一种多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置，属于机械【技术领域】。它解决了现有技术中不能够防止抽取出来的杂质被倒吸回提纯装置中等问题。本多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置，多晶硅铸锭炉包括密闭的炉体，炉体内固定有坩埚，炉体开设有通气孔一，坩埚开设有通气孔二，通气孔一的一端与通气孔二通过连接管相连，通气孔一的另一端还通过真空管与一真空泵相连；本防倒吸装置包括单向阀、收集箱一和收集箱二，单向阀设置在真空管上，收集箱一通过安装管一与真空管相连通，收集箱二通过安装管二与真空管相连通。本实用新型能够防止抽取出来的杂质再次倒吸回流到炉体坩埚内。
【专利说明】-种多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型属于机械【技术领域】，涉及一种多晶硅铸锭炉，特别是一种多晶硅铸锭 炉中的防倒吸装置。
【背景技术】
[0002] 多晶硅铸锭是将多晶硅原料在铸锭炉内经历加热、熔化和退火等工艺阶段从固态 到高温熔融后，再通过特殊工艺使原料定向冷凝结晶而生产出来。然而，实际刚生产所得到 的多晶硅并无法能够达到指定的纯度，其具有一定含量的杂质，为了提高产品的质量和资 源的利用率，需要通过一定的技术对处于熔融状态下的多晶硅进行提纯处理。
[0003] 但是，在处理杂质的过程中往往会由于密封的提纯装置中存在空气压强差，而导 致提纯装置内部出现倒吸杂物的现象，致使多晶硅的纯度降低。
[0004] 所以，对于本领域内的技术人员，还有待研发出一种能够防止抽取的杂物再次倒 吸入提纯炉中的装置是非常有必要的，以使多晶硅的纯度能够更高。
【发明内容】
[0005] 本实用新型的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种多晶硅铸锭炉中 的防倒吸装置，本防倒吸装置具有能够防止抽取出来的杂质被再次倒吸回炉体内的特点。
[0006] 本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现：一种多晶硅铸锭炉中的防倒吸装 置，所述的多晶硅铸锭炉包括密闭的炉体，所述的炉体内固定有用于溶解多晶硅铸锭的坩 埚，炉体与坩埚之间形成空腔，其特征在于，所述的炉体的侧壁上开设有通气孔一，所述的 坩埚的侧壁上开设有通气孔二，通气孔一的一端与通气孔二之间通过连接管密封相连，通 气孔一的另一端还通过真空管与一真空泵相连，本防倒吸装置设置在真空管上，包括单向 阀、收集箱一和收集箱二，所述的单向阀设置在真空管上，所述的收集箱一通过安装管一与 真空管相连通，安装管一与真空管之间的连接口处于通气孔一与单向阀之间，所述的收集 箱二通过安装管二与真空管相连通，安装管二与真空管之间的连接口处于真空泵与单向阀 之间。
[0007] 本多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置的工作原理是这样的：首先，对坩埚在炉体内进 行加热，多晶硅铸锭吸热化成熔融状态，杂质会漂浮到坩埚的最上层；然后，打开真空泵，通 过真空管可对坩埚内熔融状态下的多晶硅铸锭进行吸收杂质；其次，由真空泵抽取出来的 杂物在安装管一处通过收集箱一进行收集处理；最后，经过收集箱一后残留在真空管内的 其余杂质流经单向阀，并通过收集箱二进行收集处理，从而达到除杂的目的。同时，单向阀 保证了由于存在的压力差而导致杂物通过真空管被倒吸到坩埚内。
[0008] 在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中，所述的安装管一与真空管之间设有密 封垫一。密封垫一能进一步保证安装管一与真空管连接处的密封度。
[0009] 在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中，所述的安装管二与真空管之间设有密 封垫二。密封垫二能进一步保证安装管二与真空管连接处的密封度。
[0010] 在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中，所述的安装管一和真空管之间的连接 口与单向阀之间的间距为5?20cm。
[0011] 在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中，所述的安装管二和真空管之间的连接 口与单向阀之间的间距为5?20cm。
[0012] 在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中，所述的真空管和连接管均采用钢质材 料制成。作为高温气体、液体的输送管道，采用钢质材料耐腐蚀性强，耐热性好。
[0013] 在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中，所述的坩埚通过支撑架固定在炉体的 内部，支撑架包括若干支撑脚和设置在支撑脚上的支撑板。通过支撑架能将坩埚支撑在炉 体的空腔内，保证坩埚能够受热均匀且固定稳定。
[0014] 与现有技术相比，本多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置具有以下优点：
[0015] 1、本实用新型通过收集箱一和收集箱二能够收集真空泵从坩埚抽取的杂质。
[0016] 2、本实用新型通过单向阀能够防止抽取的杂质再次倒吸回流到坩埚中。
【专利附图】
【附图说明】
[0017] 图1是本实用新型的结构示意图；
[0018] 图2是本实用新型的正视结构示意图。
[0019] 图中，1、炉体；2、坩埚；3、温度计；4、压力计；5、连接管；6、真空泵；7、单向阀；8、 收集箱一；9、收集箱二；10、真空管；11、安装管一；12、安装管二；13、支撑架；13a、支撑脚； 13b、支撑板。
【具体实施方式】
[0020] 以下是本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步 的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。
[0021] 如图1所示，一种多晶硅铸锭炉中的提纯装置，包括密闭的炉体1，炉体1内固定有 用于溶解多晶硅铸锭的坩埚2,炉体1与坩埚2之间形成空腔。
