专利名称：一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法
技术领域：
本发明涉及晶体硅太阳能电池的制作技术领域，具体涉及制绒工序中一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法。
背景技术：
在晶硅太阳能电池的生产工艺中，对硅片表面进行腐蚀制备出的绒面可以有效地降低硅片的表面反射率，表面反射率是影响晶硅太阳能电池光电转换效率的重要因素之一。由于多晶硅晶粒取向的多样性，采用碱制绒工艺无法取得均匀的绒面，因此无法有效地降低多晶硅的表面反射率。目前，在多晶硅绒面的制备方法中，酸腐蚀技术(即各向同性腐蚀)既能获得均匀且反射率较低的绒面，又能实现低成本、规模化生产的目的。通常情况下，在实际生产过程中，降低硅片制绒后表面反射率的常规方法是采用提升带速或是降低HF和HNO3的整体浓度来实现。该方法可以降低硅片表面反射率，同时硅片腐蚀量也下降，以致于引起硅片损伤层去除不净。在实际生产过程中，还经常会出现花片、亮片。这些都会影响多晶硅太阳能电池片的光电转换效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，该方法能够在减薄量不变的情况下，降低多晶硅制绒表面反射率，有效提高太阳能电池的转换效率，同时能够减少花片、売片的广生。本发明解决降低多晶硅表面反射率所采取的技术方案如下
在采用多晶硅酸制备绒面的情况下，出现表面反射率过高时，采用下面所述的两种技术方案来降低多晶硅制绒表面的反射率。具体方案如下
方案A :停止补加HNO3,保证HF正常补加，持续60分钟后溶液中HNO3的浓度下降，反射率降低；随着时间的推移，溶液中HNO3的浓度下降，反射率进一步下降；待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。方案B :加水降低HNO3和HF的整体浓度，然后再通过加入HF，来提高HF的浓度使腐蚀程度不变，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。本发明的有益效果是采用本发明所提出的技术方案可以有效地降低多晶硅制绒后的表面反射率，可以有效地减少因反射率过高导致的亮片、花色片，达到减少表面反射，增强光电吸收，从而达到提高多晶硅太阳能电池片的光电转换效率的目的。
具体实施例方式下面根据本发明提供的一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，采用下面的具体实施方案作进一步说明。本实施方案是在制绒、扩散、喷蜡、刻蚀、丝网印刷各道工序的工艺与原工艺相同的条件下进行的。
具体实施方式
如下
I.在HNO3体积分数63%，HF体积分数9%，纯水体积分数28%的溶液中，温度为8V，腐蚀时间为90秒，此条件下测得多晶硅片表面反射率25. 5%，减薄量为0. 43g。2.在步骤I的条件下，停止补加HNO3,保证HF正常补加，持续60分钟后，测得此时多晶硅片表面反射率下降至23. 2%，再经过10分钟，测得多晶硅片表面反射率下降至22. 6%。3.待反射率降低至22. 6%，减薄量保持0. 43g时，正常补加HNO3和HF。将经过完整制程加工的多晶硅太阳能电池片置于标准测试条件下进行检测，采取本发明提供的技术方案和原技术方案进行制绒处理的多晶硅太阳能电池片的电性能参数如表I和表2所不。表I采用本发明所述技术方案制备的多晶硅太阳能电池片的电性能参数
权利要求
1.ー种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，其特征在于在采用多晶硅酸制备绒面的情况下，出现表面反射率过高时，采用下面所述的两种技术方案来降低多晶硅制绒表面的反射率，具体エ艺步骤如下方案A :停止补加HNO3，保证HF正常补加，持续一定时间后溶液中HNO3的浓度下降，反射率降低，随着时间的推移，溶液中HNO3的浓度下降，反射率进ー步下降，待反射率降低至技术參数 要求范围内，进行正常补加HNO3和HF '方案B :加水降低HNO3和HF的整体浓度，然后再通过加入HF，来提高HF的浓度使腐蚀程度不变，待反射率降低至技术參数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。
全文摘要
本发明公开了一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，具体地涉及在采用多晶硅酸制绒出现表面反射率过高时，降低多晶硅制绒表面的反射率。方案A停止补加HNO3，保证HF正常补加，持续一定时间后溶液中HNO3的浓度下降；随着时间的推移，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。方案B加水降低HNO3和HF的整体浓度，然后再加入HF，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。本发明的有益效果是可以有效地降低多晶硅制绒后的表面反射率，减少因反射率过高导致的亮片、花色片，达到提高多晶硅太阳能电池片的光电转换效率的目的。
文档编号C30B33/10GK102851743SQ20121032393
公开日2013年1月2日 申请日期2012年9月5日 优先权日2012年9月5日
发明者冯晓军 申请人:浙江鸿禧光伏科技股份有限公司