层叠体及其制造方法以及触控面板与流程

本发明涉及层叠体及其制造方法、以及触控面板。

背景技术：

一直以来，作为透明导电性构件，已知在玻璃板上形成了氧化铟薄膜的导电性玻璃。但是，导电性玻璃由于基材为玻璃，所以可挠性差，难以将其应用在相应的用途上。因此，提出了将使用树脂的层叠体作为可挠性优异的透明导电性构件的方案(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-65217号公报。

技术实现要素：

发明要解决的问题

专利文献1所记载的层叠体具有可挠性基材、在该可挠性基材上形成的导电层以及在该导电层上形成的粘结剂层。但是，这样的现有的层叠体的耐弯折性不充分。具体来说，现有的层叠体在重复进行弯折操作的情况下，在弯折部位容易产生白化或导电层的裂纹。因此，需要进一步改善耐弯折性。

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供具有优异的耐弯折性的层叠体及其制造方法；以及具有上述层叠体的触控面板。

用于解决问题的方案

本发明人为了解决上述问题而进行了深入研究。结果，本发明人发现，依次具有由树脂a形成的第1树脂层、导电层、以及由树脂b形成的第2树脂层、且树脂a和树脂b都具有规定的储能模量的层叠体，其在重复进行弯折操作的情况下，能够抑制外观变化和导电层的裂纹，从而完成了本发明。

即，本发明包含下述内容。

[1]一种层叠体，依次具有由树脂a形成的第1树脂层、导电层及由树脂b形成的第2树脂层，

在25℃时，上述树脂a的储能模量为500mpa以上且20000mpa以下，

在25℃时，上述树脂b的储能模量为10mpa以上且1000mpa以下。

[2]根据[1]所述的层叠体，其中，上述第1树脂层的厚度为1μm以上且100μm以下，

上述第2树脂层的厚度为1μm以上且100μm以下。

[3]根据[1]或[2]所述的层叠体，其中，上述树脂a包含含有脂环式结构的聚合物，

上述树脂b包含可以导入烷氧基甲硅烷基的嵌段共聚物氢化物。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的层叠体，其中，上述树脂a的玻璃化转变温度为130℃以上。

[5]根据[1]～[4]中任一项所述的层叠体，其中，上述导电层包含选自金属、导电性金属氧化物、导电性纳米线及导电性聚合物中的至少1种导电材料。

[6]一种触控面板，其以从观看侧起依次设置第1树脂层、导电层及第2树脂层的方式，具有[1]～[5]中任一项所述的层叠体，

上述层叠体能够以观看侧的面为外侧进行弯曲。

[7]一种层叠体的制造方法，为[1]～[5]中任一项所述的层叠体的制造方法，包含：

准备第1树脂层的工序；

在上述第1树脂层上形成导电层的工序；

在上述导电层上形成第2树脂层的工序。

发明效果

根据本发明，能够提供具有优异的耐弯折性的层叠体及其制造方法；以及具有上述层叠体的触控面板。

附图说明

图1为示意性地示出本发明的一个实施方式涉及的层叠体的剖面图。

图2为示意性地示出本发明的一个实施方式涉及的层叠体的剖面图。

具体实施方式

以下，示出实施方式和例示物，对本发明进行详细的说明。但是，本发明并不限定于以下示出的实施方式和例示物，在不脱离本发明的请求的范围及其同等的范围的范围内，能够任意地变更实施。

[1.层叠体的内容]

图1和图2分别为示意性地示出本发明的一个实施方式涉及的层叠体10的剖面图。

如图1所示，本发明的一个实施方式涉及的层叠体10沿其厚度方向依次具有由树脂a形成的第1树脂层110、导电层120及由树脂b形成的第2树脂层130。进而，树脂a和树脂b分别在25℃具有规定范围的储能模量。

这样的层叠体10的耐弯折性优异。在此，层叠体10的耐弯折性是指如下性质：即使对该层叠体10重复进行弯折操作，也难以产生导电层120的裂纹以及白化等外观变化。因此，该层叠体10即使在重复进行弯折操作的情况下，也能够抑制弯折部的白化和导电层的裂纹的产生。特别地，如图2所示，层叠体10对以第1树脂层110侧的面110d为外侧、第2树脂层130侧的面130u为内侧的弯折具有高耐性。

此外，与仅在导电层的单侧具有树脂层的层叠体相比，在导电层120的两侧具有第1树脂层110和第2树脂层130来作为树脂层的层叠体10，其由各层的热收缩差引起的卷曲小。因此，上述层叠体10通常能够抑制由热引起的卷曲。

层叠体10除第1树脂层110、导电层120及第2树脂层130以外，还可以具有任意的层。但是，第1树脂层110与导电层120优选直接接触。并且，导电层120与第2树脂层130优选直接接触。在此，某两层接触的方式为“直接”是指这两层之间没有其它层。进而，层叠体10特别优选为仅具有第1树脂层110、导电层120及第2树脂层130的3层结构的膜。

[2.第1树脂层]

第1树脂层是由在25℃具有规定范围的储能模量的树脂a形成的树脂层。第1树脂层包含的树脂a在25℃时的具体的储能模量通常为500mpa以上，优选为800mpa以上，特别优选为1100mpa以上，通常为20000mpa以下，优选为18000mpa以下，特别优选为16000mpa以下。

通过在由具有上述范围的储能模量的树脂a形成的第1树脂层与由具有规定范围的储能模量的树脂b形成的第2树脂层之间形成导电层，能够抑制弯折引起的导电层的裂纹。此外，上述树脂a难以产生弯曲引起的白化。因此，能够使层叠体的耐弯折性提高。特别地，通过树脂a的储能模量为上述范围的下限值以上，能够使耐热尺寸稳定性良好。此外，通过树脂a的储能模量为上述范围的上限值以下，能够使内部残留应力减小。

树脂的储能模量能够使用动态粘弹性测定装置在频率1hz的条件进行测定。具体的测定条件能够采用下述的实施例的条件。

作为树脂a，能够使用包含聚合物、进一步能够根据需要包含任意的成分的树脂。聚合物可以单独使用1种，也可以以任意比率组合使用2种以上。作为树脂a包含的聚合物，优选包含含有脂环式结构的聚合物的树脂。以下，有时将含有脂环式结构的聚合物适当地称为“含脂环式结构聚合物”。

含脂环式结构聚合物由于机械强度优异，所以能够有效地提高层叠体的耐弯折性。此外，含脂环式结构聚合物通常具有优异的透明性、低吸水性、耐湿性、尺寸稳定性及轻质性。

含脂环式结构聚合物是在重复单元中含有脂环式结构的聚合物，可举出例如能够通过使用环状烯烃作为单体的聚合反应得到的聚合物或其氢化物等。此外，作为上述的含脂环式结构聚合物，能够使用主链中含有脂环式结构的聚合物和侧链中含有脂环式结构的聚合物中的任一种。其中，含脂环式结构聚合物优选在主链中含有脂环式结构。作为脂环式结构，可举出例如环烷烃结构、环烯烃结构等，从热稳定性等观点出发，优选环烷烃结构。

1个脂环式结构包含的碳原子数优选为4个以上，更优选为5个以上，更优选为6个以上，优选为30个以下，更优选为20个以下，特别优选为15个以下。通过使1个脂环式结构包含的碳原子数在上述范围内，可使机械强度、耐热性以及成型性高度地平衡。

含脂环式结构聚合物中的具有脂环式结构的重复单元的比例优选为30重量％以上，更优选为50重量％以上，进一步优选为70重量％以上，特别优选为90重量％以上。通过如上所述地增加具有脂环式结构的重复单元的比例，能够提高耐热性。

此外，在含脂环式结构聚合物中，除具有脂环式结构的重复单元以外的剩余部分，没有特别限定，能够根据使用目的适当地选择。

作为含脂环式结构聚合物，可以使用具有结晶性的聚合物和不具有结晶性的聚合物中的任一种，也可以将两者组合使用。在此，具有结晶性的聚合物是指具有熔点mp的聚合物。此外，具有熔点mp的聚合物是指能够使用差示扫描量热计(dsc)观测到熔点mp的聚合物。通过使用具有结晶性的含脂环式结构聚合物，能够特别有效地提高层叠体的机械强度，因此能够显著地改善耐弯折性。此外，通过使用不具有结晶性的含脂环式结构聚合物，能够降低层叠体的制造成本。

作为具有结晶性的含脂环式结构聚合物，可举出例如下述的聚合物(α)～聚合物(δ)。在这些中，从容易得到耐热性优异的层叠体的方面出发，作为具有结晶性的含脂环式结构聚合物，优选聚合物(β)。

聚合物(α)：具有结晶性的环状烯烃单体的开环聚合物。

聚合物(β)：具有结晶性的聚合物(α)的氢化物。

聚合物(γ)：具有结晶性的环状烯烃单体的加成聚合物。

聚合物(δ)：具有结晶性的聚合物(γ)的氢化物。

具体而言，作为具有结晶性的含脂环式结构聚合物，更优选具有结晶性的双环戊二烯的开环聚合物以及具有结晶性的双环戊二烯的开环聚合物的氢化物，特别优选具有结晶性的双环戊二烯的开环聚合物的氢化物。在此，双环戊二烯的开环聚合物是指来自双环戊二烯的结构单元相对于全部结构单元的比例通常为50重量％以上、优选为70重量％以上、更优选为90重量％以上、进一步优选为100重量％的聚合物。

