专利名称：：铜纯化的化学机械抛光后清洗组合物及使用方法
技术领域：
：本发明涉及用于从微电子器件上清洗化学机械抛光后(CMP)残留物、蚀刻后残留物和/或污染物的碱性水性组合物，其中所述水性清洗组合物可以有效地去除CMP后残留物、蚀刻后残留物并钝化金属互连材料，而不破坏在所述微电子器件上的低-k介电材料。
背景技术：
：由于半导体器件的几何尺寸的持续縮小至小于0.18pm，更多重点已经放到了改进互连结构以最小化阻容(RC)迟滞。使互连迟滞最小化的方案包括提高互连金属的电导率和降低介电层的介电常数(k)值。例如，在高级器件中，铜已经开始取代传统的铝作为互连金属。铜比铝的导电性更好(因而降低了阻容时延)，而且与传统的铝金属化相比也更少地经历电迁移。在深亚微米半导体的制造中，铜镶嵌工艺用于在低-k介电层上形成导电铜线。所述镶嵌工艺的一个重要步骤是铜化学机械抛光(CMP)，其用于去除在介电层表面上的过量的铜。CMP工艺涉及，在受控的压力和温度下，在CMP浆料的存在下，将半导体器件的薄平基片紧靠润湿的抛光垫定位和旋转。所述浆料包含适合于具体的CMP工艺及条件的磨料和化学添加剂。在CMP工艺之后，在晶片表面上会留下由来自于抛光浆料的粒子、加入到浆料中的化学物以及抛光浆料的反应副产物组成的污染物。此外，在硅晶片上的铜/低介电常数材料的抛光往往会产生沉积到晶片表面上的富碳粒子。在进行微电子器件制造工艺的任何进一步的步骤之前，必须除去所有的污染物，以避免将缺陷引入到器件中并降低器件的可靠性。通常，这些污染物的粒子小于0.3pm。传统的湿法技术利用在晶片表面上的流体流动来去除污染物，并且由此，它们的效率受到由所述流体流动造成的边界层的厚度所限制。小于边界层例如0.3pm以下的粒子避开了所述流体的物理拖曳力，并因此仍留在所述晶片表面上。由于化学键和氢键导致的另外附着力使湿法清洗技术的清洗能力进一步复杂化，并且显著地降低了这些工艺去除小尺寸污染物的效率。通常情况下，所述湿法技术使用的是水性清洗溶液，例如基于氢氧化铵的碱溶液，与某种形式的刷洗、喷射或超声组合。水性清洗溶液通过冲击所述晶片表面或者与污染物进行反应后再从晶片上除去该松脱的污染物的方式去除所述污染物。不利的是，有些污染物对水溶液中的化学成分可能是化学惰性的。例如，利用在所述水性清洗溶液中的化学成分可能不容易除去附着在所述晶片上的富碳粒子或化学反应副产物。兆声波可以与这些传统的湿法技术联合使用，从而显著地降低边界层厚度。然而仍不足以从所述晶片表面上有效地除去0.3pm以下尺寸的粒子。诸如碳掺杂氧化物的低-k介电膜或有机膜在双镶嵌集成中的应用给其中仅使用水基化学物质的CMP后清洗增添了进一步的问题。这些膜以及例如碳化硅、氮化硅和氧氮化硅的CMP终止层(stoplayer)是非常疏水的，并因此难以用水基清洗溶液进行清洗。此外，由于在大多数类型的中性至酸性浆料之内的碳原子的电位与所述铜表面的相反，所以富碳粒子很可能附着在所述铜表面上，产生另外的表面缺陷。微电子器件制造中常见的另一个能产生残留物的工艺涉及气相等离子体蚀刻，其用以将显影的光致抗蚀剂涂层的图案转移到其下边的层上，所述下边的层可以由硬掩模层、层间介电层(ILD)和蚀刻终止层构成。气相等离子体蚀刻后的残留物可以包括存在于所述基片上和在等离子气体中的化学元素，该残留物通常沉积在后段工艺流程(BEOL)的结构上，并且如果不予以去除的话，可能会干扰随后进行的硅化或触点形成。常规的清洗化学物通常会破坏ILD，吸收到ILD的孔内，因而会增大介电常数和/或腐蚀金属结构。Peters等人名下的美国专利6,558,879涉及到脱除和清洗组合物，其在半导体和微电路的制造中用于从金属或介电表面上去除残留物。所述组合物包括水、有机共溶剂和腐蚀抑制剂。不利的是，其优选的溶剂，N,N，-二甲基乙酰胺(DMAC)在半导体产业中的可接受程度较差，因为它从超低-k介电材料中提取出碳，增大了所述介电材料的介电常数。在微电子器件的制造中，另一个较常见的问题是在CMP处理后遗留在所述半导体器件基片上的膜样残留物。这种残留物可以包括例如苯并三挫(BTA)的钝化剂化合物。如果不去除的话，这些残留物可能对铜线造成损害，或者造成铜金属化布线的严重粗糙化，以及造成在CMP后去除工艺之后施加的层的附着性不佳。铜金属化布线的严重粗糙化是特别成问题的，因为过度粗糙化的铜可能造成半导体器件产品的电性能不佳。在本领域中显著有利的是提供改进的水性组合物，用于微电子器件的CMP后和/或蚀刻后清洗，用于从所述器件表面上去除CMP残留物、蚀刻后残留物和/或污染物但不产生缺陷和擦伤。优选地，所述水性组合物能实现从所述器件表面上充分清除残留物和污染物，并钝化例如铜的暴露的互连材料，但不破坏低-k介电材料。
发明内容本发明一般性地涉及碱性水性组合物和方法，用于从其上具有CMP后残留物、蚀刻后残留物和/或污染物的微电子器件上清洗所述残留物和/或污染物，同时钝化在所述微电子器件表面上的金属互连材料。因此，在一个优选的实施方案中，本发明的制剂包含至少一种胺，和至少一种钝化剂，和余量的水。在一个可选的实施方案中，本发明的制剂包含至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种还原剂和余量的水。在另一可选的实施方案中，本发明的制剂包含至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种表面活性剂、任选的至少一种还原剂和余量的水。在又一可选的实施方案中，本发明的制剂包含至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种季碱、任选的至少一种还原剂和余量的水。在进一步可选的实施方案中，本发明的制剂包含至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种季碱、至少一种还原剂、任选的至少一种表面活性剂和余量的水。在再一可选的实施方案中，本发明的制剂包含至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种季碱、任选的至少一种络合剂和余量的水。在另一实施方案中，本发明的制剂包含至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种表面活性剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种络合剂、任选的至少一种还原剂和余量的水。在一个特别优选的实施方案中胺相对于钝化剂的比例范围是(2至25):(0.05至15);胺相对于络合剂(当存在时)的比例范围是(2至25):(0.001至25);胺相对于还原剂(当存在时)的比例范围是(2至25):(0.001至25);胺相对于季碱(当存在时)的比例范围是(2至25):(0.001至10);胺相对于表面活性剂(当存在时)的比例范围是(2至25):(0.001至1);和余量为水。本发明的一个方面涉及一种碱性水性清洗组合物，其包含至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种还原剂、和水，其中所述碱性水性清洗组合物适合于从其上具有残留物和污染物微电子器件上清洗所述残留物和污染物。任选地，所述碱性水性清洗组合物可以进一步包含至少一种表面活性剂。优选地，所述碱性水性清洗组合物包含至少一种还原剂，并且所述还原剂包括抗坏血酸。在另一方面中，本发明涉及一种试剂盒，其在一个或多个容器中包含用于形成碱性水性清洗组合物的一种或多种试剂，所述一种或多种试剂选自至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种还原剂和任选的水，且其中所述试剂盒适于形成碱性水性清洗组合物，该碱性水性清洗组合物适合于从微电子器件上清洗材料，其中所述材料选自CMP后残留物、气相等离子体蚀刻后残留物及其污染物。任选地，所述碱性水性清洗组合物可以进一步包含至少一种表面活性剂。优选地，所述碱性水性清洗组合物包含至少一种还原剂，并且所述还原剂包括抗坏血酸。在另一方面中，本发明涉及从其上具有残留物和污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物的方法，所述方法包括使所述微电子器件与碱性水性清洗组合物接触足够的时间，从而至少部分地从所述微电子器件清洗所述残留物和污染物，其中所述碱性水性清洗组合物包括至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种还原剂、和水。任选地，所述碱性水性清洗组合物可以进一步包含至少一种表面活性剂。优选地，所述碱性水性清洗组合物包含至少一种还原剂，和所述还原剂包括抗坏血酸。在另一方面中，本发明涉及微电子器件的制造方法，所述方法包括使所述微电子器件与碱性水性清洗组合物接触足够的时间，从而至少部分地从其上具有残留物和污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物，其中所述碱性水性清洗组合物包括至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种还原剂、任选的至少一种表面活性剂、任选的至少一种季碱、和水。优选地，所述碱性水性清洗组合物包含至少一种还原剂，和所述还原剂包括抗坏血酸。本发明的再一方面涉及改进的微电子器件及引入了该器件的产品，该微电子器件及产品是采用包括从其上具有残留物和污染物的微电子器件上清洗所述残留物及污染物的本发明方法、采用本文中所描述的方法和/或组合物，以及任选地，将所述微电子器件引入到产品中而制造的。从随后的公开内容及所附的权利要求将更充分了解本发明的其它方面、特征及优点。图1所示为所提出的从微电子器件表面上去除CMP后残留物和污染物的切底及脱除机理。图2所示为在制剂AA-AF中浸没之后覆盖的铜晶片的厚度与时间的函数关系。图3A为对照晶片在制剂AC中浸没之前的电子显微照片。图3B为图3A的对照晶片在制剂AC中浸没之后的电子显微照片。图4A为通孔阻挡物穿透后的晶片在制剂AC中浸没之前的电子显微照片。图4B为裂开的(cleaved)通孔阻挡物穿透后晶片在制剂AC中浸没之前的电子显微照片。图5A为通孔阻挡物穿透后的晶片在制剂AC中浸没之后的电子显微照片。图5B为通孔阻挡物穿透后的晶片在制剂AC中浸没之后的电子显微照片。图6所示为DI水在各种经处理及未经处理的铜表面上的表面能和接触角。图7所示为浸没在自然pH值的DI水中的石英晶体微天平(QCM)的铜电极质量与时间的函数关系。图8所示为浸没在pH值为5.8的0.058wt.。/。TAZ溶液中的QCM的铜电极质量与时间的函数关系。图9所示为对于浸没在pH值为5.8的0.058wt.%TAZ溶液中的铜电极的开路电位(OCP)与时间的函数关系。图IO所示为浸没在pH值调至11.5的DI水中的QCM的铜电极质量与时间的函数关系。图ll所示为浸没在pH为11.5的0.058wt.%TAZ溶液中的铜电极的OCP与时间的函数关系。图12所示为对于浸没在pH为11.5的0.1wt,。/。TAZ溶液中经BTA处理的铜电极的OCP与时间的函数关系。图13所示为对于经BTA处理的铜电极浸没在pH为11.5的0.1wt.%TAZ溶液而言，QCM的铜电极质量与时间的函数关系。图14所示为按照两种不同的清洗方法的CMP后清洗之后在铜、TEOS、珊瑚和黑金刚石上的缺陷数。图15所示为对于覆盖的铜晶片在如下过程之后的缺陷数与时间的函数关系，所述过程为在使用制剂BF的10:1稀释液(用DI水)的CMP打磨(buff)步骤期间的漂洗-打磨，接着是用浓缩组合物的30:1稀释液在刷盒中的CMP后清洗，所述浓縮组合物包括4.7%TMAH、20.6%TEA、3.3%没食子酸、11.2%抗坏血酸和余量的水。图16A为在接合焊盘(bondpad)边缘的CMP污染的Sematech854对照晶片的显微照片，放大倍数为30,000X。图16B为在随机挑选的接合焊盘处的CMP污染的Sematech854对照晶片的显微照片，放大倍数为6，00OX。图17A为在接合焊盘中心处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30，000X，所述处理是在22°C下用制剂BH的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图17B为在接合焊盘边缘处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30，000X，所述处理是在22°C下用制剂BH的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图17C为在随机挑选的接合焊盘上的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BH的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图17D为在0.18线图案区域处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BH的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图18A为在接合焊盘中心处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30,000X，所述处理是在22°C下用制剂BI的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图18B为在接合焊盘边缘处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30，000X，所述处理是在22°C下用制剂BI的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图18C为在随机挑选的接合焊盘上的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BI的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图18D为在0.18]Lim线图案区域处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BI的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图19A为在接合焊盘中心处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30，000X，所述处理是在22°C下用制剂BJ的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图19B为在接合焊盘边缘处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30，000X，所述处理是在22°C下用制剂BJ的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图19C为在随机挑选的接合焊盘上的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6，000X，所述处理是在22°C下用制剂BJ的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图19D为在0.18/im线图案区域处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BJ的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图20A为在接合焊盘中心处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30，000X，所述处理是在22°C下用制剂BK的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图20B为在接合焊盘边缘处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30,000X，所述处理是在22°C下用制剂BK的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图20C为在随机挑选的接合焊盘上的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X,所述处理是在22°C下用制剂BK的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图20D为在0.18线图案区域处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22。