覆有机械强度改善的层的玻璃基材的制作方法

专利名称：：覆有机械强度改善的层的玻璃基材的制作方法覆有机械^t改善的层的玻璃S^才本发明涉及透明导电层，该层特别基于氧化物，在玻璃基材上具有很大益处。所述层的例子有掺^的铟氧化物的rro层(铟锡氧化物)，以及掺杂氟的锡氧化物的SnQ2:F层。这样的层在某些应用中组成电极平面灯管、电致发光的玻璃板、电致变色的玻璃板、液晶显示屏、等离子屏、光电玻璃板、发热玻璃板。在其他用于低发射玻璃板的应用中，例如，这些透明导电层不必加电压而被激舌。在现有技术中，这些透明导电层通常被结合在下层上以便改善玻璃基材上的导电性透明层或多层叠层的光学性质。非穷举性地，尤其提及PPG的EP611733，其提出了氧化硅和氧化锡的梯度的混合物层以避免由掺杂氟的锡氧化物透明导电层引起的感应虹彩效应。GordonRoy的专利FR2419335还提出该下层的变型以便改善某个掺杂氟的锡氧化物透明导电层的颜色性质。然而本专利提到的先前方法相反地在工业规模上是无法4顿的。SAINT-GOBAIN在本领域也有专业技术专利FR2736632因此提出氧化硅和氧化锡的反指度的混合下层作为掺杂氟的锡氧化物透明导电层的抗色变下嵐sous《oucheanti-couleur)。相反地，注意到在光电池或前面所提到的所有有效的应用中的玻璃上的透明导电氧化物层的分层的趋势。这种现象的表征测试在于将玻璃及其电极置于玻璃的两侧的约200V电场和约200°Ct显度的结合作用下10併巾。该温度下的电场作用在测试过程中根据玻璃在测试^J变下的电阻率,生从1至8mC/cm2的总电荷迁移。这些分层(d61amination)也可以在现有技术提及的下层中观察到。在弯曲的玻璃上也可以观察到这种分层。如果如此被覆盖的玻璃中没有电流通过，非本领域技术人员是无法观察到这种分层的。然而，在如此被覆盖的玻璃中有电流通过的应用情况中，比如发热玻璃板，这种分层的存在消除了这种功能。为了解决置于玻璃基材上透明导电氧化物层的分层的问题，本发明人设计出一种下层，其将玻璃基材与透明导电氧化物层连接大大改善后者的附着性，特别是在整体施加电场和高于100°C甚至高于150°C的相对高温的条件下，或者特别是当玻璃被塑形时(经弯曲和/或淬火)。本发明目的因此为与适于构成光电池电极的并由掺杂氧化物组成的透明导电层结合的透明玻璃基材，其特征为在玻璃基材和透明导电层之间插入混合层，该混合层为一种或多种与玻璃具有良好的附着性能的第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，和一种或多种可以构成透明导电层的任选地为掺杂状态的第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或自化物的混合层。这样，本发明本身可以获得适用于光电池的多层的叠M(empilement)，其在玻璃基材上的机械强度不受电场存在和高温的影响。这种显著的改善对于大玻璃表面(PLF-pleinelargeurfloat)是可获得，因为与这种尺寸相容的沉积方法可以用在相关的层上。这种令人满意的机械强度在淬火和弯曲处理后也被观察到，包括在曲率半径小到200mm的情况。因此本发明的基材的透明导电层不仅适于构成光电池电极，也适合构ite经淬火和/或弯曲的玻璃上具有优异附着性的覆盖层。皿低发射覆盖层为例，特别是朝向建筑内部的玻璃板面上的覆盖层以便能从其反射和保存周围的热量。补充地，该混合下层(sous-couchemixte)任选地不是玻璃的碱金属向透明导电层迁移的阻挡层。其有利地密度较小以使玻璃的碱金属通过并且其本身是导电的。补充地，本发明的透明基材具有相对于玻璃基材上透明导电层改善的光学性质减小的虹彩产生、更均匀的反射着色。根据本发明的基材的两种优选的实现方式。所述混合层具有随着离玻璃基材的距离增大，所述一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的比例减小的组鹏度；。所述混合层具有随着离玻璃基材的距离增大，所述一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的比例增大的组度。有利地，本发明的基材的特征在于其机械强度在经过这样的处理后的24小时内不受影响(affect6e)，所述处理为通过在S^才两侧至少为100V，优选200V的电场和在至少为200。C温度下至少10併中，优选20辦中的处理，该处理根据在测试温度下玻璃基材的电阻率的值弓胞至少2mC/cm2，优选8mC/cm2的电荷迁移。"机械，"可以理解为叠层或叠层的一部分不发生分层。根据本发明的基材的其它特征。所述混合层与所i^it明导电层的叠层具有最多等于30%的模糊度，。