具有结晶性的含脂环式结构聚合物在制造层叠体之前，也可以不进行结晶化。但是，在制造了层叠体后，该层叠体所包含的具有结晶性的含脂环式结构聚合物通常能够通过进行结晶化而具有高结晶化度。具体的结晶化度的范围能够根据期望的性能适当地选择，优选为10％以上，更优选为15％以上。通过使层叠体所包含的含脂环式结构聚合物的结晶化度为上述范围的下限值以上，能够赋予层叠体高耐热性和耐化学性。结晶化度能够通过x射线衍射法进行测定。

具有结晶性的含脂环式结构聚合物的熔点mp优选为200℃以上，更优选为230℃以上，优选为290℃以下。通过使用具有这样的熔点mp的、具有结晶性的含脂环式结构聚合物，能够得到成型性与耐热性的平衡进一步优异的层叠体。

上述那样具有结晶性的含脂环式结构聚合物能够通过例如国际公开第2016/067893号所记载的方法进行制造。

另一方面，作为不具有结晶性的含脂环式结构聚合物，可举出例如：(1)降冰片烯系聚合物、(2)单环的环状烯烃聚合物、(3)环状共轭二烯聚合物、(4)乙烯基脂环式烃聚合物、以及它们的氢化物等。在这些中，从透明性和成型性的观点出发，更优选降冰片烯系聚合物及其氢化物。

作为降冰片烯系聚合物，可举出例如：降冰片烯系单体的开环聚合物、降冰片烯系单体与能够开环共聚的其它单体的开环共聚物、以及它们的氢化物；降冰片烯系单体的加成聚合物、降冰片烯单体与能够共聚的其它单体的加成共聚物等。在这些中，从透明性的观点出发，特别优选降冰片烯系单体的开环聚合物氢化物。

上述的含脂环式结构聚合物可选自例如日本特开2002-321302号公报中公开的聚合物。

作为包含不具有结晶性的含脂环式结构聚合物的树脂，由于存在各种市售商品，因此能够在这些中适当地选择并使用具有期望的特性的树脂。作为这样的市售品的例子，可举出商品名“zeonor”(日本瑞翁株式会社制)、“arton”(jsr株式会社制)、“apel”(三井化学株式会社制)、“topas”(polyplastics公司制)的产品群。

树脂a包含的聚合物的重均分子量(mw)优选为10000以上，更优选为15000以上，特别优选为20000以上，优选为100000以下，更优选为80000以下，特别优选为50000以下。具有这样的重均分子量的聚合物的机械强度、成型加工性及耐热性的平衡优异。

树脂a包含的聚合物的分子量分布(mw/mn)优选为1.2以上，更优选为1.5以上，特别优选为1.8以上，优选为3.5以下，更优选为3.4以下，特别优选为3.3以下。通过使分子量分布为上述范围的下限值以上，能够提高聚合物的生产率，抑制制造成本。此外，通过使分子量分布为上限值以下，由于低分子成分的量变少，因此能够抑制高温暴露时的弛豫，能够提高层叠体的稳定性。

聚合物的重均分子量mw和数均分子量mn能够通过使用环己烷作为溶剂的凝胶渗透色谱法(以下简称为“gpc”)、作为聚异戊二烯换算的值进行测定。在树脂不溶解于环己烷的情况下，能够使用甲苯作为溶剂。当溶剂为甲苯时，重均分子量mw和数均分子量mn能够作为聚苯乙烯换算的值进行测定。

从得到耐热性和耐弯折性特别优异的层叠体的观点出发，树脂a中的聚合物的比例优选为80重量％～100重量％，更优选为90重量％～100重量％，进一步优选为95重量％～100重量％，特别优选为98重量％～100重量％。

在树脂a中，也可以与上述聚合物组合包含任意的成分。作为任意的成分的例子，可举出：无机微粒；抗氧化剂、热稳定剂、紫外线吸收剂、近红外线吸收剂等稳定剂；滑剂、增塑剂等树脂改性剂；染料、颜料等着色剂；以及防静电剂。作为这些任意的成分，可以单独使用1种，也可以以任意的比率组合使用2种以上。但是，从使本发明的效果显著地发挥的观点出发，优选任意的成分的含有比例少。

树脂a的玻璃化转变温度tg优选为130℃以上，更优选为140℃以上，进一步优选为150℃以上。通过使树脂a具有上述那样高的玻璃化转变温度tg，可提高树脂a的耐热性，因此能够抑制高温环境下的第1树脂层的尺寸变化。在导电层的形成方法中，由于存在像蒸镀法、溅镀法等这样的在高温环境下的形成方法，因此，通过使树脂a具有上述那样优异的耐热性，从而能够适当地进行导电层的形成。特别地，在想要形成具有微细的图案形状的导电层的情况下，树脂a具有优异的耐热性这件事是有用的。从容易地获得树脂a的观点出发，树脂a的玻璃化转变温度的上限优选为200℃以下，更优选为190℃以下，特别优选为180℃以下。玻璃化转变温度能够通过后述的实施例记载的方法进行测定。

第1树脂层通常具有高透明性。第1树脂层的具体的全光线透过率优选为70％以上，更优选为80％以上，进一步优选为90％以上。全光线透过率能够使用紫外可见分光光度计在波长400nm～700nm的范围进行测定。

此外，第1树脂层的灰雾优选为5％以下，更优选为3％以下，特别优选为1％以下，理想化为0％。灰雾能够根据jisk7361-1997，使用日本电色工业公司制的“浊度计ndh-300a”测定5处，采用由此求出的平均值。

第1树脂层的厚度优选为1μm以上，更优选为10μm以上，特别优选为13μm以上，优选为100μm以下，更优选为80μm以下，特别优选为60μm以下。通过使第1树脂层的厚度为上述范围的下限值以上，能够通过第1树脂层抑制水分向导电层浸入。因此，能够有效地抑制水分导致的导电层的劣化。另一方面，通过使第1树脂层的厚度为上述范围的上限值以下，能够减小由于弯折产生的应力，因此能够有效地提高层叠体的耐弯折性。

第1树脂层的制造方法没有限制。作为第1树脂层的制造方法，可举出例如熔融成型法和溶液流延法等。其中，从能够抑制溶剂等挥发性成分在第1树脂层中残留的观点出发，优选熔融成型法。进一步详细而言，熔融成型法能够分为挤出成型法、压制成型法、吹胀成型法、注射成型法、吹塑成型法、拉伸成型法等。在这些方法中，为了得到机械强度和表面精度优异的第1树脂层，优选挤出成型法、吹胀成型法及压制成型法，从能够高效且简单地制造第1树脂层的观点出发，特别优选挤出成型法。

[3.导电层]

导电层通常包含具有导电性的材料(以下有时适当地称为“导电材料”。)。作为这样的导电材料，可举出例如金属、导电性金属氧化物、导电性纳米线、导电性聚合物等。此外，导电材料可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意的比率组合使用。其中，从提高层叠体的耐弯折性的观点出发，导电层优选包含选自金属、导电性纳米线及导电性聚合物中的至少1种的导电材料。

作为金属，可举出例如金、铂、银及铜。其中，优选为银、铜及金，更优选为银。这些金属可以单独使用1种，也可以以任意的比率组合使用2种以上。在使用这些金属形成导电层的情况下，通过将导电层形成为细线状，能够得到透明的导电层。例如，通过形成作为格子状的金属网层的导电层，能够得到透明的导电层。

包含金属的导电层能够通过例如涂敷包含金属颗粒的导电层形成用组合物的形成方法而形成。此时，能够通过将上述导电层形成用组合物印刷成规定的格子图案，从而得到作为金属网层的导电层。进而，能够通过例如涂敷包含银盐的导电层形成用组合物，利用曝光处理和显影处理使金属细线形成为规定的格子图案，由此形成作为金属网层的导电层。关于这样的导电层及其形成方法的详细内容，能够参照日本特开2012-18634号公报、日本特开2003-331654号公报。

作为导电性金属氧化物，可举出例如ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)、zno(氧化锌)、iwo(氧化铟钨)、itio(氧化铟钛)、azo(氧化铝锌)、gzo(氧化镓锌)、xzo(锌系特殊氧化物)、igzo(氧化铟镓锌)等。在这些中，从光线透过性和耐久性的观点出发，特别优选ito。导电性金属氧化物可以单独使用1种，也可以以任意的比率组合使用2种以上。

包含导电性金属氧化物的导电层能够通过包含例如蒸镀法、溅镀法、离子镀法、离子束辅助蒸镀法、电弧放电等离子蒸镀法、热cvd法、等离子cvd法、镀金法以及它们的组合等成膜方法的形成方法而形成。在这些中，优选蒸镀法和溅镀法，特别优选溅镀法。通过溅镀法能够形成厚度均匀的导电层，因此能够抑制在导电层局部产生薄的部分。

导电性纳米线是指形状为针状或线状，径为纳米尺寸的导电性物质。导电性纳米线可以为直线状，也可以为曲线状。这样的导电性纳米线通过在导电性纳米线彼此间形成间隙而成为网眼状，从而，即使是少量的导电性纳米线也能够形成良好的导电通路，能够实现电阻小的导电层。此外，导电性线通过形成网眼状，在网眼的间隙形成开口部，因此，能够得到光线透过率高的导电层。

