激光对所述基板的照射角度来检测所述导电浆料的位置，以及 其中，通过沿着垂直于所述基板的移动方向的方向改变所述第二激光对所述基板的照射角度来烘焙所述导电浆料。
5.根据权利要求I所述的导电基板，其中，所述第一激光和所述第二激光的激光源是公共的光源。
6.根据权利要求2所述的导电基板，其中，所述第一激光、所述第二激光和所述第三激光的激光源是公共的光源。
7.—种导电基板的制造方法,包括 在由树脂材料制成的基板的预定位置处涂覆导电浆料； 基于由第一激光照射到所述基板的照射位置引起的反射率差异来检测所述导电浆料在所述基板上的位置；以及 通过将第二激光照射至被检测到在所述基板上的位置的所述导电浆料来烘焙所述导电浆料，从而在所述基板上形成导电层。
8.根据权利要求7所述的导电基板的制造方法，其中，通过将第三激光照射至所述基板来检测所述基板上的所述导电层的形成状态。
9.根据权利要求7所述的导电基板的制造方法，其中，根据照射时间改变所述第二激光对所述导电浆料的照射強度。
10.根据权利要求7所述的导电基板的制造方法，其中，沿着预定方向移动所述基板， 其中，通过沿着垂直于所述基板的移动方向的方向改变所述第一激光对所述基板的照射角度来检测所述导电浆料的位置，以及 其中，通过沿着垂直于所述基板的移动方向的方向改变所述第二激光对所述基板的照射角度来烘焙所述导电浆料。
11.根据权利要求7所述的导电基板的制造方法，其中，所述第一激光和所述第二激光的激光源是公共的光源。
12.根据权利要求8所述的导电基板的制造方法，其中，所述第一激光、所述第二激光和所述第三激光的激光源是公共的光源。
13.—种激光照射装置，包括 第一光学系统，将第一激光照射至由树脂材料制成并且在预定位置处涂覆有导电浆料的基板，并且基于由照射位置引起的反射率差异来检测所述导电浆料在所述基板上的位置；以及 第二光学系统，通过将第二激光照射至被检测到在所述基板上的位置的所述导电浆料来烘焙所述导电浆料，从而形成导电层。
14.根据权利要求13所述的激光照射装置，还包括第三光学系统，所述第三光学系统通过将第三激光照射至所述基板来检测所述基板上的所述导电层的形成状态。
全文摘要
本发明提供了导电基板、导电基板的制造方法和激光照射装置，其中，该导电基板包括基板，由树脂材料制成；以及导电层，通过烘焙涂覆在基板上的预定位置处的导电浆料而形成在基板上，其中，导电层通过将第二激光照射至基于由第一激光照射至基板的照射位置引起的反射率差异而被检测到在基板上的位置的导电浆料、进行烘焙而形成。
文档编号H05K3/22GK102630121SQ20121002352
公开日2012年8月8日 申请日期2012年2月2日 优先权日2011年2月3日
发明者安芸祐一, 高木胜治 申请人:索尼公司