C下用制剂BK的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图21A为在接合焊盘中心处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30，000X，所述处理是在22°C下用制剂BL的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图21B为在接合焊盘边缘处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30,000X，所述处理是在22°C下用制剂BL的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图21C为在随机挑选的接合焊盘上的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6，000X，所述处理是在22°C下用制剂BL的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图21D为在0.18/mi线图案区域处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BL的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图22A为在接合焊盘中心处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为3O，0OOX，所述处理是在22°C下用制剂BM的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图22B为在接合焊盘边缘处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30,000X，所述处理是在22°C下用制剂BM的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图22C为在随机挑选的接合焊盘上的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6，000X，所述处理是在22°C下用制剂BM的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图22D为在0.18/mi线图案区域处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BM的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图23A为在接合焊盘中心处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30,000X,所述处理是在22°C下用制剂BF的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图23B为在接合焊盘边缘处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30，000X，所述处理是在22°C下用制剂BF的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图23C为在随机挑选的接合焊盘上的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6，000X，所述处理是在22°C下用制剂BF的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图23D为在0.18iimi线图案区域处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BF的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图24A为在接合焊盘中心处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30，000X，所述处理是在22°C下用制剂BN的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图24B为在接合焊盘边缘处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30,000X，所述处理是在22°C下用制剂BN的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图24C为在随机挑选的接合焊盘上的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BN的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图24D为在0.18/mi线图案区域处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,O00X，所述处理是在22°C下用制剂BN的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图25A为在接合焊盘中心处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30,000X，所述处理是在22°C下用制剂BO的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图25B为在接合焊盘边缘处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30,000X，所述处理是在22°C下用制剂BO的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图25C为在随机挑选的接合焊盘上的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BO的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图25D为在0.18/mi线图案区域处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BO的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图26A为在接合焊盘中心处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30，000X，所述处理是在22°C下用制剂BP的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图26B为在接合焊盘边缘处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为30,000X，所述处理是在22°C下用制剂BP的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图26C为在随机挑选的接合焊盘上的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X，所述处理是在22°C下用制剂BP的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图26D为在0.18/mi线图案区域处的CMP污染的Sematech854对照晶片经旋转/喷淋处理之后的显微照片，放大倍数为6,000X,所述处理是在22°C下用制剂BP的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。图27A为稀释的制剂BR在介电表面上的接触角的光学图象。图27B为稀释的制剂BS在介电表面上的接触角的光学图象。图28为Sematech854晶片在用本发明的制剂EC清洗晶片之前和之后的原子力显微(AFM)图像。图29为Sematech854晶片在用本发明的制剂EF清洗晶片之前和之后的AFM图像。图30所示为使用本发明的制剂，氮对铜的比例，和由此所得铜钝化膜的相对厚度。发明详述及具体实施方式本发明涉及用于从其上具有CMP后残留物、蚀刻后残留物和/或污染物的微电子器件上清洗这些物质的碱性水性组合物，所述组合物对所述残留物/污染物具有高度选择性，同时钝化在所述微电子器件上的例如铜和钴的金属互连材料。为便于参考，"微电子器件"对应于为在微电子、集成电路或计算机芯片应用中使用而制造的半导体基片、平板显示器和微机电系统(MEMS)。应该理解的是，术语"微电子器件"并不具有任何方式的限制意义，并包括最终将成为微电子器件或微电子组件的任何基片。如本文中所用的，"CMP后残留物"对应于来自抛光浆料的粒子、富碳粒子、抛光垫粒子、刷下料粒子(brushdeloadingparticles)、设备的构造材料粒子、铜、铜氧化物以及作为CMP工艺副产物的任何其它材料。如本文中所用的，"污染物"对应于在CMP浆料中存在的化学物质，抛光浆料的反应副产物，以及作为CMP工艺副产物的任何其它材料。如本文中定义的，"低-k介电材料"对应于在层状微电子器件中用作介电材料的任何材料，其中所述材料具有小于约3.5的介电常数。优选地，所述低-k介电材料包括低极性材料，例如含硅有机聚合物、含硅的混合有机/无机材料、有机硅酸盐玻璃(OSG)、TEOS、氟化硅酸盐玻璃(FSG)、二氧化硅、和碳掺杂氧化物(CDO)玻璃。应理解的是，所述低-k介电材料可以具有不同的密度和不同的孔隙度。如本文中定义的，"蚀刻后残留物"对应于例如BEOL双镶嵌处理的气相等离子体蚀刻工艺之后残留的材料。所述蚀刻后残留物在本质上可以是有机的、有机金属的、有机硅的或无机的，例如为含硅材料、碳基有机材料以及包括但不限于氧和氟的蚀刻气体残留物。如本文中所用的，"约"意指对应于所述值的±5%。如本文中所用的，从其上具有残留物和污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物的"适用性"对应于从所述微电子器件上至少部分地除去所述的残留物/污染物。优选地，采用本发明的组合物从所述微电子器件上除去所述残留物/污染物的至少85%，更优选至少90%、甚至更优选至少95%、和最优选除去所述残留物/污染物的至少99%。如本文中定义的，"络合剂"包括本领域的技术人员理解为络合剂、螯合剂和/或掩蔽剂(s叫uesteringagent)的那些化合物。采用本发明的组合物，络合剂将与待被除去的金属原子和/或金属离子发生化学结合或者以物理的方式约束它们。重要地，本发明的水性组合物必须具有良好的金属相容性，例如，在互连金属和/或互连线金属硅化物材料上的低蚀刻速率。有关的金属包括但不限于铜、钨、钴、铝、钽、钛和钌。如下文中更详细描述的那样，本发明的组合物可以具体表现为多种具体的制剂。对于所有的此类组合物，其中是按照包括零下限的重量百分比范围讨论该组合物的具体组分，将理解的是，在所述组合物的多种具体实施方案中，这种组分可以存在或不存在，并且在这种组分存在的情况下，基于其中使用了这种组分的组合物的总重量而言，它们可以在低至0.001重量百分比的浓度下存在。蚀刻后残留物去除组合物在一个方面中，本发明涉及可用于从微电子器件上除去蚀刻后残留物的水性蚀刻后残留物去除组合物，所述微电子器件具有暴露的金属及金属合金材料，例如铜互连线。根据一个实施方案的组合物包含基于所述组合物总重量计按以下范围存在的至少一种胺、和至少一种钝化剂以及余量的水。<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>在另一实施方案中，所述水性蚀刻后残留物去除组合物包含基于所述组合物总重量计的按以下范围存在的至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种季碱、任选的至少一种络合剂和余量的水。<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>当所述组合物包含络合剂时，络合剂量的范围为基于组合物总重量计的约0.001%至10wt.%。在本发明的广泛实践中，所述水性蚀刻后残留物去除组合物可以包含胺、钝化剂、任选的季碱、任选的络合剂、和水，或者可以由上述物质组成，或基本上由上述物质组成。或者，在本发明的广泛实践中，所述水性蚀刻后残留物去除组合物可以包含季碱、胺、钝化剂、任选的络合剂，和水，或者可以由上述物质组成，或基本上由上述物质组成。所述水优选为去离子的。优选地，基于组合物总重量计，所述组分在浓縮的水性蚀刻后残留物去除组合物中的存在范围如下约0.01至约10%的季碱(当存在时)、约1%至约15%的胺、约0.001%至约1%的钝化剂、约0.01%至约5%的络合剂(当存在时)，和余量的DI水。本发明的组合物的有效应用可以包括但不限于蚀刻后残留物的去除、表面处理、镀后清洗和CMP后残留物的去除。重要地，在所述微电子器件上的介电材料，包括例如OSG的低-k介电材料，和例如铜、钴、钨、铝等的暴露金属及金属合金材料，不会受到水性蚀刻后残留物去除组合物的破坏。优选地，铜材料的蚀刻速率范围为约0.5Amin—1至约10Amin—1，更优选为约0.5人min'1至约本发明的水性蚀刻后残留物去除组合物优选不含例如没食子酸和抗坏血酸的除氧剂。所述除氧剂在易受氧化还原反应影响的环境中随着时间的推移会发生氧化，若将其排除在去除组合物之外，则所述制剂可具有延长的适用期，并且去除性能的变化较低。