导电性纳米线的粗细d和长度l的比(长径比：l/d)优选为10～100000，更优选为50～100000，特别优选为100～10000。如果使用这样的长径比大的导电性纳米线，则导电性纳米线会良好地交叉，能够通过少量的导电性纳米线显现高导电性。结果，能够得到透明性优异的层叠体。在此，“导电性纳米线的粗细”在导电性纳米线的剖面为圆形的情况下是指其直径，在其剖面为椭圆形的情况下是指其短径，在其剖面为多边形的情况下是指其最长的对角线。导电性纳米线的粗细和长度可以通过扫描型电子显微镜或透射型电子显微镜进行测定。

导电性纳米线的粗细优选小于500nm，更优选小于200nm，进一步优选为10nm～100nm，特别优选为10nm～50nm。由此，能够提高导电层的透明性。

导电性纳米线的长度优选为2.5μm～1000μm，更优选为10μm～500μm，特别优选为20μm～100μm。由此，能够提高导电层的导电性。

作为导电性纳米线，可举出例如由金属构成的金属纳米线，包含碳纳米管的导电性纳米线等。

作为金属纳米线包含的金属，优选导电性高的金属。作为优选的金属的例子，可举出金、铂、银及铜，其中优选银、铜及金，更优选银。此外，也可以使用对上述金属进行了电镀处理(例如，镀金处理)的材料。进而，上述材料可以单独使用1种，也可以以任意的比率组合使用2种以上。

作为金属纳米线的制造方法，能够采用任意的适当的方法。可举出例如：在溶液中对硝酸银进行还原的方法；由探针的尖端部对前体表面作用外加电压或电流，利用探针尖端部抽出金属纳米线，从而连续地形成该金属纳米线的方法等。在溶液中对硝酸银进行还原的方法中，能够在乙二醇等多元醇以及聚乙烯吡咯烷酮的存在下，对硝酸银等银盐进行液相还原，由此合成银纳米线。尺寸均一的银纳米线能够根据例如xia,y.etal.,chem.mater.(2002)、14、4736-4745、xia,y.etal.,nanoletters(2003)3(7)、955-960所记载的方法进行大量生产。

作为碳纳米管，可使用例如直径为0.3nm～100nm、长度为0.1μm～20μm左右的所谓的多层碳纳米管、双层碳纳米管、单层碳纳米管等。其中，从导电性高的观点出发，优选直径为10nm以下、长度为1μm～10μm的单层或双层碳纳米管。此外，在碳纳米管的集合体中，优选不包含无定形碳和催化剂金属等杂质。作为碳纳米管的制造方法，能够采用任意的适当的方法。优选使用通过电弧放电法制作的碳纳米管。通过电弧放电法制作的碳纳米管由于结晶性优异，因此优选。

包含导电性纳米线的导电层能够通过例如包含下述的工序的形成方法来形成：将导电性纳米线分散在溶剂中，得到导电性纳米线分散液，将该导电性纳米线分散液进行涂敷和干燥。

作为导电性纳米分散液包含的溶剂，可举出例如水、醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、烃系溶剂、芳香族系溶剂等，其中，从降低环境负荷的观点出发，优选使用水。此外，溶剂可以单独使用1种，也可以以任意的比率组合使用2种以上。

导电性纳米线分散液中的导电性纳米线的浓度优选为0.1重量％～1重量％。由此，能够形成导电性和透明性优异的导电层。

导电性纳米线分散液能够与导电性纳米线和溶剂组合包含任意的成分。作为任意的成分，可举出例如抑制导电性纳米线的腐蚀的腐蚀抑制剂、抑制导电性纳米线的凝聚的表面活性剂、用于将导电性纳米线保持在导电层中的粘结剂聚合物等。此外，任意的成分可以单独使用1种，也可以以任意的比率组合使用2种以上。

作为导电性纳米线分散液的涂敷方法，可举出例如喷涂法、棒涂法、辊涂法、模涂法、喷墨涂敷法、丝网涂敷法、浸涂法、槽模涂敷法、凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法等。作为干燥方法，可以采用任意的适当的干燥方法(例如自然干燥、鼓风干燥、加热干燥)。例如，在加热干燥的情况下，干燥温度能够为100℃～200℃，干燥时间能够为1分钟～10分钟。

导电层中的导电性纳米线的比例，相对于导电层的总重量优选为80重量％～100重量％，更优选为85重量％～99重量％。由此，能够得到导电性和光透过性优异的导电层。

作为导电性聚合物，可举出例如聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚对亚苯基系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚对亚苯基亚乙烯基系聚合物、聚吡咯系聚合物、聚亚苯基系聚合物、通过丙烯酸系聚合物改性的聚酯系聚合物等。其中，优选聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚对亚苯基系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚对亚苯基亚乙烯基聚合物及聚吡咯系聚合物。

其中，特别优选聚噻吩系聚合物。通过使用聚噻吩系聚合物，能够得到透明性和化学稳定性优异的导电层。作为聚噻吩系聚合物的具体例子，可举出：聚噻吩；聚(3-己基噻吩)等聚(3-c1-8烷基-噻吩)；聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)、聚(3,4-亚丙基二氧噻吩)、聚[3,4-(1,2-亚环己基)二氧噻吩]等聚(3,4-(环)亚烷基二氧噻吩)；聚亚噻吩基亚乙烯基等。在此，“c1-8烷基”表示碳原子数为1～8的烷基。另外，上述导电性聚合物可以单独使用1种，也可以以任意的比率组合使用2种以上。

导电性聚合物优选在阴离子性聚合物的存在下进行聚合。例如，聚噻吩系聚合物优选在阴离子性聚合物的存在下使其氧化聚合。作为阴离子性聚合物，可举出具有羧基、磺酸基、或者它们的盐的聚合物。优选使用聚苯乙烯磺酸等具有磺酸基的阴离子性聚合物。

包含导电性聚合物的导电层能够通过例如包含将包含导电性聚合物的导电层形成用组合物进行涂敷、干燥的形成方法而形成。关于包含导电性聚合物的导电层，能够参照日本特开2011-175601号公报。

导电层由于使用上述那样的导电材料形成，因此具有导电性。导电层的导电性能够由例如表面电阻值来表示。导电层的具体的表面电阻值能够根据层叠体的用途进行设定。在某一实施方式中，导电层的表面电阻值优选为1000ω/sq.以下，更优选为900ω/sq.以下，特别优选为800ω/sq.以下。导电层的表面电阻值的下限没有特别限制，从容易制造的方面出发，优选为1ω/sq.以上，更优选为2.5ω/sq.以上，特别优选为5ω/sq.以上。

导电层可以在第1树脂层和第2树脂层之间的整个区域中形成，也可以在部分区域中形成。例如，导电层可以在具有规定的平面形状的图案中图案化而形成。在此，平面形状是指沿层的厚度方向观察时的形状。导电层的图案的平面形状能够根据层叠体的用途进行设定。例如，在将层叠体用作电路基板的情况下，导电层的平面形状可以形成与电路的布线形状对应的图案。此外，例如在将层叠体用作触控面板用传感膜的情况下，导电层的平面形状优选作为触控面板(例如电容式触控面板)良好地工作的图案，当举出具体例子时，可举出日本特表2011-511357号公报、日本特开2010-164938号公报、日本特开2008-310550号公报、日本特表2003-511799号公报、日本特表2010-541109号公报所记载的图案。

导电层通常具有高透明性。因此，可见光通常能够透过该导电层。导电层的具体的透明性能够根据层叠体的用途进行调节。导电层具体的全光线透过率优选为80％以上，更优选为90％以上，进一步优选为95％以上。

导电层的每1层的厚度优选为0.010μm以上，更优选为0.020μm以上，特别优选为0.025μm以上，优选为10μm以下，更优选为3μm以下，特别优选为1μm以下。由此，能够提高导电层的透明性。

[4.第2树脂层]

第2树脂层是由在25℃具有规定范围的储能模量的树脂b形成的树脂层。第2树脂层包含的树脂b在25℃时的具体储能模量通常为10mpa以上，优选为15mpa以上，特别优选为30mpa以上，通常为1000mpa以下，优选为950mpa以下，特别优选为900mpa以下。

通过在由具有上述范围的储能模量的树脂b形成的第2树脂层与由上述的树脂a形成的第1树脂层之间形成导电层，能够使层叠体的耐弯折性提高。特别地，通过使树脂b的储能模量为上述范围的下限值以上，能够提高耐热性。此外，通过使树脂b的储能模量为上述范围的上限值以下，能够提高耐弯折性。

在上述的第1树脂层和第2树脂层的组合中，通常第2树脂层包含的树脂b的储能模量比第1树脂层包含的树脂a的储能模量小。因此，第2树脂层的可挠性比第1树脂层的可挠性优异，因此，第2树脂层对变形的耐性优异。因此，层叠体通常能够对以第1树脂层侧的面为外侧、以第2树脂层侧的面为内侧这样的方向的弯折发挥特别高的耐弯折性。

作为树脂b，能够使用包含聚合物、进一步能够根据需要包含任意的成分的树脂。聚合物可以单独使用1种，也可以以任意比率组合使用2种以上。作为树脂b包含的聚合物，优选嵌段共聚物氢化物。上述嵌段共聚物氢化物是对嵌段共聚物进行了氢化的氢化物。在以下的说明中，有时将上述嵌段共聚物适当地称为“嵌段共聚物[1]”。此外，在以下的说明中，有时将上述嵌段共聚物[1]的氢化物适当地称为“氢化物[2]”。

