本发明涉及一种霍山石斛的种植方法。
背景技术：
石斛为兰科石斛属植物，是我国传统医药学中一种名贵药材，其有效成分主要为多糖和生物碱，其中，石斛的品质优劣在很大程度上取决于石斛中多糖的含量多少。而石斛中，以霍山石斛最为著名。霍山石斛多糖的药理作用主要表现在免疫、强壮、抗衰老、抗肿瘤等作用。随着社会发展，人们对健康的关注越来越高，其需求量也会越来越大，但传统霍山石斛多糖的提取方法是用霍山石斛属植物的根、茎、叶等植物体提取所得，这种工艺所得的产品已经不能满足未来市场对霍山石斛精深加工的需求。虽然，随着科学技术的不断发展，出现了不少霍山石斛的加工方法，但效果甚微，因此研究重点又回归到从霍山石斛粗粉中尽可能多的将多糖成分提取出来这一观点上。因此开发一种高效、高产率的霍山石斛多糖类提取方法是十分有意义的。
目前市场上售卖的霍山石斛多为人工规模化种植获得，虽然人工种植的种苗价格便宜且较易获得，但由于这种石斛种植的成本巨大，成为产品价格高居不下，且规模化种植出的石斛的农药残留也导致人们食用时惴惴不安。如何轻易获得价廉物美、绿色安全的石斛鲜条具有非常巨大的市场价值，然而这种石斛的人工种植具有一定的技术难度，其种植环境中的温度和土壤基质的组分与透气性是影响植株存活的关键因素，而一般的种植方法难以满足其生长需求，因此，寻求一种能够使得石斛快速、健康成长的种植方法尤为重要。
技术实现要素：
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种霍山石斛的种植方法，具体的说是利用一种特殊的装置进行种植霍山石斛的方法，所述的霍山石斛的种植方法，能够使得石斛在多层装置中健康成长，成株品相好，而且所述方法占地空间小，有效节省种植基质，具有重要的经济效益。
本发明解决技术问题采用如下技术方案：
本发明涉及一种霍山石斛的种植方法，所述装置为多层种植装置，装置中空，在装置外壁上均设有透气孔。所述装置底部直径为顶部直径的0.3~0.8倍，每层装置的高度相同且小于装置顶部的直径；所述种植方法包括：将石斛种植在种植盆内，在盆的周围均匀种植石斛，使得石斛能够从盆中向外伸出，向下悬挂生长。
优选的，所述装置为多层种植一体的装置，最优选3~5层。
优选的，所述每层装置的大小形状相同。
优选的，所述每层装置的底部直径为顶部直径的0.3~0.8倍，最优选为0.5~0.6倍。
优选的，所述多层种植装置的内部圆筒状中空。
优选的，所述内部圆筒的直径为装置底部直径的0.5~1.2倍，最优选为0.9~1.1倍。
优选的，所述多层种植装置外壁上设有透气孔。
优选的，所述透气孔随机排布，大小为使得培养基质不漏出来即可。
优选的，所述多层种植装置中每层的高度相同，且小于装置顶部的直径。
优选的，所述基质组成为木糠10~20份、锯末15~20份、松木皮5~30份、海藻肥0.01~0.02份。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
所述的霍山石斛的种植方法，使用一种特殊的多层种植装置，结构简单，使用方便，能够使得石斛能够向装置四周生长，充分接触空气，由于种植盆的侧壁开设有透气孔，能够保证石斛根部的氧气供应，成株品相好，而且所述方法占地空间小，有效节省种植基质。此外，由于每层侧壁透气孔的存在，只要在第一层的盆中填充足够的基质，在进行水肥管理时，下层的种植盆也能都获得相应的营养，这种种植方法相当节省种植基质，具有重要的经济效益。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明多层种植装置正视图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
如图1所示，本发明所涉及的霍山石斛的种植方法，采用一种多层种植装置，每层装置的大小形状相同，所述种植装中空，在装置外壁上均设有透气孔，每层装置的高度相同且小于装置顶部的直径。
实施例1：
本发明的霍山石斛的种植方法，应用了如下种植装置：所述装置为多层种植装置，装置中空，在装置外壁上均设有透气孔。所述装置底部直径为顶部直径的0.3~0.8倍，每层装置的高度相同且小于装置顶部的直径。
准备4~10组种植装置，在各个种植装置的各层中填充石斛种植基质；将霍山石斛种植在种植装置的每层种植盆中，在每层的种植盆的周围均匀种植石斛，使得石斛能够从盆中向外伸出，向下悬挂生长。所述的各层中填充基质组成为木糠120g、锯末150g、松木皮100g、海藻肥0.12g。
实施例2：
本发明的霍山石斛的种植方法，应用了如下种植装置：所述装置为多层种植装置，装置中空，在装置内外壁上均设有透气孔。所述装置底部直径为顶部直径的0.3~0.8倍，每层装置的高度相同且小于装置顶部的直径。
准备4~10组种植装置，在各个种植装置的各层中填充石斛种植基质；将霍山石斛种植在种植装置的每层种植盆中，在每层的种植盆的周围均匀种植石斛，使得石斛能够从盆中向外伸出，向下悬挂生长。所述的各层中填充基质组成为木糠150g、锯末180g、松木皮150g、海藻肥0.15g。
实施例3：
本发明的霍山石斛的种植方法，应用了如下种植装置：所述装置为多层种植装置，装置中空，在装置内外壁上均设有透气孔。所述装置底部直径为顶部直径的0.3~0.8倍，每层装置的高度相同且小于装置顶部的直径。
准备4~10组种植装置，在各个种植装置的各层中填充石斛种植基质；将霍山石斛种植在种植装置的每层种植盆中，在每层的种植盆的周围均匀种植石斛，使得石斛能够从盆中向外伸出，向下悬挂生长。所述的各层中填充基质组成为木糠180g、锯末200g、松木皮200g、海藻肥0.2g。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。