所述铜表面被在水性蚀刻后残留物去除组合物中的钝化剂所钝化，从而将铜的粗糙化最小化，并降低了铜的蚀刻速率和随后降低了铜的腐蚀。本发明的水性蚀刻后残留物去除组合物的第二个优点在于消除了单独的去除后施用BTA的操作，以及比BTA层更易于去除的铜钝化层，从而降低了物主的成本。在本发明的广泛实践中，水性蚀刻后残留物去除组合物的pH范围大于约ll，更优选的范围为约11至约15。所述胺化合物可以为伯胺或仲胺，并选自单乙醇胺(MEA)、N-甲基乙醇胺(NMEA)、氨乙基乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、氨基乙氧基乙醇、二乙醇胺、l-氨基-2-丙醇、单异丙醇胺、异丁醇胺、C2-CV烷醇胺、三乙撑二胺及其组合。优选地，所述胺化合物包括单乙醇胺。如在本文中所用的，术语"钝化剂"意指可以与新鲜的铜表面和/或氧化的铜薄膜发生反应以钝化或保护所述含铜层的任何物质。优选地，在本发明的水性蚀刻后残留物去除组合物中的钝化剂可以包含如下组分，其包括例如三唑，例如1，2,4-三唑(TAZ)，或用例如CrC8烷基、氨基、硫醇、巯基、亚氨基、羧基及硝基的取代基取代的三唑，例如苯并三唑、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巯基-l，2,4-三唑、l-氨基-l,2,4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、l-氨基-l，2，3-三唑、l-氨基-5-甲基-l，2,3-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑、3-巯基-l，2，4-三唑、3-异丙基-l，2，4-三唑、5-苯基硫醚-苯并三唑、卤代苯并三唑(卤-F、Cl、Br或I)、萘并三哇等，以及噻唑、四唑、咪唑、磷酸酯、硫醇和吖嗪，例如2-巯基苯并咪唑(MBI)、2-巯基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、5-氨基四唑、5-氨基-1，3,4-噻二唑-2-硫醇、2，4-二氨基-6-甲基-1,3，5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,5-五亚甲基四唑、l-苯基-5-巯基四唑、二氨甲基三嗪、咪唑啉硫酮、巯基苯并咪唑、4-甲基-4H-l，2,4-三唑-3-硫醇、5-氨基-l,3，4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、苯并异二唑(indiazole)等。对于所述水性蚀刻后残留物去除组合物，进一步可考虑的钝化剂包括例如苯甲酸的羧酸及苯甲酸铵。优选地，所述钝化剂包括TAZ、MBI及其组合。本文中可考虑的任选的季碱包括但不限于(NR1112113114)011，其中R1、R2、RS和RA彼此可以相同或不同，并各自独立地选自氢、直链或支链CVdo烷基和取代及未取代的芳基。可考虑的季碱包括胆碱、四丁基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵及其组合。优选地，所述季碱包括四甲基氢氧化铵(TMAH)。本文中可考虑的络合剂必须能够在高溶液pH值下与金属和/或金属离子结合，从而有助于将所述材料从暴露的介电表面上去除。本文中可考虑的络合剂包括醋酸、丙酮肟、丙氨酸、精氨酸、天冬酰胺、天门冬氨酸、苯甲酸、甜菜碱、二甲基乙二醛肟、富马酸、谷氨酸、谷氨酰胺、戊二酸、甘油、甘氨酸、乙醇酸、乙醛酸、组胺酸、亚氨基二乙酸、间苯二甲酸、衣康酸、乳酸、亮氨酸、赖氨酸、马来酸、苹果酸、丙二酸、草酸、2,4-戊二酮、苯乙酸、苯丙氨酸、邻苯二甲酸、脯氨酸、苯均四酸、奎尼酸、丝氨酸、山梨糖醇、琥珀酸、对苯二甲酸、偏苯三酸、均苯三酸、酪氨酸、缬氨酸、木糖醇、前述氨基酸的衍生物以及它们的组合，条件是所述络合剂不包括梓檬酸。本文中可考虑的其它络合剂包括聚乙烯醚(PEGs)，二醇醚例如二乙二醇单甲醚(甲基卡必醇)、三乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、三乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁醚(丁基卡必醇)、三乙二醇单丁醚、乙二醇单己醚、二乙二醇单己醚、乙二醇苯醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚(TPGME)、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚(DPGBE)、三丙二醇正丁醚、丙二醇苯醚(苯氧基-2-丙醇)以及它们的组合。优选地，所述络合剂包括乳酸。本发明的水性蚀刻后去除组合物在其制剂中并不需要有表面活性剂，然而，在其中使用这种试剂可能有益的特定应用当中，并不排除在本发明的去除用溶液中使用表面活性剂。例如，可以将十三烷基苯磺酸(TSA-99)加入到本发明的水性蚀刻后去除组合物中。此外，所述水性CMP后清洗组合物可以还包括氧化剂、共溶剂、蚀刻剂、消泡剂、另外的pH调节剂等。可以添加共溶剂以帮助有机抗蚀剂的去除。在多种实施方案中，将所述水性蚀刻后残留物去除组合物配制成如下的制剂AA-AP，其中一些是优选的，而有一些则是为比较目的制备的，其中所有的百分比均按重量计，基于所述制剂的总重量制剂AA苯甲酸铵0.10%、乳酸(85%溶液)2%、MEA9%、TMAH5%、DI水83.90%制剂ABBTA0.10%、乳酸(85%溶液)2%、MEA9%、TMAH5%、DI水83.90%制剂ACMBI0.10°/。、乳酸(85%溶液)2%、MEA9%、TMAH5%、DI水83.90%制剂ADTAZ0.10%、乳酸(85%溶液)2%、MEA9%、TMAH5%、DI水68.90%制剂AE苯甲酸铵0.10%、TAZ0.10%、乳酸(85%溶液)2%、MEA9%、TMAH5%、DI水83.80%制剂AF苯甲酸铵0.10%、MBI0.10%，、乳酸(85°/。溶液)2%、MEA9%、TMAH5%、DI水83.80%制剂AGTAZ0.5%、MEA20%、TMAH5%、丁基卡必醇10%、DI水64.50%制剂AHTAZ0，5%、MEAl()o/0、TMAH5%、甲基卡必醇20%、DI水64.50%制剂AI苯甲酸铵1%、MEA9%、TMAH5%、乳酸(85%溶液)2%、DI水83%制剂AJMBI0.1%、MEA20%、TMAH5%、乳酸(85%溶液)2%、DI水72.9%制剂AKMBI0.1%、MEA20%、DMSO20%、TMAH5%、乳酸(85%溶液)2%、DI水52.9%制剂ALMBI0.1%、MEA20%、TMAH5%、TSA-990.5%、孚L酸(85%溶液)2%、DI水72.4%制剂AMMBI0.1o/。、MEA20%、TMAH5°/0、二乙二醇己醚0.5%、乳酸(85%溶液)2%、D"K72.4%制剂ANMBI0.1%、MEA20%、DMSO20%、TMAH5%、TSA-990.5%、乳酸(85%溶液)2%、DI水52.4。/。制剂AOMBI0.1%、MEA20%、TMAH5%、二乙二醇己醚0.5%、乳酸(85%溶液)2%、DMSO20Q/。、DI水52.4%制剂APMBI0.10°/。、乳酸1.86%、MEA9%、TMAH5%、DI水84.04%在优选的实施方案中，本发明的水性蚀刻后残留物去除组合物包括单乙醇胺、TMAH、乳酸和MBI。在另一实施方案中，所述水性蚀刻后残留物去除组合物包含至少一种胺、至少一种钝化剂、蚀刻后残留物、任选的至少一种季碱、任选的至少一种络合剂、任选的至少一种表面活性剂，和余量的水。重要地，所述蚀刻后残留物可以被溶解和/或悬浮在本发明的去除组合物中。重要地，本发明的水性蚀刻后残留物去除组合物相对于去离子水具有显著低的表面张力。这增强了本发明的水性组合物从所述器件表面清洗所述蚀刻后残留物及污染物的能力。在本发明的一个实施方案中，提供了一种可被稀释以用作去除溶液的浓縮的水性蚀刻后残留物去除组合物。浓缩组合物或"浓縮物"有利地，可允许使用者在使用时将该浓縮物稀释到所需的强度及碱度。此外，所述产品的浓縮物具有较长的保存期，并且易于运输及存放。所述浓缩清洗组合物的稀释范围可以从约1:1至约200:1，其中将所述清洗组合物用例如去离子水的溶剂在用具中进行稀释或恰在装入用具之前进行稀释。优选地，所述浓清洗组合物的稀释范围为约5:1至约50:1。本发明的水性CMP后残留物去除组合物的一个重要特征是，所述非水性成分(除水以外的成分)在该组合物中的存在量很少，优选低于约30重量％。这是具有经济优势的，因为可以更经济地配制有效的去除组合物，这一点较为重要，因为蚀刻后残留物去除组合物的使用量很大。此外，由于所述去除组合物是基于水的，因此本发明的去除组合物更易于处理。通过简单地添加各成分并混合至均匀的状态，可以很容易地配制本发明的水性蚀刻后残留物去除组合物。此外，可以很容易地将所述水性蚀刻后残留物去除组合物配制为单包装制剂或配制为在使用之时或之前进行混合的多部分制剂，例如，可以在用具或用具上游的储槽中将所述多部分制剂的单独的各部分进行混合。在本发明的广泛实践中，所述各成分的浓度可以有很大的变化，为所述水性蚀刻后残留物去除组合物的特定倍数，即更稀或更浓，并且应该理解的是，本发明的水性蚀刻后残留物去除组合物可以在不同的情况下且选择性地包含与本文中公开的一致的成分的任意组合，或者由上述的组合构成，或基本上由上述的组合构成。因此，本发明的另一方面涉及试剂盒，其在一个或多个容器中包括适于形成本发明组合物的两种或更多种组分。优选地，该试剂盒在一个或多个容器中包括至少一种胺和至少一种钝化剂，用于在加工或使用时与水组合。在一个可选的实施方案中，所述试剂盒在一个或多个容器中包括至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种络合剂和任选的至少一种季碱，用于在加工或使用时与水组合。本领域的技术人员将理解的是，本文中可以考虑其它的组合。除了水溶液以外，本文中还可以考虑将所述水性蚀刻后残留物去除组合物配制成泡沫、雾剂、亚临界或超临界流体(即，其中所述溶剂是C02等，而不是水)。如应用于微电子制造的操作中那样，本发明的水性蚀刻后残留物去除组合物可用于从所述微电子器件表面上清洗蚀刻后残留物，同时钝化金属互连材料。重要地，本发明的去除组合物不会破坏在所述器件表面上的低-k介电材料，且优选在残留物去除之前除去在所述器件上存在的残留物的至少85%、更优选至少90%、甚至更优选至少95%和最优选至少99%。在蚀刻后去除应用中，以任何适当的方式将所述去除组合物施加到待被清洗的器件上，例如，通过在待被清洗器件的表面上喷淋该去除组合物，通过(在一定体积的所述去除组合物中)浸渍待被清洗的器件，通过使待被清洗的器件与用所述去除组合物饱和的另一种材料例如垫或纤维吸附剂涂敷器元件接触，或者通过采用使所述去除组合物与待被清洗的器件发生旨在去除的接触的任何其它适当方法、方式或技术。此外，本文中可考虑采用批量或单一的晶片处理。在将本发明的组合物用于从其上具有蚀刻后残留物的微电子器件上清洗所述蚀刻后残留物时，优选在约20°C至约50°C的温度范围内使所述水性蚀刻后残留物去除组合物与所述器件接触约30秒至约20分钟的时间，优选约2分钟。这样的接触时间及温度是示例性的，并且在本发明的广泛实践中，可以采用对于从所述器件至少部分地清洗所述蚀刻后残留物/污染物而言是有效的任何其它的合适时间和温度条件。"至少部分地清洗"对应于在残留物去除之前能除去在所述器件上存在的残留物的至少85%、更优选至少90%、甚至更优选至少95%和最优选至少99%。如应用于微电子制造操作中那样，本发明的水性蚀刻后残留物去除组合物可用于从所述微电子器件上表面清洗CMP后残留物，同时钝化所述金属互连材料。重要地，本发明的清洗组合物不会破坏在所述器件表面上的低-k介电材料，并优选在残留物去除之前能除去在所述器件上存在的残留物的至少85%、更优选至少90%、甚至更优选至少95%和最优选至少99%。在可选的CMP后残留物及污染物的清洗应用中，可以与许多种常规的清洗用具一起使用所述水性蚀刻后残留物去除组合物，所述清洗用具包括Verteq单晶兆声(singlewafermegasonic)Goldfinger、OnTraksystemsDDS(双面洗涤器)、Laurdl旋喷用具、SEZ单晶喷淋漂洗(singlewafersprayrinse)、AppliedMaterialsMirra-Mesa/ReflexionTM/ReflexionLK7M和兆声批式湿洗台系统(Megasonicbatchwetbenchsystems)<>在将本发明的组合物用于从其上具有CMP后残留物及污染物的微电子器件上清洗CMP后残留物及污染物时，通常在约20。C至约50。C的温度范围内使所述水性蚀刻后残留物去除组合物与该器件接触约5秒至约10分钟的时间，优选约15秒至5分钟。这样的接触时间及温度是示例性的，并且在本发明的广泛实践中，可以采用对于从所述器件至少部分地清洗CMP后残留物/污染物而言是有效的任何其它的合适时间和温度条件。在达到所需的清洗效果后，可以容易地将所述水性蚀刻后残留物去除组合物从其先前所施加的器件上去除掉，如在本发明的组合物应用的给定最终用途上可能是所期望的和有效的。优选地，所述漂洗溶液包括去离子水。在漂洗处理之后，可以采用氮或旋转干燥方法将该器件干燥。本发明的再一个方面涉及根据本发明的方法制造的改进的微电子器件以及涉及包含这种微电子器件的产品。本发明的进一步的一个方面涉及包含微电子器件的制品的制造方法，所述方法包括使所述微电子器件与水性蚀刻后残留物去除组合物接触足够的时间，以从其上具有所述残留物和污染物的微电子器件上清洗蚀刻后残留物，并将所述微电子器件引入到所述制品之中，其中所述水性蚀刻后残留物去除组合物包括至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种络合剂，和水。本发明的进一步的一个方面涉及包含微电子器件的制品的制造方法，所述方法包括使所述微电子器件与水性蚀刻后残留物去除组合物接触足够的时间，从而从其上具有所述残留物的微电子器件上清洗蚀刻后残留物，并将所述微电子器件引入到所述制品之中，其中所述水性蚀刻后残留物去除组合物包括至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种络合剂、任选的至少一种季碱，和水。CMP后清洗组合物另一方面，本发明涉及用于从其上具有CMP后残留物及污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物的水性CMP后清洗组合物，所述组合物包括基于所述组合物总重量计以下述范围存在的至少一种胺、至少一种钝化剂和余量的水。组分重量％胺约0.001%至约25%钝化剂约0.001%至约5%水余量在另一个可选的实施方案中，本发明的制剂包含基于所述组合物总重量计以下述范围存在的至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种表面活性剂、任选的至少一种还原剂和余量的水。组分重量％胺约0.001%至约25%钝化剂约0.001%至约5%表面活性剂约0.001%至约5%还原剂0至约20%水余量在又一个可选的实施方案中，本发明的制剂包含基于所述组合物总重量计以下述范围存在的至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种季碱、任选的至少一种还原剂和余量的水。