嵌段共聚物[1]优选包含含有芳香族乙烯基化合物单元的聚合物嵌段[a]和含有链状共轭二烯化合物单元(直链状共轭二烯化合物单元、支链状共轭二烯化合物单元等)的聚合物嵌段[b]。在嵌段共聚物[1]中，特别优选：每1分子嵌段共聚物[1]具有2个以上的聚合物嵌段[a]，每1分子嵌段共聚物[1]具有1个以上的聚合物嵌段[b]。

聚合物嵌段[a]是含有芳香族乙烯基化合物单元的聚合物嵌段。在此，芳香族乙烯基化合物单元是指具有将芳香族乙烯基化合物聚合形成的结构的结构单元。

作为聚合物嵌段[a]具有的芳香族乙烯基化合物单元所对应的芳香族乙烯基化合物，可举出例如：苯乙烯；α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,4-二异丙基苯乙烯、4-叔丁基苯乙烯、5-叔丁基-2-甲基苯乙烯等具有碳原子数为1～6的烷基作为取代基的苯乙烯类；4-氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-单氟苯乙烯等具有卤原子作为取代基的苯乙烯类；4-甲氧基苯乙烯等具有碳原子数为1～6的烷氧基作为取代基的苯乙烯类；4-苯基苯乙烯等具有芳基作为取代基的苯乙烯类；1-乙烯基萘、2-乙烯基萘等乙烯基萘类等。这些可以单独使用1种，也可以以任意的比率组合使用2种以上。在这些之中，从能够降低吸湿性的方面出发，优选苯乙烯、具有碳原子数为1～6的烷基作为取代基的苯乙烯类等不含有极性基团的芳香族乙烯基化合物，从工业上容易获得的方面出发，特别优选苯乙烯。

聚合物嵌段[a]中的芳香族乙烯基化合物单元的含有率优选为90重量％以上，更优选为95重量％以上，特别优选为99重量％以上。通过使聚合物嵌段[a]中的芳香族乙烯基化合物单元的量如上述那样多，能够提高第2树脂层的硬度和耐热性。

聚合物嵌段[a]除了芳香族乙烯基化合物单元以外，还可以包含任意的结构单元。聚合物嵌段[a]可以单独包含1种任意的结构单元，也可以以任意的比率组合包含2种以上任意的结构单元。

作为聚合物嵌段[a]能够包含的任意的结构单元，可举出例如链状共轭二烯化合物单元。在此，链状共轭二烯化合物单元是指具有将链状共轭二烯化合物聚合形成的结构的结构单元。作为链状共轭二烯化合物单元所对应的链状共轭二烯化合物，可举出例如与作为聚合物嵌段[b]具有的链状共轭二烯化合物单元所对应的链状共轭二烯化合物的例子而举出的化合物相同的例子。

此外，作为聚合物嵌段[a]能够包含的任意的结构单元，可举出例如具有将除芳香族乙烯基化合物和链状共轭二烯化合物以外的、任意的不饱和化合物聚合形成的结构的结构单元。作为任意的不饱和化合物，可举出例如：链状乙烯基化合物、环状乙烯基化合物等乙烯基化合物；不饱和环状酸酐；不饱和酰亚胺化合物等。这些化合物也可以具有腈基、烷氧基羰基、羟基羰基、或者卤素基团等取代基。在这些中，从吸湿性的观点出发，优选乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-二十碳烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等每1分子中碳原子数为2～20的链状烯烃；乙烯基环己烯等每1分子中碳原子数为5～20的环状烯烃等不具有极性基团的乙烯基化合物，更优选每1分子中碳原子数为2～20的链状烯烃，特别优选乙烯、丙烯。

聚合物嵌段[a]中的任意的结构单元的含有率优选为10重量％以下，更优选为5重量％以下，特别优选为1重量％以下。

1分子嵌段共聚物[1]中的聚合物嵌段[a]的个数优选为2个以上，优选为5个以下，更优选为4个以下，特别优选为3个以下。1分子中具有的多个聚合物嵌段[a]彼此可以相同，也可以不同。

聚合物嵌段[b]是含有链状共轭二烯化合物单元的聚合物嵌段。如上所述，链状共轭二烯化合物单元是指具有将链状共轭二烯化合物聚合形成的结构的结构单元。

作为该聚合物嵌段[b]具有的链状共轭二烯化合物单元所对应的链状共轭二烯化合物，可举出例如直链状共轭二烯化合物、支链状共轭二烯化合物等。作为链状共轭二烯化合物的具体例子，可举出1,3-丁二烯、异戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。这些可以单独使用1种，也可以以任意的比率组合使用2种以上。其中，从能够降低吸湿性的方面出发，优选不含有极性基团的链状共轭二烯化合物，特别优选1,3-丁二烯、异戊二烯。

聚合物嵌段[b]中的链状共轭二烯化合物单元的含有率优选为90重量％以上，更优选为95重量％以上，特别优选为99重量％以上。通过使聚合物嵌段[b]中的链状共轭二烯化合物单元的量为上述那样多，能够使第2树脂层的可挠性提高。

聚合物嵌段[b]除了链状共轭二烯化合物单元以外，还可以包含任意的结构单元。聚合物嵌段[b]可以单独包含1种任意的结构单元，也可以以任意的比率组合包含2种以上任意的结构单元。

作为聚合物嵌段[b]能够包含的任意的结构单元，可举出例如芳香族乙烯基化合物单元、以及具有将除芳香族乙烯基化合物和链状共轭二烯化合物以外的任意的不饱和化合物聚合形成的结构的结构单元。作为这些芳香族乙烯基化合物单元、以及具有将任意的不饱和化合物化合物聚合形成的结构的结构单元，可举出例如与作为聚合物嵌段[a]中可以包含的结构单元所例示的结构单元相同的例子。

聚合物嵌段[b]中的任意的结构单元的含有率优选为10重量％以下，更优选为5重量％以下，特别优选为1重量％以下。通过使聚合物嵌段[b]中的任意的结构单元的含有率低，能够使第2树脂层的可挠性提高。

1分子嵌段共聚物[1]中的聚合物嵌段[b]的个数通常为1个以上，也可以为2个以上。在嵌段共聚物[1]中的聚合物嵌段[b]的个数为2个以上的情况下，这些聚合物嵌段[b]彼此可以相同，也可以不同。

嵌段共聚物[1]的嵌段的形式可以是链状型嵌段，也可以是径向型嵌段。其中，链状型嵌段的机械强度优异，所以优选。在嵌段共聚物[1]具有链状型嵌段的形式的情况下，通过使嵌段共聚物[1]的分子链的两端为聚合物嵌段[a]，能够将第2树脂层的粘性抑制至期望的低值。

嵌段共聚物[1]特别优选的嵌段形式为：如[a]-[b]-[a]所表示的那样，聚合物嵌段[a]在聚合物嵌段[b]的两端成键的三嵌段共聚物；如[a]-[b]-[a]-[b]-[a]所表示的那样，聚合物嵌段[b]在聚合物嵌段[a]的两端成键、聚合物嵌段[a]进一步在这两个聚合物嵌段[b]的另一端分别成键的五嵌段共聚物。特别地，[a]-[b]-[a]的三嵌段共聚物由于制造容易且能够容易地将物性控制在期望的范围内，因此特别优选。

在嵌段共聚物[1]中，聚合物嵌段[a]在嵌段共聚物[1]的整体中所占的重量分数wa与聚合物嵌段[b]在嵌段共聚物[1]的整体中所占的重量分数wb的比(wa/wb)优选处于特定的范围。具体而言，上述的比(wa/wb)优选为30/70以上，进一步优选为40/60以上，特别优选为45/55以上，优选为85/15以下，进一步优选为70/30以下，特别优选为55/45以下。通过使上述的比wa/wb为上述范围的下限值以上，能够使第2树脂膜的刚性和耐热性提高，能够降低双折射。此外，通过上述的比wa/wb为上述范围的上限值以下，能够使第2树脂层的可挠性提高。在此，聚合物嵌段[a]的重量分数wa表示聚合物嵌段[a]整体的重量分数，聚合物嵌段[b]的重量分数wb表示聚合物嵌段[b]整体的重量分数。

上述的嵌段共聚物[1]的重均分子量(mw)优选为30000以上，更优选为40000以上，特别优选为50000以上，优选为200000以下，更优选为150000以下，特别优选为100000以下。

此外，嵌段共聚物[1]的分子量分布(mw/mn)优选为3以下，更优选为2以下，特别优选为1.5以下，优选为1.0以上。

上述嵌段共聚物[1]的重均分子量(mw)及分子量分布(mw/mn)能够通过以四氢呋喃(thf)为溶剂的凝胶渗透色谱法(gpc)，作为聚苯乙烯换算的值进行测定。

作为嵌段共聚物[1]的制造方法，能够采用例如国际公开第2015/099079号、日本特开2016-204217号公报所记载的方法。

氢化物[2]是将嵌段共聚物[1]的不饱和键氢化而得到的聚合物。在此，嵌段共聚物[1]的主链和侧链的芳香性及非芳香性的碳-碳不饱和键均包含在氢化的嵌段共聚物[1]的不饱和键中。