[0022] 具体来说，坩埚2通过支撑架13固定在炉体1的内部，支撑架13包括四个支撑脚 13a和设置在支撑脚13a上的支撑板13b，通过支撑架13能将坩埚2支撑在炉体1的空腔 内，保证坩埚2能够受热均匀，同时固定稳定。其中，坩埚2内设还有能够测量坩埚2内液体 温度的温度计3,空腔内设有能够测量空腔内空气压力的压力计4,温度计3和压力计4均 与一显示器相连，从而更加直观的能够了解到炉体1内部的工作状况。炉体1的侧壁上开 设有通气孔一，坩埚2的侧壁上开设有通气孔二，通气孔一的一端与通气孔二之间通过连 接管5密封相连，通气孔一的另一端还通过真空管10与一真空泵6相连。在本实施例中， 真空管10和连接管5均采用钢质材料制成，作为高温气体、液体的输送管道，采用钢质材料 耐腐蚀性强，耐热性好。
[0023] 如图2所示，真空管10上设有一能够防止杂质回流至连接管5上的防倒吸装置。 具体来说，本防倒吸装置包括单向阀7、收集箱一 8和收集箱二9,单向阀7设置在上述的真 空管10上。收集箱一 8通过安装管一 11与真空管10相连通，安装管一 11与真空管10之 间设有密封垫一，进一步保证安装管一 11与真空管10连接处的密封度，安装管一 11与真 空管10之间的连接口处于通气孔一与单向阀7之间，具体的，安装管一 11和真空管10之 间的连接口与单向阀7之间的间距为10cm，当然，在实际生产过程中，也可以根据实际需要 适当增加或减小安装管一 11和真空管10之间的连接口与单向阀7之间的间距，一般情况 下该距离在5?20cm之间为宜。同时，收集箱二9通过安装管二12与真空管10相连通， 安装管二12与真空管10之间设有密封垫二，能进一步保证安装管二12与真空管10连接 处的密封度，且安装管二12与真空管10之间的连接口处于真空泵6与单向阀7之间，安装 管二12和真空管10之间的连接口与单向阀7之间的间距为10cm，当然，在实际生产过程 中，也可以根据实际需要适当增加或减小安装管二12和真空管10之间的连接口与单向阀 7之间的间距，一般情况下该距离在5?20cm之间为宜。通过收集箱一 8和收集箱二9之 间的单向阀7能够防止杂质回流至连接管5,同时，通过收集箱二9能够处理掉流经收集箱 一 8后残留下来的杂物。
[0024] 本多晶硅铸锭炉中的提纯装置的工作原理是这样的：首先，对坩埚2在炉体1内进 行加热，并通过坩埚2内的温度计3,来观察多晶硅铸锭的溶解温度，同时，根据炉体1空腔 内的压力计4来测量空腔内的压力状况，从而来调节真空泵6对坩埚2内提纯时的真空度； 然后，多晶硅铸锭吸热化成熔融状态，杂质会漂浮到坩埚2的最上层，打开真空泵6,通过真 空管10可对坩埚2内熔融状态下的多晶硅铸锭进行吸收杂质；其次，由真空泵6抽取出来 的杂物在安装管一 11处通过收集箱一 8进行收集处理；最后，经过收集箱一 8后残留在真 空管10内的其余杂质流经单向阀7,并通过收集箱二9进行收集处理，从而达到除杂的目 的。同时，单向阀7保证了由于存在的压力差而导致杂物通过真空管10被倒吸到坩埚2内。
[0025] 本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所 属【技术领域】的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似 的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
[0026] 尽管本文较多地使用了 1、炉体；2、坩埚；3、温度计；4、压力计；5、连接管；6、真空 泵；7、单向阀；8、收集箱一；9、收集箱二；10、真空管；11、安装管一；12、安装管二；13、支撑 架；13a、支撑脚；13b、支撑板等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅 仅是为了更方便地描述和解释本实用新型的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是 与本实用新型精神相违背的。
【权利要求】
1. 一种多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置，所述的多晶硅铸锭炉包括密闭的炉体，所述的 炉体内固定有用于溶解多晶硅铸锭的坩埚，炉体与坩埚之间形成空腔，其特征在于，所述的 炉体的侧壁上开设有通气孔一，所述的坩埚的侧壁上开设有通气孔二，通气孔一的一端与 通气孔二之间通过连接管密封相连，通气孔一的另一端还通过真空管与一真空泵相连，本 防倒吸装置设置在真空管上，包括单向阀、收集箱一和收集箱二，所述的单向阀设置在真空 管上，所述的收集箱一通过安装管一与真空管相连通，安装管一与真空管之间的连接口处 于通气孔一与单向阀之间，所述的收集箱二通过安装管二与真空管相连通，安装管二与真 空管之间的连接口处于真空泵与单向阀之间。
2. 根据权利要求1所述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置，其特征在于，所述的安装管 一与真空管之间设有密封垫一。
3. 根据权利要求2所述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置，其特征在于，所述的安装管 二与真空管之间设有密封垫二。
4. 根据权利要求3所述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置，其特征在于，所述的安装管 一和真空管之间的连接口与单向阀之间的间距为5?20cm。
5. 根据权利要求4所述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置，其特征在于，所述的安装管 二和真空管之间的连接口与单向阀之间的间距为5?20cm。
6. 根据权利要求1?5中任意一项所述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置，其特征在于， 所述的真空管和连接管均采用钢质材料制成。
7. 根据权利要求1?5中任意一项所述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置，其特征在于， 所述的坩埚通过支撑架固定在炉体的内部，支撑架包括若干支撑脚和设置在支撑脚上的支 撑板。
【文档编号】C30B28/06GK204022996SQ201420488089
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年8月27日 优先权日:2014年8月27日
【发明者】黄贤强, 何建军, 沈达军, 杨红伟, 张志杰, 付龙, 肖余琴 申请人:浙江溢闳光电科技有限公司