<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>在进一步可选的实施方案中，本发明的制剂包含基于所述组合物总重量计以下述范围存在的至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种还原剂、任选的至少一种表面活性剂、任选的至少一种季碱和余量的水。<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>在进一步可选的实施方案中，本发明的制剂包含基于所述组合物总重量计以下述范围存在的至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种季碱、至少一种还原剂、任选的至少一种表面活性剂、和余量的水。<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>如上文所述，在本发明的广泛实践中，所述水性CMP后清洗组合物可以包含胺、钝化剂、任选的还原剂、任选的季碱、任选的表面活性剂、和水，或者由上述物质构成，或基本上由上述物质构成。所述水优选为去离子水。在本发明的广泛实践中，所述水性CMP后清洗组合物的pH范围为大于约9，最优选的范围为约IO至约12。所述胺化合物可以是伯胺或仲胺，并选自单乙醇胺(MEA)、N-甲基乙醇胺(NMEA)、氨乙基乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、氨基乙氧基乙醇、二乙醇胺、l-氨基-2-丙醇、单异丙醇胺、异丁醇胺、C2-Cs烷醇胺、三乙撑二胺以及它们的组合。优选地，所述胺化合物包括单乙醇胺或单异丙醇胺。本文中还可考虑的是，当一定量的伯和/或仲胺存在时，可以在水性CMP后清洗组合物中添加约0.01wt.y。至约20wt.n/。量的叔胺作为减摩剂。可考虑的叔胺包括但不限于三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三乙胺、N，N-二甲基甘醇胺、N,N-二甲基二甘醇胺和五甲基二乙撑三胺。如本文中所用的，术语"钝化剂"意指与新鲜的铜表面和/或氧化的铜薄膜进行反应、从而钝化或者保护该含铜层的任何物质。优选地，在本发明的水性CMP后清洗组合物中的钝化剂可以包括上文列举的组分。更优选地，该钝化剂为1,2，4-三唑。所述水性CMP后清洗组合物可任选包括还原剂，该还原剂选自抗坏血酸、L(+)-抗坏血酸、异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、没食子酸、乙二醛及其组合。所述水性CMP后清洗组合物中可任选包括季碱，所述季碱包括但不限于(NR1112113114)011，其中R1、R2、113和114彼此可以相同或不同，并各自独立地选自氢、直链或支链的CpCu)烷基以及取代或未取代的芳基。优选地，所述水性CMP后清洗组合物包含至少一种季碱，所述季碱优选包括四甲基氢氧化铵(TMAH)。所述水性CMP后清洗组合物可任选包括表面活性剂。所述表面活性剂优选为协助分散/悬浮的表面活性试剂，其降低液体的表面张力，并降低固体与液体之间的表面张力。此外，据推测，所述表面活性剂也起到表面改性剂的作用，其增加所述制剂的粘度，因此减小施加到所述晶片上的剪切应力。本文中可考虑的表面活性剂包括但不限于非离子表面活性剂，例如氟烷基表面活性剂，聚乙二醇，聚丙二醇，聚乙二醇醚或聚丙二醇醚，羧酸盐，十二垸基苯磺酸(DDBSA)或其盐，聚丙烯酸酯聚合物，二壬基苯基聚氧乙烯，硅氧烷或改性硅氧烷聚合物，炔属二醇或改性炔属二醇，和垸基铵盐或改性烷基铵盐，羟乙基纤维素(5O0-35,0O0MW)，羟丙基纤维素(500-35，000MW)、甲基羟丙基纤维素(500-35，000MW)、NATROSOL250羟乙基纤维素、KLUCELEF羟丙基纤维素以及包含至少一种前述表面活性剂的组合。或者，所述表面活性剂可以为阴离子和非离子型表面活性剂的混合物。在优选的实施方案中，所述表面活性剂为十二垸基苯磺酸，NATROSOL⑧和/或KLUCEL。此外，所述水性CMP后清洗组合物可以还包括螯合剂、蚀刻剂、消泡剂、pH值调节剂、增稠剂，例如水溶性高分子量化合物，等。重要地，所述水性蚀刻后残留物去除组合物不会损害在所述微电子器件上的介电材料，包括例如OSG的低-k值介电材料，和暴露的金属及金属合金材料如铜、钴、钨、铝等。优选地，铜材料的蚀刻速率范围为约0.5Amin"至约IOAmirT1,更优选为约0.5Amin"至约5Amin.0优选地，基于所述组合物总重量计，在所述浓清洗组合物中的组分的存在范围如下约0.01%至约62%的胺、约0.005%至约25%的还原剂、约0.005%至约14%的钝化剂、约0.001至约25%的季碱和余量的水。在优选的实施方案中，本发明的水性CMP后清洗组合物包括单乙醇胺、抗坏血酸和TAZ。在特别优选的实施方案中，本发明的水性CMP后清洗组合物包括单乙醇胺、抗坏血酸、没食子酸、TMAH和TAZ。在另一特别优选的实施方案中，本发明的水性CMP后清洗组合物包括单乙醇胺、没食子酸、TMAH和TAZ。在多种实施方案中，将所述水性CMP后清洗组合物配制成下述制剂BA-CM，这些制剂中的一些是优选的，并且一些是为了比较的目的而制备的，其中所有的百分比均按重量计，基于所述制剂总重量制剂BAMEA7.2%、TMAH4°/。、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、EDTA0.01%、DIzK84.4%鬼ij齐ljBBMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、TAZ1%、没食子酸2.8%、EDTA0.01°/。、DItK83.4%帝!J齐UBCMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、TAZ3%、没食子酸2.8%、EDTA0.01°/。、DI水81.4。/。希!J齐!JBDMEA7.2%、TMAH4%,、抗坏血酸1.6%、TAZ5%、没食子酸2.8%、EDTA0.01%、DI7_K74.4%，pH10.3制齐IJBEMEA8.8%、TMAH4.9°/。、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、DI水80,91%制齐jBFMEA4.5%、TMAH2.5%、抗坏血酸1.75%、TAZ1%、DI水90.25%，pH11.4制剂BGMEA4.5%、TMAH2.5°/。、抗坏血酸1%、没食子酸1.75%、TAZ1%、DI水89.25%，pH10.8制齐!IBHMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、BTA1.6%、EDTA0.01%、DI水82.8%制剂BIMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、BTA8.5%、EDTA0.01%、DI水75.9%制齐ljBJMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6°/0、没食子酸2.8%、羧基BTA2.2%、EDTA0.01%、DI水82.8%制齐IJMEA7.2%、TMAH4°/。、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、羧基BTA11.8%、EDTA0.01%、DI水72.6%制齐UMEA7.2%、TMAH4°/。、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、ATA1.2%、EDTA0.01%、DI水83.2%制剂BMMEA7.2%、TMAH4°/。、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、ATA6.1%、EDTA0,01%、DI水78.3%制齐ljBNMEA9%、TMAH2.5%、抗坏血酸3.5%,、TAZ1.0%、DI水84.0%制剂BOMEA4.5%、TMAH2.5%、抗坏血酸1.75%、TAZ5.0%、DI水86.25%制齐ljBOMEA9%、TMAH2.5%、抗坏血酸3.5%、TAZ5.0%、DI水80.0%制剂BOMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸3.5%、TAZ2.0%、DI水81.5%，pH11.6制剂BRMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸2%、没食子酸3.5%、TAZ2%、DDBSA0.11%、DI水78.39%制剂BSMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸2%、没食子酸3.5%、TAZ20/0、NATROSOL2500.1%、DI水78.4%翻BTMEA9°/。、TMAH5%、抗坏血酸3.5%、TAZ2%、NATROSOL2500.1%、DI7_K80.4%制剂BUMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸3.5%、TAZ2%、KLUCELEF0.1%、DI水80.4%制剂BVMEA8.82%、TMAH4.9°/。、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96。/。、NATROSOL2501.00%、DI水79.89%制齐UBWMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、NATROSOL2500.50%、DI水80.39%制剂BXMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、KLUCELEF1.00%、DI水79.89%制剂BYMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、KLUCELEF0.50%、DI水80.39%帝寸齐!JBZMEA10.29%、TMAH5.71%、抗坏血酸4.00%、TAZ2.29%、KLUCELEF1.14%，、DI水76.57%制剂CAMEA9%、抗坏血酸3.5%、TAZ2°/。、十二烷基苯磺酸0.11%、DI水85.39%制剂CBMEA8.82%、TMAH4.9°/0、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、十二垸基苯磺酸0.11%、DI水80.78%，pH12.0制齐UCC9wt.。/o单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o抗坏血酸、82.5wt.°/QH20制剂CD9wt.。/。单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。没食子酸、82.5wt.%H20制剂CE9wt。/。单乙醇胺、5wt。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.yo没食子酸、2°/。1，2,4-三唑、80.5wt.%H2O制剂CF11wt.%l-氨基-2-丙醇、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、78.5wt.%H20制剂CG11wt.。/。的l-氨基-2-丙醇、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.c/。没食子酸、2wt,。/。抗坏血酸、2°/01，2,4-三唑、76.5wt.0/0H20制剂CH7.2wt.。/。单乙醇胺、4wt.。/o四甲基氢氧化铵、2.8wt.%没食子酸、1.6wt.。/o抗坏血酸、84.4wt.%H20制剂CI7.2wt.。/o单乙醇胺、4wt,。/。四甲基氢氧化铵、2.8{.%没食子酸、1.6wt.Q/。抗坏血酸、2%1,2，4-三唑、82.4wt.%H20制剂CJ9wt.。/。单乙醇胺、5w"/o四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。抗坏血酸、1°/。苯并三唑、81.5wt.%H20制剂CK9wt.。/。单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o没食子酸、1%苯并三唑、81.5wt.%H20制剂CL11wt.%l-氨基-2-丙醇、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt/。没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、1°/。苯并三唑、77.5wt.%H20制剂CM9wt.。/。单乙醇胺、5wt.。/o四甲基氢氧化铵、3.5wt.Q/o没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、1%苯并三唑、79.5wt.%H20本发明的发明人已经发现，包含钝化剂的碱性水性组合物的粒子去除效率及有机缺陷去除能力显著地高于不含钝化剂的相应组合物。例如在本文中认为，在所述CMP后清洗组合物中存在的钝化剂有助于BTA的去除，而BTA典型地为CMP浆料的组分，并且其在CMP工艺之前的期间里往往会在暴露的铜表面上形成厚的非均匀膜。例如，如在本发明的背景中所论述的，BTA是许多CMP浆料的组分，并在CMP工艺完成后，在所述暴露的铜结构上会留下BTA的非均匀膜。在采用含BTA浆料的CMP之后，所述微电子器件的暴露铜表面受到BTA-Cu+膜以及来自所述桨料的粒子的污染(参见图1左侧)。在引入包括钝化剂的CMP后清洗组合物后，假设BTA-Cu+层在没有蚀刻所述基片的情况下被底切并剥离，留下钝化剂-Cu+层(参见图l右侧)。所得到的表面是亲水性的，并且非常容易润湿。重要地，本发明的水性CMP后清洗组合物相对于去离子水具有显著更低的表面张力。这增进了本发明的水性组合物从所述器件表面清洗CMP后残留物和污染物的能力。在另一实施方案中，所述水性CMP后残留物去除组合物包含至少一种胺、至少一种钝化剂、CMP后残留物、任选的至少一种季碱、任选的至少一种还原剂、任选的至少一种络合剂和余量的水。重要地，所述CMP后残留物可以溶解和/或悬浮在本发明的去除组合物中。在另一实施方案中，所述水性CMP后去除组合物包含至少一种胺、抗坏血酸、至少一种钝化剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种另外的还原剂、和水，其中所述碱性水性清洗组合物适合于从其上具有残留物和污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物。优选地，所述清洁水性CMP后去除组合物中不含氟化物源、氧化剂和/或磨料。在本发明的一个实施方案中，提供了一种可被稀释以用作清洗溶液的浓縮的水性CMP后清洗组合物。浓縮组合物或"浓縮物"有利地，可允许例如CMP工艺工程师的使用者在使用时将该浓縮物稀释到所需的强度及碱度。