所述混合层在其与所述透明导电层的界面上具有由随机定向的小杆状体(Mtonnets)构成的面，该小杆状体长度为10nm至50nm，直径为5nm至20nm，形成一个10nm至50nm的均方根粗造度，并使该整个叠层相对于与所述透明导电层的所述混合层的相同觀增大5%至10%的模糊度，其中该第一个提至啲(laprendrenomm6e)具有光滑表面~~^光电应用中，高模糊度是所希望的，。^itl寸(在可见光中的M"通过肉眼的感受性曲线加权一ISO9050标准)至少为75%，优选80%，。到1000Q的表面电阻(r&istanceparcarr6)，Ro，被定义为在两个线性、平行、距离为L、相同长度也为L的两个电*皿缘测量的电阻，这两个电极和S^才的导电面在其旨长度上进行电接触，。在可见光和近红外中的吸收最大等于10%。根据本发明的其他性质，特别当M玻璃的禾鹏很很重要时。所述混合层与所逸透明导电层的叠层(empilementdeladitecouchemiste&laditecouche61ectroconductricetransparente)具有小于5%，tte小于1%的模糊度，。^至少为80%，。10Q到1000Q的表面电阻，&，。中性反射颜色并在任何情况下都均匀。雌也，。所述一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或麟化物选自硅、铝和钛的氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，特别是Si02、Ti02和A1203，。所述一种或多种第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物选自锡、锌和铟的氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，特别是Sn02、ZnO和InO，。所逸透明导电层由掺杂Sn、Zn或In的氧化物组成，如Sn02:F、Sn02:Sb、ZnO:Al、ZnO:Ga、InO:Sn或ZnO:In。关于获得在本发明范围内优选的混合层的方法，其在下文中得到详述，所述混合层。是导电性的，非绝缘性的，特别地，它的表面电阻最多等于100000Q，8雌誦0Q;。的F/Sn摩尔比至少为0.01，优选0.05。根据获得基材所寻求的机械纟贩和光学性质的最佳组合的实施方案，。所述混合层的厚度为20nm-500nm，优选50nm-300nm;。所述混合层位于玻璃基材侧的面专一地由厚度为2nm至20nm的一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物组成，这将有利于混合层在玻璃上的附着；。所述混合层的位于与玻璃基材侧相对的侧的面专一地由厚度为2nm至20nm的一种或多种第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或am化物组成，这有利于混合层在与其成分相似的覆盖嵐如所述透明导电局上的附着。根据第一种变型，所述由摻杂的氧化物组成的透明导电层通过插入非掺杂的相同氧化物层与所述混合层相连，所述两个掺杂或非掺杂的层的累计厚度为700nm-2000nm，这两个层的厚度比为1:44:1。掺杂的氧化物的层可以覆盖有非晶硅，微晶硅，其fflil等离子增强CVD(PECVD)沉积，目的是组成光电池。所述两个非掺杂的和掺杂的氧化物层这时有利地具有20nm-40nm的均方根粗糙度。这是因为硅吸收相对较少的光。下邻接层(couchessous-jacentes)的粗糙度使光MI寸性并且延长了光线在硅活性层中的路线，保证其内部足够数目的电子-空穴对，以及有效的光俘获阱。根据第二种，所述厚度为300nm-600nm的由掺杂的氧化物组成的透明导电层直接在所述混合层上形成。掺杂的氧化物层可以被覆盖有镉-碲层，目的是组成光电池。在本发明的基材的优选的实现方案中，所述由掺杂的氧化物组成的透明导电层被覆盖有在面对组成光电池的覆盖层的沉积时保护该透明导电层的层，特别^I过PECVD沉积层(如硅层)，或增强光电池量子效应的层，如氧化锌或氧化钛时。根据本发明一种有利的实施方式，基材面中的一个~~特别是和载有所述混合层的面相对的玻璃面一被叠层覆盖，该叠层带来抗反射或疏水或光催化类型的功能性。另一方面，所述混合层可包含一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的颗粒，上述颗粒与一种或多种第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或職化物的颗粒混合。其实例为包含与Sn02颗粒混合的Si02颗粒的混合层。在这种情况下，例如，"组成的遊卖梯度"标在混合层整个厚度中随离玻璃St才的距离递增Si02颗粒相对Sn02颗粒比例的有规律地递减。