脱水啶酰菌胺的新晶型的制作方法

文档序号:381676阅读:1123来源:国知局
专利名称:脱水啶酰菌胺的新晶型的制作方法
技术领域
本发明涉及熔点147-148℃、结构式I的单斜晶2-氯-N-(4′-氯代联苯-2-基)-烟酰胺。
本发明进一步涉及所述化合物的制备。
熔点144-145℃、结构式I的单斜晶2-氯-N-(4′-氯代联苯-2-基)烟酰胺在EP-A-545099及PCT/EP02/10320中叙述,并以通用名称啶酰菌胺(boscalid)已知。PCT/EP02/10320叙述了脱水啶酰菌胺、水合啶酰菌胺,及从啶酰菌胺脱水化物制备啶酰菌胺水合物。
本申请中,已知的脱水啶酰菌胺称为晶型I,而权利要求1的脱水啶酰菌胺称为晶型II。
为了从脱水啶酰菌胺制备水性悬浮浓液(aqueous suspensionconcentrate)(SC)或悬浮乳液(suspoemulsion)(SE),根据PCT/EP02/10320,首先需要制备水合啶酰菌胺,然后在水和其它助剂的存在下,将所述水合啶酰菌胺粉碎得非常细。这对于脱水啶酰菌胺是不可能的,因为当其与助剂在水中粉碎时,会形成壤质固体从而阻碍进一步的粉碎。
根据PCT/EP02/10320,通过将晶型I的脱水啶酰菌胺溶于水溶性溶剂,然后加入水以沉淀出水合物,可以制备晶型I的水合啶酰菌胺。
固体制剂,例如水中可分散的喷雾干燥式或挤出式粒剂,可以直接从晶型I的脱水啶酰菌胺制备,而无须提前转化为水合物。
若随后将上述水中可分散的粒剂用水稀释,并与含溶剂的植保制剂,例如乳液浓液(emulsion concentrate)(EC)混合,则形成啶酰菌胺晶体,可阻塞使用设备中的过滤器,从而可能会在使用中出现问题。
本发明的目的之一就是消除所述的水中可分散粒剂的不足。
我们已经发现,通过提供熔点147-148℃、晶型II的结构式I的单斜晶脱水啶酰菌胺可以达到上述目的。令人惊讶的是,已经发现晶型II形式的结构式I的脱水啶酰菌胺在溶剂存在下几乎不显示晶体成长。
EP-A-545 099及PCT/EP02/10320中叙述了晶型I的结构式I的脱水啶酰菌胺的制备。
本发明进一步涉及晶型II的脱水啶酰菌胺的制备方法。
在一例实施方案(方法1)中,所述方法包括以下步骤a)将晶型I的结构式I的脱水化合物溶于极性有机溶剂或芳烃中,b)通过冷却所述溶剂,沉淀出晶型II的结构式I的脱水化合物。
适合的极性溶剂为醇、二醇、酮、醚、酯、酰胺或这些溶剂的混合物。芳烃更适合。
醇的实例为甲醇、乙醇或丙醇。特别优选甲醇。
适合的二醇为,例如乙二醇及二甘醇。
适合的酮为,例如丙酮及环己酮。
适合的醚为,例如二噁烷及四氢呋喃。
适合的酯为,例如乙酸乙酯。
适合的酰胺为,例如二甲基甲酰胺。
适合的芳烃溶剂为,例如苯、甲苯及二甲苯。
阶段a)中晶型I的结构式I的脱水化合物的溶解在20~150℃,优选40~115℃,特别优选50~95℃实现。
阶段b)中晶型II的结构式I的脱水化合物的沉淀通过将阶段a)得到的溶液冷却至0~30℃,优选10~25℃,特别优选20~25℃温度实现。沉淀进行1-24小时,优选2-20小时。
阶段b)中加入晶型II的结构式I的脱水化合物的晶种是特别有利的,可以显著加速沉淀。
在另一例实施方案(方法2)中,所述方法包括以下步骤a)将晶型I的结构式I的脱水化合物加热至150℃以上直至每种成分均熔融,b)在加入晶型II的结构式I的脱水化合物的晶种的条件下,冷却所述熔融物。
阶段b)中晶种加入量为0.01~20重量%(重量百分比),优选0.05~5重量%。
所述方法优选在适合的不锈钢容器中进行。晶型I的结构式I的脱水化合物到晶型II的转化定量地发生。
表1中比较了结构式I的脱水化合物的两种晶型的物理性质表1