此外，所述产品的浓縮物具有较长的保存期，并且易于运输及存放。所述浓縮的清洗组合物的稀释范围可以从约1:1至约200:1，其中将所述清洗组合物用例如去离子水的溶剂在用具中进行稀释或恰在装入用具之前进行稀释。优选地，所述浓清洗组合物的稀释范围为约5:1至约50:1。本发明的水性CMP后清洗组合物的一个重要特征是，所述非水性成分(除水以外的成分)在该组合物中的存在量很少，通常低于约30重量％。这是具有经济优势的，因为可以更经济地配制有效的清洗组合物，这一点较为重要，因为CMP后清洗组合物的使用量很大。此外，由于所述清洗组合物是基于水的，因此本发明的清洗组合物更易于处理。通过简单地添加各成分并混合至均匀的状态，可以很容易地配制本发明的水性CMP后清洗组合物。此外，可以很容易地将所述水性CMP后清洗组合物配制为单包装制剂或配制为在使用之时或之前进行混合的多部分制剂，例如，可以在用具或用具上游的储槽中将所述多部分制剂的单独的各部分进行混合。在本发明的广泛实践中，所述各成分的浓度可以有很大的变化，为所述水性CMP后清洗组合物的特定倍数，即更稀或更浓，并且将要理解的是，本发明的水性CMP后清洗组合物可以在不同的情况下且选择性地包含与本文中公开一致的成分的任意组合，或者由上述的组合构成，或基本上由上述的组合构成。因此，本发明的另一方面涉及试剂盒，其在一个或多个容器中包括适于形成本发明组合物的两种或更多种组分。优选地，该试剂盒在一个或多个容器中包括至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种表面活性剂、任选的至少一种还原剂，用于在加工或使用时与水组合。本领域的技术人员将理解的是，本文中可以考虑其它的组合。除了水溶液以外，本文中还可以考虑将所述水性CMP后清洗组合物配制成泡沫、雾剂、亚临界或超临界流体(即，其中所述溶剂是C02等，而不是水)。在另一实施方案中，本发明的水性CMP后清洗组合物可以用于微电子器件制造工艺的其它方面。例如，所述水性CMP后清洗组合物可以用于镀钴后的清洗，以从介电区去除含钴粒子，但不会去除所需的钴镀层且不破坏所述介电材料。此外，本发明的水性CMP后清洗组合物可被用于去除蚀刻后及灰化后的残留物，以及用于CMP抛光用具的打磨过程中。在CMP后的残留物及污染物清洗应用中，可以与许多种常规的清洗用具一起使用所述水性CMP后清洗组合物，所述用具包括Verteq单晶兆声(singlewafermegasonic)Goldfinger、OnTraksystemsDDS(双面洗涤器)、Laurell旋喷用具、SEZ单晶喷淋漂洗(singlewafersprayrinse)、湿洗台系统(Megasonicbatchwetbenchsystems)。如应用于微电子制造的操作中那样，本发明的水性CMP后清洗组合物可用于从所述微电子器件表面上清洗CMP后残留物和污染物，同时钝化金属互连材料。重要地，本发明的清洗组合物不会破坏在所述器件表面上的低-k介电材料，且优选在残留物去除之前去除在所述器件上存在的残留物的至少85%、更优选至少卯％、甚至更优选至少95%、和最优选至少99%。在将本发明的组合物用于从其上具有CMP后残留物及污染物的微电子器件上清洗所述CMP后残留物及污染物时，通常在约20°C至约50°C的温度范围内使所述水性CMP后清洗组合物与该器件接触约5秒至约10分钟、优选约15秒至5分钟的时间。这样的接触时间及温度是示例性的，并且在本发明的广泛实践中，可以采用对于从器件上至少部分地清洗所述CMP后的残留物/污染物而言是有效的任何其它的合适时间和温度条件。"至少部分地清洗"和"基本上去除"均相当于在残留物去除之前能去除存在于所述器件上的残留物的至少85%、更优选至少卯％、甚至更优选至少95%、和最优选至少99%。在另一实施方案中，在打磨工艺之前或期间，即在降低的滚筒下压力(platendownforce)之前或期间，将所述水性CMP后清洗组合物引入到StepII滚筒上，由此所述水性CMP后清洗组合物置换StepIICMP浆料并在StepIICMP工艺后段协助从所述微电子器件表面上去除StepIICMP浆料。在达到所需的清洗效果以后，可以容易地将所述水性CMP后清洗组合物从其先前施加的器件上去除掉，如在本发明的组合物的给定最终用途应用上可能是所期望的和有效的。优选地，所述漂洗溶液包括去离子水。本发明的再一方面涉及根据本发明的方法制造的改进的微电子器件以及涉及包含这种微电子器件的产品。本发明更进一方面涉及包含微电子器件的制品的制造方法，所述方法包括使所述微电子器件与水性CMP后清洗组合物接触足够的时间，以从其上具有CMP后残留物及污染物的微电子器件上清洗所述残留物及污染物，和将所述微电子器件引入到所述制品中，其中所述水性CMP后清洗组合物包括选自如下的组分(a)至少一种胺、至少一种钝化剂和水；(b)至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种还原剂和余量的水；(c)至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种表面活性剂、任选的至少一种还原剂和余量的水；(d)至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种季碱、任选的至少一种还原剂和余量的水；及(e)至少一种胺、至少一种钝化剂、至少一种季碱、至少一种还原剂、任选的至少一种表面活性剂和余量的水。另一方面，本发明涉及作为转移溶液用于保护所述电子器件晶片上的铜的水性CMP后清洗组合物。例如，在将所述晶片转移至抛光滚筒和/或CMP后残留物去除工艺期间，即刷擦洗、兆声清洗等期间，可以将本文公开的CMP后清洗组合物喷淋到所述晶片上。优选地，在喷淋到所述晶片上之前用水在约20:1至约1000:1的范围内将所述水性CMP后清洗组合物进行稀释。通过以下的非限制性实例可以更充分地说明本发明的特征及优点，其中除另有明确指出外，所有的份数和百分比均是按重量计的。实施例1评价制剂AA-AF用于抑制铜腐蚀(S卩，使铜蚀刻速率最小化)的功效。所述器件为覆盖的铜晶片。在50。C下将每种情况中的晶片在各自的组合物中浸没10分钟，接着进行去离子水漂洗并甩干。在浸没前，采用四点探针测量技术对样品进行测量，以确定所述基片厚度与电阻率的函数关系。生成回归曲线，并确定铜厚度与电阻率的函数关系，从而导出在每种组合物中铜的蚀刻速率。结果如图2所示。实施例2在40°C下将其上具有残留物的图案化晶片在装有搅拌的(250rpm)制剂AC的烧杯中浸没2分钟。所述图案化晶片在铜表面上包括FSG接合焊盘。在清洗之后用DI水对晶片进行漂洗、干燥并进行扫描电子显微测试(SEM)。铜的蚀刻速率确定为1.4Amin"。该对照晶片在浸没之前和之后的电子显微照片分别示于图3A和3B。可以看出，仅仅在2分钟的清洗后就有效地去除了残留物。实施例3在室温下将通孔蚀刻阻挡物穿透后的晶片在搅拌的(250rpm)制剂AC的烧杯中浸没2分钟。在通孔蚀刻工艺期间，使该晶片经受50%的过度蚀刻，以提供较重的侧壁聚合物残留物。在清洗以后，将该晶片用DI水进行漂洗，干燥，并进行SEM。在浸没之前的对照通孔晶片和裂开的对照通孔晶片的电子显微照片分别示于图4A和4B。在浸没之后的通孔晶片和裂开的通孔晶片的电子显微照片分别示于图5A和5B。可以清楚地看到，基本上从所述通孔的侧壁上去除了通孔蚀刻和过度蚀刻过程之后保留的残留物(参见，例如图5B)。实施例4确定在经处理及未经处理的铜表面上的DI水的接触角。所述铜表面为电化学沉积的铜材料，未经处理时DI水的接触角为72.5±2.2。将ECD铜在下文的表1中所列举的多种组合物中浸没一(l)分钟，用DI水进行漂洗，用氮干燥，并确定DI水的接触角。结果列于表l中。表l:在经处理及未经处理的铜表面上的DI水的接触角<table>tableseeoriginaldocumentpage49</column></row><table>此外，将ECD铜用不含钝化剂的清洗组合物进行处理，接着用0.1wt.%BTA处理，漂洗并干燥。该经处理的铜表面具有约50-60°的接触角。当将该处理的ECD铜表面进一步浸没到制剂BQ(10:1稀释)中、漂洗并干燥时，接触角降低了12.5±1.6。可以看出，用包含0.1wt.%BTA的组合物处理过的铜具有大约50°-60°的接触角，表明经处理的表面是相对疏水的(g卩，非润湿性的)。相反，用TAZ处理的铜具有大约10°-15°的接触角，表明该经处理的表面是亲水性的。有趣的是，将所述BTA处理的铜表面在包含TAZ的制剂BQ中浸没之后，对于DI水的接触角降至约10°-15°(艮卩，对TAZ处理的表面的接触角)，这说明TAZ或者(i)吸附至BTA-Cu+表面，或者(ii)从Cu表面置换BTA，留下了TAZ-Cu+。实施例5确定DI水在经处理及未经处理的铜表面上的接触角和相应的表面能并示于图6中。所考察的表面概述如下。ECDCu电化学沉积的铜(对照)Cu-BTAECDCu浸没在自然pH值下的0.1%BTA溶液中Cu-2MBIECDCu浸没在自然pH值下的0.01%MBI溶液中Cu-4302ECDCu浸没在0.1%的专用改性三唑组合物中Cu20用组合物处理ECDCu，使表面CuO转变成Cu20Cu-CBTAECDCu浸没在自然pH值下的0.01%CBTA溶液中Cu-TAZECDCu浸没在自然pH值下的0.2%TAZ溶液中Cu-5ATAECDCu浸没在自然pH值下的0.2%ATA溶液中在多个测试溶液中，溶解在其中的铜钝化剂的量由所述化合物在自然pH值下的溶解度确定，所述自然pH值倾向于在4-6的pH值范围内。结果表明，不必进行实际的清洗和钝化实验，通过测量接触角就可以简单地预测出合适的通用铜钝化剂。例如，结果可显示出哪一种铜钝化剂能提供最佳的表面"润湿"，从而增大在CMP后清洗期间所述水性清洗溶液能够渗入到高纵横比的结构中的可能性，和降低在暴露的铜表面上形成"水点"的能力。实施例6在酸性和碱性介质中确定TAZ到铜表面上的吸附。将在石英晶体微量天平(QCM)上的电极镀上铜，并在pH值大约是5的23°C的DI水中浸没360秒。酸性对照实验的结果示于图7中，其显示出由于氧化及水合过程所观察到的质量增加，在300秒时大约为1.66pgCm'2。然后将镀铜的QCM电极浸没在含0.058wt.%TAZ、pH值为5.8(溶液的自然pH值)的溶液中。在酸性介质中的实验结果示于图8，显示出观察到的质量增加，在300秒时为约0.38iugcm'2，这相当于大约26A的TAZ膜厚度。图9所示为对于在酸性介质的该实验中相对于Ag/AgCl参比电极的相应开路电压(OCP)。可以看出，对于在300秒时具有大约0.38crn^的QCM确定厚度的吸附TAZ来说，其电位相当于大约0.18V。将镀铜的QCM电极浸没到碱性的DI水溶液中重复进行实验，所述碱性的DI水溶液用TMAH调至pH11.5。该碱性对照实验的结果示于图10中，显示出观察到的质量增加，在300秒时为大约0.44pgcm'2。然后将镀铜的QCM电极浸没到包含0.058wt.%TAZ并用TMAH将pH调至11.5的溶液中。然而，在碱性介质中的实验的QCM结果也并非决定性的，图11所示为在碱性介质中该实验的相应OCP。可以看出，对于在碱性介质中吸附TAZ的电位相当于大约0.195V。在酸性TAZ溶液及碱性TAZ溶液中OCP结果之间的相似性表明，不管溶液的pH值如何，TAZ都将始终地吸附在暴露的铜表面上。这是有意义的，因为CMP需要有具有多种pH值的多种不同的浆料，并且残留的CMP浆料常会污染CMP后清洗组合物，从而改变所述清洗组合物的pH值。优选地，不管pH值如何，所述钝化剂都等量地吸附到暴露的铜上，从而扩大所述清洗组合物的适用范围。实施例7在碱性介质中确定TAZ到BTA处理的铜表面上的吸附。将石英晶体微量天平(QCM)上的电极镀上铜，并于23°C下在具有中性pH值的0.2wt.。/。BTA溶液中浸没300秒。此后，将BTA处理的铜在pH值为11.5的0.1wt.%TAZ溶液中浸没300秒。OCP及QCM实验的结果分别示于图12和13中。可以看到电极质量的减少，这表明较重的BTA分子(MW119.1gmole")被较轻的TAZ分子(69.07gmole")所置换。该实验的结果表明，至少部分的BTA被TAZ分子所置换。实施例8图14所示为经两种不同的清洗方法之后留在铜、TEOS、珊瑚及黑金刚石(BD)表面上的缺陷总数。使用Compass缺陷分析工具对每个表面上尺寸大于O.l/xm的缺陷数目进行计数。第一种清洗方法为本领域中常规使用的一种，其是在CMP之后将晶片浸没到柠檬酸溶液中，并用刷子进行清洗，所用的清洗组合物中不含钝化剂，在这一例中，组合物包括MEA、TMAH、抗坏血酸和DI水。第二种清洗方法涉及到在CMP之后将晶片浸没到制剂BQ中，接着用刷子进行清洗，所用的是上述不含钝化剂的清洗组合物。参考图14，可以看出，按照第一种方法进行清洗的铜具有相当数目的缺陷，大部分为有机缺陷，可能是由于存在来自前面的CMP工艺的吸附的BTA所致。当按照第二种方法清洗铜时，其中将表面浸没到包含TAZ的组合物中(制剂BQ)，缺陷数目急剧减少。这些结果进一步表明，在所述CMP后清洗期间，BTA被TAZ置换。因此，BTA被TAZ置换的另一优点在于表面缺陷数目的减少，并因此，整体微电子器件的可靠性得以提高。实施例9图15所示为覆盖的铜晶片在如下过程之后总缺陷、有机缺陷和粒子缺陷与时间的函数关系，所述过程为在CMP打磨步骤期间用制剂BF的10:1稀释液(用DI水)进行漂洗-打磨，接着在刷盒中的CMP后清洗，所用的是浓縮组合物的30:1稀释液，所述浓縮组合物包括4.7%TMAH、20.6%TEA、3.3%没食子酸、11.2%抗坏血酸和余量的水。可以看出，随着刷洗时间的增加，有机、粒子及总的缺陷数减少。这些结果表明，为了去除大量的缺陷，进行刷洗是必要的，优选至少进行60秒。实施例10图16A为在接合焊盘边缘处的Sematech854对照晶片的扫描电子显微照片，放大倍数为30，000X，其中晶片具有在其上的CMP残留物和浆料污染物。图16B为在一个随机挑选的接合焊盘上的Sematech854对照晶片的SEM，放大倍数为6，000X。采用Laurell旋-喷用具对Sematech854对照晶片进行清洗，所述清洗是在22°C下用本发明清洗制剂的60:1稀释液(用DI水)进行60秒。对于分别对应于用制剂BH-BM、BF和BN-BP进行清洗的图17-26来说，图A为在接合焊盘中心处经旋转/喷淋处理之后的晶片的SEM，放大倍数为30，000X，图B为在接合焊盘边缘处经旋转/喷淋处理之后的晶片的SEM，放大倍数为30,000X，图C为在随机挑选的接合焊盘上经旋转/喷淋处理之后的晶片的SEM，放大倍数为6,000X，和图D为在0.1S/im线图案区域处经旋转/喷淋处理之后的晶片的SEM，放大倍数为6,000X。图17和18对应的是用包含BTA的制剂(分别为制剂BH和BI)进行清洗的晶片，其表明包含BTA的CMP后清洗组合物不适合用于去除残留物及污染物。图19对应的是用包含低浓度CBTA的制剂(制剂BJ)进行清洗的晶片，其显示了CMP后残留物及污染物的充分去除。然而，图20对应的是用包含高浓度CBTA的制剂(制剂BK)进行清洗的晶片，显示出用更浓的制剂来去除残留物和污染物是不可行的。虽然并不希望受到理论的约束，但可以认为这种明显的差异是由于在制剂中钝化剂与其它组分之间的平衡所导致的。