专利名称：防止仔晶浮动的坩埚的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种坩埚，尤其是涉及一种防止仔晶浮动的坩埚。
背景技术：
随着光伏发电技术逐渐成熟，太阳能电池的应用也在蓬勃发展。太阳能电池通常形成于硅衬底上，该硅衬底可以呈现为单晶硅衬底或多晶硅衬底。目前获得硅衬底的常见方法是通过硅料的熔化，凝固以及切割来完成的。坩埚是用来装载多晶硅原料的容器，作为生长单晶体的常规方法，在坩埚中放置仔晶晶体，其中源熔料与仔晶晶体接触，该熔料的温度在仔晶晶体上逐渐降低，以便生长单晶体。常用的平底坩埚在晶体生长的实际过程中会发生仔晶的浮动，进而影响单晶硅的生成。
实用新型内容本实用新型的目的是根据上述现有技术的缺陷，提供一种防止仔晶浮动的坩埚。为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案防止仔晶浮动的坩埚，其包括坩埚主体(I)，所述坩埚主体(I)的底部包括多个可防止仔晶浮动的口袋(2)，所述口袋⑵为具有倾斜侧壁的口袋。在本实用新型的一实施方式中，所述坩埚主体(I)与所述口袋(2)为一整体。在本实用新型的一实施方式中，所述口袋⑵的外墙(5)与底部(6)成锐角。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是采用了具有倾斜侧壁的口袋的坩埚，可在晶体生长的实际过程中防止仔晶的浮动。
图I为根据本实用新型的一实施方式所示的装满硅料的坩埚的剖视图。图2为根据本实用新型的一实施方式所示的容纳仔晶晶体的口袋的局部放大图。图3为根据本实用新型的一实施方式所示的坩埚的俯视图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明，但不作为对本实用新型的限定。如图I所示，防止仔晶浮动的坩埚，其包括装载了硅料(3)的坩埚主体(1)，所述坩埚主体(I)的底部包括可容纳仔晶晶体(4)以防止仔晶浮动的口袋(2)。所述坩埚主体
(I)与所述口袋(2)为一整体。在所述实施方式中，坩埚主体(I)和口袋(2)是一般的六面体，如长方体或正方体等。坩埚底部有多个口袋(2)。仔晶(4)放置在口袋(2)中，硅料
(3)装载在坩埚主体(I)中。进一步的，如图2所示，所述口袋⑵为具有倾斜侧壁的口袋。口袋⑵的外墙
(5)与底部(6)成锐角，仔晶晶体⑷放置在口袋⑵内。由于口袋⑵的外墙(5)是一个进入角，因此这种口袋底部的直径大于口袋上方直径。也就是说，这种口袋的底部大于其向坩埚底部开放的开口。首先仔晶以一个角度插入，然后放置在口袋底部，这种结构极大的防止了仔晶从口袋中浮出和退出。以上所述的实施例只是本实用新型较优选的具体实施方式
的一种，本领域的技术 人员在本实用新型技术方案的范围内进行的通常变换和替换都应包含在本实用新型的范围内。
权利要求1.防止仔晶浮动的坩埚，其包括坩埚主体(I)，其特征在于，所述坩埚主体(I)的底部包括多个可防止仔晶浮动的口袋(2)，所述口袋(2)为具有倾斜侧壁的口袋。
2.根据权利要求I所述的防止仔晶浮动的坩埚，其特征在于，所述坩埚主体(I)与所述口袋⑵为一整体。
3.根据权利要求I至2中任一项权利要求所述的防止仔晶浮动的坩埚，其特征在于，所述口袋(2)的外墙(5)与底部(6)成锐角。
专利摘要本实用新型涉及一种防止仔晶浮动的坩埚，其包括装载了硅料(3)的坩埚主体(1)，所述坩埚主体(1)的底部包括多个容纳仔晶晶体(4)以防止仔晶浮动的口袋(2)。所述坩埚主体(1)与所述口袋(2)为一整体。所述口袋(2)为具有倾斜侧壁的口袋。所述口袋(2)的外墙(5)与底部(6)成锐角。本实用新型的优点在于采用了具有倾斜侧壁的口袋的坩埚，可在晶体生长的实际过程中有效地防止仔晶的浮动。
文档编号C30B11/00GK202543378SQ20122001964
公开日2012年11月21日 申请日期2012年1月16日 优先权日2012年1月16日
发明者吴昆旭, 阿肖克·库马尔·辛哈, 雷平·赖 申请人:上澎太阳能科技(嘉兴)有限公司