这种有规律的递减不排除平台或阶梯型递减，或者存在两个不同的且一个在另一个中的叠瓦状排列的区嫩deuxzonesdistinctesetimbriqu6esl，unedansl，autre)(以拼图的片的方式)，其具有所述一种或多种第一，二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的唯一一种的排他性含量。所述混合层还可以附加地或可替换地包含一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的混合颗粒，以及一种或多种第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物的混合颗粒。其实例为含有元素Si、Sn、Al和O的混合层。根据前面两种变型，所，粒的尺寸通过电子显微镜观测进行确定，其尺寸为10nm-80跳j雌20nm-50nm。本发明的目的还包括基材的制造方法，该基材的所述混合层由在至少一种氟化合物存在下使所述一种或多种第一和第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的前体与基材相接触产生的化学气相沉积方法获得，所述氟化物如四氟代甲烷(CF4)、八氟代丙烷(C3F8)、六氟代乙垸(C2F6)、氟化氢(HF)、二氟代-氯代-甲烷(CHC1F2)、二氟代-氯代-乙垸(CH3CC1F2)、三氟代甲垸(CHF3)、二氯代-二氟代甲烷(CF2C12)、三氟代-氯代甲烷(CF3C1)、三氟代-溴代甲烷(CF3Br)、三氟乙酸(TFA，CF3COOH)、三氟化氮(NF3)。氟化物加快了所述一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的沉积一特别是Si02—相对于一种或多种第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的沉积一如Sn02。駄，。作为Si02的前体四乙氧基硅烷(TEOS)、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、麟(S线)；。作为Sn02的前体三氯一丁基锡(MBTCI)、二乙酸二丁基锡(DBTA)、四氯化锡(SnCLt)。根据第一种途径，所述混合层M31使用等离子增强化学气相沉积(CVD代表化学气相沉积)(PECVD代表等离子CVD)获得，特别是大气压下的等离子增强化学气相沉积(APPECVEM樣大气压下PECVD);这时最有利地，基材的温度最高等于300。C。根据第二种途径，所述混合层在基纟t，至少等于500。C，地至少等于600°C，特别tti^iikM少等于650。C时获得。根据种方法另一种优选的实现方案，所述混合层在助剂存在下获得，所述助剂为控制所述一种或多种第一和二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的相对沉积速率的助齐U。因此fOT热CVD形式(enCVDthennique:)的SiOz和Sn02前体的混合物可以获得无氧^^牛下只有Si02的沉积或足M气条件下只有SrA的沉积，因此可以获得全部中间状态。其他的化合物，特别是氟化合物、磷化合物和硼化合物也可以在混合层形成过程中用来提高St02的沉积速與相对于SnCb)。对于这些化合物不足的是它们是路易斯酸。本发明有利地使用氟不仅以加快混合层形成过程中Sl02的沉积速辨相对于SnQ2)，而且可以用于掺杂下层并使其本身有导电性。下层的电传导参与改善该叠层的机械强度，特别是在电场的作用下。另一方面，本发明的目的为。包含，基材的光电池；。经淬火和/或弯曲的玻璃，该弯曲的玻璃的曲率半径最多等于2000mm，4，最多等于500mm，特别,地最多等于300mm，所述玻璃包含根据本发明的基沐沉积在该玻璃上的层的机械强度是优异的；。经成形的加热玻璃，含有如上所述的基材；。含有根据本发明的基材的等离子屏(PDP代表等离子显示屏)；。包含这种St才的平面灯管的电极。本发明通过以下实施例进行说明。实施例1:在热CVD反应器中静态、沉积纟参杂氟的SiOSnS^才-4mm玻璃，面积10x20cm2MBTCI:0.4柳0/0TEOS=1.6,、％02=10術只％TFA^0.5体积0/0。玻璃對才的鹏(pl油x2腿)=650°CN2总流量=1.51/min可以获得如下的叠层玻激Si02(10nm)/具有从Si02向Sn02的梯度的混合SiOSn/Sn02(10nm)/<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>实施例2:大气压下在热CVD反应器中动态进行沉积掺杂氟的SiOSn/非掺杂的SnCV掺杂氟的SnO基材=4mm极透明玻璃，尺寸100x60cm2第一次通过中MBTCI=0.3mol/minTEOS=0.36mol/min02=13術只％TFA=0.19mol/minH2O=2.3mol/min玻璃謝的驄(Diamant，4mm)=650。