表2中显示了使用西门子公司(Siemens)的单晶衍射仪对晶体进行检测得到的晶胞参数表2
所示参数具有以下含义a,b,c=单位晶胞的边长(edge length)α,β,γ=对应的角度(corresponding angles)Z=单位晶胞内的分子数实施例1晶型II的结构式I的脱水化合物的制备首先将30g的甲醇加入具有玻璃磨口接头的锥形瓶中。然后加入5g晶型I的结构式I的脱水化合物,混合物在水浴中边搅拌边加热至55℃直至每种成分均溶解(约10分钟)。然后移去锥形瓶的水浴,环境温度下(约20℃)冷却18小时。结晶出晶型II的结构式I的脱水化合物。熔点147.2℃。
实施例2在不锈钢容器中将200g晶型I的结构式I的脱水化合物加热至160℃。然后边搅拌边冷却熔融物。150℃时,用晶型II的结构式I的脱水化合物的晶体实现接晶种(seeding),继续冷却。得到晶型II的结构式I的脱水化合物。
实施例3晶型I或II的结构式I的脱水化合物的水中可分散粒剂的制备组成
制备方法制备合适浓度的悬浮液,并用破碎机(pearl mill)将其粉碎至所需的颗粒尺寸(50%<2μm)。然后在喷雾塔内干燥所述悬浮液。
罐混合相容性(tank mixing compatibility)比较为此目的,制备了上述组成的、包括晶型I的结构式I的脱水化合物的水中可分散粒剂(制剂A),及包括晶型II的结构式I的脱水化合物的水中可分散粒剂(制剂B)。
然后用CIPAC D水(Ca++/Mg++(4∶1))分别制备两种水中可分散粒剂的浓度5%的悬浮液,所述CIPACD水的硬度为342ppm、pH值6.0~7.0。然后将悬浮液与1%的Solvesso 200(芳烃混合物)混合,所述Solvesso200为含溶剂的液体制剂(例如EC)的一种常用溶剂。然后将相应的喷雾液(spray liquor)在某一温度下储存一段时间。储存后由75μm筛测定固体残余物,以评价其质量。
结果
权利要求
1.熔点147-148℃、结构式I的单斜晶2-氯-N-(4′-氯代联苯-2-基)-烟酰胺。
2.制备权利要求1的化合物I的方法,其中a)将熔点144-145℃、结构式I的2-氯-N-(4′-氯代联苯-2-基)-烟酰胺溶于极性质子溶剂或芳烃中;并且b)冷却后从溶剂中结晶出。
3.权利要求2的制备化合物I的方法,其中所用极性质子溶剂为醇、二醇、酮、醚、酯、酰胺、二甲基亚砜或它们的混合物。
4.权利要求3的制备化合物I的方法,其中所用极性质子溶剂为醇、酯或酮。
5.权利要求4的制备化合物I的方法,其中所用醇为甲醇或乙醇。
6.权利要求2的制备化合物I的方法,其中阶段a)中结构式I的化合物在20~150℃溶解。
7.权利要求2的制备化合物I的方法,其中阶段a)中结构式I的化合物在40~115℃溶解。
8.除草剂,包含权利要求1的结构式I的化合物及惰性添加剂。
9.权利要求8的除草剂,所述除草剂包含0.1~95重量%的权利要求1的结构式I的化合物。
10.控制有害真菌的方法,其中使用杀真菌量的权利要求1的结构式I的化合物或权利要求7的包含权利要求1的结构式I的化合物的除草剂处理有害真菌、其生长环境或待抑制所述真菌的植物、区域、物质或场所。
全文摘要
熔点147-148℃、结构式I的单斜晶2-氯-N-(4′-氯代联苯-2-基)-烟酰胺及其制备方法。
文档编号A01N43/40GK1751026SQ200480004180
公开日2006年3月22日 申请日期2004年1月28日 优先权日2003年2月14日
发明者W·迈耶, H·奇格勒, 卡尔-海因里希·施奈德, T·克罗勒, H·迈耶, P·厄克, H·考克斯, R·施蒂尔 申请人:巴斯夫股份有限公司
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