专利名称：一种晶体生长炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种加热炉，尤其涉及一种晶体生长炉。
背景技术：
传统的鼠笼式加热器电极一般是采用铜环与钨杆通过紧固件连接的，铜环内有水冷夹层，铜环上面连接有带水冷夹层的铜棒，铜棒一般从炉盖上方伸出，与单晶炉电源连接，从而将直流电压导入到加热器上。这样一种结构就导致了在加热过程中，冷却水会带走大量的热量，也就是说加热器大部分的热功率都被冷却水消耗了。另外，该结构由于引入冷却水进入真空腔体，存在泄漏的风险，一旦电极引出的焊缝处漏水那么就会造成真空破坏、电极短路、熔融状态的晶体遇水喷溅、坩埚损坏等重大事故。因此有必要对现有的晶体生长炉进行改进，提高加热效率，避免泄露隐患。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种晶体生长炉，能够提高加热效率，并且避免泄露隐患。本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种晶体生长炉，包括密封固定在腔体内的坩埚和主加热器，所述主加热器设在坩埚的外面，所述坩埚和主加热器外设有隔热屏，其中，所述主加热器通过钨环和钨棒电极的一端相连，所述钨棒电极的另一端与腔体上的水冷电极相连。上述的晶体生长炉，其中，所述坩埚顶部设有盖屏，底部通过支撑柱上，所述坩埚的底部还设有辅助加热器，所述主加热器为鼠笼式钨杆加热器，所述辅助加热器位于主加热器的外面，所述辅助加热器通过钨棒电极与腔体上的水冷电极相连。上述的晶体生长炉，其中，所述钨棒电极的一端用钥螺栓紧固或焊接在钨环上；所述鹤环为两个半圆环，每个半圆环上连接有多个均勻分布的鹤棒电极。上述的晶体生长炉，其中，每个半圆环上连接的钨棒电极的数目为三个。上述的晶体生长炉，其中，所述钨棒电极截面为圆形或矩形。本实用新型对比现有技术有如下的有益效果本实用新型提供的晶体生长炉，利用钨环代替传统结构的铜环，通过炉体侧壁上的电极引出结构形成一套完整的回路，水冷夹层位于腔体内外筒中，真空腔体内没有冷却水循环，没有冷却水泄漏的风险，从而提高加热效率，避免了传统结构焊接隐患带来的损失。
图I为本实用新型晶体生长炉结构示意图。图中I钨棒电极 2钨环 3上隔热屏4腔体5盖屏6主加热器[0014]7坩埚8侧隔热屏9水冷电极10辅助加热器11下隔热屏12支撑柱
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。图I为本实用新型晶体生长炉结构示意图。请参见图1，本实用新型提供的晶体生长炉包括密封固定在腔体4内的坩埚7和主加热器6，主加热器6设在坩埚7的外面，坩埚7和主加热器6外设有隔热屏，其中，主加热器6通过钨环2和钨棒电极I的一端相连，钨棒电极I的另一端与腔体4上的水冷电极9相连。钨棒电极I截面优选为圆形或矩形，钨棒电极I的一端用钥螺栓紧固或焊接在钨环2上；钨环2为两个半圆环，每个半圆环上连接有多个均匀分布的钨棒电极I ;每个半圆环上连接的钨棒电极I的数目优选为三个。 本实用新型提供的晶体生长炉，坩埚7顶部设有盖屏5，底部通过支撑柱12上。为了在坩埚顶部和底部形成温度梯度，坩埚7的底部可进一步设置辅助加热器10，主加热器6为鼠笼式钨杆加热器，所述辅助加热器10位于主加热器6的外面，辅助加热器10通过钨棒电极I与腔体4上的水冷电极9相连。综上所述，本实用新型利用钨环2代替传统结构的铜环，通过炉体侧壁上的电极引出结构形成一套完整的回路，水冷夹层位于腔体4中，真空腔体内没有冷却水循环，没有冷却水泄漏的风险，从而提高加热效率，避免了传统结构焊接隐患带来的损失。虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本实用新型，任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
权利要求1.一种晶体生长炉，包括密封固定在腔体(4)内的坩埚(7)和主加热器(6)，所述主加热器(6)设在坩埚(7)的外面，所述坩埚(7)和主加热器(6)外设有隔热屏，其特征在于，所述主加热器(6 )通过钨环(2 )和钨棒电极(I)的一端相连，所述钨棒电极(I)的另一端与腔体(4)上的水冷电极(9)相连。
2.如权利要求I所述的晶体生长炉，其特征在于，所述坩埚(7)顶部设有盖屏(5)，底部通过支撑柱(12 )上，所述坩埚(7 )的底部还设有辅助加热器(10 )，所述主加热器(6 )为鼠笼式钨杆加热器，所述辅助加热器(10)位于主加热器(6)的外面，所述辅助加热器(10)通过钨棒电极(I)与腔体(4)上的水冷电极(9)相连。
3.如权利要求2所述的晶体生长炉，其特征在于，所述钨棒电极(I)的一端用钥螺栓紧固或焊接在钨环(2)上；所述钨环(2)为两个半圆环，每个半圆环上连接有多个均匀分布的钨棒电极(I)。
4.如权利要求3所述的晶体生长炉，其特征在于，每个半圆环上连接的钨棒电极(I)的数目为三个。
5.如权利要求I 4任一项所述的晶体生长炉，其特征在于，所述钨棒电极(I)截面为圆形或矩形。
专利摘要本实用新型公开了一种晶体生长炉，包括密封固定在腔体内的坩埚和主加热器，所述主加热器设在坩埚的外面，所述坩埚和主加热器外设有隔热屏，其中，所述主加热器通过钨环和钨棒电极的一端相连，所述钨棒电极的另一端与腔体上的水冷电极相连。本实用新型提供的晶体生长炉，通过炉体侧壁上的电极引出结构形成一套完整的回路，水冷夹层位于腔体内外筒中，真空腔体内没有冷却水循环，没有冷却水泄漏的风险，从而提高加热效率，避免了传统结构焊接隐患带来的损失。
文档编号C30B15/00GK202658265SQ201220299670
公开日2013年1月9日 申请日期2012年6月25日 优先权日2012年6月25日
发明者毛念新, 严仲君, 黄翔鄂, 王新征 申请人:上海嘉森真空科技有限公司