一种花生组培苗的嫁接方法与流程

文档序号:13642449阅读:1067来源:国知局

本发明属于农业种植生物技术领域,具体涉及一种花生组培苗的嫁接方法。



背景技术:

花生是重要的油料和经济作物,在农业生产中占据重要地位,近几年我国的花生种植面积逐渐扩大,但由于当前推广的花生栽培品种遗传基础比较狭窄,抗病抗逆性较差,进而影响花生的产量和质量的进一步提高。随着生物技术的快速发展,转基因及离体诱变技术受到广大研究者的重视;随着花生远缘杂交技术的逐步完善,选用具有抗病耐逆等优良性状的野生种与栽培种杂交,成为选育抗病耐逆优良新品种的重要途径,但远缘杂交多数表现杂交不亲和及杂种败育,需要通过组织培养进行胚拯救,获得杂种f1,经过染色体加倍处理,之后移栽田间,但是野生种及后代材料根系较弱,有些材料生根困难,导致组培苗移栽成活率极低,及移栽后长势较差,严重影响育种工作的顺利进行。

嫁接技术在园艺作物上应用较广泛,花生上应用报道较少,随着嫁接技术的不断发展,棉花、大豆、绿豆和红薯等通过远缘嫁接获得新种质,目前已突破其传统的繁殖意义,而广泛应用于植物的栽培生产、育种实践和基础理论研究等方面。花生嫁接方面,有研究报道,采用10-14d的花生幼苗为砧木,采用不同的嫁接方法(劈接法和合接法)和不同的嫁接部位(上胚轴和下胚轴)。但上胚轴嫁接移栽田间后,子叶节处有芽原基,嫁接后会长出侧芽,需经常去除腋芽,增加了田间工作量,并且还影响接穗的生长结实等。常规的下胚轴嫁接,由于下胚轴较短,几乎都在土里,嫁接时不好操作,直接影响嫁接效率及嫁接成活率。还有报道采用无菌嫁接方法,采用12-15d苗龄的无菌幼苗作为砧木,花生组培苗为接穗,嫁接于下胚轴,无菌条件下进行嫁接,之后在无菌培养基培养使伤口愈合,成活后,取出嫁接苗,用水将嫁接植株根系上的培养基冲洗干净,再移栽到育苗基质中,室内驯化3周,成活后移栽田间。由于是无菌嫁接,种子需要消毒接种于培养基中,整个生长过程保证无菌,嫁接时操作起来有一定障碍。



技术实现要素:

针对花生嫁接时存在的问题及不足,本发明提供了一种花生组培苗的嫁接方法,该方法能够提高移栽成活率,简化嫁接程序,缩短生长周期,使移栽苗田间长势健壮。

为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:

一种花生组培苗的嫁接方法,将黑花生种子在黑暗培养条件下培养,当花生幼苗的两片真叶展开时,选择下胚轴长度为6-8cm的幼苗作为砧木,切掉幼苗子叶及其以上部分,将下胚轴中间纵切成切口;以无菌组培苗作为接穗,将接穗下端削成与所述的切口对应的v形伤口,切口保持平整;将接穗的下端插入砧木的切口中,封膜,形成嫁接苗;将嫁接苗放于室内,待长出新叶,移栽大田。

所述的花生组培苗的嫁接方法,具体方法如下:

(1)将黑花生种子在黑暗培养条件下培养,当花生幼苗的两片真叶展开时,选择下胚轴长度为6-8cm的幼苗作为砧木,切掉花生幼苗子叶及其以上部分,将下胚轴中间纵切成切口,切口深度为0.8-1cm;

(2)以无菌组培苗为接穗,将接穗下端削成与所述的切口对应的v形伤口,切口保持平整;将接穗的下端插入砧木的切口中,用parafilm封口膜缠紧,使砧木和接穗紧密结合,形成嫁接苗;

(3)浇水,将嫁接苗放于室内,避免阳光直射,并覆盖塑料薄膜;待长出新叶,去掉薄膜,逐渐见光培养;

(4)在阴天或傍晚将长势良好的嫁接苗移栽大田,移栽完成后浇透水,盖遮阳网遮阴;移栽苗完全成活后,去掉遮阳网,正常田间管理。

所述的黑花生品种为豫花0215。

黑花生种子在黑暗培养条件下的方法为:黑花生种子浸泡过夜催芽,之后将种子种于灭菌蛭石的营养钵中,放置于27℃黑暗培养,至两片真叶展开,选下胚轴长度为6-8cm的幼苗作为砧木。