高浓度的钝化剂可能抑制所述制剂的清洗能力。图21和22对应的是用包含ATA的制齐lj(分别为制剂BL和BM)进行清洗的晶片，显示的清洗行为类似于CBTA(即，图19和20)，其中低浓度的ATA组合物能充分地去除所述残留物和污染物，但更浓的ATA组合物则不能。进一步指出的是，对于包含ATA的两个组合物来说，出现了吸附到所述晶片表面上的膜，这可能是由于钝化剂水平过高，导致钝化剂在铜上的不均匀的粒子物沉积。图23对应的是用包含TAZ的制剂(制剂BF)进行清洗的晶片，显示出CMP后残留物和污染物的充分去除。图24对应的是用包含TAZ的制剂(制剂BN)进行清洗的晶片，显示出CMP后残留物的充分去除，然而，在清洗期间有膜吸附到所述晶片表面上。图25对应的是用包含TAZ的制剂(制剂BO)进行清洗的晶片，显示出较小的CMP后残留物质的去除，然而该制剂不能从所述晶片表面去除较大粒子物质。这里指出的是，所述BO制剂的确可以充分地从专属晶片去除所有CMP后残留物质和污染物(未在本文中说明)。这表明所有制剂的有用性依赖于在所述晶片上的材料的属性以及前述CMP抛光的属性。图26对应的是用包含TAZ的制剂(制剂BP)进行清洗的晶片，显示出CMP后残留物和污染物的充分去除。实施例11确定稀释的制剂BR和BS在介电材料上的接触角。将制剂BR稀释以形成2.561BR:97.839DI水的溶液。将制剂BS稀释以形成2.56BS:97.84DI水的溶液。观察到的接触角的光学图象示于图27A和27B中。实施例12评价制剂BQ、CC-CG和CJ-CM用于从其上具有CMP后残留物和污染物的微电子器件上清洗CMP后残留物和污染物的效力。所述器件为图案化Sematech854晶片，在其表面上具有干燥的ArchlOKCMP浆料和其它的CMP后残留物。在22。C、100rpm下将每种情况中的晶片在旋转/喷淋用具上用x:l稀释的特定清洗组通过在所述基片上的目标物的减少评价清洗效力。将在所述样品基片上的粒子"记录"为231-235强度的一系列像素。它们在典型的AFM图像上对应于其它处黑暗背景上的白色物质。应用SigmaScanPro直方图过滤这些像素并计数粒子数目。利用式(l)计算清洗效力。清洗效力-(清洗前粒子数一清洗后粒子数)/(清洗前粒子数)X100(1)表2包括上文所述的组合物BQ、CC-CG和CJ-CM在指定稀释度下的CMP后清洗效力的结果。表2:本发明组合物的CMP后残留物及污染物的清洗效力<table>tableseeoriginaldocumentpage55</column></row><table>可以看出，制剂BQ显示出的清洗效力比不含铜钝化剂TAZ的制剂CC提高了19%。制剂CE和CG显示出的清洗效力分别比不含铜钝化剂TAZ的制剂CD和CF提高了2%和1%。包含BTA为钝化剂的制剂的清洗效力极差，特别是CJ、CK、CL和CM，这是由于在清洗期间添加粒子的缘故。实施例13评价覆盖的抛光铜晶片在制剂BQ和CC-CE存在时的铜粗糙化。在22°C、100卬m下将每种情况中的晶片在旋转/喷淋用具中用x:l稀释的特定清洗组合物(l份清洗组合物对x份去离子水)清洗1分钟，接着是30秒的去离子水漂洗及甩干。使用NanoscopeIliaAFM进行清洗前与后的分析。用AFM软件计算出的均方根粗糙度对粗糙化进行评价。结果列于下文的表3中。表3:使用本发明组合物时的铜粗糙化<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>数据显示，向本发明的清洗组合物(即，制剂CC和CE)中添加钝化剂不会不利地产生由所述制剂引起的铜粗糙化。实施例14评价制剂CC、CD、CF、CH和CI用于从微电子器件上清洗CMP后残留物和污染物的效力。所述器件为图案化Sematech854晶片，在其表面上具有干燥的ArchlOKCMP浆料。通过静态浸没的方式用10ppmBTA对晶片进一步污染2小时。在22°C、100rpm下将每种情况中的晶片在旋转/喷淋用具中用x:l稀释的特定清洗组合物(l份清洗组合物对x份去离子水)清洗1分钟，接着是30秒的去离子水漂洗及甩干。使用NanoscopeIIIa原子力显微镜(AFM)进行清洗前与后的分析。按实施例12的方法评价清洗效力，使用上文的式(l)进行计算。结果列于下文的表4中。表4:本发明组合物对CMP后残留物及污染物的清洗效力<table>tableseeoriginaldocumentpage57</column></row><table>可以看出，与没有TAZ钝化剂的制剂相比，包括TAZ的制剂CI显示出对桨料和BTA污染物清洗的改善。实施例15评价制剂BQ和CC-CG用于从铜表面上清洗BTA残留物的效力。所述铜表面为覆盖的种晶片，其已经通过静态浸没的方式用10ppm的BTA处理了2小时。在22。C、100rpm下将每种情况中的晶片在旋转/喷淋用具中用x:l稀释的特定制剂(l份清洗组合物对x份去离子水)清洗1分钟，接着是30秒的去离子水漂洗及甩干。然后使该晶片暴露于H2S气体2分钟。由暴露于气体所造成的变色表明在BTA处理的铜表面上残留的BTA污染物的水平，其中BTA的去除从最少至最多对应于橙色<红色<粉红<紫色<蓝色。结果列于下文的表5中。表5:在用特定的制剂处理并暴露于H2S气体之后残留的BTA污染物水平<table>tableseeoriginaldocumentpage57</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage58</column></row><table>用包括TAZ的本发明的制剂，特别是BQ、CE和CG，进行清洗的表面比不含TAZ钝化剂的制剂的变色更加显著，即表明了显著的BTA去除。XPS结果证实，包含TAZ的制剂留下了TAZ钝化的铜的薄层。这些结果支持了这一理论，即包含TAZ的本发明制剂从所述晶片表面置换了BTA。实施例16按各种实施方案进行配制，其中所有的百分比均按重量计，基于制剂总重量。一些制剂是优选的，一些则是为比较目的而配制的。制剂DA9wt.。/。单乙醇胺、91wt.%H20制剂DB9wt.。/。单乙醇胺、0.1wt。/o2-巯基苯并咪唑、90.9wt.%H20制剂DC11wt.%l-氨基-2-丙醇、89wt.%H20制剂DD11wt.%l-氨基-2-丙醇、0.1wt。/。羧基苯并三唑、88.9wt.0/0H20制剂DE11wt0/0丽EA、89wt.%H20制剂DF11wt.%NMEA、0.1wt°/05-氨基四唑、88.9wt.%H20制剂DG11wt.%NMEA、0.1wt%5-氨基四唑、1wt%(40%)乙二醛、87.9wt.%H20实施例17评价制剂DA-DG的铜蚀刻速率。所述基片为覆盖的铜晶片。在22°C、450rpm下将每种情况中的晶片在各个组合物中浸没10分钟，接着是30秒的去离子水漂洗和氮气干燥。使用ResMap四点探针进行清洗前与后的分析，用以确定铜的厚度。利用式(2)计算铜在制剂存在下的蚀刻速率(ER)。利用式(3)计算蚀刻速率的方差。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula>(2)其中A为以埃表示的浸没之前的基片厚度，B为以埃表示的浸没之后的基片厚度，T为以分钟表示的时间。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula>(3)其中SA-以埃表示的处理之前的基片厚度的方差，SB为以埃表示的浸没之后的基片厚度的方差，t为以分钟表示的时间。蚀刻速率确定实验的结果总结在下面的表6和7中，其中DA和DB的20:1溶液代表DA和DB在DI水中的20:1稀释度。表6:在制剂DA-DG中浸没之后的铜厚度和蚀刻速率<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table>表7:铜厚度的方差和蚀刻速率的方差<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table>可以看出，与制剂DA、DC和DE(即，没有钝化剂的制剂)相比，向制剂DB、DD和DF中添加钝化剂有助于使蚀刻速率低得多，且使所述样品的铜蚀刻速率的方差较低。与制剂DE和DF(即，不含还原剂的制剂)相比，向制剂DG中添加还原剂乙二醛可进一步降低蚀刻速率和铜蚀刻速率的方差。实施例18制备各自具有下述组成的制剂EA-EP的样品。制剂EA9wt.%单乙醇胺、5wt.。/Q四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o抗坏血酸、82.5wt.%H20制剂EB1wt.%1，2,4-三唑、99wt.%H20制齐UEC1.75wt.。/。抗坏血酸、1wt.%1,2,4-三唑、97.25wt.%H20制剂ED2.5wt.y。四甲基氢氧化铵、1.75wt.。/。抗坏血酸、1wt.%1,2,4-三唑、94.75wt.%H20制剂EE4.5wt.。/o单乙醇胺、1wt.%1，2,4-三唑、94.5wt.%H20制剂EF4.5wt.。/。单乙醇胺、1.75wt.。/。抗坏血酸、1wt.%1,2,4-三唑、92.75wt.%H20制剂EG2.5wt.。/o四甲基氢氧化铵、1wt.%1,2，4-三唑、96.5wt.%H20制剂EH9wt.。/。单乙醇胺、5wt.。/o四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、2wt.%1,2，4-三唑、78.5wt.%H20制剂EI9wt.。/。单乙醇胺、5wt.。/o四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、lwt.。/。苯并三唑、79.5wt.%H20制剂EJ9wty。单乙醇胺、5wt.o/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。没食子酸、10.9wt。/o抗坏血酸、71.6wt.%H20制剂EK9wt.。/o单乙醇胺、5wt.o/o四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o没食子酸、10.9wt.。/o抗坏血酸、2wt.%1,2，4-三唑、69.6wt.%H20制剂EL5.5wt.。/。单异丙醇胺、1.75wt.。/。抗坏血酸、1wt.%1,2,4-三挫、91.75wt.%H20制剂EM7.75wt.Q/。氨基乙氧基乙醇、1.75wt.。/。抗坏血酸、1wt.%1，2，4-三唑、89.5wt.%H20制剂EN5.5wt.。/。单异丙醇胺、1.75wt.。/。抗坏血酸、92.75wt.%H20制剂EO4.5wt.。/。单乙醇胺、1.75wt.。/。抗坏血酸、93.75wt.%H20制剂EP9.0wt.。/o单乙醇胺、3.5wt.o/o抗坏血酸、2wt.%1，2，4-三唑、85.5wt.%H20实施例19评价制剂BG、EA-EG、EL和EM用于从其上具有CMP后残留物和污染物的微电子器件上清洗所述CMP后残留物和污染物的效力。所述器件为图案化Sematech854晶片，在其表面上具有干燥的CMP浆料和其它的CMP后残留物。在22。C、lOOrpm下将每种情况中的晶片在旋转/喷淋用具中用x:l稀释的特定清洗组合物(l份清洗组合物对x份去离子水)清洗1分钟，接着是30秒的去离子水漂洗及甩干。使用NanoscopeIlia原子力显微镜(AFM)进行清洗前与后的分析。如上文所述通过基片上的目标物的减少评价清洗效力，按式(l)进行计算。表8包括上文所述的组合物BG、EA-EG、EL和EM在指定稀释度下的CMP后清洗效力的结果。表8:本发明组合物对CMP后残留物和污染物的清洗效力<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>可以看出，制剂EC(丁AZ和抗坏血酸)及制剂EE(TAZ和单乙醇胺)并不能从所述晶片表面上清洗CMP后残留物和污染物。然而，意外和令人惊讶的是，当将制剂EC和EE的组分进行组合形成制剂EF(TAZ、抗坏血酸、单乙醇胺)时，清洗效力几乎是100%。图28和29进一步显示了这种令人惊奇的效果，它们分别表示使用制剂EC和EF的清洗前与后的AFM图像。可以清楚地看到，制剂EC对从晶片表面上清洗下来的粒子(即白点)数没有影响，而制剂EF能有效地清洗晶片表面。类似地，制剂EL和EN的清洗效力几乎是100%。此外，制剂EA和BG在指定的稀释(即分别为10:1和5:1)之后是等同的，区别是制剂EA不含钝化剂。结果表明，钝化剂，在这一例中为TAZ，不仅能用作有效的金属钝化剂，而且还能强化CMP后残留物和污染物的清洗。实施例20评价制剂EA和BG用于从其上具有CMP后残留物和污染物的微电子器件上清洗所述CMP后残留物和污染物的效力。所述器件为图案化Sematech854晶片，在其表面上具有干燥的CMP浆料和其它的CMP后残留物。在22。C、100rpm下将每种情况中的晶片在旋转/喷淋用具上用x:l稀释的特定清洗组合物(l份清洗组合物对x份去离子水)清洗1分钟，接着是30秒的去离子水漂洗及甩干。使用Joule扫描电子显微镜(SEM)进行清洗前与后的分析。如上文所述通过基片上的目标物的减少评价清洗效力，并利用式(l)进行计算。表9包括上文所述的组合物EA和BG在指定稀释度下的CMP后清洗效力的结果。表9:本发明组合物对CMP后残留物和污染物的清洗效力<table>tableseeoriginaldocumentpage63</column></row><table>重要地，实施例20表明，可以对有效的制剂进行充分稀释而不会损害该清洗组合物的清洗效力。这具有可以使所有者降低清洗每一晶片的成本的好处。实施例21评价制剂EA、BG、EJ和EK用于从其上具有CMP后残留物和污染物的微电子器件上清洗所述CMP后残留物和污染物的效力。所述器件为图案化Sematech854晶片，在其表面上具有干燥的CMP桨料和其它的CMP后残留物。在22。C、100rpm下将每种情况中的晶片在旋转/喷淋用具上用x:l稀释的特定清洗组合物(l份清洗组合物对x份去离子水)清洗1分钟，接着是30秒的去离子水漂洗及甩干。使用NanoscopeIIIa原子力显微镜(AFM)进行清洗后的分析。如上文所述通过在基片上的目标物的减少评价清洗效力，并利用式(l)进行计算。表10包括上文所述的组合物EA、BG、EJ和EK在指定稀释度下的CMP后清洗的粒子计数结果。表10:使用本发明组合物对CMP后残留物的清洗效力实施例21进一步表明，本发明的碱性水性清洗组合物优选包括例如TAZ的钝化剂，如采用制剂BG和EK的清洗相关的较少粒子计数所显示。实施例22评价制剂EH和EI用于钝化在其上具有铜的微电子器件上的铜的效力。所述样品晶片包括铜晶种层。在22。C、100rpm下将每种情况中的晶片在旋转/喷淋用具上用30:1稀释的清洗组合物(l份清洗组合物对30份去离子水)清洗1分钟，接着是30秒的去离子水漂洗及甩干。对静态10ppmBTA处理和未经处理的样品进行分析以进行比较。使用XPS在15°至90。的角度下进行分析。表11包括制剂EH和EI相对于静态BTA和未经处理样品的铜钝化结果。表ll:使用本发明组合物的铜钝化<table>tableseeoriginaldocumentpage64</column></row><table>氮对铜的比例显示出在制剂与晶片表面接触之后残留在铜上的BTA或其它钝化剂(即唑)的量。