氢化物[2]的氢化率优选为90％以上，更优选为97％以上，进一步优选为99％以上。只要没有另外说明，氢化物[2]的氢化率为在嵌段共聚物[1]的主链和侧链的芳香性及非芳香性的碳-碳不饱和键中被氢化的键的比例。氢化率越高，则能够使第2树脂层的透明性、耐热性及耐候性越良好，进而越容易使第2树脂层的双折射降低。在此，氢化物[2]的氢化率能够通过使用¹h-nmr的测定求出。

特别地，非芳香性的碳-碳不饱和键的氢化率优选为95％以上，更优选为99％以上。通过提高非芳香性的碳-碳不饱和键的氢化率，能够进一步提高第2树脂层的耐光性和耐氧化性。

此外，芳香性的碳-碳不饱和键的氢化率优选为90％以上，更优选为93％以上，特别优选为95％以上。通过提高芳香性的碳-碳不饱和键的氢化率，将聚合物嵌段[a]氢化得到的聚合物嵌段的玻璃化转变温度提高，因此能够有效地提高第2树脂层的耐热性。进而，能够降低树脂b的光弹性系数。

氢化物[2]的重均分子量(mw)优选为30000以上，更优选为40000以上，进一步优选为45000以上，优选为200000以下，更优选为150000以下，进一步优选为100000以下。通过使氢化物[2]的重均分子量(mw)处于上述范围，能够使第2树脂层的机械强度和耐热性提高，进而容易使第2树脂层的双折射降低。

氢化物[2]的分子量分布(mw/mn)优选为3以下，更优选为2以下，特别优选为1.8以下，优选为1.0以上。通过使氢化物[2]的分子量分布(mw/mn)处于上述范围，能够使第2树脂层的机械强度和耐热性提高，进而容易使第2树脂层的双折射降低。

氢化物[2]的重均分子量(mw)及分子量分布(mw/mn)能够通过以四氢呋喃(thf)为溶剂的凝胶渗透色谱法(gpc)，作为聚苯乙烯换算的值进行测定。

上述的氢化物[2]能够通过将嵌段共聚物[1]氢化而制造。作为氢化方法，优选能够提高氢化率、且嵌段共聚物[1]的断链反应少的氢化方法。作为这样的氢化方法，可举出例如国际公开第2015/099079号、日本特开第2016-204217号所记载的方法。

在树脂b包含的氢化物[2]中，也可以导入烷氧基甲硅烷基。以下，有时将在氢化物[2]中特别导入了烷氧基甲硅烷基的氢化物适当地称为“烷氧基甲硅烷基改性物[3]”。通过导入了烷氧基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基改性物[3]对其它材料显示高密合性。因此，由包含烷氧基甲硅烷基改性物[3]的树脂b形成的第2树脂层对导电层的密合性优异，因此能够使层叠体整体的机械强度提高。因此，通过使用烷氧基甲硅烷基改性物[3]，能够使耐弯折性特别良好。

烷氧基甲硅烷基改性物[3]是在上述的嵌段共聚物[1]的氢化物[2]中导入烷氧基甲硅烷基而得到的聚合物。此时，烷氧基甲硅烷基可以直接键合在上述的氢化物[2]上，也可以经由例如亚烷基等2价的有机基团间接键合在上述的氢化物[2]上。

烷氧基甲硅烷基改性物[3]中的烷氧基甲硅烷基的导入量相对于100重量份的烷氧基甲硅烷基导入前的氢化物[2]优选为0.1重量份以上，更优选为0.2重量份以上，特别优选为0.3重量份以上，优选为10重量份以下，更优选为5重量份以下，特别优选为3重量份以下。当将烷氧基甲硅烷基的导入量控制在上述范围时，能够抑制被水分等分解的烷氧基甲硅烷基彼此的交联度过度增高，因此能够较高地维持第2树脂层的密合性。

烷氧基甲硅烷基的导入量能够使用¹h-nmr谱进行测定。此外，在测定烷氧基甲硅烷基的导入量时，在导入量少的情况下，可以增加累计次数进行测定。

烷氧基甲硅烷基改性物[3]的重均分子量(mw)由于导入的烷氧基甲硅烷基的量少，因此通常与导入烷氧基甲硅烷基前的氢化物[2]的重均分子量(mw)相比没有大的变化。但是，在导入烷氧基甲硅烷基时，通常在过氧化物的存在下使氢化物[2]进行改性反应，因此该氢化物[2]会进行交联反应和断链反应，分子量分布有大幅变化的倾向。烷氧基甲硅烷基改性物[3]的重均分子量(mw)优选为30000以上，更优选为40000以上，进一步优选为45000以上，优选为200000以下，更优选为150000以下，特别优选为100000以下。此外，烷氧基甲硅烷基改性物[3]的分子量分布(mw/mn)优选为3.5以下，更优选为2.5以下，特别优选为2.0以下，优选为1.0以上。当烷氧基甲硅烷基改性物[3]的重均分子量(mw)和分子量分布(mw/mn)在该范围内时，能够维持第2树脂层的良好的机械强度和拉伸伸长率。

烷氧基甲硅烷基改性物[3]的重均分子量(mw)和分子量分布(mw/mn)能够利用以四氢呋喃作为溶剂的凝胶渗透色谱法(gpc)，作为聚苯乙烯换算值进行测定。

烷氧基甲硅烷基改性物[3]能够通过在上述的嵌段共聚物[1]的氢化物[2]中导入烷氧基甲硅烷基来进行制造。作为在氢化物[2]中导入烷氧基甲硅烷基的方法，可举出例如国际公开第2015/099079号、日本特开2016-204217号公报所记载的方法。

树脂b中的氢化物[2](包含烷氧基甲硅烷基改性物[3])等聚合物的比例优选为80重量％～100重量％，更优选为90重量％～100重量％，特别优选为95重量％～100重量％。通过使树脂b中的聚合物的比例处于上述范围，从而容易地将树脂b的储能模量控制在上述范围。

树脂b可以与上述聚合物组合包含任意的成分。作为任意的成分，可举出例如与树脂a能够包含的任意的成分相同的例子。此外，任意的成分可以单独使用1种，也可以以任意的比率组合使用2种以上。

第2树脂层通常具有高透明性。第2树脂层具体的全光线透过率优选为70％以上，更优选为80％以上，进一步优选为90％以上。此外，第2树脂层的灰雾优选为5％以下，更优选为3％以下，特别优选为1％以下，理想地为0％。

第2树脂层的厚度优选为1μm以上，更优选为10μm以上，特别优选为15μm以上，优选为100μm以下，更优选为80μm以下，特别优选为60μm以下。通过使第2树脂层的厚度为上述范围的下限值以上，能够通过第2树脂层抑制水分向导电层浸入。因此，能够有效地抑制水分导致的导电层的劣化。另一方面，通过使第2树脂层的厚度为上述范围的上限值以下，能够减小由于弯折产生的应力，因此能够有效地提高层叠体的耐弯折性。

第2树脂层的制造方法没有限制。作为第2树脂层的制造方法，可举出例如熔融成型法、溶液流延法等。其中，从能够抑制溶剂等挥发性成分在第2树脂层中残留的观点出发，优选熔融成型法。进而，为了得到机械强度和表面精度优异的第2树脂层，在熔融成型法中，优选挤出成型法、吹胀成型法及压制成型法，从能够高效且简单地制造第2树脂层的观点出发，特别优选挤出成型法。

[5.任意的层]

层叠体能够根据需要进一步与上述的第1树脂层、导电层及第2树脂层组合包含任意的层。例如，层叠体可以在第1树脂层的与导电层的相反侧、第2树脂层的与导电层的相反侧等位置具有任意的层。作为任意的层，可举出例如支承体层、硬涂层、折射率匹配层、粘接层、相位差层、起偏器层、光学补偿层等。

[6.层叠体的物性和厚度]

层叠体具有优异的耐弯折性。因此，层叠体即使在重复进行弯折的情况下，也能够抑制导电层的裂纹及白化等外观变化。例如，在某实施方式中，即使在按照后述的实施例所记载的翻折试验重复翻折1万次的情况下，也能够抑制翻折部分的导电层的裂纹以及外观变化，优选能够消除导电层的裂纹及外观变化。

层叠体能够发挥如上述那样优异的耐弯折性的原理推测为如下所述。但是，本发明的技术范围并不限制于下述说明的原理。

第2树脂层包含的树脂b由于具有适当范围的储能模量，因此具有优异的可挠性。因此，在弯曲层叠体的情况下，第2树脂层容易变形，能够吸收弯曲产生的应力。进而，由于在导电层的与第2树脂层的相反侧设置了由具有适当的储能模量的树脂a形成的第1树脂层，所以能够进一步有效地抑制在导电层中集中较大的应力。因此，能够有效地抑制因弯折产生应力而导致的导电层的裂纹。

此外，由于第1树脂层和第2树脂层具有适当范围的储能模量，所以在弯曲层叠体的情况下，难以产生第1树脂层和第2树脂层的破损。进而，通过适当的储能模量的作用，难以产生第1树脂层与导电层的剥离、以及第2树脂层与导电层的剥离。因此，难以产生因上述破损或剥离而导致的微小的空隙，所以难以引起弯折部的灰雾的上升，因此，可抑制白化等外观的变化。