所述的组培苗为花生野生种、双二倍体或转基因植株。

所述的组培苗的高度大于2cm。

所述的v形伤口的两斜面长度为0.8-1cm。

所述的室内环境为温度27℃、湿度50%。

步骤(3)中嫁接苗长出新叶后,第一天放置在阳光下光照1h,逐天增加光照时间,每天增加0.5-1.5h,7d后即可移栽大田。

本发明的有益效果:

1、重要的花生野生种材料、转基因材料需要通过组织培养进行繁殖、移栽田间,但野生种及后代材料根系较弱,导致组培苗移栽成活率极低。本发明解决了野生种及后代材料生根困难及移栽成活率低,以及组培苗移栽后长势较弱等问题,还省去了生根这一环节,缩短了生长周期,并且砧木为实生苗根系较旺,移栽田间长势健壮,结实性较好。

2、本发明选用黑花生品种作为砧木,嫁接成活移栽田间,即使砧木上有腋芽出现,后期有结实情况,特殊的种皮颜色便于区分。

3、本发明利用黑暗条件培养幼苗,能够使幼苗下胚轴快速生长,在下胚轴长度6-8cm时作为砧木开始嫁接,能避免普通光照培养的砧木材料下胚轴较短(1-2cm),嫁接时不好操作的问题,直接提高嫁接效率及嫁接成活率。且相比于下胚轴较短时1h只能嫁接十几株,本发明的下胚轴长度较长时1h能嫁接30株以上,工作效率提高一倍多。

4、本发明嫁接直接选用下胚轴,去掉了子叶及以上部分,移栽田间后省去了去除砧木上侧芽的麻烦,营养能够更好的供给接穗。

5、本发明砧木材料在营养钵里,成活的嫁接苗移栽大田几乎不伤根,移栽后返苗比较快,成活率可达100%,而组培苗移栽成活率在80%左右。且本发明嫁接苗根系旺,田间长势比组培苗壮,结实量比组培苗多,结实饱满度较好。

6、本发明免去了繁琐的无菌嫁接苗培养移栽过程,由于无菌嫁接砧木材料需要消毒接种培养基,以及嫁接时受无菌条件的限制,操作起来不太方便,且无菌嫁接苗成活后还要两次炼苗移栽。本发明简化了实验步骤,操作简便,效果好于无菌嫁接。

7、本发明方法简单,稳定可靠,易于掌握,适用范围广。适用于花生野生种材料、双二倍体及转基因植株等组培苗的嫁接,对其它作物也具有一定的借鉴价值。

附图说明

图1为实施例1豫花0215黑暗培养7d苗龄观察结果。

图2为实施例1豫花0215黑暗培养7d苗龄切掉花生子叶及其以上部分后,下胚轴观察结果。

图3为实施例1豫花0215嫁接远杂91027d后观察结果。

图4为实施例1豫花0215嫁接远杂910214d后观察结果。

图5为实施例1豫花0215和远杂9307嫁接苗田间观察结果。

图6为实施例1豫花0215和远杂9307嫁接苗和组培苗的结实情况。

图7为实施例2豫花0215嫁接野生种a.cor7d后观察结果。

图8为实施例2豫花0215嫁接野生种adard田间观察结果。

图9为对照例1豫花0215光照培养7d苗龄观察结果。

图10为对照例1豫花0215和远杂9307嫁接苗的结实情况。

图11为对照例2豫花0215嫁接远杂93077d后观察结果。

图12为对照例2豫花0215和远杂9307嫁接苗的结实情况。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细说明。下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明,均为本领域的常规方法,或按照制造厂商所建议的条件与实施步骤。

实施例1、花生栽培种组培苗的嫁接方法

一种花生组培苗的嫁接方法,包括以下步骤:

(1)砧木材料的准备:选用成熟饱满的黑花生豫花0215种子,浸泡过夜催芽,露白后将种子种植于营养钵(高压灭菌的蛭石)中,之后浇透水,放置于27℃黑暗培养,当花生幼苗的两片真叶展开(约7d)(见图1)时,选择下胚轴长度为6-8cm的幼苗作为砧木材料。