正如所预期的，静态BTA制剂和包括BTA的制剂J会在所述晶片表面上留下BTA厚层。包括TAZ的制剂EH则在所述晶片的表面上留下薄钝化层，这一点是有利的，因为薄钝化膜在后续工艺步骤中易于去除，并导致更少的有机缺陷。图30进一步显示了表11的结果。实施例23在制剂EA、BG、EF、EL、EN和EO存在下测试钴的蚀刻速率，并与典型的工业柠檬酸盐基清洗剂(在水中的10w"/。柠檬酸二铵)进行比较。所述晶片样品在抛光铜上具有100A的镀覆钴。将所述晶片浸没到700rpm搅拌的制剂中。将样品保持在溶液中，直到钴被完全除去，这可以通过区分铜和钴的颜色而目视判断。表12:使用本发明组合物的钴蚀刻<table>tableseeoriginaldocumentpage65</column></row><table>*1080分钟后即使样品上仍留有钴也将样品移走。可以看出，柠檬酸二铵清洗剂对钴具有最大的蚀刻速率，而本发明的制剂是对传统的柠檬酸盐基清洗剂的极大改进。此外，将制剂EA与BG比较后可知，向组合物中添加钝化剂使钴的蚀刻速率降至小于0.5人miiT1。实施例24使用制剂EA和BG对CMP后残留物和污染物测试打磨清洗效力。所用的晶片样品为事先用CMP浆料抛光的覆盖铜晶片。在22°C下采用变化的速度和1psi下压力在AppliedMaterialsReflexiontm用具的第三滚筒上用x:l稀释的特定清洗组合物(l份清洗组合物对x份去离子水)对每种情况中的晶片清洗/打磨15秒，接着是采用ReflexionTM用具的标准CMP后清洗工序。使用缺陷元尺寸设置为0.2|am的KLA-SP1表面缺陷分析仪进行抛光和清洗后的分析。表13包括上文所述的组合物EA和BG在指定滚筒速度下的缺陷密度的结果。表13:使用本发明制剂在各种滚筒速度下的打磨清洗<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>可以看出，与组合物EA相比，包括钝化剂的制剂BG在同样的条件下降低了缺陷密度。实施例25使用制剂EA和BG对CMP后残留物和污染物测试打磨清洗效力。所用的晶片样品为事先用CMP浆料抛光的覆盖铜晶片。在22°C下采用107rpm的滚筒速度和变化的下压力在AppliedMaterialsReflexion^用具的第三滚筒上用x:l稀释的特定清洗组合物(l份清洗组合物对x份去离子水)对每种情况中的晶片清洗/打磨15秒，接着是采用ReflexionTM用具的标准CMP后清洗工序。使用缺陷元尺寸设置为0.2pm的KL八-SP1表面缺陷分析仪进行抛光和清洗后的分析。表14包括上文所述的组合物EA和BG在指定下压力下的缺陷密度的结果。<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>可以看出，与组合物EA相比，包括钝化剂的制剂BG在同样的条件下降低了缺陷密度。虽然在本文中参照示例的实施方案和特征以不同的方式对本发明进行了公开，但应理解的是，上文所述的实施方案和特征并非用于限制本发明，本领域的普通技术人员基于本文中的公开内容可以意识到存在的其它变化、修改及其它的实施方案。因此可以将本发明广泛地解释为涵盖以下阐述的权利要求的实质和范围之内的所有这种变化、修改及可替代的实施方案。权利要求1.一种碱性水性清洗组合物，其包含至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种还原剂、和水，其中所述碱性水性清洗组合物适合于从其上具有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物。2.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其包含所述至少一种还原剂。3.权利要求2的碱性水性清洗组合物，其包含抗坏血酸。4.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种钝化剂包括选自如下的物质1，2,4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巯基-l，2，4-三唑、l-氨基-l，2，4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、l-氨基-l,2，3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2，3-三唑、3-氨基-l，2，4-三唑、3-巯基-l,2,4-三唑、3-异丙基-1，2,4-三唑、5-苯基硫醚-苯并三唑、羧基苯并三唑、卤代苯并三唑、萘并三唑、2-巯基苯并咪唑(MBI)、2-巯基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、5-氨基四唑(ATA)、5-氨基-l,3,4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二氨基-6-甲基-l，3,5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,5-五亚甲基四唑、l-苯基-5-巯基四唑、二氨甲基三嗪、咪唑啉硫酮、4-甲基-4H-l，2，4-三唑-3-硫醇、5-氨基-l,3，4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、苯并异二唑、苯甲酸、苯甲酸铵、及其组合。5.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种钝化剂的存在量有效地使铜静态蚀刻速率为约0.5AmiiT1至约10人min"。6.权利要求2的碱性水性清洗组合物，其还包含至少一种另外的还原剂。7.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中胺相对于钝化剂的比例范围为约(2-25):(0.05-15)。8.权利要求6的碱性水性清洗组合物，其中胺相对于全部还原剂的比例范围为约(2-25):(0.001-25)。9.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种胺包括选自如下的胺化合物单乙醇胺、N-甲基乙醇胺(NMEA)、氨乙基乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、l-氨基-2-丙醇、氨基乙氧基乙醇、二乙醇胺、单异丙醇胺、异丁醇胺、C2-Cs烷醇胺、三乙撑二胺、及其组合。10.权利要求9的碱性水性清洗组合物，其还包含选自如下的叔胺三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三乙胺、N,N-二甲基甘醇胺、N,N-二甲基二甘醇胺和五甲基二乙撑三胺。11.权利要求6的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种另外的还原剂包括选自如下的酸异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、没食子酸、及其组合。12.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其包含所述至少一种季碱，其中所述至少一种季碱包括(NRiR2113114)011，其中R1、R2、113和R"皮此可以相同或不同，并且各自独立地选自氢、Crdc烷基和芳基。13.权利要求12的碱性水性清洗组合物，其中胺相对于季碱的比例范围为约(2-25):(0.001-10)。14.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种季碱包括四甲基氢氧化铵(TMAH)。15.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其还包含至少一种表面活性剂。16.权利要求15的碱性水性清洗组合物，其中胺相对于表面活性剂的比例范围为约(2-25):(0.001-l)。17.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述微电子器件包括选自半导体基片、平板显示器和微机电系统(MEMS)的制品。18.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其具有的pH值范围为约9至约12。19.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述CMP后残留物及污染物包括选自如下的材料源自CMP抛光浆料中的粒子、在CMP抛光浆料中存在的化学物、CMP抛光浆料的反应副产物、富碳粒子、抛光垫粒子、刷下料粒子、设备的构造材料粒子、铜和铜氧化物。20.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中所述至少一种钝化剂包括TAZ。21.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其中将所述清洗组合物在约5:1至约50:1的范围内稀释。22.权利要求1的碱性水性清洗组合物，其选自制剂BA-CM，其中所有的百分比均按重量计，基于所述制剂的总重量帝ij齐[]BAMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、EDTA0.01%、DI水84.4%制齐UBBMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、TAZ1%、没食子酸2.8%、EDTA0.01%、DI水83.4%制剂BCMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、TAZ3%、没食子酸2.8%、EDTA0.01%、DI水81.4%制剂ljBDMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、TAZ5°/。、没食子酸2.8%、EDTA0.01%、DI水74.4。/。，pH10.3制剂BEMEA8.8%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、DI水80.91%制剂BFMEA4.5%、TMAH2.5%、抗坏血酸1.75%、TAZl0/0、DI水90.25%，pH11.4制剂BGMEA4.5%、TMAH2.5%、抗坏血酸1%、没食子酸1.75%、TAZ1%、DI水89.25%，pH10.8制剂BHMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、BTA1.6%、EDTA0.01%、DI7_K82.8%制剂BIMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、BTA8.5%、EDTA0.01%、DI水75.9%制剂BJMEA7.2。/。、TMAH4。/o、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、羧基BTA2.2%、EDTA0.01%、DI水82.8%制剂BKMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6°/。、没食子酸2.8%、羧基BTA11.8%、EDTA0.01%、DI水72.6%制齐!JBLMEA7.2°/。、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、ATA1.2%、EDTA0.01%、DI水83.2%制剂BMMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、ATA6.1%、EDTA0.01%、DI7_K78.3%制剂BNMEA90/0、TMAH2.5%、抗坏血酸3.5%、TAZ1.0%、DI水84.0%制齐UBOMEA4.5%、TMAH2.5%、抗坏血酸1.75%、TAZ5.0%、DI水86.25%制齐[JBOMEA9%、TMAH2.5%、抗坏血酸3.5%、TAZ5.0%、DI水80,0%制剂BOMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸3.5%、TAZ2.0%、DI水81,5%，pH11.6制剂BRMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸2%、没食子酸3.5%、TAZ2%、DDBSA0.11%、DI水78.390/0制剂BSMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸2%、没食子酸3.5%、TAZ2%、NATROSOL2500.1%、DI水78.40/0帝ij齐ljBTMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸3.5%、TAZ2%、NATROSOL2500.1%、DI水80.4%制剂BUMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸3.5%、TAZ2%、KLUCELEF0.1%、DI水80.4%制齐UBVMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、NATROSOL2501.00%、DI水79.89%制齐UBWMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43°/。、TAZ1.96%、NATROSOL2500.50o/o、DI水80.39%制剂BXMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、KLUCELEF1.00%、DI水79.89%制齐UBYMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、KLUCELEF0.50%、DI水80.39%制齐ljBZMEA10.29%、TMAH5.71%、抗坏血酸4.00%、TAZ2.29%、KLUCELEF1.14%、DI水76.57%制剂CAMEA9%、抗坏血酸3.5%、TAZ2%、十二垸基苯磺酸0.11%、DI水85.39%制齐UCBMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、十二烷基苯磺酸0.11%、DI水80.78%，pH12.0帝lJ齐UCC9wt.。/o单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o抗坏血酸、82.5wt.%H20制剂CD9wt.。/。单乙醇胺、5wt.Q/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.Q/o没食子酸、82.5wt.°/。H20制剂CE9wt.。/。单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o没食子酸、2%的1,2，4-三唑、80.5wt.%H2O制剂CF11wt.