层叠体拥有具有可挠性的第1树脂层和第2树脂层来作为用于支承导电层的层，因此相较于导电性玻璃，通常耐冲击性和加工性优异。进而，层叠体通常比导电性玻璃轻质。

从使用层叠体作为光学构件的观点出发，层叠体的全光线透过率优选为70％以上，更优选为80％以上，进一步优选为90％以上。

此外，从提高装载有层叠体的图像显示装置的图像清晰度的观点出发，层叠体的灰雾优选为5％以下，更优选为3％以下，特别优选为1％以下，理想地为0％。

层叠体的厚度优选为2μm以上，更优选为5μm以上，进一步优选为7.5μm以上，特别优选为10μm以上，优选为200μm以下，更优选为175μm以下，特别优选为150μm以下。通过使层叠体的厚度为上述范围的下限值以上，能够提高层叠体的机械强度，能够在形成导电层时防止褶皱。此外，通过使层叠体的厚度为上述范围的上限值以下，能够使层叠体的耐弯折性特别良好，进一步能够使层叠体薄膜化。

[7.层叠体的制造方法]

层叠体的制造方法没有限制。例如，从简单地制造上述层叠体的观点出发，层叠体优选通过包含如下工序的制造方法进行制造：准备第1树脂层的工序；在第1树脂层上形成导电层的工序；以及在导电层上形成第2树脂层的工序。

在准备第1树脂层的工序中，例如，根据上述第1树脂层的制造方法，由树脂a形成第1树脂层。

在形成导电层的工序中，例如，根据上述导电层的形成方法，在第1树脂层上形成导电层。导电层也可以经由任意的层间接形成在第1树脂层上。但是，导电层优选直接形成在第1树脂层上。在此，在某层上形成另一层的方式为“直接”是指这2层之间没有其它层。

在形成第2树脂层的工序中，在导电层的与第1树脂层的相反侧形成第2树脂层。第2树脂层也可以经由任意的层间接形成在导电层上。例如，也可以在根据上述的第2树脂层的制造方法准备了第2树脂层后，通过粘结剂或粘接剂将该第2树脂层贴合于导电层。但是，第2树脂层优选直接形成在导电层上。例如，根据需要加热第2树脂层并且将其压接在导电层的表面，由此能够在导电层上直接形成第2树脂层。此外，例如将包含树脂b和溶剂的涂敷液涂敷在导电层上，根据需要使其干燥，由此也能够在导电层上直接地形成第2树脂层。

层叠体的制造方法也可以进一步与上述工序组合包含任意的工序。

[8.触控面板]

上述的层叠体能够在各种光学用途中使用。层叠体能够作为例如触控面板的构件而使用。层叠体由于耐弯折性优异，所以特别适合具有可挠性的触控面板。

在具有层叠体的触控面板中，层叠体的朝向是任意的。例如，在触控面板中，可以从观看侧起按第1树脂层、导电层及第2树脂层的顺序依次设置。此外，例如在触控面板中，也可以从观看侧起按第2树脂层、导电层及第1树脂层的顺序依次设置。

一般认为，触控面板以观看侧的面为外侧进行弯曲而使用的情况多。因此，设置在触控面板中的层叠体的朝向优选以可得到能够以观看侧的面为外侧进行弯曲的触控面板的方式进行设定。如上所述，层叠体通常对以第1树脂层侧的面为外侧的弯折具有高耐性。因此，为了使层叠体能够以该层叠体的观看侧的面为外侧进行弯曲，层叠体的朝向优选设定为从观看侧起按第1树脂层、导电层及第2树脂层的顺序依次设置。由此，能够得到能以观看侧的面为外侧进行弯曲的触控面板。

触控面板通常与层叠体组合具有图像显示元件。作为图像显示元件，可举出例如液晶显示元件、有机电致发光显示元件(以下有时适当地称为“有机el显示元件”。)。通常，层叠体设置在上述图像显示元件的观看侧。

为了得到具有可挠性的触控面板，作为图像显示元件，优选采用具有可挠性的图像显示元件(挠性显示元件)。作为这样的具有可挠性的图像显示元件，可举出例如有机el显示元件。

有机el显示元件通常在基板上依次具有第一电极层、发光层及第二电极层，通过从第一电极层和第二电极层施加电压，能够使发光层产生光。作为构成有机发光层的材料的例子，能够举出聚对亚苯基亚乙烯基系、聚芴系以及聚乙烯基咔唑系的材料。此外，发光层可以具有多个发光色不同的层的层叠体，或在某种色素的层中掺杂了不同色素的混合层。进而，有机el显示元件可以具有屏障层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子输送层、等电位面形成层、电荷产生层等功能层。

实施例

以下，示出实施例对本发明进行具体的说明。但是，本发明并不限定于以下所示的实施例，在不脱离本发明的请求的范围及其同等的范围的范围内能够任意地变更实施。

在以下说明中，只要没有另外说明，表示量的“％”和“份”为重量基准。此外，在以下的说明中，只要没有另外说明，“sccm”为气体的流量的单位，表示每1分钟流通的气体的量在该气体为25℃、1atm时的体积(cm³)。进而，只要没有另外说明，以下说明的操作在常温和常压的条件进行。

[评价方法]

[分子量的测定方法]

聚合物的重均分子量和数均分子量通过以四氢呋喃为洗脱液的凝胶渗透色谱法在38℃下作为标准聚苯乙烯换算值进行测定。作为测定装置，使用tosoh公司制hlc8320gpc。

[氢化率的测定方法]

聚合物的氢化率通过¹h-nmr测定进行测定。

[玻璃化转变温度tg和熔点mp的测定方法]

使用差示扫描量热计(dsc)，以10℃/分钟进行升温，求出试样的玻璃化转变温度tg和熔点mp。

[聚合物的间同二单元组(racemodiad)的比例的测定方法]

将邻二氯苯-d⁴/1,2,4-三氯苯(tcb)-d3(混合比(质量基准)1/2)作为溶剂，在200℃使用反转门控去耦(inverse-gateddecoupling)法进行聚合物的¹³c-nmr测定。根据该¹³c-nmr测定的结果，以邻二氯苯-d⁴的127.5ppm的峰为基准位移，确认来自全同二单元的43.35ppm的信号和来自间同二单元组的43.43ppm的信号。基于它们的信号的强度比，求出聚合物的间同二单元组的比例。

[树脂的储能模量的测定方法]

使用作为试样的树脂，通过挤出成型法，得到厚度1mm的测定用膜。使用动态粘弹性测定装置(tainstruments公司制，“ares”)，对该测定用膜以剪切模式、频率1hz的测定条件测定25℃的储能模量。

[通过翻折试验的耐弯折性的评价]

对该层叠膜进行翻折试验。在该翻折试验中，使用弯曲试验机(yuasasystemco.,ltd.制，“tcdm111lh”)，对层叠膜进行1万次曲率半径为5mm的翻折操作。然后，目视观察层叠膜，以下述基准进行判定。

“良”：与试验前没有变化。或者，在层叠膜中可见轻微的白色部分。

“不良”：层叠膜白化。或者，层叠膜在试验途中产生裂纹。

[通过溅镀形成导电层而引起的尺寸变化的评价方法]

对于通过溅镀在第1树脂层上形成了作为导体层的ito层的实施例1、2、4～7以及比较例1～2，对第1树脂层是否由于溅镀形成导电层而产生了尺寸变化进行评价。具体地，分别在溅镀之前和之后对第1树脂层的长度和宽度进行测定。然后，调查测定的长度和宽度是否由于溅镀而产生变化。

此外，作为参考，也对实施例3中的第1树脂层是否由于形成导电层而产生了尺寸变化进行评价。具体地，使第1树脂层上涂敷的分散液在120℃进行干燥，分别测定干燥之前和之后的第1树脂层的长度和宽度。然后，调查测定的长度和宽度是否由于干燥而变化。

[制造例1：包含嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物的si改性树脂的制造]

(第1阶段：通过聚合反应的第1嵌段st的增长)

在充分地干燥且进行了氮置换的、具有搅拌装置的不锈钢制反应器中，加入550份的脱水环己烷、25份的苯乙烯及0.475份的二丁醚，在60℃搅拌，并且添加0.68份的正丁基锂溶液(含15重量％的己烷溶液)，引发聚合反应，进行第1阶段的聚合反应。在反应开始1小时后的时刻，从反应混合物中取样作为试样，使用气相色谱(gc)进行分析，结果聚合转化率为99.5％。

(第2阶段：通过聚合反应的第2嵌段ip的增长)

在上述第1阶段得到的反应混合物中，添加50份的脱水异戊二烯，直接继续搅拌30分钟。接着，引发第2阶段的聚合反应。在第2阶段的聚合反应开始1小时后的时刻，从反应混合物中取样作为试样，使用gc进行分析，结果聚合转化率为99.5％。

(第3阶段：通过聚合反应的第3嵌段st的增长)

在上述第2阶段得到的反应混合物中，添加25份的脱水苯乙烯，接着引发第3阶段的聚合反应。在第3阶段的聚合反应开始1小时后的时间点，从反应混合物中取样作为试样，测定嵌段共聚物的重均分子量mw和数均分子量mn。此外，使用gc对在该时刻取样的试样进行分析，结果聚合转化率几乎为100％。之后，立即在反应混合物中添加0.5份的异丙醇，使反应终止。由此得到包含嵌段共聚物的混合物。

可知，得到的嵌段共聚物是具有第1嵌段st-第2嵌段ip-第3嵌段st＝25-50-25(重量比)的三嵌段分子结构的聚合物。嵌段共聚物的重均分子量(mw)为47200，分子量分布(mw/mn)为1.05。

