专利名称：一种单晶硅生长热场的新型保温装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及单晶硅制造领域，具体来说是一种单晶硅生长热场的新型保温装置。
背景技术：
单晶硅是硅的单晶体，是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。现有单晶硅在生产的时候采用直拉法制备，直拉晶体生长炉热场设备制造不够合理，往往会出现，石英坩埚变形，晶体在生长过程中不能有一个恒定的空间范围，再者，现有的坩埚在加热装置的外层是一体式的保温装置，使设备的内部存在较大的多余空间，从而 增大保温装置所需要保温的空间，达不到节约资源和合理使用的效果。因此，特别需要一种单晶硅生长热场的新型保温装置，以解决现有技术中存在的问题。
实用新型内容本实用新型的目的是为了解决现有技术中不能使晶体在恒定的空间范围内生长和设备内部多余空间较大的问题，提供一种单晶硅生长热场的新型保温装置来解决上述问题。为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下—种单晶硅生长热场的新型保温装置，包括设置在筒体内的热屏、坩埚支撑架、石英坩埚和石墨加热筒，所述筒体的上端设置有开口，所述热屏覆盖在筒体的开口处，所述坩埚支撑架的一端设置在筒体的底部，另一端支撑在石英坩埚的底部，所述石墨加热筒设置在筒体内侧壁和石英坩埚之间，其特征在于，还包括保温装置，所述的保温装置包含设置在筒体内侧壁上的上石墨保温筒、中石墨保温筒和下石墨保温筒，所述上石墨保温筒、中石墨保温筒和下石墨保温筒为分体式的结构，所述上石墨保温筒设置在中石墨保温筒上，中石墨保温筒设置在下石墨保温筒上。在本实用新型中，所述的保温装置还包含设置在筒体底部的防漏底盘和设置在防漏底盘上的防漏板。在本实用新型中，所述石英坩埚的外侧包裹有防止石英坩埚变形的石墨坩埚。在本实用新型中，所述石英坩埚为U型的石英坩埚，所述石墨坩埚包裹在U型石英坩埚的外侧。 在本实用新型中，所述坩埚支撑架包含石墨托盘、坩埚托盘和支撑柱，所述石墨托盘设置在石墨坩埚底部，坩埚托盘设置在石墨托盘底部，所述支撑柱的一端连接坩埚托盘，另一端连接到筒体的底部。本实用新型的一种单晶硅生长热场的新型保温装置，与现有产品相比，将原有整体的保温筒分为上石墨保温筒、中石墨保温筒和下石墨保温筒，达到了更好的保温效果，通过在石英坩埚的外侧设置石墨坩埚，达到了石英坩埚尽量小的变形的效果，使晶体生长过程中有个恒定的空间范围，结构简单，十分实用，实现本实用新型的目的。
图I为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下参见图1，一种单晶硅生长热场的新型保温装置，包括设置在起支撑作用的筒体100内的用于保障温度恒定的热屏200、起支撑作用的坩埚支撑架300、用于放置晶体的石英坩埚400和石墨加热筒500，筒体100的上端设置有开口 110，热屏200覆盖在筒体100的 开口 110处，坩埚支撑架300的一端设置在筒体100的底部，另一端支撑在石英坩埚400的底部，起加热作用的石墨加热筒500设置在筒体100内侧壁和石英坩埚400之间，筒体100还包括保温装置600，保温装置600包含设置在筒体100内侧壁上的上石墨保温筒610、中石墨保温筒620和下石墨保温筒630，上石墨保温筒610、中石墨保温筒620和下石墨保温筒630为分体式的结构，上石墨保温筒610设置在中石墨保温筒620上，中石墨保温筒620设置在下石墨保温筒630上，从而达到更好保温的效果。保温装置600还包含设置在筒体100底部的防漏底盘640和设置在防漏底盘640上的防漏板650，起到保温的作用。