专利名称：多晶硅片水基清洗剂的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种硅片超声波清洗剂，尤其是一种可提高去垢能力、清洗速 度以及耐用性能的多晶硅片水基清洗剂。
技术背景-硅片首先是将硅棒切割成片状，经过研磨、抛光、腐蚀等工序，以获得平 整光洁的表面，然后再经过清洗、氧化、光刻、外延生长、固态扩散等复杂的 加工过程，才能形成半导体材料。其中的清洗主要是去除切割过程中产生的沙 粒、残留的水溶性线切割悬浮液、金属离子、指纹等，清洗效果将直接影响硅 片的质量，必需满足除垢彻底、无腐蚀氧化、无残留等技术要求。目前，随着 太阳能电池的日益增长率，清洗液的需求量也在逐年递增，但是，迄今为止还 没有专用于多晶硅片的超声波清洗液。现有清洗液存在着去垢能力差、清洗速 度慢以及耐用性能不强的缺点，导致作业用清洗剂浓度高、用量大，直接提高 了生产成本，同时换槽频繁、次数多，增加了污水排放量，不利于环境保护。发明内容-本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种可提高去垢 能力、清洗速度以及耐用性能的多晶硅片水基清洗剂。本发明的技术解决方案是 一种多晶硅片水基清洗剂，其特征在于是浅黄 色透明液体，有如下组分和重量百分配比表面活性剂 20~40溶剂 5 15光亮剂 10~20分散剂 10~18PH调节剂 15~20去离子水 30~40。所述的表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷 醇酰胺、聚季胺盐、改性聚胺阳离子中的一种或两种。所述的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚为8 9个碳的伯醇或仲醇，乙氧基为8 10个，丙氧基为3 6。所述脂肪醇聚氧乙烯醚为8 14个碳的醇，乙氧基为3 6个。 所述垸醇酰胺为16 18个碳的月桂基或椰子油基。所述的溶剂为乙醇、萜烯、C8 C12醇混合脂、低碳醇混合脂中的一种或 两种。所述PH调节剂为单乙醇胺、碳酸钠、乳酸、拧檬酸、羟基乙酸的一种或 三种。所述的光亮剂为甲基甘氨酸钾、改性马来酸和丙烯酸聚合物、改性聚合物 钠的一种或两种。本发明是利用表面活性剂的复配性能，提高了表面去污力及保持清洁度的 持续性，同时可使硅片洗后无水痕，更加光亮，对于多晶硅片等物料具有良好 的清洁效果，并且提高了清洗速度和耐用性能。配制浓度低、用料少，不仅降 低了用户的使用成本，还减少了污水排放，达到了节能减排的目的。
具体实施例方式原料及重量百分比如下 一种多晶硅片水基清洗剂，其特征在于是浅黄色透明液体，有如下组分和重量百分配比表面活性剂20-40、溶剂5~15、光亮 剂10 20、分散剂(TD-1、 TD-2) 10~18、 PH调节剂15~20、去离子水 30~40。所述的表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷 醇酰胺、聚季胺盐、改性聚胺阳离子中的一种或两种。所述的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚为8 9个碳的伯醇或仲醇，乙氧基为 8 10个，丙氧基为3 6。所述脂肪醇聚氧乙烯醚为8 14个碳的醇，乙氧基为3 6个。所述烷醇酰胺为16 18个碳的月桂基或椰子油基。所述的溶剂为乙醇、萜烯、C8 C12醇混合脂TC-800，低碳醇混合脂TY-609 中的一种或两种。所述PH调节剂为单乙醇胺、碳酸钠、乳酸、柠檬酸、羟基乙酸的一种或 三种。所述的光亮剂为甲基甘氨酸钾、改性马来酸和丙烯酸聚合物、改性聚合物 钠的一种或两种。各原料可在重量范围内进行选择，使重量之和为100%，配制产品的外观为浅黄色透明液体。适用本发明清洗工艺如下 清洗产品切割后的多晶硅片。 使用药剂本发明实施例。使用浓度按3%配比，清洗槽约130升，实际使用量为4升。 清洗时间300S 使用温度60 65'C左右。在用量及其他清洗条件相同时，通过多次清洗，得出以下数据:清洗剂原清洗剂本发明实施例清洗数量5000片8000片以上通过以上数据可以看出本发明的耐用性能与现有技术相比大大提高。清洗 后的残液颜色加深，说明清洗液得到了充分的利用，清洗剂成本支出大幅下降。 大大减少了换槽次数，污水排放量大幅减少，达到了节能减排的目的。溶垢力 更强，可在短时间内彻底清除硅片表面的铁离子和各种杂质，使硅片洗后无水 痕，而且更加光亮。
权利要求
1.一种多晶硅片水基清洗剂，其特征在于是浅黄色透明液体，有如下组分和重量百分配比表面活性剂20～40溶剂 5～15光亮剂10～20分散剂10～18PH调节剂 15～20去离子水 30～40。
2. 根据权利要求1所述的多晶硅片水基清洗剂，其特征在于所述的表 面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、垸醇酰胺、聚季 胺盐、改性聚胺阳离子中的一种或两种。
3. 根据权利要求1所述的多晶硅片水基清洗剂，其特征在于所述的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚为8 9个碳的伯醇或仲醇，乙氧基为8 10个，丙氧 基为3 6。
4. 根据权利要求2或3所述的多晶硅片水基清洗剂，其特征在于所述 脂肪醇聚氧乙烯醚为8 14个碳的醇，乙氧基为3 6个。
5. 根据权利要求4所述的多晶硅片水基清洗剂，其特征在于所述烷醇 酰胺为16 18个碳的月桂基或椰子油基。
6. 根据权利要求1所述的多晶硅片水基清洗剂，其特征在于所述的溶 剂为乙醇、萜烯、C8 C12醇混合脂、低碳醇混合脂中的一种或两种。
7. 根据权利要求1所述的多晶硅片水基清洗剂，其特征在于所述PH 调节剂为单乙醇胺、碳酸钠、乳酸、柠檬酸、羟基乙酸的一种或三种。
8. 根据权利要求1所述的多晶硅片水基清洗剂，其特征在于所述的光亮剂为甲基甘氨酸钾、改性马来酸和丙烯酸聚合物、改性聚合物钠的一种或两 种。
全文摘要
本发明公开一种多晶硅片水基清洗剂，是浅黄色透明液体，有如下组分和重量百分配比表面活性剂20～40、溶剂5～15、光亮剂10～20、分散剂(TD-1、TD-2)10～18、pH调节剂15～20、去离子水30～40。是利用表面活性剂的复配性能，提高了表面去污力及保持清洁度的持续性，同时可使硅片洗后无水痕，更加光亮，对于多晶硅片等物料具有良好的清洁效果，并且提高了清洗速度和耐用性能。配制浓度低、用料少，不仅降低了用户的使用成本，还减少了污水排放，达到了节能减排的目的。
文档编号C11D3/26GK101265441SQ200810011319
公开日2008年9月17日 申请日期2008年5月9日 优先权日2008年5月9日
发明者张魁兰 申请人:大连三达奥克化学股份有限公司