CN2总流量=1625Nl/min(Nl=标准升=1大气压下和25°C时的升)玻璃走带鹏=10m/min第二次通过中MBTCI=0.95mol/min.02=20術只％H20=3.7mol/min玻璃謝的鹏=650。CN2总流量=1600Nl/min走带速度=10m/min第三次通过中MBTCI=0.47mol/min.1202=20術只％TFA=1.85mol/minH2O=0.88mol/min玻璃對才的鹏=650。CN2总流量=1600Nl/min走带i!S=10m/min获得如下ftM:玻激Si02/具有梯度的掺,的混合SiOSn/Sn02/掺，的Sn02，如根据组成所显示的ftjl的元素的SMS图所示。TEM/EDX分析(电子透射显微镜/能量色散X射线(EnergyDispersiveX-Ray))显示掺杂氟的SiOSn层具有随离玻璃基材的距离增加而增加的Si的比例(相对于Sn)。在机械强度测试中，使5cmx5cm的样品经受在St才两侧200V电场和200。C的at下10併中的处理，该层在战处理后24小时内不受影响，其与没有进行第一次沉积通过的相同层相反。根据200°C下玻璃的电阻率值为约7xl05am.，这种处理产生4mC/cm2的电荷位移。比较这一方案和另一较低效能的方案，在该较低效能方案中混合层采用相同方式但不加入含氟掺杂齐,获得。目前技术方案玻激SiOC/SnO2:F本发明的技术方案画l玻璃/SiOSn/Sn02:F本发明的技术方案-2玻璃/SiOSn:F/SnQ2:F舰战处理后24小时结束时观察到的分层有无，但是i媚在i规鹏的几天内分层无，该层比现有技术的技术方案分层更迟实施例3:大气压下在热CVD反应器中进fi^力态沉积Si-O-Sn對才=4,的PlaniluxSaint-Gobain玻璃第一次通过鼓泡TEOS，鼓泡温度80。C，鼓泡氮气流量175Nl/minMBTCI=5kg/h02=15体积％TFA=1.5kg/hH20=2.5k^h玻璃謝的鹏=650。CN2总流量=1500Nl/min走^iS^=10m/min第二次通过时MBTCI=35kg/h02=20術只％TFA=9kg/hH20=9kg/h玻璃謝的鹏=650°CN2总流量=1600Nl/min走带速度=10m/min可以获得一个光邀寸为78%的层，表面电阻等于10欧姆，模糊度等于4%。用这种下层可以获得的曲率比无下层的相同层的曲率约大3倍。目前的技术方案玻豫Sn02:F本发明的技术方案玻豫SiOSn:F/Sn02:F被归一化至现有技术的当前技术方案的最小值的曲率半径11/4实施例4:大气压下在热CVD反应器中动态沉积Ti-O-Sn對才4廳的PlaniluxSaint陽Gobain玻璃只M—次14在主注射口上游的开口中鼓泡TiPT，鼓泡温度50°C，鼓泡氮气流量125Nl/min，稀释氮气流量375Nl/min0在主注射口处MBTCI=15kg/h02=20体积％TFA=7.5kg/hH20=3.7kg/h玻璃謝的鹏=650。CN2总流量^誦Nl/min走带il^=4m/min前体到达柳顷序包括玻Jmi02/具有梯度的掺織的混合Ti-0-Sn/掺織的Sn02觀。获得的层为10欧姆平方(ohmscarr6s)，80%的，射，1.5%的模糊度。用这种下层可以获得的曲率半径比不用下层的相同层约小1倍，没观察到分层。目前技术方案玻激Sn02:F本发明的技术方案玻斷iOSn:F/Sn02:F被归一化至目前技术方案的最小值的曲率半径11/2实施例5:在大气压下在等离子反应器中进fi^力态沉积Si-O-SnN2流量2001/minTEOS:45sccmSnC":5sccmH2(在N2中稀释至5Q/o):2000sccm等离子功率2W/cm2，具有脉冲型进料。放电态均匀。玻璃鹏150。C。沉积的层为非晶型SiOSn，具有梯度使得在表面的锡的浓度更大。该层的15沉积速率为200nm/min。根据l至5的等级，光电测试所得的强度为4(层在测试中无变化但是或者24小时后分层，或者在24小时前轻微分层)。"光电测试"理解为用在基材两侧的200V的电场和200°C的温变下10併中的处理在处理后的24小时内观察有无分层。权利要求1.与适于构成光电池电极的并由掺杂氧化物组成的透明导电层结合的透明玻璃基材，光电池其特征为在玻璃基材和透明导电层之间插入混合层，该混合层为一种或多种与玻璃具有良好的附着性能的第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，和一种或多种可以构成透明导电层的并任选地为掺杂状态的第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的混合层。