石英坩埚400的外侧包裹有防止石英坩埚400变形的石墨坩埚700。石英坩埚400为U型的石英坩埚400，石墨坩埚700包裹在U型石英坩埚400的外侧。坩埚支撑架300包含石墨托盘310、坩埚托盘320和支撑柱330，石墨托盘310设置在石墨坩埚700底部，坩埚托盘320设置在石墨托盘310底部，支撑柱330的一端连接坩埚托盘320，另一端连接到筒体100的底部，起到更好的支撑效果。在使用的时候，将晶体放入石英坩埚400中，石墨加热筒500对筒体100内部进行加热，石墨坩埚700托起石英坩埚400，避免石英坩埚400的变形，上石墨保温筒、中石墨保温筒和下石墨保温筒，根据筒体100内部多余空间的大小进行设置，减小多余的空间，防漏板650和防漏底盘640以及其他保温组件达到对筒体200内部进行保温的效果。本实用新型的一种单晶硅生长热场的新型保温装置，与现有产品相比，将原有整体的保温筒分为上石墨保温筒610、中石墨保温筒620和下石墨保温筒630，达到了更好的保温效果，通过在石英坩埚400的外侧设置石墨坩埚700，达到了石英坩埚400尽量小的变形的效果，使晶体生长过程中有个恒定的空间范围，结构简单，十分实用，实现本实用新型的目的。以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物 定。
权利要求1.一种单晶硅生长热场的新型保温装置，包括设置在筒体内的热屏、坩埚支撑架、石英坩埚和石墨加热筒，所述筒体的上端设置有开口，所述热屏覆盖在筒体的开口处，所述坩埚支撑架的一端设置在筒体的底部，另一端支撑在石英坩埚的底部，所述石墨加热筒设置在筒体内侧壁和石英坩埚之间，其特征在于，还包括保温装置，所述的保温装置包含设置在筒体内侧壁上的上石墨保温筒、中石墨保温筒和下石墨保温筒，所述上石墨保温筒、中石墨保温筒和下石墨保温筒为分体式的结构，所述上石墨保温筒设置在中石墨保温筒上，中石墨保温筒设置在下石墨保温筒上。
2.根据权利要求I所述的一种单晶硅生长热场的新型保温装置，其特征在于所述的保温装置还包含设置在筒体底部的防漏底盘和设置在防漏底盘上的防漏板。
3.根据权利要求I所述的一种单晶硅生长热场的新型保温装置，其特征在于所述石英坩埚的外侧包裹有防止石英坩埚变形的石墨坩埚。
4.根据权利要求3所述的一种单晶硅生长热场的新型保温装置，其特征在于所述石英坩埚为U型的石英坩埚，所述石墨坩埚包裹在U型石英坩埚的外侧。
5.根据权利要求I所述的一种单晶硅生长热场的新型保温装置，其特征在于所述坩埚支撑架包含石墨托盘、坩埚托盘和支撑柱，所述石墨托盘设置在石墨坩埚底部，坩埚托盘设置在石墨托盘底部，所述支撑柱的一端连接坩埚托盘，另一端连接到筒体的底部。
专利摘要一种单晶硅生长热场的新型保温装置，包括设置在筒体内的热屏、坩埚支撑架、石英坩埚和石墨加热筒，筒体的上端设置有开口，热屏覆盖在筒体的开口处，坩埚支撑架的一端设置在筒体的底部，另一端支撑在石英坩埚的底部，石墨加热筒设置在筒体内侧壁和石英坩埚之间，筒体还设置保温装置，保温装置包含设置在筒体内侧壁上的上石墨保温筒、中石墨保温筒和下石墨保温筒。本实用新型将原有整体的保温筒分为上石墨保温筒、中石墨保温筒和下石墨保温筒，达到了更好的保温效果，通过在石英坩埚的外侧设置石墨坩埚，达到了石英坩埚尽量小的变形的效果，使晶体生长过程中有个恒定的空间范围，结构简单，十分实用。
文档编号C30B15/00GK202543381SQ20122013430
公开日2012年11月21日 申请日期2012年3月31日 优先权日2012年3月31日
发明者唐旭辉, 高彬彬 申请人:江苏聚能硅业有限公司