1.一种轮式金刚刀划片方法，其特征是包括以下步骤：
1）备片：半导体圆片减薄至目标厚度并完成背面工艺；
2）贴膜：用粘性膜将待划圆片固定在绷环上；
3）划片：轮式金刚刀在设定步进、压力、速度等条件下沿直线滚动，在半导体圆片表面形成凹槽；
4）裂片：划片后半导体圆片使用裂片机在裂片压刀、裂片蹄刀按设定条件下，沿凹槽位置进行劈裂；
5）分片：对裂片后半导体圆片进行扩膜、解胶分片形成独立芯片。
2.根据权利要求1所述的一种轮式金刚刀划片方法，其特征在于，所述将SiC圆片减薄至目标厚度为50~150um。
3.根据权利要求1所述的一种轮式金刚刀划片方法，其特征在于，该划片方式不仅适用于传统Si、GaAs、InP低硬度的半导体材料划片，也适用于GaN、SiC、蓝宝石高硬度的半导体材料划片。
4.根据权利要求1所述的一种轮式金刚刀划片方法，其特征在于，所述粘性膜为蓝膜或UV膜。
5.根据权利要求1所述的一种轮式金刚刀划片方法，其特征在于，所述金刚刀为轮式金刚刀。
6.根据权利要求1所述的一种轮式金刚刀划片方法，其特征在于，所述划片方式为将待划GaN、SiC或蓝宝石圆片放置在MDI LS831轮式金刚刀划片机上，真空吸牢，在压力0.1~0.5MPa，速度10~200mm/s条件下沿直线滚动划片；在圆片表面形成凹槽。
7.根据权利要求1所述的一种轮式金刚刀划片方法，其特征在于，所述裂片为将已划完的GaN、SiC或蓝宝石圆片放置在Dynatex裂片机，将蹄刀与划痕设置重合保持不动、压刀设置到划片槽空白位置并下压0.03~0.2mm保持50~300ms后抬起即完成1次裂片动作，重复上述动作直至所有划痕裂片完成。
8.根据权利要求1所述的一种轮式金刚刀划片方法，其特征在于，所述分片：对裂片后圆片用扩膜机扩膜增大芯片间距，防止芯片的相互挤压摩擦造成的碎屑、损伤，后用UV解胶机对UV膜进行解胶，降低UV膜对芯片的粘附力，便后续封测工艺。