2.根据权利要求1的基材，其特征在于所述混合层具有为随着离玻璃基材距离的递增，所述一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的比例递减的组成梯度。3.根据权利要求1的基材，其特征在于所述混合层具有为随着离玻璃基材距离的递增，所述一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的比例递增的组成梯度。4.根据前述权利要求任一项的基材，其机械强度在处理后的24小时内不受影响，所述处理为使用在基材两侧至少100V，200V的电场，和至少为200。C的^^下至少10併中，20併中的处理，根据在该测说^下玻璃S^的电阻率值，该处理弓胞至少2mC/cm2，雌8mC/cm2的电荷迁移。5.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述混合层与所述透明导电层的叠层具有最多等于30%的模糊度。6.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述混合层在其与所,明导电层的界面处具有由随机定向的小杆状体组成的表面，所述小杆状体长度为10nm至50nm，直径为5nm至20nm，形成一个10nm至50nm的均方根粗糙度，并使整个叠层具有相对于所述混合层与所^3S明导电层的的相同叠层增大5%至10%的模糊度，其中该第一个提至啲具有光滑表面。7.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述混合层与所述透明导电层的叠层具有至少等于75%，80%的，射。8.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述混合层与所述透明导电层的叠层具有5Q-1000n的表面电阻，Ro。9.根据前述权禾腰求任一项的S^才，其特征在于所述混合层与所腿明导电层的叠层具有最大等于10%的在可见光和近红外中的吸收。10.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物选自硅、铝和钛的氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物，特别是Si02、Ti02和Al203。11.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述一种或多种第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物选自锡、锌和铟的氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物，特别是Sn02、ZnO和InO。12.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述透明导电层由掺杂Sn、Zn或In的氧化物组成，如Sn02:F、Sn02:Sb、ZnO:Al、ZnO:Ga、InO:Sn或ZnO:In。13.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述混合层的表面电阻最多等于100000Q，伏选10000Q。14.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述混合层的F/Sn摩尔比至少等于0.01，优选0.05。15.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述混合层的厚度为20nm-500腦，ite50腿-300nm。16.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于位于玻璃S^才一侧的所述混合层的面专一地由厚度为2nm至20nm的一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物构成。17.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于位于与玻璃基材侧相对的一侧的所述混合层的面专一地由厚度为2腦至20nm的一种或多种第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或麟化物构成。18.