(2)无菌组培苗接穗的准备:以豫花22号、远杂9307和远杂9102转基因抗性苗分别作为接穗,进行嫁接(组培苗高度在2cm以上)。

(3)嫁接:切掉花生幼苗(砧木)子叶及其以上部分,将下胚轴中间纵切成切口,切口深度为0.8-1cm(见图2);将接穗下端削成与所述的切口对应的v形伤口,v形伤口的两斜面长度为0.8-1cm,切口保持平整;将接穗的下端插入砧木的切口中,尽量对齐,用parafilm封口膜缠紧(形成嫁接苗),使砧木和接穗紧密结合,有利于伤口愈合;

(4)嫁接苗的培养:浇水,将嫁接苗放于室内(温度27℃、湿度50%),避免阳光直射,并覆盖塑料薄膜;待长出新叶(约7d),去掉薄膜,逐渐见光培养,即嫁接苗长出新叶后,第一天放置在阳光下光照1h,逐天增加光照时间,每天增加1h,7d后即可移栽大田,嫁接成活率达到100%。具体培养情况如图3和4,图3和4为豫花0215和远杂9102嫁接苗的培养情况;

(5)移栽田间及管理:在傍晚将长势良好的嫁接苗移栽大田,移栽完成后浇透水,盖遮阳网遮阴;待移栽苗完全成活后,去掉遮阳网,正常田间管理,成活的嫁接植株移栽大田100%成活。具体生长情况如图5,图5为豫花0215和远杂9307嫁接苗田间生长情况。

对本实施例的栽培种组培苗嫁接成活率及移栽成活率进行统计,结果见下表。

上表结果表明,本发明的花生组培苗嫁接方法能够提高嫁接成活率和移栽成活率。

对本实施例的嫁接苗结实情况与组培苗的结实情况进行比较,结果见图6。图6结果表明,本发明的嫁接苗根系旺,田间长势比组培苗健壮,结实量比组培苗多,结实饱满度较好。

实施例2、花生野生种组培苗的嫁接方法

一种花生组培苗的嫁接方法,包括以下步骤:

(1)砧木材料的准备:选用成熟饱满的黑花生豫花0215种子,浸泡过夜催芽,露白后将种子种植于营养钵(高压灭菌的蛭石)中,之后浇透水,放置于27℃黑暗培养,当花生幼苗的两片真叶展开(约7d)时,选择下胚轴长度为6-8cm的幼苗作为砧木材料。

(2)无菌组培苗接穗的准备:以野生种(a.cor、a.dard、30119)及后代材料(双二倍体am-l)分别作为接穗,进行嫁接(组培苗高度在2cm以上)。

(3)嫁接:切掉花生幼苗(砧木)子叶及其以上部分,将下胚轴中间纵切成切口,切口深度为0.8-1cm;将接穗下端削成与所述的切口对应的v形伤口,v形伤口的两斜面长度为0.8-1cm,切口保持平整;将接穗的下端插入砧木的切口中,尽量对齐,用parafilm封口膜缠紧(形成嫁接苗),使砧木和接穗紧密结合,有利于伤口愈合;

(4)嫁接苗的培养:浇水,将嫁接苗放于室内(温度27℃、湿度50%),避免阳光直射,并覆盖塑料薄膜;待长出新叶(约7d),去掉薄膜,逐渐见光培养,即嫁接苗长出新叶后,第一天放置在阳光下光照1h,逐天增加光照时间,每天增加1h,7d后即可移栽大田,具体培养情况如图7,图7为豫花0215和野生种a.cor嫁接苗的培养情况;

(5)移栽田间及管理:在傍晚将长势良好的嫁接苗移栽大田,移栽完成后浇透水,盖遮阳网遮阴;待移栽苗完全成活后,去掉遮阳网,正常田间管理,具体生长情况如图8,图8为豫花0215和野生种a.dard嫁接苗田间生长情况。

对本实施例的野生种及双二倍体组培苗嫁接成活率及移栽成活率进行统计,结果见下表。

结果表明,本发明的花生组培苗嫁接方法能够提高嫁接成活率和移栽成活率,且移栽苗田间长势健壮。

对照例1、花生栽培种组培苗的嫁接方法

一种花生组培苗的嫁接方法,包括以下步骤:

(1)砧木材料的准备:选用成熟饱满的黑花生豫花0215种子,浸泡过夜催芽,露白后将种子种植于营养钵(高压灭菌的蛭石)中,之后浇透水,放置于27℃光照培养,当花生幼苗的两片真叶展开(约7d)(见图9)时,选择下胚轴幼苗作为砧木材料。

(2)无菌组培苗接穗的准备:以豫花22号、远杂9307和远杂9102转基因抗性苗分别作为接穗,进行嫁接(组培苗高度在2cm以上)。

(3)嫁接:切掉花生幼苗(砧木)子叶及其以上部分,将下胚轴中间纵切成切口,切口深度为0.5-1cm;将接穗下端削成与所述的切口对应的v形伤口,v形伤口的两斜面长度为0.5-1cm,切口保持平整;将接穗的下端插入砧木的切口中,尽量对齐,用parafilm封口膜缠紧(形成嫁接苗),使砧木和接穗紧密结合,有利于伤口愈合;

(4)嫁接苗的培养:浇水,将嫁接苗放于室内(温度27℃、湿度50%),避免阳光直射,并覆盖塑料薄膜;待长出新叶(约7d),去掉薄膜,逐渐见光培养,即嫁接苗长出新叶后,第一天放置在阳光下光照1h,逐天增加光照时间,每天增加1h,7d后即可移栽大田。

(5)移栽田间及管理:在傍晚将长势良好的嫁接苗移栽大田,移栽完成后浇透水,盖遮阳网遮阴;待移栽苗完全成活后,去掉遮阳网,正常田间管理,结实性较好(图10)。

对本实施例的栽培种组培苗嫁接成活率及移栽成活率进行统计,结果见下表。

结果表明,对照例的花生组培苗嫁接方法嫁接成活率在87.5%-95%,较本发明(实施例1)的嫁接方法明显下降,且由于下胚轴较短,几乎都在土里,嫁接操作不方便,嫁接效率较低。

对照例2、花生栽培种组培苗的嫁接方法

一种花生组培苗的嫁接方法,包括以下步骤:

(1)砧木材料的准备:选用成熟饱满的黑花生豫花0215种子,浸泡过夜催芽,露白后将种子种植于营养钵(高压灭菌的蛭石)中,之后浇透水,放置于27℃光照培养,当花生幼苗的两片真叶展开(约7d)时,选择上胚轴幼苗作为砧木材料。

(2)无菌组培苗接穗的准备:以豫花22号、远杂9307和远杂9102转基因抗性苗分别作为接穗,进行嫁接(组培苗高度在2cm以上)。

(3)嫁接:切掉花生幼苗(砧木)切除顶芽及侧芽,取子叶节以上的上胚轴部分,将上胚轴中间纵切成切口,切口深度为0.5-1cm;将接穗下端削成与所述的切口对应的v形伤口,v形伤口的两斜面长度为0.5-1cm,切口保持平整;将接穗的下端插入砧木的切口中,尽量对齐,用parafilm封口膜缠紧(形成嫁接苗),使砧木和接穗紧密结合,有利于伤口愈合;

(4)嫁接苗的培养:浇水,将嫁接苗放于室内(温度27℃、湿度50%),避免阳光直射,并覆盖塑料薄膜;待长出新叶(约7d),去掉薄膜,逐渐见光培养,即嫁接苗长出新叶后,第一天放置在阳光下光照1h,逐天增加光照时间,每天增加1h,7d后即可移栽大田,嫁接苗具体培养情况如图11,图11为豫花0215嫁接远杂93077d后观察结果。

(5)移栽田间及管理:在傍晚将长势良好的嫁接苗移栽大田,移栽完成后浇透水,盖遮阳网遮阴;待移栽苗完全成活后,去掉遮阳网,正常田间管理。结实情况见图12,图中可看出,结实有接穗上的果实,也有砧木侧芽结的果实。

对本实施例的栽培种组培苗嫁接成活率及移栽成活率进行统计,结果见下表。

结果表明,本发明的花生组培苗嫁接方法移栽成活率在88.6%-93.3%,较本发明(实施例1)的嫁接方法明显下降,且由于上胚轴嫁接苗移栽田间后砧木上会有侧芽生长,需经常去掉侧芽,但去除侧芽不会太彻底,造成砧木侧芽生长旺盛,影响接穗生长及结实情况。

以上所述仅为本发明最佳的实施例,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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