专利名称：一种由二氧化钛和三氧化二钐组成的微波陶瓷电容的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电容，尤其是无铅电容。
背景技术：
目前用于生产高压陶瓷电容器的瓷料中含有大量的铅(往往是钛酸铅方式加入)，这样化学铅元素具有的铅毒在生产、使用以及报废过程中都会对人体和环境造成一定的危害。
同时一般配方的无铅陶瓷电容耐压值不够高。
发明内容
本发明的任务是提供一种耐高压的无铅陶瓷电容。
为实现上述目的，采用的技术方案是一种无铅电容，其特征是由25％的碳酸钡、32％的三氧化二钐、35％的二氧化钛和8％的三氧化二镱组成。将上述材料混合后加入聚乙烯醇压制成型，然后在1340摄氏度左右烧结得到的耐高压的无铅陶瓷电容材料。
采用本配方烧结的电容温度系数为1QJ-80，其耐压值提高到25KV/mm，介电常数ε≈80，在1KHz-100KHz的交流工作电流中，介质损耗接近0.001。
具体实施例方式
实际制作中，将碳酸锶碳酸钡、三氧化二钐、二氧化钛和三氧化二镱按照上述配比，经过球磨混合，进行干燥，然后加入8％的聚乙烯醇进行喷雾造粒，就可以得到本配方的无铅电容材料。
权利要求
1.一种无铅电容，其特征是由25％的碳酸钡、32％的三氧化二钐、35％的二氧化钛和8％的三氧化二镱组成。
2.如权利要求1所述，其特征在于将碳酸锶碳酸钡、三氧化二钐、二氧化钛和三氧化二镱按照上述配比，经过球磨混合，进行干燥，然后加入8％的聚乙烯醇进行喷雾造粒，就可以得到本配方的无铅电容材料。
全文摘要
本发明提供一种无铅电容，由25％的碳酸钡、32％的三氧化二钐、35％的二氧化钛和8％的三氧化二镱组成。将上述材料混合后加入聚乙烯醇压制成型，然后在1340摄氏度左右烧结得到的耐高压的无铅陶瓷电容材料，采用本配方烧结的电容温度系数为1QJ－80，其耐压值提高到25KV/mm，介电常数ε≈80，在1KHz－100KHz的交流工作电流中，介质损耗接近0.001。
文档编号C04B35/01GK101083169SQ200710069758
公开日2007年12月5日 申请日期2007年7月3日 优先权日2007年7月3日
发明者周翔, 颜欢 申请人:周翔