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述的由掺，化物组成的透明导电层通过插入非掺杂的相同氧化物层与所述混合层相连，所述两个掺杂和非掺杂的氧化物的层的累计厚度为700nm-2000nm，这两个层的厚度比为1:4至4:1。19.根据权利要求1至15任一项的基材，其特征在于所M明导电层由掺杂的氧化物组成，其厚度为300nm-600nm，直接形成在所述混合层上。20.根据前述丰又利要求任一项的基材，其特征在于所述由掺杂的氧化物组成的透明导电层被覆盖有在面对沉积光电池的构成覆盖层时保护该透明导电层的层，或增强光电池量子效应的层，如氧化锌或氧化钛层。21.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述基材的一个面被ftii覆盖，该觀提供抗反射或疏7jC或光催化类型的功能性。22.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述混合层包含与一种或多种第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的颗粒混合的一种或多种第一氮化物或氮氧化物或氧化物或碳氧化物的颗粒。23.根据前述权利要求任一项的基材，其特征在于所述混合层包含一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，和一种或多种第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或a^化物的混合颗粒。24.根据t又利要求22和23任一项的基材，其特征在于通过电子邀寸显微镜观测确定的所述颗粒的尺寸为10nm-80nm，优选20nm-50nm。25.根据前述权利要求任一项的基材的制造方法，其特征在于所述混合层在至少一种氟化合物存在下通过使所述一种或多种第一和第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的前体与基材相接触产生的化学气相沉积法获得。26.根据权利要求25的方法，其特征在于所述混合层通过j顿等离子增强化学气相沉积法特别是大气压下等离子增强化学气相沉积法而获得。27.根据权利要求26的方法，其特征在于所述混合层是在最高等于300°C的St才的温度下获得的。28.根据权利要求25的方法，其特征在于所述混合层在至少等于500°C，，至少等于600°C，特别优i^i也至少等于650°C的基lt温度下获得。29.根据权利要求25至28中至少一项的方法，其特征在于所述混合层在助剂存在下获得，所舰齐伪控制所述一种或多种第一和第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物的相对沉积速率的助剂。30.根据权利要求25至29任一项的方法，其特征在于所述至少一种氟化合物选自四氟代甲垸(CF4)、八氟代丙烷(C3F8)、六氟代乙烷(C2F6)、氟化氢(HF)、二氟代-氯代-甲烷(CHC1F2)、二氟代-氯代-乙烷(CH3CC1F2)、三氟代甲烷(CHF3)、二氯代-二氟代甲烷(CF2C12)、三氟代-氯代甲烷(CF3C1)、三氟代-溴代甲烷(CF3Br)、三氟乙酸(TFA，CF3COOH)、三氟化氮(NF3)。31.光电池，其包含根据权利要求1至24任一项的基材。32.包含根据权利要求l至24任一项的基材的经淬火和/或弯曲的玻璃，该弯曲的玻璃的曲率半径最多等于2000mm，最多等于500mm,特别iK地最多等于300mm，。33.经成形的加热玻璃，其含有权利要求1至24任一项的基材。34.包含根据权利要求l至24任一项的基材的等离子屏。35.包含根据权利要求l至24任一项的基材的平面灯管的电极。全文摘要本发明涉及一种与透明导电层结合的透明玻璃基材，所述透明导电层适于构成光电池电极并由掺杂氧化物组成，其特征为在玻璃基体和透明导电层之间插入混合层，该混合层为具有与玻璃良好的附着性能的一种或多种第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，和可以构成透明导电层的任选地为掺杂状态的一种或多种第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的混合层；这种基材的制造方法；包含这种基材的光电池、淬火和/或弯曲的玻璃、成形的加热玻璃、等离子屏和平面灯管的电极。文档编号C03C17/34GK101636362SQ200880002251公开日2010年1月27日申请日期2008年1月14日优先权日2007年1月15日发明者A·杜兰多,B·库恩,B·恩吉姆,D·勒贝莱克,E·维亚斯诺夫,E·罗耶,F·阿博特,G·扎格道恩,O·杜博伊斯申请人:法国圣戈班玻璃厂