(第4阶段：嵌段共聚物的氢化)

接着，将包含上述嵌段共聚物的混合物转移至具有搅拌装置的耐压反应器中，添加3.0份的作为氢化催化剂的硅藻土担载型镍催化剂(sud-chemie催化剂公司制，“t-8400rl”)和100份的脱水环己烷，进行混合。使用氢气置换反应器内部，进一步一边搅拌溶液一边供给氢，在温度190℃、压力4.5mpa进行8小时的氢化反应。通过氢化反应得到的反应溶液所包含的嵌段共聚物的氢化物的重均分子量(mw)为49900，分子量分布(mw/mn)为1.06。

(第5阶段：挥发成分的除去)

氢化反应终止后，过滤反应溶液，除去氢化催化剂。然后，在反应溶液中添加2.0份的溶解了0.1份作为酚系抗氧化剂的季戊四醇四[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯](松原产业公司制，“songnox1010”)的二甲苯溶液，使其溶解。

接下来，使用圆筒型浓缩干燥器(日立制作所公司制，“contro”)，在温度260℃、压力0.001mpa以下，从上述反应溶液中除去作为溶剂的环己烷、二甲苯及其它挥发成分。将熔融聚合物从模具中挤出成股状，冷却后，使用造粒机制作包含嵌段共聚物氢化物的树脂的颗粒。

得到的颗粒状的树脂中包含的嵌段共聚物氢化物的重均分子量(mw)为49500，分子量分布(mw/mn)为1.10，氢化率几乎为100％。

(第6阶段：通过烯属不饱和硅烷化合物的改性)

相对于100份的上述树脂颗粒，添加3.0份的乙烯基三甲氧基硅烷和0.2份的2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己烷(日油公司制，“perhexa(注册商标)25b”)，得到混合物。使用双轴挤出机，将该混合物以树脂温度220℃、滞留时间60秒～70秒进行混炼，挤出成股状。将挤出的混合物在空气中冷却后，使用造粒机切割，得到96份包含嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物的树脂颗粒。

将10份包含烷氧基甲硅烷基改性物的树脂颗粒溶解在100份的环己烷中，得到溶液。将该溶液注入400份的脱水甲醇中，使烷氧基甲硅烷基改性物凝固，过滤取得凝固物。在25℃真空干燥过滤物，分离出9.0份的烷氧基甲硅烷基改性物的团粒。

测定烷氧基甲硅烷基改性物的ft-ir谱，结果在与来自乙烯基三甲氧基硅烷的si-och3基、si-ch基的吸收带(1075cm^-1、808cm^-1和766cm^-1)不同的位置观察到了1090cm^-1处的来自si-och3基的新吸收带，825cm^-1和739cm^-1处的来自si-ch2基的新吸收带。

此外，测定了烷氧基甲硅烷基改性物的¹h-nmr谱(氘代氯仿中)，结果在3.6ppm处观察到了基于甲氧基的质子的峰。根据该峰面积比，确认了相对于100份改性前的嵌段共聚物氢化物，键合了1.8份的乙烯基三甲氧基硅烷。

将这样得到的包含烷氧基甲硅烷基改性物的树脂适当地称为加氢嵌段树脂x1。

[制造例2：包含嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物的si改性树脂的制造]

(第1阶段至第3阶段：通过聚合反应的嵌段共聚物的制造)

将在第1阶段加入的苯乙烯的量从25份变更为30份。此外，将在第1阶段加入的正丁基锂溶液(含15重量％的己烷溶液)的量从0.68份变更为0.61份。进而，将在第2阶段加入的异戊二烯的量从50份变更为40份。此外，将在第3阶段加入的苯乙烯的量从25份变更为30份。除以上事项以外，与制造例1的(第1阶段)～(第3阶段)进行同样的操作，得到包含嵌段共聚物的混合物。得到的嵌段共聚物的重均分子量(mw)为80400，分子量分布(mw/mn)为1.03，wa/wb＝60/40。

(第4阶段：嵌段共聚物的氢化)

接着，通过与制造例1的(第4阶段)相同的操作进行上述嵌段共聚物的氢化。通过氢化反应得到的反应溶液所包含的嵌段共聚物的氢化物的重均分子量(mw)为80400，分子量分布(mw/mn)为1.04。

(第5阶段：挥发成分的除去)

通过与制造例1的(第5阶段)相同的操作，进行对嵌段共聚物的氢化物的抗氧化剂的添加和浓缩干燥，制作95份的包含嵌段共聚物氢化物的树脂颗粒。

得到的颗粒状的树脂中包含的嵌段共聚物的氢化物的重均分子量(mw)为80200，分子量分布(mw/mn)为1.04，氢化率几乎为100％。

(第6阶段：通过烯属不饱和硅烷化合物的改性)

使用上述树脂颗粒，进行与制造例1的(第6阶段)相同的操作，得到包含嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物的树脂。将这样得到的包含烷氧基甲硅烷基改性物的树脂适当地称为加氢嵌段树脂x2。

[制造例3：包含嵌段共聚物的氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物的si改性树脂的制造]

(第1阶段至第3阶段：通过聚合反应的嵌段共聚物的制造)

将在第1阶段加入的苯乙烯的量从25份变更为35份。此外，将在第1阶段加入的正丁基锂溶液(含15重量％的己烷溶液)的量从0.68份变更为0.32份。进而，将在第2阶段加入的异戊二烯的量从50份变更为30份。此外，将在第3阶段加入的苯乙烯的量从25份变更为35份。除以上事项以外，与制造例1的(第1阶段)～(第3阶段)进行同样的操作，得到包含嵌段共聚物的混合物。得到的嵌段共聚物的重均分子量(mw)为141000，分子量分布(mw/mn)为1.04，wa/wb＝70/30。

(第4阶段：嵌段共聚物的氢化)

接着，通过与制造例1的(第4阶段)相同的操作进行上述嵌段共聚物的氢化。通过氢化反应得到的反应溶液所包含的嵌段共聚物氢化物的重均分子量(mw)为143000，分子量分布(mw/mn)为1.06。

(第5阶段：挥发成分的除去)

将浓缩干燥器的温度从260℃变更为270℃，除此以外，通过与制造例1的(第5阶段)相同的操作，进行对嵌段共聚物氢化物的抗氧化剂的添加和浓缩干燥，制作88份包含嵌段共聚物氢化物的树脂颗粒。

得到的颗粒状的树脂中包含的嵌段共聚物氢化物的重均分子量(mw)为142000，分子量分布(mw/mn)为1.41，氢化率几乎为100％。

(第6阶段：通过烯属不饱和硅烷化合物的改性)

使用上述树脂颗粒，进行与制造例1的(第6阶段)相同的操作，得到包含嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物的树脂。将这样得到的包含烷氧基甲硅烷基改性物的树脂适当地称为加氢嵌段树脂x3。

[制造例4：包含双环戊二烯的开环聚合物氢化物的结晶性树脂cop2的制造]

将金属制的耐压反应器充分地干燥后，进行氮置换。在该耐压反应器中，加入154.5份的环己烷、42.8份的双环戊二烯(内型体含有率为99％以上)的浓度为70％的环己烷溶液(作为双环戊二烯的量为30份)以及1.9份的1-己烯，加热到53℃。

将0.014份的四氯化钨苯酰亚胺(四氢呋喃)配位化合物溶解于0.70份的甲苯中，制备溶液。在该溶液中，加入0.061份的浓度19％的二乙基乙醇铝/正己烷溶液，搅拌10分钟，制备催化剂溶液。

将该催化剂溶液加入耐压反应器中，引发开环聚合反应。然后，保持53℃并且使其反应4小时，得到双环戊二烯的开环聚合物的溶液。

得到的双环戊二烯的开环聚合物的数均分子量(mn)及重均分子量(mw)分别为8750和28100，由此求得的分子量分布(mw/mn)为3.21。

在200份得到的双环戊二烯的开环聚合物的溶液中，加入0.037份的作为终止剂的1,2-乙二醇，加热到60℃，搅拌1小时，使聚合反应终止。此时，加入1份的类水滑石化合物(协和化学工业公司制，“kyoward(注册商标)2000”)，加热到60℃，搅拌1小时。然后，加入0.4份的过滤助剂(昭和化学工业公司制，“radiolite(注册商标)#1500”)，使用聚丙烯褶皱筒式过滤器(advantec东洋公司制，“tcp-hx”)，过滤分离吸附剂和溶液。

在200份的过滤后的双环戊二烯的开环聚合物的溶液(聚合物量为30份)中，加入100份的环己烷，添加0.0043份的氯氢羰基三(三苯基膦)钌，在氢压6mpa、180℃进行4小时的氢化反应。由此，得到包含双环戊二烯的开环聚合物的氢化物的反应液。在该反应液中，氢化物析出，成为浆料溶液。

将上述反应液中包含的氢化物与溶液使用离心分离器进行分离，在60℃减压干燥24小时，得到28.5份具有结晶性的双环戊二烯的开环聚合物氢化物。该氢化物的氢化率为99％以上，玻璃化转变温度tg为93℃，熔点mp为262℃，间同二单元组的比例为89％。