%l-氨基-2-丙醇、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、78.5wt.%H20制剂CG11wt.%l-氨基-2-丙醇、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、2%1,2,4-三唑、76.5wt.%H20制剂CH7.2wt.。/。单乙醇胺、4wt.。/。四甲基氢氧化铵、2.8wt.%没食子酸、1.6wt.。/o抗坏血酸、84.4wt.°/。H20制剂CI7.2wt,。/。单乙醇胺、4wt.。/。四甲基氢氧化铵、2.8wt.。/o没食子酸、1.6wt.。/。抗坏血酸、2%1，2，4-三唑、82.4wt.%H20制剂CJ9wt.。/o单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。抗坏血酸、1%苯并三唑、81.5wt.°/。H20制剂CK9wt.Q/o单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o没食子酸、1°/。苯并三唑、81.5wt.°/。H20制剂CL11wt.%l-氨基-2-丙醇、5评1.°/。四甲基氢氧化铵、3.5wt/。没食子酸、2wt.Q/。抗坏血酸、1%苯并三唑、77.5wt.%H20制剂CM9wt.。/。单乙醇胺、5wt.Q/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、1%苯并三唑、79.5wt.%H20。23.—种试剂盒，其在一个或多个容器中包含用于形成碱性水性清洗组合物的一种或多种以下试剂，所述一种或多种试剂选自至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种另外的还原剂，和任选的水，并且其中该试剂盒适于形成权利要求11的碱性水性清洗组合物。24.权利要求23的试剂盒，其中所述碱性水性清洗组合物包含至少一种还原剂，并且其中所述还原剂包括抗坏血酸。25.权利要求23的试剂盒，其中所述清洗组合物以约5:1至约50:1的范围被稀释。26.—种从其上具有残留物和污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物的方法，所述方法包括使所述微电子器件与碱性水性清洗组合物接触足够的时间，以至少部分地从所述微电子器件上清洗所述残留物和污染物，其中所述碱性水性清洗组合物包括至少一种胺、至少一种钝化剂、任选的至少一种季碱、任选的至少一种还原剂、和水。27.权利要求26的方法，其中所述残留物和污染物包括选自如下的CMP后残留物和污染物源自CMP抛光浆料中的粒子、在所述CMP抛光浆料中存在的化学物、所述CMP抛光浆料的反应副产物、富碳粒子、抛光垫粒子、刷下料粒子、设备的构造材料粒子、铜和铜氧化物。28.权利要求26的方法，其中所述接触进行的时间为约15秒至约5分钟。29.权利要求26的方法，其中所述接触是在约20。C至约50。C的温度范围下进行的。30.权利要求26的方法，其中所述碱性水性清洗组合物包含至少一种还原剂。31.权利要求30的方法，其中所述至少一种还原剂包括抗坏血酸。32.权利要求30的方法，其中所述碱性水性清洗组合物包含至少一种另外的还原剂，所述另外的还原剂包括选自如下的酸异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、没食子酸、及其组合。33.权利要求26的方法，其中胺相对于钝化剂的比例范围为约(2-25):(0.05-15)。34.权利要求32的方法，其中胺相对于全部还原剂的比例范围为约(2-25):(0.001陽25)。35.权利要求26的方法，其中所述至少一种胺包括选自如下的胺化合物单乙醇胺、N-甲基乙醇胺(NMEA)、氨乙基乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、氨基乙氧基乙醇、二乙醇胺、l-氨基-2-丙醇、单异丙醇胺、异丁醇胺、C2-Cs垸醇胺、三乙撑二胺、及其组合；和其中所述至少一种钝化剂包括选自如下的物质1，2,4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巯基-1，2,4-三唑、l-氨基-l,2，4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、l-氨基-l，2，3-三唑、l-氨基-5-甲基-l，2,3-三唑、3-氨基-l，2，4-三唑、3-巯基-l，2，4-三唑、3-异丙基-l，2，4-三唑、5-苯基硫醚-苯并三唑、羧基苯并三唑、卤代苯并三唑、萘并三唑、2-巯基苯并咪唑(MBI)、2-巯基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、5-氨基四唑(ATA)、5-氨基-l，3，4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,5-五亚甲基四唑、l-苯基-5-巯基四唑、二氨甲基三嗪、咪唑啉硫酮、4-甲基-4H-l,2，4-三唑-3-硫醇、5-氨基-l,3，4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、苯并异二唑、苯甲酸、苯甲酸铵、及其组合。36.权利要求26的方法，其中所述碱性水性去除组合物包含至少一种季碱，其中所述至少一种季碱包括(NR1112113114)011，其中R1、R2、113和R"彼此可以相同或不同，并各自独立地选自氢、CrCu)烷基和芳基。37.权利要求26的方法，其中胺相对于季碱的比例范围为约(2-25):(0.001-10)。38.权利要求26的方法，其中所述组合物的pH值范围为约9至约12。39.权利要求26的方法，其中所述微电子器件为选自半导体基片、平板显示器和微机电系统(MEMS)的制品。40.权利要求26的方法，其还包括在使用之时或之前用溶剂稀释所述碱性水性清洗组合物。41.权利要求40的方法，其中所述溶剂包括水。42.权利要求26的方法，其中所述微电子器件包括含铜的材料。43.权利要求42的方法，其中所述碱性水性清洗组合物的存在量有效地使铜静态蚀刻速率为约0.5Amin"至约10AmiiT1。44.权利要求26的方法，其中所述接触包括选自如下的方法在所述微电子器件的表面上喷淋所述清洗组合物；将所述微电子器件浸渍到足量的清洗组合物中；将所述微电子器件的表面与用所述清洗组合物饱和的另一种材料相接触；和将所述微电子器件与循环的清洗组合物相接触。45.权利要求26的方法，其还包括在与所述清洗组合物接触后用去离子水漂洗所述微电子器件。46.权利要求26的方法，其中所述微电子器件包含钴。47.权利要求26的方法，其中所述CMP后残留物和污染物包含钴。48.权利要求26的方法，其中所述碱性水性去除组合物包括选自制剂BA-CM的组合物，其中所有的百分比均按重量计，基于所述制剂总重量制剂BAMEA7.2%、TMAH4。/0、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、EDTA0.01%、DI水84.4%帝ij齐UBBMEA7.2°/。、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、TAZ1%、没食子酸2.8°/。、EDTA0.01%、DI水83.4%制剂BCMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、TAZ3%、没食子酸2.8%、EDTA0.01%、DI水81.4%制剂BDMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、TAZ5%、没食子酸2.8%、EDTA0.01%、DI水74.4%，pH10.3制齐UBEMEA8.8°/。、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、DI水80.91%制剂BFMEA4.5%、TMAH2.5°/。、抗坏血酸1.75%、TAZ1%、DI水90.25%，pH11.4制齐UBGMEA4.5%、TMAH2.5%、抗坏血酸1%、没食子酸1.75%、TAZ1%、DI水89.25%，pH10.8制齐UBHMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、BTA1.6%、EDTA0.01%、DI水82.8%制剂BIMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8°/0、BTA8.5%、EDTA0.01%、DI水75.9%制剂BJMEA7.2。/。、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、羧基BTA2.2°/。、EDTA0.01%、DI水82.8%制剂BKMEA7.2%、TMAH40/0、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、羧基BTA11.8%、EDTA0.01%、DI水72.6%制齐UBLMEA7.2%、TMAH4°/0、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、ATA1.2%、EDTA0.01%、DI水83.2%制齐[jBMMEA7.2%、TMAH4%、抗坏血酸1.6%、没食子酸2.8%、ATA6.1%、EDTA0.01%、DI水78.3%制齐UMEA9%、TMAH2.5%、抗坏血酸3.5%、TAZ1.0%、DI水84.0%制剂BOMEA4.5%、TMAH2.5%、抗坏血酸1.75%、TAZ5.0%、DI水86.25%制齐ljBOMEA9%、TMAH2.5%、抗坏血酸3.5%、TAZ5.0%、DI水80.0%制剂BOMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸3.5%、TAZ2.0%、DI水81.5%,pH11.6制剂BRMEA9%、TMAH5°/。、抗坏血酸2%、没食子酸3.5%、TAZ2%、DDBSA0.11%、DI水78.39%制剂BSMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸2%、没食子酸3.5%、TAZ2%、NATROSOL2500.1%、DI水78.4%制齐ljBTMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸3.5%、TAZ2%、NATROSOL2500.1%、DI水80.4%制齐IJBUMEA9%、TMAH5%、抗坏血酸3.5%、TAZ2%、KLUCELEF0.1%、DI水80.4%制齐UBVMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、NATROSOL2501.00%、DI水79.89%制齐ljBWMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、NATROSOL2500.50%、DI水80.39%制齐UBXMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、KLUCELEF1.00%、DI水79.89%制齐UBYMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、KLUCELEF0.50%、DI水80.39%帝ij齐ijBZMEA10.29%、TMAH5.71%、抗坏血酸4.00%、TAZ2.29%、KLUCELEF1.14%、DI水76.57%制剂CAMEA9%、抗坏血酸3.5%、TAZ2%、十二垸基苯磺酸0.11%、DI水85.39%制剂CBMEA8.82%、TMAH4.9%、抗坏血酸3.43%、TAZ1.96%、十二烷基苯磺酸0.11%、DI水80.78%，pH12.0制齐UCC9wt.。/。单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt。/o抗坏血酸、82.5wt.%H20制剂CD91.%单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o没食子酸、82.5wt.%H20制剂CE9wt,。/。单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。没食子酸、2%1,2，4-三唑、80.5wt.%H20制剂CF11wt.%l-氨基-2-丙醇、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.o/。没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、78.5wt.%H20制剂CG11wt.%l-氨基-2-丙醇、5wt。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.o/。没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、2%1,2，4-三唑、76.5wt.%H20制剂CH7.2wt.。/。单乙醇胺、4wt.。/。四甲基氢氧化铵、2.8wt.%没食子酸、1.6wt.o/。抗坏血酸、84.4wt.%H20制剂CI7.2wt.。/o单乙醇胺、4wt.。/o四甲基氢氧化铵、2.8wt.。/o没食子酸、1.6wt.o/o抗坏血酸、2%1，2，4-三唑、82.4wt.%H20制剂CJ9wt.。/。单乙醇胺、5wt.Q/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。抗坏血酸、1%苯并三唑、81.5wt.%H20制剂CK9wt.。/。单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o没食子酸、1%苯并三唑、81.5wt.%H20制剂CL11wt.%l-氨基-2-丙醇、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/。没食子酸、2wt.。/。抗坏血酸、1%苯并三唑、77.5wt.%H20制剂CM9wt.。/。单乙醇胺、5wt.。/。四甲基氢氧化铵、3.5wt.。/o没食子酸、2wt.y。抗坏血酸、1%苯并三唑、79.5wt.%H20。全文摘要本发明公开了用于从其上具有化学机械抛光后(CMP)残留物、蚀刻后残留物和/或污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物的碱性水性清洗组合物和方法。所述碱性水性清洗组合物包括胺、钝化剂和水。所述组合物实现了从所述微电子器件上对所述残留物和污染物材料的高效清洗，同时使金属互连材料钝化。文档编号C11D3/43GK101233221SQ200680027293公开日2008年7月30日申请日期2006年5月25日优先权日2005年5月26日发明者伊丽莎白·瓦尔克,凯尔·巴尔托什,凯文·P·严代尔斯,埃瓦·奥尔达克,杰弗里·巴尔内斯,达里尔·W·彼得斯申请人:高级技术材料公司