在100份得到的双环戊二烯的开环聚合物氢化物中，混合1.1份的抗氧化剂(四[亚甲基-3-(3’,5’-二叔丁基-4’-羟基苯基)丙酸酯基]甲烷，basfjapan公司制，“irganox(注册商标)1010”)之后，添加至具有4个内径3mmφ的模具孔的双轴挤出机(东芝机械公司制，“tem-37b”)。通过使用双轴挤出机的热熔融进行挤出成型，将树脂制成股状的成型体后，在线料切割机中切碎，得到结晶性树脂cop2的颗粒。该结晶性树脂cop2是包含双环戊二烯的开环聚合物氢化物来作为具有结晶性的含脂环式结构聚合物的树脂(玻璃化转变温度为92℃，熔点mp为260℃)。

上述双轴挤出机的运转条件如以下所述。

·筒体设定温度＝270℃～280℃。

·模头设定温度＝250℃。

·螺杆转速＝145rpm。

·进料器转速＝50rpm。

[实施例1]

(1-1.第1树脂层的准备)

作为第1树脂层，准备由作为含脂环式结构聚合物的降冰片烯系聚合物形成的树脂膜(日本瑞翁公司制，“zeonorfilmzf16”，厚度50μm，树脂的玻璃化转变温度160℃)。

(1-2.导电层的形成)

在第1树脂层的表面，实施大气中放电量为150w/m²/分钟的电晕处理。在第1树脂层的电晕处理面上，使用膜卷绕式磁控溅镀装置进行溅镀，形成作为导电层的厚度25nm的ito层。上述溅镀使用将氧化锡和氧化铟进行烧结而成的物质作为靶，在氩(ar)流量150sccm、氧(o2)流量10sccm、输出4.0kw、真空度0.3pa、膜运送速度0.5m/min的条件进行。由此，得到具有第1树脂层和导电层的多层膜。

(1-3.第2树脂层的形成)

将制造例1制造的加氢嵌段树脂x1通过挤出成型法成型成膜状，得到厚度50μm的作为第2树脂层的膜。使用真空层压机(日清纺精密机器公司制，“pvl0505s”)将该第2树脂层在上述多层膜的导电层侧的面上进行热层压。该热层压具体地按照以下步骤进行。

将第2树脂层置于多层膜的导电层上。将多层膜和第2树脂层在减压下以温度150℃预热5分钟。然后，以温度150℃、压力0.03mpa，将多层膜和第2树脂层压接10分钟。

由此，得到具有第1树脂层/导电层/第2树脂层的层叠膜。按照上述的方法对该层叠膜进行评价。翻折试验的结果为翻折部没有变化。

[实施例2]

将实施例1中作为第1树脂层准备的树脂膜在温度180℃进行拉伸，由此得到厚度13μm的拉伸膜。将该树脂膜用作第1树脂层。

此外，通过变更挤出成型条件，将作为第2树脂层的加氢嵌段树脂x1的膜的厚度变更为5μm。

除了以上事项以外，通过与实施例1同样的操作，进行具有第1树脂层/导电层/第2树脂层的层叠膜的制造及评价。翻折试验的结果为翻折部没有变化。

[实施例3]

准备包含银纳米线的分散液(cambriostechnologiescorporation制，“clearohm”)作为导电性纳米线分散液。在与实施例1所使用的第1树脂层相同的第1树脂层上，使用棒涂机，涂敷上述分散液，在120℃使其干燥。由此，得到在第1树脂层上形成了厚度1μm的导电层的、具有第1树脂层和导电层的多层膜。通过与实施例1的第2树脂层的形成方法相同的方法，在该多层膜上热层压第2树脂层，得到具有第1树脂层/导电层/第2树脂层的层叠膜。按照上述方法对该层叠膜进行评价。翻折试验的结果为翻折部没有变化。

[实施例4]

准备作为含脂环式结构聚合物的降冰片烯系聚合物的树脂颗粒(日本瑞翁公司制，“zeonor”，玻璃化转变温度126℃)。将该树脂颗粒使用t模头式膜挤出成型机进行成型，得到厚度50μm的树脂。使用该树脂膜作为第1树脂层，除此以外，通过与实施例1同样的操作，进行具有第1树脂层/导电层/第2树脂层的层叠膜的制造及评价。翻折试验的结果为翻折部没有变化。

[实施例5]

将实施例1中作为第1树脂层准备的树脂膜在温度180℃进行拉伸，由此得到厚度40μm的拉伸膜。将该树脂膜用作第1树脂层。

此外，将制造例2制造的加氢嵌段树脂x2通过挤出成型法成型成膜状，得到厚度50μm的膜。将该加氢嵌段树脂x2的膜用作第2树脂层。

除了以上事项以外，通过与实施例1同样的操作，进行具有第1树脂层/导电层/第2树脂层的层叠膜的制造及评价。翻折试验的结果为翻折部没有变化。

[实施例6]

将实施例1中作为第1树脂层准备的树脂膜在温度180℃进行拉伸，由此得到厚度30μm的拉伸膜。将该树脂膜用作第1树脂层。

此外，将制造例3制造的加氢嵌段树脂x3通过挤出成型法成型成膜状，得到厚度30μm的膜。将该加氢嵌段树脂x3的膜用作第2树脂层。

除了以上事项以外，通过与实施例1同样的操作，进行具有第1树脂层/导电层/第2树脂层的层叠膜的制造及评价。翻折试验的结果为翻折部没有变化。

[实施例7]

使用t模头式膜挤出成型机对制造例4制造的结晶性树脂cop2的颗粒进行成型，得到厚度50μm的树脂膜。除了使用该树脂膜作为第1树脂层以外，通过与实施例1同样的操作，进行具有第1树脂层/导电层/第2树脂层的层叠膜的制造及评价。翻折试验的结果为翻折部没有变化。

[比较例1]

将与实施例1中用作第1树脂层的树脂膜相同的树脂膜用作第2树脂层。除了以上事项以外，通过与实施例1同样的操作，进行具有第1树脂层/导电层/第2树脂层的层叠膜的制造及评价。翻折试验的结果为翻折次数为1000次时，第1树脂层、第2树脂层及导电层产生裂纹。此外，在翻折试验后，翻折部白化。

[比较例2]

(导电层的形成)

使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(toray公司制，“lumirrort-60”，厚度38μm，25℃时的储能模量4000mpa，熔点mp260℃，玻璃化转变温度70℃)代替由降冰片烯系聚合物形成的树脂膜作为第1树脂层。除了以上事项以外，通过与实施例1的导电层的形成方法同样的方法，在第1树脂层上形成导电层，得到具有第1树脂层和导电层的多层膜。

(相当于第2树脂层的粘结剂层的形成)

将67重量份的丙烯酸丁酯、14重量份的丙烯酸环己酯、27重量份的丙烯酸-4-羟基丁酯、9重量份的丙烯酸羟乙酯、0.05重量份的光聚合引发剂(basf公司制，“irgacure651”)以及0.05重量份的光聚合引发剂(basf公司制，“irgacure184”)进行混合，得到单体混合物。将该单体混合物在氮气氛下暴露于紫外线，使其部分地进行光聚合，由此得到聚合率约10重量％的部分聚合物(丙烯酸系聚合物糖浆)。在100重量份的得到的部分聚合物中，添加0.15重量份的二季戊四醇六丙烯酸酯(日本化药公司制，“kayaraddpha”)、0.3重量份的硅烷偶联剂(信越化学工业公司制，“kbm-403”)，混合均匀，得到丙烯酸系粘结剂组合物。

在剥离膜(三菱树脂公司制，“diafoilmrf#38”)的进行了剥离处理的面上以粘结剂层形成后的厚度为100μm的方式涂敷上述的丙烯酸系粘结剂组合物，形成粘结剂组合物层。接着，在该粘结剂组合物层的表面上以该剥离膜的剥离处理面成为粘结剂组合物层侧的方式包覆剥离膜(三菱树脂公司制，“diafoilmrn#38”)。由此，将粘结剂组合物层与氧隔断。

然后，以照度5mw/cm²、光量1500mj/cm²的条件，对粘结剂组合物层进行紫外线照射，使粘结剂组合物层发生光固化，得到具有脱模膜/粘结剂层/脱模膜的粘结片。被覆在粘结剂层两面的脱模膜作为剥离衬底发挥作用。另外，作为粘结剂层的基础聚合物的丙烯酸系聚合物的重均分子量(mw)为200万。

剥离粘结片一侧的脱模膜。在通过剥离出现的粘结剂层的面上贴合上述的多层膜的导电层。然后，剥离另一侧的脱模膜，从而得到具有粘结剂层的层叠膜，其中，该粘结剂层相当于第1树脂层/导电层/第2树脂层。按照上述的方法对该层叠膜进行评价。翻折试验的结果为翻折部白化。

[结果]

上述实施例和比较例的结果，如下表1所示。在下述的表中，简称的含义如下所述。

“cop”：降冰片烯系聚合物。

“cop2”：结晶性树脂cop2。

“pet”：聚对苯二甲酸乙二醇酯。

“银纳米”：银纳米线。

“树脂x1”：包含嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物的加氢嵌段树脂x1。

“树脂x2”：包含嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物的加氢嵌段树脂x2。

“树脂x3”：包含嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物的加氢嵌段树脂x3。

“tg”：玻璃化转变温度。

[表1]

[表1.实施例和比较例的结果]

附图标记说明

10：层叠体

110：第1树脂层

110d：层叠体的第1树脂层侧的面

120：导电层

130：第2树脂层

130u：层叠体的第2树脂层侧的面